Silicon Controlled Rectifier 汕头华汕电子器件有限公司 HCU106D/M 对应国外型号 MC106D/M ONC106D/M █ 主要用途 灵敏型单向可控硅, 用于继电器与灯控制、小型马达控制、较大晶闸管的门极 驱动、传感与检测电路等 █ 极限值（Ta=25℃） █ 外形图及引脚排列 Tstg ——贮存温度 ……………………………………………………… -40~150℃ Tj ——结温 ……………………………………………………………… -40~110℃ VDRM/ VRRM ——重复峰值断态电压 HCU106D, HCU106D1 ……………… 400V HCU106M, HCU106M1 ……………… 600V IT（RMS）——RMS 通态电流（均方值）……………………………………… 4A IT（AV）—— 通态电流（平均值）…………………………………………… 2.55A ITSM ——浪涌通态电流(1/2 周期,60HZ, 正弦波,不重复,Tj = 110 °C) ……… 20A VRGM —反向峰值门极电压 ……………………………………………………… 6V IFGM ——正向峰值门极电流(脉冲宽度≤1.0 μsec, Tc=80℃)………………… 0.2A PGM——峰值门极功耗(脉冲宽度≤1.0 μsec, Tc=80℃)…………………………0.5W PG(AV) ——平均门极功耗(脉冲宽度≤1.0 μsec, Tc=80℃)……………………0.1W █ 电参数（TC=25℃） 参数符号 IDRM IRRM 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 重复峰值断态电流 10 100 uA uA Tc=25℃ IFM=1.0A (HC106D/M) IFM=4.0A (HC106D1/M1) 峰值通态电压（1） 2.2 V IGT 门极触发电流（2） 200 500 uA 门极触发电压（2） 0.4 0.5 VGD 门极不触发电压（2） IH 维持电流 0.6 0.7 0.8 1.0 0.2 V Tc=110℃ VAK =6V, RL=100 ohm,Tc=25℃ Tc=-40℃ VAK =6V, RL=100 ohm Tc=25℃ Tc=-40℃ V VAK =12V, RL=100 ohm,Tc=110℃ VAK =12V，门极开路 0.4 0.55 IL 试 条 件 VAK=VDRM 或 VRRM, RKG=1000 ohm VTM VGT 测 3.0 6.0 mA 擎住电流 5.0 7.0 mA Tc=25℃ Tc=-40℃ VAK =12V, IG=20mA Tc=25℃ Tc=-40℃ Rth(j-c) 热阻 3.5 ℃/W 结到外壳 Rth(j-a) 热阻 75 ℃/W 结到环境 Silicon Controlled Rectifier 汕头华汕电子器件有限公司 HCU106D/M 对应国外型号 MC106D/M █ 特性曲线 图二、平均电流降额 外壳温度(°c) 最大平均功耗（W） 图一、最大平均功耗 平均通态电流(A) 平均通态电流(A) 图四、典型维持电流----结温 维持电流（uA） 门极触发电流(uA) 图三、典型门极触发电流----结温 图四、热 结 响 应 温（℃） 结 图六、典型擎住电流----结温 擎住电流（uA） 门极触发电压(V) 图五、典型门极触发电压----结温 温（℃） 结 温（℃） 注： （1）、脉冲宽度 ≤2.0ms, 占空因数 ≤2% （2）、测量时不包括 RGK 电流 结 温（℃） ONC106D/M