NJG1648HB6 DPDT スイッチ GaAs MMIC ■概要 NJG1648HB6 は小型パッケージを採用した低挿入損失 を特徴とする 1 ビットコントロールの DPDT スイッチです。 論理回路を内蔵しており、1.3V からの低電圧で RF ポート の切替制御が出来ます。 USB8-B6 パッケージを採用し小型化、薄型化を図っており ます。 ■特徴 ●1 ビット低電圧切替 ●低電圧動作 ●低消費電流 ●低挿入損失 ●小型、薄型パッケージ ■外形 NJG1648HB6 +1.3V min +2.5V min 20 µA typ 0.20dB typ. @f=500MHz, Pin=+18dBm 0.25dB typ. @f=1GHz, Pin=+18dBm 0.40dB typ. @f=2GHz, Pin=+18dBm USB8-B6 (Package size: 1.5x1.5x0.55mm typ.) ■端子配列 USB8-B6 Type (Top View) 8 1 7 2 6 3 5 端子配列 1. CTL 2. P1 3. P2 4. GND 5. P3 6. P4 7. VDD 8. GND 4 ■真理値表 H”=VCTL(H), “L”=VCTL(L) CTL PATH H P1-P4, P2-P3 L P1-P2, P3-P4 注：本資料に記載された内容は、予告なく変更することがありますので、ご了承下さい。 Ver.2007-02-25 -1- NJG1648HB6 ■絶対最大定格 Ta=+25°C, Zs=Zl=50ohm 項目 記号 条件 定格値 単位 電源電圧 VDD VDD 端子 5.0 V 切替電圧 VCTL CTL 端子 5.0 V 入力電力 Pin VDD=2.7V, VCTL=0/1.8V P1, P2, P3, P4 端子 +27 dBm 消費電力 PD 基板実装時 160 mW 動作温度 Topr -40~+85 °C 保存温度 Tstg -55~+150 °C ■電気的特性 共通条件:VDD=2.7V, VCTL(L)=0V, VCTL(H)=1.8V, Ta=+25°C, Zs=Zl=50ohm, 測定回路図による 項目 記号 条件 電源電圧 VDD VDD 端子 消費電流 IDD Pin=+18dBm 最小値 標準値 最大値 単位 2.5 2.7 5.0 V - 20 35 µA 切替電圧(Low) VCTL(L) - - 0.4 V 切替電圧(High) VCTL(H) 1.3 1.8 VDD V CTL 端子 - 5 10 µA 切替電流 ICTL 挿入損失 1 LOSS1 f=500MHz, Pin=+18dBm - 0.20 0.40 dB 挿入損失 2 LOSS2 f=1GHz, Pin=+18dBm - 0.25 0.45 dB 挿入損失 3 LOSS3 f=2GHz, Pin=+18dBm - 0.40 0.60 dB アイソレーション 1 ISL1 f=500MHz, Pin=+18dBm 24 26 - dB アイソレーション 2 ISL2 f=1GHz, Pin=+18dBm 19 21 - dB アイソレーション 3 ISL3 f=2GHz, Pin=+18dBm 13 15 - dB 0.2dB 圧縮時入力電力 P-0.2dB f=2GHz 20 23 - dBm 定在波比 VSWR f=2GHz, ON State - 1.2 1.4 - 2 5 スイッチング速度 -2- TSW µs NJG1648HB6 ■端子情報 端子番号 端子記号 1 CTL 2 P1 3 P2 4 GND 機 能 制御信号入力端子です。この端子に+1.3V 以上+VDD 以下の VCTL(H)を印加する ことで、P1-P4 間、P2-P3 間が ON 状態となります。一方、+0.4V 以下の VCTL(L) を印加することで、P1-P2 間、P3-P4 間が ON 状態となります。 RF ポートです。1 番ピンの CTL に+1.3V 以上+VDD 以下の VCTL(H)を印加する ことで、P4 端子と接続されます。一方、1 番ピンの CTL に +0.4V 以下の VCTL(L) を印加することで、P2 端子と接続されます。内部バイアス用の DC 電圧がか かっていますので、DC カット用のキャパシタを接続してください。 RF ポートです。1 番ピンの CTL に+1.3V 以上+VDD 以下の VCTL(H)を印加する ことで、P3 端子と接続されます。一方、1 番ピンの CTL に +0.4V 以下の VCTL(L) を印加することで、P1 端子と接続されます。内部バイアス用の DC 電圧がか かっていますので、DC カット用のキャパシタを接続してください。 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接 続してください。 RF ポートです。1 番ピンの CTL に+1.3V 以上+VDD 以下の VCTL(H)を印加する ことで、P2 端子と接続されます。一方、1 番ピンの CTL に +0.4V 以下の VCTL(L) を印加することで、P4 端子と接続されます。内部バイアス用の DC 電圧がか かっていますので、DC カット用のキャパシタを接続してください。 RF ポートです。1 番ピンの CTL に+1.3V 以上+VDD 以下の VCTL(H)を印加する ことで、P1 端子と接続されます。一方、1 番ピンの CTL に +0.4V 以下の VCTL(L) を印加することで、P3 端子と接続されます。内部バイアス用の DC 電圧がか かっていますので、DC カット用のキャパシタを接続してください。 5 P3 6 P4 7 VDD 正電源端子です。+2.5V 以上、+5.0V 以下の正電源電圧を印加してください。 RF 特性への影響を抑えるため、IC ピン近傍で対 GND 間にバイパス用のキャ パシタを接続してください。 8 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接 続してください。 -3- NJG1648HB6 ■特性例( f=0.1MHz∼3.0GHz, 測定回路図による。DC カットキャパシタ、基板、コネクタの損失含まず) P1-P2 Insertion Loss vs. Frequency P3-P4 Insertion Loss vs. Frequency (VDD=2.7V, VCTL(L)=0V) (VDD=2.7V, VCTL(L)=0V) 0.0 Insertion Loss (dB) Insertion Loss (dB) 0.0 -0.5 -1.0 -1.5 -2.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 -0.5 -1.0 -1.5 -2.0 0.0 3.0 0.5 2.5 P2-P3 Insertion Loss vs. Frequency (VDD=2.7V, VCTL(H)=1.8V) -0.5 -1.0 -1.5 -2.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 -0.5 -1.0 -1.5 -2.0 0.0 3.0 0.5 Frequency (GHz) 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 Frequency (GHz) P1-P2 VSWR vs. Frequency P1-P4 VSWR vs. Frequency (VDD=2.7V, VCTL(L)=0V) (VDD=2.7V, VCTL(H)=1.8V) 2.0 1.8 1.8 1.6 1.6 VSWR 2.0 1.4 1.2 1.0 0.0 3.0 0.0 Insertion Loss (dB) Insertion Loss (dB) 2.0 P1-P4 Insertion Loss vs. Frequency 0.0 VSWR 1.5 Frequency (GHz) (VDD=2.7V, VCTL(H)=1.8V) 1.4 1.2 0.5 1.0 1.5 2.0 Frequency (GHz) -4- 1.0 Frequency (GHz) 2.5 3.0 1.0 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 Frequency (GHz) 2.5 3.0 NJG1648HB6 ■特性例( f=0.1MHz∼3.0GHz, 測定回路図による。DC カットキャパシタ、基板、コネクタの損失含まず) P3-P4 Isolation vs. Frequency P1-P2 Isolation vs. Frequency (VDD=2.7V, VCTL(H)=1.8V) 0 0 -10 -10 Isolation (dB) Isolation (dB) (VDD=2.7V, VCTL(H)=1.8V) -20 -30 -30 -40 -40 -50 0.0 -20 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 -50 0.0 3.0 0.5 2.0 2.5 P1-P4 Isolation vs. Frequency P2-P3 Isolation vs. Frequency 3.0 (VDD=2.7V, VCTL(L)=0V) 0 0 -10 -10 Isolation (dB) Isolation (dB) 1.5 Frequency (GHz) (VDD=2.7V, VCTL(L)=0V) -20 -30 -40 -50 0.0 1.0 Frequency (GHz) -20 -30 -40 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 Frequency (GHz) -50 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 Frequency (GHz) Switching Speed (VCTL(L)=0V, VCTL(H)=1.8V) 0.90µs 0.28µs -5- NJG1648HB6 ■特性例(測定回路図による。DC カットキャパシタ、基板、コネクタの損失含まず) Insertion Loss vs. Input Power Insertion Loss vs. Input Power (P1-P4 ON, VCTL(H)=1.8V, f=2GHz) 0.0 0.0 -0.5 -0.5 Insertion Loss(dB) Insertion Loss(dB) (P1-P2 ON, VCTL(L)=0V, f=2GHz) -1.0 VDD=2.5V VDD=2.7V VDD=5.0V -1.5 -2.0 -1.0 VDD=2.5V VDD=2.7V VDD=5.0V -1.5 -2.0 10 12 14 16 18 20 22 24 26 10 12 14 Input Power(dBm) 20 22 IDD vs. Input Power IDD vs. Input Power (P1-P4 ON, VCTL(H)=1.8V, f=2GHz) 24 26 24 26 40 VDD=2.5V VDD=2.7V VDD=5.0V 35 VDD=2.5V VDD=2.7V VDD=5.0V 35 30 30 IDD(µA) IDD(µA) 18 (P1-P2 ON, VCTL(L)=0V, f=2GHz) 40 25 25 20 20 15 15 10 10 10 12 14 16 18 20 22 Input Power(dBm) -6- 16 Input Power(dBm) 24 26 10 12 14 16 18 20 22 Input Power(dBm) NJG1648HB6 ■特性例(測定回路図による。DC カットキャパシタ、基板、コネクタの損失含まず) Insertion Loss vs. Ambient Temperature Isolation vs. Ambient Temperature (P1-P2 ON, f=500MHz, Pin=18dBm) (P1-P2 ON, f=500MHz, Pin=18dBm) 0.0 0 P1-P4 Isolation(dB) Insertion Loss(dB) -0.2 -0.4 -0.6 VDD=2.5V VDD=2.7V VDD=5.0V -0.8 -1.0 -50 0 50 -10 -20 -30 -40 -50 100 o 0 50 100 o Ambient Temperature( C) Ambient Temperature( C) Insertion Loss vs. Ambient Temperature Isolation vs. Ambient Temperature (P1-P2 ON, f=1GHz, Pin=18dBm) (P1-P2 ON, f=1GHz, Pin=18dBm) 0.0 0 P1-P4 Isolation(dB) -0.2 Insertion Loss(dB) VDD=2.5V VDD=2.7V VDD=5.0V -0.4 -0.6 VDD=2.5V VDD=2.7V VDD=5.0V -10 VDD=2.5V VDD=2.7V VDD=5.0V -20 -30 -0.8 -1.0 -50 0 50 -40 -50 100 o (P1-P2 ON, f=2GHz, Pin=18dBm) 0.0 0 P1-P4 Isolation(dB) -0.2 Insertion Loss(dB) 100 Isolation vs. Ambient Temperature (P1-P2 ON, f=2GHz, Pin=18dBm) -0.4 VDD=2.5V VDD=2.7V VDD=5.0V -0.8 -1.0 -50 50 Ambient Temperature( C) Insertion Loss vs. Ambient Temperature -0.6 0 o Ambient Temperature( C) 0 50 100 o Ambient Temperature( C) -10 VDD=2.5V VDD=2.7V VDD=5.0V -20 -30 -40 -50 0 50 100 o Ambient Temperature( C) -7- NJG1648HB6 ■特性例(測定回路図による) P-0.2dB vs. Ambient Temperature Switching Speed vs. Ambient Temperature (P1-P4 ON, VCTL(H)=1.8V, f=2GHz) (VCTL(L)=0V, VCTL(H)=1.8V) 30 Switching Speed(µs) 5.0 P-0.2dB(dBm) 25 20 15 10 -50 VDD=2.5V VDD=2.7V VDD=5.0V 0 50 4.0 3.0 2.0 1.0 0.0 -50 100 o IDD vs. Ambient Temperature ICTL vs. Ambient Temperature 35 50 VDD=2.5V VDD=2.7V VDD=5.0V 25 30 20 20 15 10 0 VCTL=1.3V VCTL=1.8V VCTL=5.0V 40 ICTL(µA) IDD(µA) (P1-P4 ON, P2-P3 ON) 60 50 100 o Ambient Temperature( C) -8- 100 o 40 10 -50 50 Ambient Temperature( C) (VCTL(H)=1.8V, f=2GHz, Pin=18dBm) 30 0 Ambient Temperature( C) 0 -50 0 50 100 o Ambient Temperature( C) NJG1648HB6 ■測定回路図 8 CTL 1 VDD 7 C5 P1 C1 P2 C2 2 6 3 5 C4 C3 P4 P3 4 Q部品表 部品番号 定数 C1~C5 1000pF 備考 村田製作所 (GRM15) ■基板実装図 P3 GND C3 C4 C2 P4 P2 C5 VDD C1 PCB SIZE=19.4x15.0mm PCB: FR-4, t=0.2mm CTL 1pin mark CAPACITOR: size 1005 ストリップライン幅=0.4mm P1 デバイス使用上の注意事項 ［1］ 高周波入出力端子 P1, P2, P3, P4 にはそれぞれ DC 電流阻止用の外付けコンデンサを必要と します。上記部品表の値をお勧めします。 ［2］ VDD 端子には、配線長によるスイッチの RF 特性への影響を抑止するために、バイパスコン デンサ(C5)を端子の近傍に接続することをお勧めします。 ［3］ アイソレーション特性を損なわないために、IC の GND 端子(4 ピン)は最短距離で基板のグラ ンドパターンに接続できるパターンレイアウトを行ってください。また、グランド用スルー ホールも同ピンのできるだけ近傍に配置してください。 -9- NJG1648HB6 Qパッケージ外形図 (USB8-B6) (TOP VIEW) (SIDE VIEW) 1pin INDEX 0.038±0.01 0.14±0.05 0.55±0.05 1.5±0.05 0.5±0.1 0.5±0.1 端子処理 基板 モールド樹脂 単位 重量 : 金メッキ : FR5 : エポキシ樹脂 : mm : 4mg 0.3±0.05 8 4 0.2±0.1 7 6 5 0.2±0.05 0.2±0.05 0.4±0.1 (BOTTOM VIEW) ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のた め、製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合 は、関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。 この製品は静電放電 ･ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。 - 10 - R0.075 3 0.2±0.1 2 0.3±0.1 1.5±0.05 1 ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。