Silicon 汕头华汕电子器件有限公司 Controlled HCF10C60 Rectifier 对应国外型号 ＳＣＰ１０Ｃ６０ █ 主要用途 单向可控硅, 用于过压保护、马达控制、限流电路、加热控制。 █ 极限值（Tj=25℃） █ 外形图及引脚排列 T stg ——贮存温度 ………………………………………………… －40~150℃ T j ——结温 …………………………………………………………－40~125℃ VDRM ——重复峰值断态电压 …………………………………………600V IT （RMS）——RMS 通态电流（均方值）……………………………… 10A IT(AV) ——平均通态电流（半正弦波，T C=111℃）…………………… 6.4A ITSM ——浪涌通态电流(1/2 周期,60HZ, 正弦波,不重复) …………… 110A VRGM —反向峰值门极电压 ………………………………………………5V IFGM ——正向峰值门极电流 …………………………………………2.0A PGM——峰值门极功耗……………………………………………………5.0W █ 电参数（Tc=25℃） 参数符号 符 号 说 明 最小值 ＩＤＲＭ 重复峰值断态电流 ＶＴＭ 峰值通态电压（１） ＩＧＴ 门极触发电流（２） ＶＧＴ 门极触发电压（２） VGD 门极不触发电压（１） ０．２ 典型值 最大值 １０ ２００ 单 位 测 试 条 件 VAK =VDRM ｕＡ Tc=25℃ ｕＡ Tc=125℃ １．６ Ｖ １５ ｍＡ １．５ Ｖ Ｖ ITM =20A，tp=380us VAK =6V（DC）, RL =10 ohm T c=25℃ VAK =6V（DC）, RL =10 ohm T c=25℃ VAK =12V, RL =100 ohm Tc=125℃ IH 维持电流 （ｄｖ／ｄｔ）ｃ 最低电压上升率 ２００ ｍＡ ２０ Ｖ／ｕｓ IT=100mA, 栅极开路 Tc=25℃ 线 性 倾 斜 上 升 至 VD =VDRM 67%, 栅极开路,T j =125℃ Rth(j-c) 热阻 1.3 ℃/W 结到外壳 Rth(j-a) 热阻 60 ℃/W 结到环境 汕头华汕电子器件有限公司 Silicon Controlled Rectifier 对应国外型号 ＳＣＰ１０Ｃ６０ HCF10C60 █ 特性曲线 图二、最大外壳温度 栅极电压（Ｖ） 最大允许外壳温度（°c） 图一、栅极特性 栅极电流(mA) 平均通态电流(A) 图四、热 响 应 通态电流（A） 瞬态热阻（°c/W） 图三、典型正向压降 通 态 电 压（V） 图五、典型栅极触发电压----结温 结 时 间（sec） 图六、典型栅极触发电流----结温 温（℃） 结 温（℃） 汕头华汕电子器件有限公司 Silicon Controlled HCF10C60 Rectifier 对应国外型号 ＳＣＰ１０Ｃ６０ █ 特性曲线 图八、功 最大平均功耗（W） 图七、典型维持电流 结 温（℃） 平均通态电流(A) 注： 1、 脉冲宽度等于 1.0ms, 占空因数小于等于 1% 2、 测量时不包括 RGK 电流 耗