SBL1045 - 吉林华微电子股份有限公司

肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
R
SBL1045
主要参数
MAIN
CHARACTERISTICS
IF(AV)
10A
VRRM
45 V
Tj
150 ℃
IFSM
180 A
VF(max)
0.45V (@Tj=125℃)
封装 Package
APPLICATIONS
用途
z Low voltage, high frequency
rectifier
z 低压续流电路和保护电 z Free wheeling diodes,polarity
protection applications
路
z 太阳能电池接线盒旁路 z solar cell junction box as a
bypass diode
二极管
z 低压、高频整流
产品特性
FEATURES
z 贴片结构
z 低功耗,高效率
z 良好的高温特性
z Patch type Rectifier
z Low power loss, high efficiency
z High Operating Junction
Temperature
z Guard ring for overvoltage
protection,High reliability
z RoHS product
z 有过压保护环,高可靠性
z 环保(RoHS)产品
SMP
订货信息 ORDER MESSAGE
订 货 型 号
印
Order codes
Marking
Package
Halogen Free
Packaging
Device Weight
SBL1045G
SBL1045
SMP
否
NO
编带 Tape
0.09 (approx.)
SBL1045GR
SBL1045
SMP
是
YES
编带 Tape
0.09(approx.)
版本(Rev.):201405D
记
封
装
无卤素
包
装
器件重量
1/6
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
R
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项
符
目
Parameter
号
数
值
单
位
Symbol
Value
Unit
最大反向重复峰值电压
Repetitive peak reverse voltage
VRRM
45
V
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
VDC
45
V
正向平均整流电流TC=100℃
Average Rectified Forward Current
IF(AV)
10
A
正向峰值浪涌电流
Surge non repetitive forward current
(额定负载 8.3ms 半正弦波—按 JEDEC 方法)
8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method)
IFSM
180
A
直流电流无反向偏压正向结温度
Junction temperature in DC forward current
without reverse bias
TJ(1)
≤200
℃
工作结温和储存温度范围
Storage temperature range
TSTG
-55~+150
℃
注意:
(1)
符合 IEC 61215 版 2 旁路二极管热试验要求
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
Parameter
IR
VF
测试条件
典型值
Tests conditions
最大值
Value(typ) Value(max)
单位
Unit
Tj =25℃
VR=VRRM
0.15
0.2
Tj =125℃
VR=VRRM
7
10
Tj =25℃
IF=5A
0.40
——
Tj =25℃
IF=10A
0.45
0.52
Tj =125℃
IF=5A
0.35
——
Tj =125℃
IF=10A
0.38
0.45
800
——
pF
最小值
最大值
Symbol
Value(min)
Value(max)
Rth(j-c)
——
10
CJ
4V 1MHz
mA
V
热特性 THERMAL CHARACTERISTICS
项
目
符
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal resistance from
junction to case
结到环境的热阻
Thermal resistance from
junction to ambient
版本(Rev.):201402B
号
单
位
Unit
℃/W
SMP
Rth(j-a)
——
200
2/6
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
R
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
IF vs VF
AP(w) vs IF(A)
版本(Rev.):201405D
IR vs VR
CJ vs VR
3/6
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
R
IF vs TM
版本(Rev.):201405D
4/6
R
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
SMP
版本(Rev.):201405D
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
单位 Unit :inches (millimeters)
5/6
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
R
注意事项
NOTE
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为直销和销售代理,无论哪种方式,订货时
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本部联系。
3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大
额定值,否则会影响整机的可靠性。
4.本说明书如有版本变更不另外告知
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product either through direct sales or sales
agent , thus, for customers, when ordering ,
please check with our company.
2. We strongly recommend customers check
carefully on the trademark when buying our
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be hesitate to contact us.
3. Please do not exceed the absolute maximum
ratings of the device when circuit designing.
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市场营销部
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邮编:132013
电话:86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
传真: 86-432-64671533
MARKET DEPARTMENT
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin
Province, China.
Post Code: 132013
Tel:
86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
Fax: 86-432-64671533
附录(Appendix):修订记录(Revision History)
日期
Date
2014-4-29
旧版本
新版本
Last Rev. New Rev.
201403C
修订内容 Description of Changes
201405D 修订 IR 典型值与最大值
版本(Rev.):201405D
6/6