肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE R SBL3030 主要参数 MAIN 封装 Package CHARACTERISTICS IF(AV) 30(2×15)A VRRM 30 V Tj 150 ℃ IFSM 250 A EAS 20mJ VF(max) 0.41V （@Tj=125℃） 用途 APPLICATIONS z Low voltage, high frequency rectifier z 低压续流电路和保护电 z freewheeling, and polarity protection applications. 路 z 低压、高频整流 产品特性 FEATURES z 共阴结构 z 低功耗，高效率 z 良好的高温特性 z 有过压保护环，高可靠性 z 环保（RoHS）产品 z Common cathode structure z Low power loss, high efficiency z High Operating Junction Temperature z Guard ring for overvoltage protection，High reliability z RoHS product TO-220 TO-263 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 印 Order codes Marking Package Halogen Free Packaging Device Weight SBL3030Z SBL3030 TO-220 否 NO 条管 Tube 1.98g(approx.) SBL3030ZR SBL3030 TO-220 是 YES 条管 Tube 1.98g(approx.) SBL3030S SBL3030 TO-263 否 NO 条管 Tube 1.40g(approx.) SBL3030SR SBL3030 TO-263 是 YES 条管 Tube 1.40g(approx.) SBL3030S SBL3030 TO-263 否 NO 编带 Reel 1.40g(approx.) SBL3030SR SBL3030 TO-263 是 YES 编带 Reel 1.40g(approx.) 版本(Rev.)：201409B 记 封 装 无卤素 包 装 器件重量 1/6 SBL3030 R 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项 符 目 Parameter 号 数 值 单 位 Symbol Value Unit 最大反向重复峰值电压 Repetitive peak reverse voltage VRRM 30 V 最大直流阻断电压 Maximum DC blocking voltage VDC 30 V 正向平均整流电流 Average Rectified Forward Current IF(AV) 15 A 正向峰值浪涌电流 Surge non repetitive forward current （额定负载 8.3ms 半正弦波—按 JEDEC 方法） 8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method) IFSM 250 A TJ -50~150 ℃ TSTG -55~+150 ℃ 工作结温 Operating junction temperature 储存温度 Storage temperature range 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter IR VF 测试条件 典型值 Tests conditions 最大值 Value(typ) Value(max) Tj =25℃ VR=VRRM 0.25 0.5 Tj =125℃ VR=VRRM 9 100 Tj =25℃ IF=7.5A 0.41 0.45 Tj =25℃ IF=15A 0.45 0.53 Tj =125℃ IF=7.5 0.32 0.39 Tj =125℃ IF=15A 0.41 0.47 单位 Unit mA V 热特性 THERMAL CHARACTERISTICS 项 目 符 Parameter 结到管壳的热阻 Thermal resistance from junction to case 版本(Rev.)：201409B 号 Symbol 最小值 最大值 单 位 Value(min) Value(max) Unit 1.5 ℃/W TO-220 Rth(j-c) TO-263 2/5 肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) IF vs VF AP(w) vs IF(A) 版本(Rev.)：201409B IR vs VR CJ vs VR 3/6 R 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA TO-220 版本(Rev.)：201409B 肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE 单位 Unit ：mm 4/6 R TO-263 版本(Rev.)：201409B 肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE 单位 Unit ：mm 5/6 肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE R 注意事项 NOTE 1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分 为直销和销售代理，无论哪种方式，订货时 请与公司核实。 2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司 本部联系。 3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大 额定值，否则会影响整机的可靠性。 4.本说明书如有版本变更不另外告知 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 CONTACT 吉林华微电子股份有限公司 JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel：86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn 市场营销部 地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 邮编：132013 电话：86-432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 传真: 86-432-64671533 MARKET DEPARTMENT ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel: 86-432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 Fax: 86-432-64671533 附录（Appendix）：修订记录（Revision History） 日期 Date 旧版本 新版本 Last Rev. New Rev. 修订内容 Description of Changes 14.09.09 201307A 201409B 增加 TO-263 封装外型 版本(Rev.)：201409B 6/6