肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE R SBL1045 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IF(AV) 10A VRRM 45 V Tj 150 ℃ IFSM 180 A VF(max) 0.45V （@Tj=125℃） 封装 Package APPLICATIONS 用途 z Low voltage, high frequency rectifier z 低压续流电路和保护电 z Free wheeling diodes,polarity protection applications 路 z 太阳能电池接线盒旁路 z solar cell junction box as a bypass diode 二极管 z 低压、高频整流 产品特性 FEATURES z 贴片结构 z 低功耗，高效率 z 良好的高温特性 z Patch type Rectifier z Low power loss, high efficiency z High Operating Junction Temperature z Guard ring for overvoltage protection，High reliability z RoHS product z 有过压保护环，高可靠性 z 环保（RoHS）产品 SMP 订货信息 ORDER MESSAGE 订 货 型 号 印 Order codes Marking Package Halogen Free Packaging Device Weight SBL1045G SBL1045 SMP 否 NO 编带 Tape 0.09 (approx.) SBL1045GR SBL1045 SMP 是 YES 编带 Tape 0.09(approx.) 版本(Rev.)：201405D 记 封 装 无卤素 包 装 器件重量 1/6 肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE R 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项 符 目 Parameter 号 数 值 单 位 Symbol Value Unit 最大反向重复峰值电压 Repetitive peak reverse voltage VRRM 45 V 最大直流阻断电压 Maximum DC blocking voltage VDC 45 V 正向平均整流电流TC=100℃ Average Rectified Forward Current IF(AV) 10 A 正向峰值浪涌电流 Surge non repetitive forward current （额定负载 8.3ms 半正弦波—按 JEDEC 方法） 8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method) IFSM 180 A 直流电流无反向偏压正向结温度 Junction temperature in DC forward current without reverse bias TJ(1) ≤200 ℃ 工作结温和储存温度范围 Storage temperature range TSTG -55~+150 ℃ 注意： (1) 符合 IEC 61215 版 2 旁路二极管热试验要求 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter IR VF 测试条件 典型值 Tests conditions 最大值 Value(typ) Value(max) 单位 Unit Tj =25℃ VR=VRRM 0.15 0.2 Tj =125℃ VR=VRRM 7 10 Tj =25℃ IF=5A 0.40 —— Tj =25℃ IF=10A 0.45 0.52 Tj =125℃ IF=5A 0.35 —— Tj =125℃ IF=10A 0.38 0.45 800 —— pF 最小值 最大值 Symbol Value(min) Value(max) Rth(j-c) —— 10 CJ 4V 1MHz mA V 热特性 THERMAL CHARACTERISTICS 项 目 符 Parameter 结到管壳的热阻 Thermal resistance from junction to case 结到环境的热阻 Thermal resistance from junction to ambient 版本(Rev.)：201402B 号 单 位 Unit ℃/W SMP Rth(j-a) —— 200 2/6 肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE R 特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves) IF vs VF AP(w) vs IF(A) 版本(Rev.)：201405D IR vs VR CJ vs VR 3/6 肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE R IF vs TM 版本(Rev.)：201405D 4/6 R 外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA SMP 版本(Rev.)：201405D 肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE 单位 Unit ：inches (millimeters) 5/6 肖特基势垒二极管 SCHOTTKY BARRIER DIODE R 注意事项 NOTE 1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分 为直销和销售代理，无论哪种方式，订货时 请与公司核实。 2.购买时请认清公司商标，如有疑问请与公司 本部联系。 3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大 额定值，否则会影响整机的可靠性。 4.本说明书如有版本变更不另外告知 1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its product either through direct sales or sales agent , thus, for customers, when ordering , please check with our company. 2. We strongly recommend customers check carefully on the trademark when buying our product, if there is any question, please don’t be hesitate to contact us. 3. Please do not exceed the absolute maximum ratings of the device when circuit designing. 4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves the right to make changes in this specification sheet and is subject to change without prior notice. 联系方式 CONTACT 吉林华微电子股份有限公司 JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 公司地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel：86-432-64678411 Fax：86-432-64665812 Web Site：www.hwdz.com.cn 邮编：132013 总机：86-432-64678411 传真：86-432-64665812 网址：www.hwdz.com.cn 市场营销部 地址：吉林省吉林市深圳街 99 号 邮编：132013 电话：86-432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 传真: 86-432-64671533 MARKET DEPARTMENT ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin Province, China. Post Code: 132013 Tel: 86-432-64675588 64675688 64678411-3098/3099 Fax: 86-432-64671533 附录（Appendix）：修订记录（Revision History） 日期 Date 2014-4-29 旧版本 新版本 Last Rev. New Rev. 201403C 修订内容 Description of Changes 201405D 修订 IR 典型值与最大值 版本(Rev.)：201405D 6/6