NJG1107HB6 GPS 用低雑音増幅器 GaAs MMIC

NJG1107HB6
GPS 用低雑音増幅器 GaAs MMIC
■概要
NJG1107HB6 は、低雑音、高利得、高 IP3 を特徴とし、
GPS の使用を主目的とした低雑音 GaAs MMIC 増幅器です。
また、外部整合回路を変更する事により 1.5GHz~2.4GHz ま
での使用も可能です。
超小型、超薄型のパッケージ(USB8-B6)を採用し製品
の小型化を図りました。
■外形
NJG1107HB6
■特徴
●低電圧動作
●低消費電流
●小信号電力利得
●低雑音
●高入力 IP3
●超小型・超薄型パッケージ
単一正電源 +2.7V typ.
2.5mA typ.
17dB typ. @f=1.575GHz
1.1dB typ. @f=1.575GHz
-4.0dBm typ. @f=1.575+1.5751GHz
USB8-B6 (Package size: 1.5x1.5x0.55mm)
■端子配列
HB6type
(Top View)
4
5
3
6
2
AMP
ピン配置
1. RFOUT
2. N/C
3. EXTCAP
4. N/C
5. N/C
6. GND
7. RFIN
8. N/C
1
7
8
Orientation Mark
注:本資料に記載された内容は、予告なく変更することがありますので、ご了承下さい。
Ver.2006-07-31
-1-
NJG1107HB6
■絶対最大定格
(Ta=+25°C, Zs=Zl=50ohm)
項目
記号
ドレイン電圧
VDD
入力電力
Pin
消費電力
PD
動作温度
保存温度
条件
定格値
単位
6.0
V
VDD=2.7V
+15
dBm
基板実装時
135
mW
Topr
-40~+85
°C
Tstg
-55~+150
°C
■電気的特性
(VDD=2.7V, f=1.575GHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50ohm, 回路は推奨回路による)
項目
最小値
標準値
最大値
単位
freq1
1.57
1.575
1.58
GHz
ドレイン電圧
VDD
2.5
2.7
5.5
V
動作電流
IDD
-
2.5
3.2
mA
Gain
15.0
17.0
-
dB
NF
-
1.1
1.3
dB
1dB 利得圧縮時
入力電力
P-1dB
-20.0
-16.0
-
dBm
入力 3 次インター
セプトポイント
IIP3
-7.0
-4.0
-
dBm
動作周波数
小信号電力利得
雑音指数
記号
条件
RF OFF
f=1.575+1.5751GHz
RFin=-35dBm
RF Input ポート
VSWR
VSWRi
-
1.6
2.0
RF Output ポート
VSWR
VSWRo
-
1.6
2.2
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NJG1107HB6
■端子情報
番号
端子名
機能説明
外部整合回路を介して LNA の信号を出力するとともに、LNA のドレイン電圧を供
1
RFout
給する端子です。C1 は DC ブロッキングキャパシタ、L3 はチョークインダクタと
して用いていますが、C1, L3 とも出力整合回路の一部です(推奨回路例参照)。
2,4,5,8 N/C
空き端子です。GND に接続して下さい。
LNA の自己バイアス抵抗と並列に接続される端子です。この端子には外部にバイ
3
EXTCAP
6
GND
7
RFin
パスキャパシタ(推奨回路例参照)を接続して下さい。
GND(0V)に接地する端子です。
外部整合回路を介して信号を LNA に入力する端子です。この端子には内部に DC
ブロッキングキャパシタを内蔵しています。
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NJG1107HB6
■特性例
NF vs. frequency
k factor vs. frequency
o
o
(V =2.7V, Ta=25 C)
(V =2.7V, Ta=25 C)
DD
5
DD
20
4
3
k factor
NF (dB)
15
2
10
NF
5
1
0
1400
0
1450
1500
1550
1600
1650
1700
0
5
10
frequency (MHz)
Pout vs. Pin
20
Pout, IM3 vs. Pin
o
o
(V =2.7V, f=1575MHz, Ta=25 C)
(V =2.7V, f1=1575MHz, f2=f1+100kHz, Ta=25 C)
DD
10
15
frequency (GHz)
20
DD
5
0
Pout
Pout, IM3 (dBm)
Pout (dBm)
0
-5
Pout
-10
-15
-20
-60
IM3
P-1dB(IN)=-15.6dBm
-35
-30
-25
-20
-15
Pin (dBm)
-4-
-40
-80
-25
-30
-40
-20
IIP3=-3.67dBm
-10
-5
0
-100
-40
-35
-30
-25
-20
-15
Pin (dBm)
-10
-5
0
NJG1107HB6
■特性例
Gain, NF vs. V
o
P-1dB(IN) vs. V
DD
o
(f=1575MHz, Ta=25 C)
DD
-6
(f=1575MHz, Ta=25 C)
19
7
18
6
17
5
16
4
15
3
14
2
NF
P-1dB(IN) (dBm)
Gain
NF (dB)
Gain (dB)
-8
-10
-12
-14
-16
-18
1
13
12
2.5
3
3.5
4
V
4.5
DD
-20
2.5
0
5.5
5
3
3.5
4
V
DD
(V)
I
OIP3, IIP3 vs. V
DD
DD
4.5
5
5.5
(V)
vs. V
DD
o
o
(RF=OFF, Ta=25 C)
(f1=1575MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-35dBm, Ta=25 C)
22
8
20
6
18
4
5
IIP3
14
0
12
-2
10
-4
(mA)
DD
2
I
OIP3
16
IIP3 (dBm)
OIP3 (dBm)
4
3
2
1
8
2.5
3
3.5
4
V
DD
4.5
(V)
5
-6
5.5
0
2.5
3
3.5
4
V
DD
4.5
5
5.5
(V)
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NJG1107HB6
■特性例
-6-
NJG1107HB6
■推奨回路
N/C
4
5
3
N/C
6
2
GND
N/C
L4
22nH
L2
12nH
RF Input
7
L1
27nH
C3
1000pF
EXTCAP
C1
10pF RF Output
1
RFIN
N/C
8
RFOUT
L3
12nH
C2
1000pF
VDD=2.7V
■実装基板例
(Top View)
備考
Parts ID
L1, L3, L4
TDK 製 (MLK1005)
L2
TDK 製 (MLG1005)
C1~C3
村田製作所製 (GRP15)
C3
L2
RF
Input
L1
C1
L4
L3
RF
Output
PCB (FR-4):
C2
t=0.2mm
VDD
MICROSTRIP LINE WIDTH
=0.4mm (Z0=50ohm)
PCB SIZE=14.0mm×14.0mm
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NJG1107HB6
Qパッケージ外形図 (USB8-B6)
(TOP VIEW)
(SIDE VIEW)
1pin INDEX
0.038±0.01
0.14±0.05
0.55±0.05
1.5±0.05
0.5±0.1 0.5±0.1
端子処理
基板
モールド樹脂
単位
重量
: 金メッキ
: FR5
: エポキシ樹脂
: mm
: 4mg
0.3±0.05
8
4
0.2±0.1
7
6
5
0.2±0.05
0.2±0.05
0.4±0.1
(BOTTOM VIEW)
ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項
この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のた
め、製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合
は、関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。
この製品は静電放電 ・ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。
-8-
R0.075
3
0.2±0.1
2
0.3±0.1
1.5±0.05
1
<注意事項>
このデータブックの掲載内容の正確さには
万全を期しておりますが、掲載内容について
何らかの法的な保証を行うものではありませ
ん。とくに応用回路については、製品の代表
的な応用例を説明するためのものです。また、
工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴
うものではなく、第三者の権利を侵害しない
ことを保証するものでもありません。