Silicon 汕头华汕电子器件有限公司 Controlled Rectifier 对应国外型号 BT151-600 HCP12C60 █ 主要用途 单向可控硅, 用于过压保护、马达控制、限流电路、加热控制。 █ 极限值（Tj=25℃） █ 外形图及引脚排列 Tstg ——贮存温度 ………………………………………………… -40~150℃ Tj ——结温 …………………………………………………………-40~125℃ VDRM ——重复峰值断态电压 …………………………………………600V IT（RMS）——RMS 通态电流（均方值）……………………………… 12A IT(AV) ——平均通态电流（半正弦波，TC=109℃）…………………… 7.6A ITSM ——浪涌通态电流(1/2 周期,60HZ, 正弦波,不重复) …………… 132A VRGM —反向峰值门极电压 ………………………………………………5V IFGM ——正向峰值门极电流 …………………………………………2.0A PGM——峰值门极功耗……………………………………………………5.0W █ 电参数（Tc=25℃） 参数符号 IDRM 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 重复峰值断态电流 测 试 条 件 VAK=VDRM 10 200 uA uA Tc=125℃ ITM=24A，tp=380us VTM 峰值通态电压(1) 1.6 V IGT 门极触发电流(2) 15 mA Tc=25℃ VAK =6V（DC）, RL=10 ohm Tc=25℃ VGT 门极触发电压(2) VGD 门极不触发电压(1) 1.5 0.2 V V VAK =6V（DC）, RL=10 ohm Tc=25℃ VAK =12V, RL=100 ohm Tc=125℃ IH 维持电流 20 mA IT=100mA, 栅极开路 Tc=25℃ (dv/dt)c 最低电压上升率 200 V/us 线 性 倾 斜 上 升 至 VD=VDRM 67%, 栅极开路,Tj=125℃ Rth(j-c) 热阻 1.3 ℃/W 结到外壳 Rth(j-a) 热阻 60 ℃/W 结到环境 汕头华汕电子器件有限公司 Silicon Controlled Rectifier 对应国外型号 BT151-600 HCP12C60 █ 特性曲线 图二、最大外壳温度 栅极电压(V) 最大允许外壳温度(°c) 图一、栅极特性 栅极电流(mA) 平均通态电流(A) 图四、热 响 应 通态电流（A） 瞬态热阻（°c/W） 图三、典型正向压降 通 态 电 压（V） 图五、典型栅极触发电压----结温 结 温（℃） 时 间（sec） 图六、典型栅极触发电流----结温 结 温（℃） 汕头华汕电子器件有限公司 Silicon Controlled Rectifier 对应国外型号 BT151-600 HCP12C60 █ 特性曲线 图八、功 耗 最大平均功耗（W） 图七、典型维持电流 结 温（℃） 平均通态电流(A) 注： 1、 脉冲宽度等于 1.0ms, 占空因数小于等于 1% 2、 测量时不包括 RGK 电流