FUJITSU SEMICONDUCTOR DATA SHEET DS501-00001-8v0-R Память FRAM 16К (2К × 8) Бит I2C MB85RC16 ■ ОПИСАНИЕ Микросхема MB85RC16 представляет собой FRAM (Сегнетоэлектрическое оперативное запоминающее устройство) в конфигурации 2048 слов × 8 бит, использующее технологии сегнетоэлектрических процессов и КМОП кремниевого затвора для формирования долговременных энергонезависимых ячеек памяти. В отличие от статического ОЗУ (SRAM), MB85RC16 способна сохранить данные без батареи резервирования данных. Устойчивость ячеек памяти, используемых в MB85RC16, составляет не менее 1012 операций чтения/ записи на байт, что существенно превосходит количество операций чтения и записи, поддерживаемых другими продуктами с энергонезависимой памятью. MB85RC16 может производить запись по одному байту, поскольку, в отличие от памяти FLASH и E2PROM, ей не требуется много времени для записи. Благодаря этому отпадает необходимость в последовательном ожидании завершения записи, когда микросхема занята операцией записи. ■ ХАРАКТЕРИСТИКИ • Битовая конфигурация : 2048 слов × 8 бит • Двухпроводный последовательный интерфейс : Полностью управляется двумя портами: последовательный таймер (SCL) и последовательные данные (SDA). • Рабочая частота : 1 МГц (Макс) • Устойчивость чтения/записи : 1012 циклов/байт • Сохранность данных : 10 лет ( + 85 °C), 95 лет ( + 55 °C), более 200 лет ( + 35 °C) • Рабочее напряжение источника питания : 2,7 В до 3,6 В • Низкое энергопотребление : Рабочий ток источника питания 70 μА (Тип при 1 МГц) Ток в режиме ожидания 0,1 μА (Тип) • Диапазон рабочих температур окружающей среды : от − 40 °C до + 85 °C • Корпус : 8-контактный пластмассовый SOP (FPT-8P-M02) 8-контактный пластмассовый SON (LCC-8P-M04) Соответствует RoHS Copyright©2011-2013 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved 2013.4 MB85RC16 ■ РАЗВОДКА КОНТАКТОВ (ВИД СВЕРХУ) NC 1 (ВИД СВЕРХУ) 8 VDD NC 2 7 WP NC 3 6 SCL VSS 4 5 NC 1 8 VDD NC 2 7 WP NC 3 6 SCL VSS 4 5 SDA SDA (FPT-8P-M02) (LCC-8P-M04) ■ ФУНКЦИОНАЛЬНОЕ НАЗНАЧЕНИЕ ВЫВОДОВ Номер вывода Наим. вывода Функциональное назначение 1 до 3 NC Неподключенные выводы Оставьте эти выводы отключенными или подключите к контакту VDD или VSS. 4 VSS Вывод заземления SDA Контакт последовательного ввода/вывода данных Это контакт ввода/вывода данных для выполнения двусторонней передачи адреса памяти и чтения или записи данных. Существует возможность подключения нескольких устройств. Это выход с открытым стоком, поэтому во внешней схеме к нему должен быть подключен нагрузочный резистор. SCL Вывод последовательного таймера Это входной контакт таймера для ввода/вывода синхроимпульсов последовательных данных. Данные считываются по нарастающему фронту синхроимпульса и выводятся по спадающему фронту. 7 WP Вывод защиты от записи Когда вывод защиты от записи имеет уровень “В”, операция записи отключается. Когда вывод защиты от записи имеет уровень “Н”, возможна перезапись данных во всем диапазоне памяти. Операция чтения доступна всегда, независимо от входного уровня вывода защиты от записи. Вывод защиты от записи соединен внутри микросхемы с выводом VSS, это состояние распознается как уровень “Н” (запись разрешена), если вывод защиты от записи отключен. 8 VDD Вывод напряжения питания 5 6 2 DS501-00001-8v0-R MB85RC16 ■ БЛОК-СХЕМА WP Декодер строк SCL Счетчик адреса памяти Последовательный/ параллельный преобразователь Контур управления SDA Массив FRAM 2048 × 8 Декодер столбцов/ Усил. считывания/ Усил. записи ■ I2C (Взаимно-интегрированная цепь) Микросхема MB85RC16 оснащена двухпроводным последовательным интерфейсом с шиной I2C и работает в качестве ведомого устройства. Шина I2C задает роли “ведущего” и “ведомого” устройств при обмене информацией, при этом ведущее устройство имеет право инициировать управление процессом связи. Кроме того, связь по шине I2C возможна в том случае, когда одно ведущее устройство подключено к нескольким ведомым устройствам в параллельной конфигурации. • Пример конфигурации системы по интерфейсу I2C VDD Нагрузочные резисторы SCL SDA Шина I2C Ведущее DS501-00001-8v0-R Шина I2C MB85RC16 Шина I2C Другое ведомое 3 MB85RC16 ■ ПРОТОКОЛ СВЯЗИ I2C Передача данных по шине I2C выполняется только по двум проводам, поэтому вход SDA должен переключаться, когда сигнал SCL находится в состоянии “Н”. Однако при запуске и остановке последовательности передачи данных сигнал SDA может изменяться при уровне “В” сигнала SCL. • Условие запуска Для запуска операций чтения или записи по шине I2C следует переключить вход SDA с уровня “В” на уровень “Н”, пока вход SCL находится в состоянии “В”. • Условие останова Для остановки передачи данных по шине I2C следует переключить вход SDA с уровня “Н” на уровень “В”, пока вход SCL находится в состоянии “В”. Ввод условия останова при операции чтения останавливает процесс чтения и осуществляет переход в состояние ожидания. Ввод условия останова при операции записи останавливает ввод данных перезаписи и осуществляет переход в состояние ожидания. • Условие запуска, Условие останова SCL SDA “В” или “Н” Запуск Останов Примечание : Устройство FRAM не требует программируемого времени ожидания памяти (tWC) во время операции записи после появления на входе Условия останова. 4 DS501-00001-8v0-R MB85RC16 ■ ПОДТВЕРЖДЕНИЕ (ACK) По шине I2C последовательные данные, в том числе адрес памяти или информация, содержащаяся в памяти, передаются и принимаются порциями по 8 бит. Сигнал подтверждения показывает, что каждые 8 бит данных успешно отправлены и получены. Приемник выдает на выходе уровень “Н” по каждому 9-му синхроимпульсу SCL после успешной передачи и получения очередных 8 бит. Со стороны передатчика шина временно переключается в Z-состояние по каждому такому 9-му синхроимпульсу, что позволяет принять и проверить сигнал подтверждения. В течение этого Zсостояния передатчика приемник устанавливает SDA-линию на уровень “Н”, что подтверждает успешный прием предшествующих переданных 8 бит. Если ведомое устройство получает Условие останова перед передачей или получением сигнала ACK по уровню “Н”, ведомое устройство останавливается и переходит в состояние ожидания. С другой стороны, ведомое устройство выполняет разблокировку состояния шины после отправки или получения сигнала NACK уровня “В”. В разблокированном состоянии шины ведущее устройство генерирует Условие останова или Условие запуска. • Временная диаграмма процесса подтверждения 1 SCL 2 3 8 SDA 9 ACK Запуск Передатчик должен всегда сбрасывать SDA по 9-му биту. В это время приемник выдает низкий уровень на выходе, если предыдущие 8 бит данных получены правильно (ответ ACK). ■ СТРУКТУРА АДРЕСА ПАМЯТИ Микросхема MB85RC16 оснащена буфером адреса памяти, способным хранить 11 бит данных адреса памяти. Для таких команд, как запись байта, запись страницы и произвольное чтение, полный 11-битный адрес памяти формируется путем ввода старшего адреса памяти (3 бита) и младшего адреса памяти (8 бит) и сохраняется в буфере адреса памяти. Затем выполняется доступ к памяти. Для команды чтения текущего адреса полный 11-битный адрес памяти формируется и сохраняется в буфере адреса памяти путем ввода старшего адреса памяти (3 бита) и младшего адреса памяти (8 бит), которые сохранены в буфере адреса памяти. Затем выполняется доступ к памяти. DS501-00001-8v0-R 5 MB85RC16 ■ СЛОВО АДРЕСА УСТРОЙСТВА После подачи условия запуска вводится 8бит слово адреса устройства. Введенное слово адреса устройства определяет либо операцию записи, либо операцию чтения. Однако синхроимпульс управляется исключительно ведущим устройством. Слово адреса устройства (8 бит) состоит из кода типа устройства (4 бита), кода старшего адреса памяти (3 бита) и кода чтения/записи (1 бит). • Код типа устройства (4 бита) Старшие 4 бита адреса устройства представляют собой код типа устройства, идентифицирующий тип устройства, который имеет фиксированное значение “1010” для MB85RC16. • Код старшего адреса памяти (3 бита) После кода типа устройства вводятся 3 бита кода старшего адреса памяти. Выбор адреса ведомого устройства нельзя выполнить посредством установки внешнего вывода на данном устройстве. Эти 3 бита являются не битами установки адреса ведомого устройства, а старшими 3 битами установки адреса памяти. • Код чтения/записи (1 бит) 8-й бит слова адреса устройства представляет собой код R/W (чтения/записи). Если поступает код R/W со значением “0”, разрешается операция записи, а если код R/W со значением “1”, разрешается операция считывания для MB85RC16. Если код устройства не равен “1010”, операция чтения/записи не выполняется и осуществляется переход в состояние ожидания. • Слово адреса устройства Запуск 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 2 .. SCL SDA ACK S 1 0 1 0 Код типа устройства A2 A1 A0 Код старшего адреса памяти R/W .. A Код чтения/записи Выборка данных от ведущего устройства Выборка данных от ведомого устройства S Условие запуска A ACK (“Н” уровень SDA) 6 DS501-00001-8v0-R MB85RC16 ■ СТРУКТУРА ДАННЫХ Вслед за условием запуска ведущее устройство вводит слово адреса устройства (8 бит), после чего ведомое устройство выводит сигнал подтверждения уровня “Н” по 9-му биту. После получения сигнала подтверждения последовательно вводятся 8 бит младшего адреса памяти для команд записи байта, записи страницы и произвольного чтения. Что касается команды чтения текущего адреса, ввод младшего адреса памяти не выполняется, а в качестве младшего адреса памяти используются 8 младших бит из буфера адреса. По завершении ввода младшего адреса памяти ведомое устройство снова выдает сигнал подтверждения уровня “Н” по 9-му биту. После этого следует ввод и вывод данных порциями по 8 бит, а затем для каждых 8 бит данных выдается сигнал подтверждения уровня “Н”. ■ ПОДТВЕРЖДЕНИЕ FRAM -- ОПРОС НЕ ТРЕБУЕТСЯ MB85RC16 выполняет операции записи с высокой скоростью, поэтому отсутствует время ожидания выполнения ACK* посредством опроса подтверждения. *: В устройствах E2PROM выполняется опрос подтверждения для проверки выполнения операции перезаписи. По 9-му биту подтверждения можно судить, выполняется ли перезапись после ввода условия запуска, а затем слова адреса устройства (8 бит) во время перезаписи. ■ ЗАЩИТА ОТ ЗАПИСИ (WP) Весь массив памяти может быть защищен от записи с помощью установки уровня “В” на выводе WP. Когда вывод WP имеет состояние “Н”, возможна перезапись данных во всем массиве памяти. Чтение возможно независимо от уровня, установленного на выводе WP (“H” или “В”). Уровень сигнала WP не должен изменяться во время передачи данных с момента условия запуска до подачи условия останова. Примечание : Вывод WP соединен внутри микросхемы с выводом VSS, поэтому, если вывод WP отключен, состояние вывода регистрируется как уровень “Н” (запись разрешена). DS501-00001-8v0-R 7 MB85RC16 ■ КОМАНДЫ • Запись байта Если после условия запуска отправляется слово адреса устройства (ввод сигнала R/W “0”), ведомое устройство отвечает сигналом ACK. После этого сигнала ACK, аналогичным образом передаются адреса памяти и данные для записи, и запись завершается после генерации условия останова в конце цикла. S Младшие Запись 1 0 1 0 A2 A1 A0 0 A 8 бит адреса A данных 8 бит A P XXX MSB X X X X X X XX LSB Выборка данных от ведущего устройства Выборка данных от ведомого устройства S Условие запуска P Условие останова A ACK (“Н” уровень SDA) • Запись страницы Если после команды записи байта (кроме условия останова) непрерывно подаются дополнительные 8 бит, выполняется запись страницы. Адрес памяти возвращается к первому адресу памяти (000H) в конце адреса. Таким образом, если передается более 2 Кбайт, происходит перезапись ранее записанных данных, начиная с начала адресного пространства памяти. S Младшие Запись Запись 1 0 1 0 A2 A1 A0 0 A 8 бит адреса A данных 8 бит A данных ... A P Выборка данных от ведущего устройства Выборка данных от ведомого устройства S Условие запуска P Условие останова A ACK (“Н” уровень SDA) 8 DS501-00001-8v0-R MB85RC16 • Чтение текущего адреса При успешном завершении предыдущей операции чтения или записи вплоть до получения условия останова, последний предшествующий адрес памяти сохраняется в буфере адреса памяти (его длина составляет 11 бит). Отправив эту команду без отключения питания, можно прочитать адрес памяти n+1, где 1 добавляется к общему 11-разрядному адресу памяти n, который включает в себя 3 бита старшего адреса памяти, полученные при введении слова адреса устройства, и 8 младших бит из буфера адреса памяти. Если адрес памяти n является последним адресом, есть возможность выполнить чтение с возвратом к заголовку адреса памяти (000H). Сразу после включения питания текущий адрес (на который указывает буфер адреса памяти) не определен. Выборка данных от ведущего устройства Выборка данных от ведомого устройства Адрес памяти (n+1) Чтение 1 0 1 0 A2 A1 A0 1 A данных 8 бит N P S S Условие запуска P Условие останова A ACK (“Н” уровень SDA) N NACK (“В” уровень SDA) • Произвольное чтение Можно синхронно прочитать в SCL один байт данных из адреса памяти, сохраненный в буфере адреса памяти, указав адрес таким же образом, как и при записи, а затем задав другое условие запуска и отправив слово адреса устройства (ввод сигнала R/W “1”). Значения первого и второго кодов старшего адреса памяти должны быть одинаковыми (как показано в примере ниже). Окончательный сигнал NACK (при сигнале SDA на уровне “В”) выдается приемником, получающим данные. В данном случае этот бит выдается ведущим устройством. S Младшие 1 0 1 0 A2 A1 A0 0 A 8 бит адреса A S (Пример ввода) при чтении адреса памяти 16FH: 001B 01101111B 1 0 1 0 A2 A1 A0 1 A 001B Чтение данных 8 бит N P Выборка данных от ведущего устройства Выборка данных от ведомого устройства S Условие запуска P Условие останова A ACK (“Н” уровень SDA) N NACK (“В” уровень SDA) DS501-00001-8v0-R 9 MB85RC16 • Последовательное чтение Данные можно считывать непрерывно, подав слово адреса устройства (ввод сигнала R/W “1”) после указания адреса таким же образом, как и при произвольном чтении. Когда чтение достигает конца адресного пространства памяти, адрес считывания автоматически возвращается к первому адресу памяти (000H), и чтение продолжается. ... A Чтение Чтение A данных данных 8 бит ... A Чтение N P данных 8 бит Выборка данных от ведущего устройства Выборка данных от ведомого устройства P Условие останова A ACK (“Н” уровень SDA) N NACK (“В” уровень SDA) ■ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТЬ ПРОГРАММНОГО СБРОСА ИЛИ ПОВТОР КОМАНДЫ В случае сбоя после включения, остановки связи по шине I2C ведущим устройством или возникновения других непредвиденных сбоев, выполните (1) последовательность программного восстановления работы непосредственно перед выполнением команды или (2) повторите команду непосредственно после ошибки ее выполнения. (1) Последовательность программного сброса Так как ведомое устройство может выводить сигналы уровня “Н”, не стоит устанавливать уровень “В”, если ведущее устройство управляет портом SDA. Это предотвратит конфликт шин. Для выполнения описанной здесь последовательности программного сброса дополнительное оборудование не требуется. 9 сигналов “Условие запуска и одна логическая “1”” SCL SDA Z-состояние от нагрузочного резистора Передайте сигнал “Условие запуска и одна логическая “1””. Повторите 9 раз перед командой записи или чтения. (2) Повтор команды Повтор команды может быть полезным для устранения неисправности, произошедшей во время связи по шине I2C. 10 DS501-00001-8v0-R MB85RC16 ■ АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Параметр Значение Обозначение Мин Макс Единица измерения Напряжение источника питания* VDD − 0,5 + 4,0 В Входное напряжение* VIN − 0,5 VDD + 0,5 ( ≤ 4,0) В VOUT − 0,5 VDD + 0,5 ( ≤ 4,0) В TA − 40 + 85 °C Tstg − 55 + 125 °C Выходное напряжение* Рабочая температура окружающей среды Температура при хранении *: Эти параметры приведены для условия VSS = 0 В. ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ: Полупроводниковые приборы могут быть безвозвратно повреждены вследствие воздействий (в том числе электрического напряжения, силы тока или температуры), превышающих абсолютные максимальные величины. Не следует превышать эти величины. ■ РЕКОМЕНДУЕМЫЕ РАБОЧИЕ УСЛОВИЯ Параметр Обозначение Значение Мин Тип Макс Единица измерения Напряжение источника питания* VDD 2,7 3,3 3,6 В “В” уровень входного напряжения* VIH VDD × 0,8 ⎯ VDD + 0,5 ( ≤ 4,0) В “Н” уровень входного напряжения* VIL − 0,5 ⎯ + 0,6 В Рабочая температура окружающей среды TA − 40 ⎯ + 85 °C *: Эти параметры приведены для условия VSS = 0 В. ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ: Для обеспечения нормальной работы полупроводникового прибора необходимо соблюдать рекомендованные условия работы. Соблюдение указанных условий является гарантией обеспечения всех электрические параметров прибора. Прибор должен использоваться с соблюдением рекомендованных условий. Использования прибора в условиях превышения установленных условий может оказать негативное воздействие на надежность прибора. Надежность работы может быть не обеспечена в случае использования прибора в целях, условиях, логических комбинациях, не указанных в настоящем документе. Просим заранее консультироваться с торговыми представителями в случае если рассматривается использование прибора в условиях, отличных от указанных в настоящем документе. DS501-00001-8v0-R 11 MB85RC16 ■ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ 1. Характеристики по постоянному току (в пределах рекомендуемых рабочих условий) Параметр Обозначение Условие Значение Мин Тип Макс Единица измерения |ILI| VIN = 0 В до VDD ⎯ ⎯ 1 μА |ILO| VOUT = 0 В до VDD ⎯ ⎯ 1 μА IDD SCL = 1 МГц ⎯ 70 100 μА Ток в режиме ожидания ISB SCL, SDA = VDD WP = 0 В или VDD или РАЗОМКНУТ TA = + 25 °C ⎯ 0,1 1 μА “Н” уровень выходного напряжения VOL IOL = 3 мА ⎯ ⎯ 0,4 В Входное сопротивление для вывода WP RIN VIN = VIL (Макс) 50 ⎯ ⎯ кΩ VIN = VIH (Мин) 1 ⎯ ⎯ МΩ Ток утечки на входе*1 Ток утечки на выходе* 2 Рабочий ток источника питания *1: Применимо к выводам: SCL, SDA *2: Применимо к выводам: SDA 12 DS501-00001-8v0-R MB85RC16 2. Характеристики по переменному току Значение Параметр Обозначение Стандартный режим Быстрый режим Быстрый Единица режим Плюс измерения Мин Макс Мин Макс Мин Макс Частота синхронизации SCL FSCL 0 100 0 400 0 1000 кГц Время высокого уровня синхроимпульса THIGH 4000 ⎯ 600 ⎯ 400 ⎯ нс Время низкого уровня синхроимпульса TLOW 4700 ⎯ 1300 ⎯ 600 ⎯ нс Время нарастания SCL/SDA Tr ⎯ 1000 ⎯ 300 ⎯ 300 нс Время спада SCL/SDA Tf ⎯ 300 ⎯ 300 ⎯ 100 нс Удержание условия запуска THD:STA 4000 ⎯ 600 ⎯ 250 ⎯ нс Установка условия запуска TSU:STA 4700 ⎯ 600 ⎯ 250 ⎯ нс Удержание на входе SDA THD:DAT 20 ⎯ 20 ⎯ 20 ⎯ нс Установка на входе SDA TSU:DAT 250 ⎯ 100 ⎯ 100 ⎯ нс Удержание на выходе SDA TDH:DAT 0 ⎯ 0 ⎯ 0 ⎯ нс Установка условия останова TSU:STO 4000 ⎯ 600 ⎯ 250 ⎯ нс Доступ к выходу SDA после спада SCL TAA ⎯ 3000 ⎯ 900 ⎯ 550 нс Время подготовки TBUF 4700 ⎯ 1300 ⎯ 500 ⎯ нс Время подавления помех (SCL и SDA) TSP ⎯ 50 ⎯ 50 ⎯ 50 нс Характеристики по переменному току измерялись при следующих условиях. Напряжение источника питания : от 2,7 В до 3,6 В Рабочая температура окружающей среды: от − 40 °C до + 85 °C Амплитуда входного напряжения : от 0,3 В до 2,7 В Время нарастания входного импульса : 5 нс Время спада входного импульса : 5 нс Уровень измерений на входе : VDD/2 Уровень измерений на выходе : VDD/2 DS501-00001-8v0-R 13 MB85RC16 3. Определение временных характеристик по переменному току TSU:DAT SCL VIH VIL SDA Запуск THD:DAT VIH VIH VIH VIH VIL VIL VIL VIL VIH VIH VIH VIH VIL VIL VIL VIL TSU:STA THD:STA TSU:STO Tr THIGH SCL Останов VIH Tf TLOW VIH VIL VIL VIH VIH VIL VIL VIH SDA Останов VIH VIL Запуск VIH VIL VIH VIL VIL TBUF Tr T TDH:DAT f TAA Tsp VIH SCL VIL VIL VIH SDA VIL Действ. VIH VIL VIL 1/FSCL 4. Емкость вывода Параметр Значение Обозначение Условия Емкость вх/вых CI/O Входная емкость CIN VDD = VIN = VOUT = 0 В, f = 1 МГц, TA = + 25 °C Мин Тип Макс Единица измерения ⎯ ⎯ 15 пФ ⎯ ⎯ 15 пФ 5. Схема нагрузки для испытаний по переменному току 3,3 В 1,1 кΩ Выход 100 пФ 14 DS501-00001-8v0-R MB85RC16 ■ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОСТЬ ВКЛЮЧЕНИЯ/ОТКЛЮЧЕНИЯ ПИТАНИЯ Если напряжение на выводе VDD падает ниже 2,0 В, для предотвращения сбоев после возобновления питания требуется, чтобы напряжение на выводе VDD нарастало с 0 В. tpd tf tOFF tr tpu VDD VDD 2,7 В 2,7 В VIH (Мин) VIH (Мин) 1,0 В 1,0 В VIL (Макс) VIL (Макс) 0В 0В SDA, SCL SDA, SCL > VDD × 0,8 * SDA, SCL : Не имеет значения SDA, SCL > VDD × 0,8 * SDA, SCL * : SDA, SCL (Макс) < VDD + 0,5 В Значение Мин Макс Единица измерения tpd 85 ⎯ нс tpu 85 ⎯ нс Время нарастания напряжения источника питания tr 0,01 50 мс Время спада напряжения источника питания tf 0,01 50 мс tOFF 50 ⎯ мс Параметр Обозначение Время удержания SDA, SCL при выключении питания Время удержания SDA, SCL при включении питания Время отключения питания Если устройство не работает при заданных условиях цикла чтения, цикла записи или последовательности включения/отключения питания, сохранность данных памяти не гарантируется. DS501-00001-8v0-R 15 MB85RC16 ■ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПАМЯТИ FRAM Единица измерения Позиция Мин Макс Устойчивость чтения/записи*1 1012 ⎯ Циклов/байт Рабочая температура окружающей среды TA = + 85 °C 10 ⎯ Рабочая температура окружающей среды TA = + 85 °C 95 ⎯ ≥ 200 ⎯ Сохранность данных*2 Годы Параметр Рабочая температура окружающей среды TA = + 55 °C Рабочая температура окружающей среды TA = + 35 °C *1 : Общее количество циклов чтения и записи определяет минимальное значение устойчивости, так как в памяти FRAM используется механизм с разрушением информации при считывании. *2 : Минимальные значения определяют срок сохранности первых данных чтения или записи непосредственно после поставки. Эти значения рассчитываются по результатам проверки конкретной микросхемы. ■ ПРИМЕЧАНИЯ ПО ИСПОЛЬЗОВАНИЮ Сохранность данных, записанных до проведения пайки ИК-нагревом, не гарантируется после пайки ИК-нагревом. ■ ESD (ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ РАЗРЯД) И ЗАПИРАНИЕ Испытание DUT (испытуемое устройство) Значение ESD для HBM (модель тела человека) Соответствует JESD22-A114 ≥ |2000 В| ESD для MM (модель машины) Соответствует JESD22-A115 ≥ |200 В| ESD для CDM (модель заряженного устройства) Соответствует JESD22-C101 ≥ |1000 В| Запирание (I-испытание) Соответствует JESD78 Запирание (испытание перенапряжения по Vпитания) Соответствует JESD78 Запирание (метод измерения по току) Собственная методика Запирание (метод измерения по зарядному напряжению) Собственная методика 16 MB85RC16PNF-G-JNE1 ⎯ ⎯ ≥ |300 мА| ⎯ DS501-00001-8v0-R MB85RC16 • Метод испытания сопротивления запирания по току Защитное сопротивление A Испытуемый вывод IIN VDD + DUT - VSS VDD (Макс.значение) V VIN Опорный вывод Примечание : Напряжение VIN увеличивается постепенно и при достижении максимального значения должен протекать ток IIN величиной 300 мА. Нужно убедиться, что запирание не происходит при токе ниже IIN = ± 300 мА. В случае предъявления особых требований к вводу/выводу, когда для тока IIN нельзя установить значение 300 мА, напряжение необходимо увеличить до уровня, который соответствует особым требованиям. • Метод испытания сопротивления запирания по зарядному напряжению Защитное сопротивление A 1 Испытуемый вывод 2 SW + VIN V - C 200 пФ VDD DUT VDD (Макс.значение) VSS Опорный вывод Примечание : Зарядное напряжение попеременно переключается между контактами 1 и 2 с приблизительно 2-секундным интервалом. Процесс переключения считается одним циклом. Этот процесс необходимо повторить 5 раз. Однако, если условие запирания наступает до завершения 5 циклов, испытание необходимо остановить немедленно. DS501-00001-8v0-R 17 MB85RC16 ■ УСЛОВИЯ ПАЙКИ И СРОК ХРАНЕНИЯ ПОСЛЕ РАСПАКОВКИ Позиция Условие Метод ИК (инфракрасная пайка) , Конвекция Число повторов 2 Срок хранения после распаковки Условия хранения после распаковки До распаковки Использовать в течение 2 лет с момента изготовления. С момента распаковки до 2-й пайки В течение 8 дней В случае превышения срока хранения Требуется отжиг при 125 °C+/-3 °C в течение 24 ч +2 ч / -0 ч. Затем использовать в течение 8 дней. (Отжиг можно повторять до 2 раз) Требуется температура между 5 °C и 30 °C и относ. влажность ниже 70%. (В указанном темп. диапазоне предпочтительна меньшая влажность.) Профиль пайки 260 °C 255 °C Температура плавления 170 °C до 190 °C (b) RT (a) (a) Средняя скорость разогрева (b) Разогрев и пропитка (c) Средняя скорость разогрева (d) Пиковая температура (d’) Температура плавления (e) Охлаждение (c) (d) (e) (d') : от 1 °C/с до 4 °C/с : от 170 °C до 190 °C, от 60 с до 180 с : от 1 °C/с до 4 °C/с : температура 260 °C Макс; 255 °C в течение 10 с : до 230 °C в течение 40 с или до 225 °C в течение 60 с или до 220 °C в течение 80 с : естественное или принудительное охлаждение Примечание : Измеряется температура верхней поверхности корпуса. 18 DS501-00001-8v0-R MB85RC16 ■ ВЕЩЕСТВА ОГРАНИЧЕННОГО ПОЛЬЗОВАНИЯ Данный продукт соответствует следующим нормам (по данным на ноябрь 2011 года). • Директива RoHS на территории Евросоюза (2002/95/EC) • Директива RoHS на территории Китая (Управление по контролю загрязнения, причиненного электронными ИТ-продуктами ( )) • Директива RoHS на территории Вьетнама (30/2011/TT-BCT) Вещества ограниченного пользования согласно каждой из норм указаны ниже. Вещества Порог Состояние содержания* Свинец и его соединения 1000 частей на миллион ❍ Ртуть и ее соединения 1000 частей на миллион ❍ Кадмий и его соединения 100 частей на миллион ❍ Соединения шестивалентного хрома 1000 частей на миллион ❍ Полибромдифенил (ПБД) 1000 частей на миллион ❍ Полибромдифениловые эфиры (ПБДЭ) 1000 частей на миллион ❍ * : Знак “❍” указывается для веществ, содержание которых ниже порогового. DS501-00001-8v0-R 19 MB85RC16 ■ ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА Корпус Форма поставки Минимальный объем поставки MB85RC16PNF-G-JNE1 8-контактный, пластмассовый SOP (FPT-8P-M02) Туба 1 MB85RC16PNF-G-JNERE1 8-контактный, пластмассовый SOP (FPT-8P-M02) Профильная лента-носитель 1500 MB85RC16PN-G-AMERE1 8-контактный, пластмассовый SON (LCC-8P-M04) Профильная лента-носитель 7000 Номер детали 20 DS501-00001-8v0-R MB85RC16 ■ РАЗМЕРЫ КОРПУСА 8-контактный, пластмассовый SOP Шаг между выводами 1,27 мм Ширина корпуса × Длина корпуса 3,9 мм × 5,05 мм Форма выводов Gullwing Метод герметизации Пластиковая штамповка Высота монтажа 1,75 мм МАКС Масса 0,06 г (FPT-8P-M02) 8-контактный, пластмассовый SOP (FPT-8P-M02) +0,25 +0,010 * 1 5,05 –0,20 0,199 –0,008 Примечание 1) *1 : Данные размеры включают пластиковые выступы. Примечание 2) *2 : Данные размеры не включают пластиковые выступы. Примечание 3) Ширина и толщина выводов включают толщину металлизации. Примечание 4) Ширина выводов не включает остаток от обрезки поперечных соединений. +0,03 0,22 –0,07 +0,001 0,009 –0,003 8 5 * 2 3,90±0,30 6,00±0,20 (0,154±0,012) (0,236±0,008) Подробности участка “А” 45° 1,55±0,20 (Высота монтажа) (0,061±0,008) 0,25(0,010) 0,40(0,016) 1 1,27(0,050) “A” 4 0,44±0,08 (0,017±0,003) 0,13(0,005) 0~8° M 0,50±0,20 (0,020±0,008) 0,60±0,15 (0,024±0,006) 0,15±0,10 (0,006±0,004) (Тупик) 0,10(0,004) C 2002-2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F08004S-c-5-10 Размеры в мм (дюймах). Примечание: Значения в скобках приведены для справки. Проверить последнюю информацию по размерам корпуса можно по следующей ссылке: http://edevice.fujitsu.com/package/en-search/ (Продолжение) DS501-00001-8v0-R 21 MB85RC16 (Продолжение) 8-контактный пластмассовый SON Шаг между выводами 0,5 мм Ширина корпуса × Длина корпуса 2,0 мм × 3,0 мм Метод герметизации Пластиковая штамповка Высота монтажа 0,75 мм МАКС Масса 0,015 г (LCC-8P-M04) 8-контактный пластмассовый SON (LCC-8P-M04) 1.6± 0.10 (.063± .004) 2.00± 0.07 (.079± .003) 0.40± 0.07 (.016± .003) 3.00± 0.07 (.118± .003) 1.40± 0.10 (.055± .004) ИНДЕКС МЕТКА ВЫВОДА 1 (C0.30(C.012)) 0.50(.020) TYP 0.05(.002) МАКС C 0.25± 0.05 (.010± .002) 0.70±0.05 (.028±.002) 0.15(.006) 2011 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED HMbC8-04Sc-1-1 Размеры в мм (дюймах). Примечание: Значения в скобках приведены для справки. Проверить последнюю информацию по размерам корпуса можно по следующей ссылке: http://edevice.fujitsu.com/package/en-search/ 22 DS501-00001-8v0-R MB85RC16 ■ МАРКИРОВКА [MB85RC16PNF-G-JNE1] [MB85RC16PNF-G-JNERE1] RC16 E11050 300 [FPT-8P-M02] [MB85RC16PN-G-AMERE1] YYWW C16S 0XX [LCC-8P-M04] DS501-00001-8v0-R 23 MB85RC16 ■ ИНФОРМАЦИЯ ОБ УПАКОВКЕ 1. Туба 1.1 Размеры тубы • Форма тубы/заглушки Туба Прозрачный полиэтилентерефталат (обработано антистатиком) Заглушка (обработано антистатиком) Длина тубы: 520 мм Сечения тубы и максимальное количество Макс. количество Форма корпуса SOP, 8, пластмассовый (2) Код корпуса шт./ туб. шт./внутр. кор. шт./внеш. кор. FPT-8P-M02 95 7600 30 400 1,8 2,6 7,4 6,4 4,4 ©2006-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F08008-SET1-PET:FJ99L-0022-E0008-1-K-3 t = 0,5 Прозрачный полиэтилентерефталат (Размеры в мм) 24 DS501-00001-8v0-R MB85RC16 1.2 Спецификации жесткой упаковки тубы Микросхема Туба Заглушка Для SOP Метка Этикетка I *1*3 Алюминиевый ламинированный пакет Жесткая упаковка Термошов Сиккатив Гигрометр Алюминиевый ламинированный пакет (внутри находятся тубы) Внутренняя коробка Подкладка Внутренняя коробка Этикетка I *1*3 Подкладка Внешняя коробка Внешняя коробка*2 Используйте клейкую ленту. Этикетка II-A *3 Этикетка II-B *3 *1: Если номер детали продукта указывается с суффиксом “E1”, знаки “ G обозначения наличия влагозащитного пакета и внутренних коробок. Pb ” используются для *2: Свободное пространство внешней коробки заполняется пустыми внутренними коробками, смягчающими подкладками и т.д. *3: См. прилагаемый лист с информацией об идентификационных этикетках. Примечание : Спецификации упаковки могут отличаться от указанных выше, если продукт поставляется через дистрибьютора. DS501-00001-8v0-R 25 MB85RC16 1.3 Идентификационные этикетки продукта Этикетка I : Этикетка на внутренней коробке и влагозащитном пакете (клеится на бобину для профильной ленты) [Этикетка C-3 (50 мм × 100 мм), вспомогательная этикетка (20 мм × 100 мм)] XXXXXXXXXXXXXX (Customer part number or FJ part number) Этикетка C-3 (LEAD FREE mark) (3N)1 XXXXXXXXXXXXXX XXX (Part number and quantity) QC PASS (3N)2 XXXXXXXXXX XXXXXX (FJ control number) XXX pcs XXXXXXXXXXXXXX (Quantity) (Customer part number or FJ part number) (Customer part number or FJ part number bar code) XXXX/XX/XX (Packed years/month/day) ASSEMBLED IN xxxx XXXXXXXXXXXXXX (Customer part number or FJ part number) (FJ control number bar code) XX/XX XXXX-XXX XXX (Package count) XXXX-XXX XXX XXXXXXXXXX (FJ control number ) (Lot Number and quantity) XXXXXXXXXXXXXX (Comment) Перфорация Вспомогательная этикетка Этикетка II-A : Этикетка на внешней коробке [Этикетка D] (100 мм × 100 мм) Этикетка D XXXXXXXXXXXXX (Customer Name) (CUST.) XXXXXXXXX (Delivery Address) (DELIVERY POINT) XXXXXXXXXXXXXX (TRANS.NO.) (FJ control number) XXXXXXXXXXXXXX (PART NO.) (Customer part number or FJ part number) XXX (FJ control number) XXX (FJ control number) XXX (FJ control number) XXXXXXXXXXXXXX (Part number) (PART NAME) XXXXXXXXXXXXXX (Part number) XXX/XXX (Q’TY/TOTAL Q’TY) (CUSTOMER'S REMARKS) XXXXXXXXXXXXXXXXXXXX (3N)3 XXXXXXXXXXXXXX XXX XX (UNIT) (PACKAGE COUNT) XXX/XXX (3N)4 XXXXXXXXXXXXXX XXX (FJ control number + Product quantity) (FJ control number + Product quantity bar code) (Part number + Product quantity) (3N)5 XXXXXXXXXX (FJ control number) (Part number + Product quantity bar code) (FJ control number bar code) Этикетка II-B : Идентификация на внешней коробке продукта XXXXXXXXXXXXXX (Lot Number) XXXX-XXX XXXX-XXX (Part number) (Count) X X (Quantity) XXX XXX XXX Примечание : В зависимости от типа поставки, “Этикетка II-A” и “Этикетка II-B” на внешних коробках могут не печататься. 26 DS501-00001-8v0-R MB85RC16 1.4 Размеры тары (1) Размеры внутренней коробки В Ш Д Д Ш В 540 125 75 (Размеры в мм) (2) Размеры внешней коробки В Ш Д Д Ш В 565 270 180 (Размеры в мм) DS501-00001-8v0-R 27 MB85RC16 2. Профильная лента 2.1 Размеры ленты Код корп. № бобины FPT-8P-M02 3 Максимальная вместимость тары шт./боб. шт./внутр.кор. шт./внеш.кор. 1500 1500 10500 ø1.5 +0.1 –0 8±0.1 1.75±0.1 2±0.05 4±0.1 B 0.3±0.05 A B A 5.5±0.1 12 +0.3 –0.1 5.5±0.05 ø1.5 +0.1 –0 SEC.B-B 2.1±0.1 6.4±0.1 0.4 3.9±0.2 SEC.A-A C 2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED SOL8-EMBOSSTAPE9 : NFME-EMB-X0084-1-P-1 (Размеры в мм) Материал: проводящий полистирол Температура жаростойкости: нежаростойкая. Корпус нельзя отжигать при наличии ленты и бобины. 28 DS501-00001-8v0-R MB85RC16 2.2 Ориентация микросхем • Тип ER Метка (Пользовательское направление подачи) (Пользовательское направление подачи) (Сторона бобины) 2.3 Размеры бобины Размеры вырезов бобины E ∗ D C B A W1 W2 r W3 *: Размеры втулки по ширине № бобины Ширина ленты Обозначение A 1 2 8 3 12 4 5 16 6 7 8 24 9 32 10 11 44 254 ± 2 254 ± 2 330 ± 2 254 ± 2 330 ± 2 254 ± 2 330 ± 2 B 13 56 12 Размеры в мм 14 15 16 150 +2 -0 100 +2 -0 150 +2 -0 100 +2 -0 100 ± 2 C 13 ± 0,2 13 +0,5 -0,2 D 21 ± 0,8 20,5 +1 -0,2 E W1 W2 W3 24 330 ± 2 100 +2 -0 100 +2 -0 12 2 ± 0,5 8,4 +2 -0 менее 14,4 12,4 +2 -0 16,4 +2 -0 24,4 +2 -0 32,4 +2 -0 44,4 +2 -0 менее 18,4 менее 22,4 менее 30,4 менее 38,4 менее 50,4 11,9 ~ 15,4 15,9 ~ 19,4 23,9 ~ 27,4 31,9 ~ 35,4 43,9 ~ 47,4 7,9 ~ 10,9 r DS501-00001-8v0-R +0,1 56,4 +2 12,4 +1 16,4 +1 -0 -0 -0 24,4 -0 менее менее менее менее 62,4 18,4 22,4 30,4 55,9 ~ 12,4 ~ 16,4 ~ 24,4 ~ 59,4 14,4 18,4 26,4 1,0 29 MB85RC16 2.4 Спецификации жесткой упаковки ленты (бобина φ330 мм) Внешний диаметр: φ 330 мм бобина Этикетка I *1, *4 Профильные ленты Этикетка I *1, *4 Сиккатив Гигрометр Жесткая упаковка Алюминиевый ламинированный пакет Этикетка I *1, *4 Термошов Внутренняя коробка Внутренняя коробка Этикетка I *1, *4 Лента Внешняя коробка *2, *3 Внешняя коробка Используйте клейкую ленту. Этикетка II-A *4 Этикетка II-B *4 *1: Если номер детали продукта указывается с суффиксом “E1”, знаки “ G обозначения наличия влагозащитного пакета и внутренних коробок. Pb ” используются для *2: Размер внешней коробки зависит от количества внутренних коробок. *3: Свободное пространство внешней коробки заполняется пустыми внутренними коробками, смягчающими подкладками и т.д. *4: См. прилагаемый лист с информацией об идентификационных этикетках. Примечание : Спецификации упаковки могут отличаться от указанных выше, если продукт поставляется через дистрибьютора. 30 DS501-00001-8v0-R MB85RC16 2.5 Идентификационные этикетки продукта Этикетка I : Этикетка на внутренней коробке и влагозащитном пакете (клеится на бобину для профильной ленты) [Этикетка C-3 (50 мм × 100 мм), вспомогательная этикетка (20 мм × 100 мм)] XXXXXXXXXXXXXX (Customer part number or FJ part number) Этикетка C-3 (LEAD FREE mark) (3N)1 XXXXXXXXXXXXXX XXX (Part number and quantity) QC PASS (3N)2 XXXXXXXXXX XXXXXX (FJ control number) XXX pcs XXXXXXXXXXXXXX (Quantity) (Customer part number or FJ part number) (Customer part number or FJ part number bar code) XXXX/XX/XX (Packed years/month/day) ASSEMBLED IN xxxx XXXXXXXXXXXXXX (Customer part number or FJ part number) (FJ control number bar code) XX/XX XXXX-XXX XXX (Package count) XXXX-XXX XXX XXXXXXXXXX (FJ control number ) (Lot Number and quantity) XXXXXXXXXXXXXX (Comment) Перфорация Вспомогательная этикетка Этикетка II-A : Этикетка на внешней коробке [Этикетка D] (100 мм × 100 мм) Этикетка D XXXXXXXXXXXXX (Customer Name) (CUST.) XXXXXXXXX (Delivery Address) (DELIVERY POINT) XXXXXXXXXXXXXX (TRANS.NO.) (FJ control number) XXXXXXXXXXXXXX (PART NO.) (Customer part number or FJ part number) XXX (FJ control number) XXX (FJ control number) XXX (FJ control number) XXXXXXXXXXXXXX (Part number) (PART NAME) XXXXXXXXXXXXXX (Part number) XXX/XXX (Q’TY/TOTAL Q’TY) (CUSTOMER'S REMARKS) XXXXXXXXXXXXXXXXXXXX (3N)3 XXXXXXXXXXXXXX XXX XX (UNIT) (PACKAGE COUNT) XXX/XXX (3N)4 XXXXXXXXXXXXXX XXX (FJ control number + Product quantity) (FJ control number + Product quantity bar code) (Part number + Product quantity) (3N)5 XXXXXXXXXX (FJ control number) (Part number + Product quantity bar code) (FJ control number bar code) Этикетка II-B : Идентификация на внешней коробке продукта XXXXXXXXXXXXXX (Lot Number) XXXX-XXX XXXX-XXX (Part number) (Count) X X (Quantity) XXX XXX XXX Примечание : В зависимости от типа поставки, “Этикетка II-A” и “Этикетка II-B” на внешних коробках могут не печататься. DS501-00001-8v0-R 31 MB85RC16 2.6 Размеры тары (1) Размеры внутренней коробки В Ш Д Ширина ленты Д Ш В 12, 16 24, 32 44 40 365 50 345 65 56 75 (Размеры в мм) (2) Размеры внешней коробки В Ш Д Д Ш В 415 400 315 (Размеры в мм) 32 DS501-00001-8v0-R MB85RC16 ДЛЯ ЗАМЕТОК DS501-00001-8v0-R 33 MB85RC16 ДЛЯ ЗАМЕТОК 34 DS501-00001-8v0-R MB85RC16 ДЛЯ ЗАМЕТОК DS501-00001-8v0-R 35 MB85RC16 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED Nomura Fudosan Shin-yokohama Bldg. 10-23, Shin-yokohama 2-Chome, Kohoku-ku Yokohama Kanagawa 222-0033, Japan Tel: +81-45-415-5858 http://jp.fujitsu.com/fsl/en/ Для получения дополнительной информации обращайтесь: North and South America FUJITSU SEMICONDUCTOR AMERICA, INC. 1250 E. Arques Avenue, M/S 333 Sunnyvale, CA 94085-5401, U.S.A. Tel: +1-408-737-5600 Fax: +1-408-737-5999 http://us.fujitsu.com/micro/ Asia Pacific FUJITSU SEMICONDUCTOR ASIA PTE. LTD. 151 Lorong Chuan, #05-08 New Tech Park 556741 Singapore Tel : +65-6281-0770 Fax : +65-6281-0220 http://sg.fujitsu.com/semiconductor/ Europe FUJITSU SEMICONDUCTOR EUROPE GmbH Pittlerstrasse 47, 63225 Langen, Germany Tel: +49-6103-690-0 Fax: +49-6103-690-122 http://emea.fujitsu.com/semiconductor/ FUJITSU SEMICONDUCTOR SHANGHAI CO., LTD. 30F, Kerry Parkside, 1155 Fang Dian Road, Pudong District, Shanghai 201204, China Tel : +86-21-6146-3688 Fax : +86-21-6146-3660 http://cn.fujitsu.com/fss/ Korea FUJITSU SEMICONDUCTOR KOREA LTD. 902 Kosmo Tower Building, 1002 Daechi-Dong, Gangnam-Gu, Seoul 135-280, Republic of Korea Tel: +82-2-3484-7100 Fax: +82-2-3484-7111 http://kr.fujitsu.com/fsk/ FUJITSU SEMICONDUCTOR PACIFIC ASIA LTD. 2/F, Green 18 Building, Hong Kong Science Park, Shatin, N.T., Hong Kong Tel : +852-2736-3232 Fax : +852-2314-4207 http://cn.fujitsu.com/fsp/ Спецификации могут изменяться без предварительного уведомления. Для получения дополнительной информации обращайтесь в соответствующие отделения Компании. Все права сохранены. Компания FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED, ее дочерние и аффилированные компании (совместно именуемые FUJITSU SEMICONDUCTOR) оставляет за собой право без уведомления вносить изменения в информацию, содержащуюся в этом документе. Просим связаться с торговым представителем FUJITSU SEMICONDUCTOR перед тем как заказывать приборы производства FUJITSU SEMICONDUCTOR. Информация, содержащаяся в этом документе, в том числе описание функций и примеры цепей, приведены исключительно для сведения в отношении примеров функционирования и применения приборов производства FUJITSU SEMICONDUCTOR. FUJITSU SEMICONDUCTOR не принимает на себя никаких гарантий, ни явных, ни подразумеваемых, в отношении этой информации, включая, но не ограничиваясь гарантии качества, точности, работы, нормального функционирования прибора, а также ненарушения прав третьих лиц. В случае разработки на основе указанной информации оборудования или продукции, в которой используется прибор FUJITSU SEMICONDUCTOR, пользователь несет полную ответственность в связи с использованием указанной информации. FUJITSU SEMICONDUCTOR не несет никакой ответственности за любой ущерб, возникший в результате или в связи с указанной информацией или ее использованием. Информация, содержащаяся в этом документе, в том числе общие сведения о работе и примеры электрических схем, описывает обычную работу и методы использования полупроводниковых приборов, и не гарантирует работы в оборудовании, используемом на практике. Лица, использующие указанную информацию при проектировании аппаратуры, несут самостоятельную ответственность за использование указанной информации. FUJITSU SEMICONDUCTOR не несет никакой ответственность за любой ущерб, причиненный вследствие использования указанной информации. Настоящий документ не может рассматриваться как предоставляющий право пользования или реализации в отношении принадлежащих FUJITSU SEMICONDUCTOR или третьим лицам патентных прав, авторских прав, других прав на результаты интеллектуальной деятельности и иных прав в отношении продукции, указанной в настоящем документе, а также технической информации, включающей в себя общие сведения о работе и изображения электрических схем. Кроме того, FUJITSU SEMICONDUCTOR не предоставляет гарантий возможности пользования правами на результаты интеллектуальной деятельности и другими правами, принадлежащими третьим лицам. FUJITSU SEMICONDUCTOR не несет ответственности за нарушение прав на результаты интеллектуальной деятельности и других прав третьих лиц, вследствие использования настоящего документа. Продукция, указанная в настоящем документе разработана и изготовлена для обычного промышленного использования, использования в обычном делопроизводстве, для личного и семейного использования и другого обычного использования. Указанная продукция не предназначена для использования в целях, требующих крайне высокую степень безопасности, связанных с серьезным непосредственным риском для жизни и здоровья людей в случае необеспечения указанной степени безопасности (например, управление ядерной реакцией на объектах атомной энергетики, управления полетами летательных аппаратов, управления воздушным движением, управления системами крупнотоннажных грузовых перевозок, медицинское оборудование для поддержания жизнедеятельности, управление пуском ракет в системах военного назначения и т. д. ), а также в целях, требующих крайне высокую степень надежности (например, подводные ретрансляторы, космические спутники и т. д.). Просим обращаться в торговые представительства FUJITSU SEMICONDUCTOR в случае, если рассматривается возможность использования нашей продукции в указанных выше целях. FUJITSU SEMICONDUCTOR не несет никакой ответственности за любой ущерб, возникший при использования нашей продукции без предварительной консультации с нами. В полупроводниковых приборах имеется некоторая степень вероятности поломки или сбоя в работе. При использовании продукции FUJITSU SEMICONDUCTOR, в том числе продукции, указанной в настоящем документе, пользователь несет самостоятельную ответственность за обеспечение безопасности, в том числе путем использования резервных систем, пожаробезопасности, защиты от перепадов напряжения, защиты от ошибок, с тем, чтобы даже в случае возникновения поломки или сбоя в работе полупроводниковой аппаратуры производства FUJITSU SEMICONDUCTOR не причинялось вреда жизни и здоровью, не возникало техногенных инцидентов, инцидентов, представляющих общественную угрозу. Продукция, указанная в настоящем документе, а также техническая информация, содержащаяся в настоящем документе, подпадают под действие Закона Японии о валютном регулировании и контроле над внешней торговлей, и могут подпадать под действие законодательства о регулировании экспорта и импорта США и других стран. Вы несете ответственность за соблюдение законодательства об экспорте и реэкспорте продукции и технической информации, указанной в настоящем документе. Все фирменные наименования, названия товарных брендов и зарегистрированные товарные знаки принадлежат соответствующим правообладателям. Подготовлено к печати: Отделом стимулирования сбыта