EM78P447S 8位 OTP 微控制器 产品规格书 版本 1.7 义隆电子股份有限公司 2009.11 本文内容是由英文规格书翻译 而来，目的是为了您的阅读更 加方便。它无法跟随原稿的更 新，文中可能存在翻译上的错 误，请您参考英文规格书以获 得更准确的信息。 商标告知: IBM 为一个注册商标，PS/2 是 IBM 的商标之ㄧ.。 Windows 是微软公司的商标。 ELAN 和 ELAN 标志 是义隆电子股份有限公司的商标。 版权所有 © 2009~2010 义隆电子股份有限公司 所有权利保留 台湾印制 本规格书内容如有变动恕不另作通知。关于该规格书的准确性、适当性或者完整性，义隆电子股份有限 公司不承担任何责任。 义隆电子股份有限公司不承诺对本规格书之内容及信息有更新及校正之义务。 本 规格书的内容及信息将为符合确认之指示而变更。 在任何情况下，义隆电子股份有限公司对本规格书中的信息或内容的错误、遗漏，或者其它不准确性不 承担任何责任。由于使用本规格书中的信息或内容而导致的直接，间接，特别附随的或结果的损害， 义 隆电子股份有限公司没有义务负责。 本规格书中提到的软件（如果有），都是依据授权或保密合约所合法提供的，并且只能在这些合约的许 可条件下使用或者复制。 义隆电子股份有限公司的产品不是专门设计来应用于生命维持的用具，装置或者系统。 义隆电子股份有 限公司的产品不支持而且禁止在这些方面的应用。 未经义隆电子股份有限公司书面同意，任何个人或公司不得以任何形式或方式对本规格书的内容之任一部 分进行复制或传输。 义隆电子股份有限公司 总公司: 地址：台湾新竹科学园区 创新一路 12 号 电话:+886 3 563-9977 传真:+886 3 563-9966 [email protected] http://www.emc.com.tw 香港分公司: USA: 义隆电子（香港）有限公司 九龙观塘巧明街 95 号世达中心 19 楼 A 室 电话：+852 2723-3376 传真：+852 2723-7780 Elan Information Technology Group (USA) Korea: 深圳分公司: 上海分公司: Elan Korea Electronics Company, Ltd. 义隆电子（深圳）有限公司 义隆电子（上海）有限公司 301 Dong-A Building 632 Kojan-Dong, Namdong-ku Incheon City, KOREA Tel: +82 32 814-7730 Fax:+82 32 813-7730 P.O. 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.......................................................................................... 6 4.1.2 R1 (定时器 /计数器) ............................................................................................ 6 4.1.3 R2 (程序计数器)和堆栈 ....................................................................................... 6 4.1.4 R3 (状态寄存器).................................................................................................. 9 4.1.5 R4 (RAM 选择寄存器)......................................................................................... 9 4.1.6 4.1.7 R5 ~ R7 (Port 5 ~ Port 7).................................................................................... 9 R8~R1F 和 R20~R3E (通用寄存器) ................................................................... 9 4.1.8 R3F (中断状态寄存器) ........................................................................................ 9 特殊功能寄存器 .............................................................................................. 10 4.2.1 A (累加器) ......................................................................................................... 10 4.2.2 CONT (控制寄存器) .......................................................................................... 10 4.2.3 IOC5 ~ IOC7 (I/O 口控制寄存器) .......................................................................11 4.2.4 IOCB (P6 口唤醒控制寄存器) ............................................................................11 4.2.5 IOCE (WDT 控制寄存器) ...................................................................................11 4.2.6 IOCF (中断屏蔽寄存器) .................................................................................... 12 4.3 TCC/WDT 和预分频器 .................................................................................... 14 4.4 I/O 端口 .......................................................................................................... 15 4.5 复位和唤醒 ..................................................................................................... 16 4.5.1 复位................................................................................................................... 16 4.5.2 状态寄存器的 RST, T, 和 P 的状态 ....................................................................... 20 4.6 中断 ................................................................................................................ 21 4.7 振荡器............................................................................................................. 22 4.7.1 振荡模式 ........................................................................................................... 22 4.7.2 晶体振荡器/陶瓷谐振器(XTAL) ......................................................................... 23 4.8 代码选项寄存器 .............................................................................................. 25 4.9 上电考量 ......................................................................................................... 26 4.10 外部上电复位电路........................................................................................... 26 4.11 残留电压保护 .................................................................................................. 26 4.12 指令集............................................................................................................. 27 4.13 时序图............................................................................................................. 31 5 最大绝对值 .....................................................................................................32 6 电气特性.........................................................................................................32 版本号 (V1.7) 11.24.2009 • iii Contents 6.1 直流电气特性 .................................................................................................. 32 6.2 交流电气特性 .................................................................................................. 33 6.3 器件特性 ......................................................................................................... 34 APPENDIX A 封装类型.................................................................................................................. 45 B 封装信息.................................................................................................................. 46 B.1 24 引脚小型塑封双列直插封装（SKDIP）－ 300 mil....................................... 46 B.2 28 引脚塑封双列直插封装（DIP）－ 600 mil .................................................. 47 B.3 32 引脚塑封双列直插封装（DIP）－ 600 mil .................................................. 47 B.4 28 引脚小型塑封双列直插封装（SKDIP）－ 300 mil....................................... 48 B.5 24 引脚塑封小外型封装（SOP）－ 300 mil .................................................... 48 B.6 28 引脚塑封小外型封装（SOP）－ 300 mil .................................................... 49 B.7 32 引脚塑封小外型封装（SOP）－ 300 mil .................................................... 49 B.8 32 引脚塑封小外型封装（SOP）－ 450 mil .................................................... 50 B.9 28 引脚缩小小外型封装（SSOP）－ 209 mil .................................................. 51 C EM78P447S 烧写脚位列表 ............................................................................52 规格修订历史 版本 修订描述 日期 1.0 初始版本 1.1 改变上电复位内容 2003/06/25 1.2 6.3 节增加芯片特性 2004/11/05 1.3 增加新封装类型 2006/03/14 1.4 在产品特性部分和其他相关部分及附录部分增加了 EM78P447SFK 和 EM78P447SBM 封装类型。 2006/07/25 1.5 更新了对 EM78P447SAK 的描述. 2006/10/26 1.6 在产品特性部分和其他相关部分及附录部分删除了 EM78P447SFK 封装类型. 2007/10/31 1.7 2、改变封装信息图示 1、修改封装信息描述，由 SDIP 改为 SKDIP 2009/11/24 3、修改休眠 2 模式(A) 描述部分 iv • 版本号 (V1.7) 11.24.2009 EM78P447S 8位OTP微控制器 1 概述 EM78P447S 是采用低功耗高速 CMOS 工艺设计开发的高抗杂性的 8 位单片机。其内部有一个 4K×13 位一次 性编程 ROM (OTP-ROM)。它还提供一个保护位避免用户在 OTP 中的程序被读取。7 个代码选择位以满足用 户的需要。 具有增强的 OTP-ROM 特性的 EM78P447S 能够为用户开发和校验程序提供便利，此外用户通过 义隆烧录器 容易烧写自己的开发代码。 2 功能特点 CPU 配置 • 4K×13 位片内ROM • 148×8 位片内寄存器 (SRAM和通用寄存器) • 5级堆栈用于子程序嵌套 低功耗 • 5V/4MHz工作条件下功耗低于2.2mA • 3V/32kHz工作条件下功耗典型值30 µA • 休眠模式下功耗典型值 1 µA I/O 端口结构 • 3 个双向 I/O端口 • 10个可编程上拉I/O 引脚 • 2个可编程漏极开路 I/O 引脚 • 2个具有R-option功能的引脚 • 8位可以选择时钟源，边沿触发和溢出中断的实时时钟/计 数器 • 休眠模式（Sleep） 1 个配置寄存器用于满足用户的需求 指令周期为 2 个时钟周期 指令为单指令周期 HXT 和 LXT 的频率临界点在 400KHz 左右。 2 个中断源。 • TCC 溢出中断。 • 外部中断(/INT)。 可编程的自由运行看门狗定时器 封装形式: 工作电压范围: 2.3V~5.5V 工作温度范围: -40°C~85°C • 24-引脚 小型 DIP 300 mil • 24-引脚 SOP 300 mil : :EM78P447SCK EM78P447SCM 工作频率范围(2CLKS): DC ~ 20MHz @ 5V • 28-引脚 DIP 600 mil : • 28-引脚 小型 DIP 300 mil • 28-引脚 SOP 300 mil : EM78P447SAP :EM78P447SAK EM78P447SAM DC ~ 8MHz @ 3V DC ~ 4MHz @ 2.3V • RC 模式: • 28-引脚 SSOP 209 mil : • 32-引脚 DIP 600 mil : • 32-引脚 SOP 450 mil : EM78P447SAS EM78P447SBP EM78P447SBWM • 32-引脚 SOP 300 mil EM78P447SBM • 晶振模式: DC ~ 4MHz @ 5V 外设特点 : DC ~ 4MHz @ 3V DC ~ 4MHz @ 2.3V 一个加密寄存器保证用户代码不被外人读出 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) •1 EM78P447S 8位OTP微控制器 3 引脚分配 图 3 引脚分配 2• 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 表 1 EM78P447SAP 和 EM78P447SAM 引脚描述 符号 引脚号 类型 功能 VDD 2 - OSCI 27 I OSCO 26 I/O TCC 1 I 实时定时计数器（施密特触发）输入引脚，不用时必须与 VDD 或 VSS 连接。 /RESET 28 I 施密特触发器输入端，若该引脚保持低电平，其控制器也将保持在复位状态。 P50~P53 6~9 I/O P60~P67 10~17 I/O P70~P77 18~25 I/O /INT 5 I 下降沿触发的外部中断引脚 VSS 4 - 地 NC 3 - 未接 电源 晶振类型：晶振或外部时钟输入端 RC 类型： RC 振荡器输入端 晶振类型：晶振输出或外部时钟输入端 RC 类型：指令时钟输出端 外部时钟信号输入 4 位双向 I/O 引脚 8 位双向 I/O 引脚 都可由软件设为上拉 8 位双向 I/O 引脚 P74~P75 可由软件设为上拉 P76~P77 可由软件设为漏极开路 P70 和 P71 也可定义为 R-option 引脚 表 2 EM78P447SAS 引脚描述 符号 引脚号 类型 VDD 3 - 功能 电源 晶振类型：晶振或外部时钟输入端 RC 类型： RC 振荡器输入端 晶振类型：晶振输出或外部时钟输入端 RC 类型：指令时钟输出端 外部时钟信号输入 OSCI 27 I OSCO 26 I/O TCC 2 I 实时定时计数器（施密特触发）输入引脚，不用时必须与 VDD 或 VSS 连接。 /RESET 28 I 施密特触发器输入端，若该引脚保持低电平，其控制器也将保持在复位状态。 P50~P53 5~8 I/O 4位双向 I/O 引脚 P60~P67 9~13, 15~17 I/O 8位双向I/O 引脚 都可由软件设为上拉 8 位双向 I/O 引脚 P74~P75可由软件设为内部上拉 P76~P77可由软件设为漏极开路 P70 和 P71也可定义为 R-option 引脚 P70~P77 18~25 I/O /INT 4 I 下降沿触发的外部中断引脚 VSS 1,14 - 地 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) •3 EM78P447S 8位OTP微控制器 表 3 EM78P447SAK 引脚描述 符号 引脚号 类型 功能 VDD 25 - OSCI 20 I OSCO 19 I/O TCC 24 I 实时定时计数器（施密特触发）输入引脚，不用时必须与 VDD 或 VSS 连接。 /RESET 21 I 施密特触发器输入端，若该引脚保持低电平，其控制器也将保持在复位状态。 P50~P54 27~28 1~2 22 I/O P60~P67 3~10 I/O P70~P77 11~18 I/O /INT 26 I 下降沿触发的外部中断引脚 VSS 23 - 地 符号 引脚号 类型 VDD 4 - OSCI 29 I OSCO 28 I/O TCC 3 I 实时定时计数器（施密特触发）输入引脚，不用时必须与 VDD 或 VSS 连接。 /RESET 30 I 施密特触发器输入端，若该引脚保持低电平，其控制器也将保持在复位状态。 P50~P57 8~11, 2~1, 32~31 I/O P60~P67 12~19 I/O P70~P77 20~27 I/O /INT 7 I 下降沿触发的外部中断引脚 VSS 6 - 地 NC 5 - 未接 电源 晶振类型：晶振或外部时钟输入端 RC 类型： RC 振荡器输入端 晶振类型：晶振输出或外部时钟输入端 RC 类型：指令时钟输出端 外部时钟信号输入 5位双向 I/O 引脚 8位双向I/O 引脚 都可由软件设为上拉 8位双向I/O 引脚 P74~P75可由软件设为内部上拉 P76~P77可由软件设为漏极开路 P70 和 P71也可定义为 R-option 引脚 表 4 EM78P447SBP，EM78P447SBWM 和 EM78P447SBM 引脚描述 4• 功能 电源 晶振类型：晶振或外部时钟输入端 RC 类型： RC 振荡器输入端 晶振类型：晶振输出或外部时钟输入端 RC 类型：指令时钟输出端 外部时钟信号输入 8位双向 I/O 引脚 8位双向I/O 引脚 都可由软件设为内部上拉 8位双向I/O 引脚 P74~P75可由软件设为上拉 P76~P77可由软件设为漏极开路 P70 和 P71也可定义为 R-option 引脚 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 表 5 EM78P447SCK 及 EN78P447SCM 的引脚描述 符号 引脚号 类型 VDD 3 - 功能 电源 晶振类型：晶振或外部时钟输入端 RC 类型： RC 振荡器输入端 晶振类型：晶振输出或外部时钟输入端 RC 类型：指令时钟输出端 外部时钟信号输入 OSCI 23 I OSCO 22 I/O TCC 2 I 实时定时计数器（施密特触发）输入引脚，不用时必须与 VDD 或 VSS 连接。 /RESET 24 I 施密特触发器输入端，若该引脚保持低电平，其控制器也将保持在复位状态。 P50~P54 6~9,1 I/O P60~P67 10~17 I/O P74~P77 18~21 I/O /INT 5 I 下降沿触发的外部中断引脚 VSS 4 - 地 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) 5 位双向 I/O 引脚. 8 位双向 I/O 引脚 都可由软件设为上拉 4 位双向 I/O 引脚 P74~P75 可由软件设为上拉 P76~P77 可由软件设为漏极开路 •5 EM78P447S 8位OTP微控制器 4 OSCI 功能描述 /RESET OSCO 看门狗定时 器WDT TCC /INT 程序计数器 堆栈级 1 振荡器/时序控制 堆栈级 2 堆栈级 3 预分频比 r 程序存储器 ROM WDT 溢出 中断 控制 指令 寄存器 R1(TCC) 休眠 堆栈级 4 堆栈级 5 RAM 算术逻辑单 元 指令译码 R3 唤醒 控制 ACC RAM选择寄存器R4 数据控制总线 IOC5 R5 IOC6 R6 PPPPPPPP 55555555 01234567 PPPPPPPP 66666666 01234567 IOC7 R7 PPPPPPPP 77777777 01234567 图 1 功能模块图 4.1 操作寄存器 4.1.1 R0 (间接寻址寄存器) R0 并非实际存在的寄存器。它的主要功能是作为间接寻址指针。任何以 R0 为指针的指 令实际上是对 RAM 选择寄存器 R4 所指的数据进行操作。 4.1.2 R1 (定时器 /计数器) 由 TCC 引脚输入的外部信号边沿（由 CONT-4：TE 设定）或指令周期时钟触发加 1。 与其它寄存器一样可读写 通过重置 PAB(CONT-3)来定义。 如果 PAB 位(CONT-3)重置，可将预分频器分配给 TCC。 只有当 TCC 寄存器写入值时，预分频器的内容才能被清零。 4.1.3 R2 (程序计数器)和堆栈 6• 根据控制器的类型，R2 和硬件堆栈为 10 位宽。参见图 4-2 所示的结构图。 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 产生 1024×13 位片内 OTP ROM 地址以获取对应的程序指令编码。一个程序页是 1024 字长。 在复位状态下 R2 所有位被置“1“ 。. "JMP"指令允许直接装载程序计数器的低 10 位值。因此 "JMP"可以让 PC 在一个程 序页中任意跳转。 "CALL"指令装载程序计数器的低 10 位值，并将 PC+1 的值入栈。因此子程序的入 口地址可以在一个程序页任意地方。 "RET" ("RETL k", "RETI")指令将栈顶的数据装载到程序计数器中。 "ADD R2, A"允许把 A 的内容加到当前 PC 上，同时 PC 的第 9 位和第 10 位被清零。 "MOV R2, A" 允许将 A 寄存器的内容装载到 PC 的低 8 位，同时 PC 的第 9 位和第 10 位被清零。. 任何对 R2 进行直接修改的指令 （如： "ADD R2,A", "MOV R2,A", "BC R2,6",⋅⋅⋅⋅⋅） 都将会引起程序计数器的第 9、10 位清零，因此产生的跳转只限于一程序页前 256 个地址。 除了改变 R2 的指令需要 2 个指令周期外， 其余的指令只需要一个指令周期(fclk/2 或 fclk/4)。 R3 A11 A10 A9 A8 A7 ~ A0 00 页0 0000~03FF 01 页1 0400~07FF 10 页2 0800~0BFF 11 页3 0C00~0FFF 堆栈级 1 堆栈级 2 堆栈级 3 堆栈级 4 堆栈级 5 000H 001H 002H 用户存储空间 CALL RET RETL RETI 硬件向量 软件向量 片内程序 存储器 复位向量 FFFH 图 4-2 程序计数器结构图 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) •7 EM78P447S 8位OTP微控制器 R 页寄存器 地址 IOC页寄存器 00 R0 (间接寻址寄存器) 01 R1 (定时计数器) 02 R2 (程序计数器) 保留 03 R3 (状态寄存器) 保留 04 R4 (RAM选择寄存器) 保留 05 R5 (Port 5) IOC5 (I/O口控制寄存器) 06 R6 (Port 6) IOC6 (I/O口控制寄存器) 07 R7 (Port 7) IOC7 (I/O口控制寄存器) 08 保留 CONT (控制寄存器) 通用寄存器 09 保留 保留 通用寄存器 0A 通用寄存器 0B 通用寄存器 0C 通用寄存器 保留 0 D 通用寄存器 保留 0E 通用寄存器 IOCE (WDT,SLEEP2,开漏级和R Option控制寄存 0F 通用寄存器 IOCF 保留 IOCB (PORT6 唤醒控制寄存器) 器) (中断屏蔽寄存器) 10 ︰ 1F 20 ： 3E Bank 0 3F R3F Bank 1 Bank 2 Bank 3 (中断状态寄存器) 图 4-3 数据存储器分配图 8• 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 4.1.4 R3 (状态寄存器) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 GP PS1 PS0 T P Z DC C Bit 7(GP): 通用读写位。 Bits 6 (PS1) ~ 5 (PS0): (PS0-PS1) 页面选择位。PS0，PS1 用于选择程序存储器页面。 当执行“JMP” ，“CALL”或其它改变 R2 的指令时(例如 MOV R2, A)， PS0、PS1 被装入 PC 的第 11，12 位，以选择一个程序页面。注意：RET， RETI、RETL 指令不改变 PS0、PS1。也就是说，直接返回到子程式被调 用的页面，不管当前 PS0、PS1 值。 PS1 PS0 程序存储器页 [地址] 0 0 页 0 [000-3FF] 0 1 页1 [400-7FF] 1 0 页2 [800-BFF] 1 1 页3 [C00-FFF] Bit 4 (T): 时间溢出位。 执行 "SLEP"和 "WDTC" 指令或上电后该位置 1，当 WDT 溢出时清零。 Bit 3 (P): 掉电标志位。 执行 "WDTC"指令或上电后该位置 1，执行 "SLEP" 指令后该位清零。 Bit 2 (Z): 零标志位。 当算术运算或逻辑运算的结果为 0 时，该位置 1。 Bit 1 (DC): 辅助进位标志。 Bit 0 (C): 进位标志。 4.1.5 R4 (RAM 选择寄存器) Bits 7~6: 用于选择寄存器组 BANK0-3。 Bits 5~0: 在间接寻址方式中用于选择寄存器(地址： 00~3F)。 如果不使用间址寻址，RSR 也可被用作 8 位通用读写寄存器 参见图 4-3 数据存储结构图。 4.1.6 R5 ~ R7 (Port 5 ~ Port 7) R5、R6、R7 是输入/输出寄存器。 4.1.7 R8~R1F 和R20~R3E (通用寄存器) R8~R1F，and R20~R3E（包括 Bank0~3）是通用寄存器 4.1.8 R3F (中断状态寄存器) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - - - - EXIF - - TCIF 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) •9 EM78P447S 8位OTP微控制器 Bit 3 (EXIF): 外部中断标志。由/INT 引脚的下降沿置 1，软件清零。 Bits 1, 2, 4~7: 未使用,读为 0。 Bit 0 (TCIF): TCC 溢出中断标志。当 TCC 溢出时置 1，软件清零。 “1” 表示有中断申请 “0” 表示没有中断发生。 R3F 可通过指令清零，但不能置 1。 IOCF 是中断屏蔽寄存器。 注意：读 出的 R3F 的值是 R3F 和 IOCF 逻辑与的结果。 4.2 特殊功能寄存器 4.2.1 A (累加器) 用于内部数据传输或指令操作数暂存，它不可寻址。 4.2.2 CONT (控制寄存器) CONT 寄存器可读写。 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 /PHEN /INT TS TE PAB PSR2 PSR1 PSR0 Bit 7 (/PHEN): P60~67，P74 和 P75 引脚的上拉使能控制位。 0: 使能内部上拉。 1: 不使能内部上拉。 Bit 6 (/INT): 中断允许标志位。 0: 由 DISI 指令或硬件中断屏蔽。 1: 由 ENI/RETI 指令允许中断。 Bit 5 (TS): TCC 信号源选择位。 0: 内部指令周期时钟。 1: TCC 引脚状态变化。 Bit 4 (TE): TCC 信号沿选择位。 0: 当 TCC 引脚发生由低到高的变化时 R1 加 1。 1: 当 TCC 引脚发生由高到低的变化时 R1 加 1。 Bit 3 (PAB): 预分频器分配位。 0: TCC 1: WDT 10 • 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 Bit 2 (PSR2) ~ Bit 0 (PSR0): TCC/WDT 预分频比。 PSR2 PSR1 PSR0 TCC 预分频比 WDT 预分频比 0 0 0 1:2 1:1 0 0 1 1:4 1:2 0 1 0 1:8 1:4 0 1 1 1:16 1:8 1 0 0 1:32 1:16 1 0 1 1:64 1:32 1 1 0 1:128 1:64 1 1 1 1:256 1:128 4.2.3 IOC5 ~ IOC7 (I/O 口控制寄存器) "0" 定义相关 I/O 引脚为输出。 "1" 定义相关 I/O 引脚为高阻输入状态 IOC5 和 IOC7 寄存器都是可读可写的。 4.2.4 IOCB (P6口唤醒控制寄存器) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 /WUE7 /WUE6 /WUE5 /WUE4 /WUE3 /WUE2 /WUE1 /WUE0 Bit 7 (/WUE7): 使能 P67 引脚唤醒功能的控制位。 0: 使能内部唤醒。 1: 禁止内部唤醒。 Bit 6 (/WUE6): 使能 P66 引脚唤醒功能的控制位。 Bit 5 (/WUE5): 使能 P65 引脚唤醒功能的控制位。 Bit 4 (/WUE4): 使能 P64 引脚唤醒功能的控制位。 Bit 3 (/WUE3): 使能 P63 引脚唤醒功能的控制位。 Bit 2（/WUE2): 使能 P62 引脚唤醒功能的控制位。 Bit 1 (/WUE1): 使能 P61 引脚唤醒功能的控制位。 Bit 0 (/WUE0): 使能 P60 引脚唤醒功能的控制位。 IOCB 寄存器是可读写的。 4.2.5 IOCE (WDT 控制寄存器) Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - ODE WDTE SLPC ROC - - /WUE Bit 6 (ODE): P76 及 P77 脚漏极开路使能控制位 0: 禁止漏极开路输出 1: 使能漏极开路输出 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) • 11 EM78P447S 8位OTP微控制器 Bit 5 (WDTE): 看门狗使能控制位 只在代码选项的 ENWDT 为 0 时该位才有效，此时 WDT 是否工作由 WDTE 决定。 0: 禁止 WDT 1: 使能 WDT 代码选项的 ENWDT 为 1 时 WDTE 无用，也就是，如果 ENWDT 为 1， 无论 WDTE 为 0 或 1，WDT 禁止 WDTE 位可读写 Bit 4 (SLPC): 该位由唤醒信号低电平引起硬件触发置 1，由软件清 0，SLPC 用于控制 振荡器的工作。在 SLPC 位从 1 变成 0 時，振荡器被禁止（振荡器停止， 单片机进入休眠模式 2） ，在 SLPC 位从 0 变成 1，振荡器使能（单片机 由休眠模式 2 唤醒） 。为了确保振荡器输出信号稳定，一旦振荡器再次起 1 振，在执行下条指令前会有 18ms （振荡器起振时间，OST）的延时， OST 总是在休眠模式唤醒后可被激活，无论代码选项的 ENWDT 为 0 或 其他。唤醒后，如果代码选项中 ENWDT 为 1，则 WDT 将被使能，休眠 模式 2 的输入唤醒方框图如图 4-4。 Bit 3 (ROC): ROC 用于 R-option 功能。 置 ROC 为 1，使能 R-option 功能，其引脚 P70∼P71 的状态可由控制器 读出。 ROC 清零禁止 R-option 功能。如果 R-option 功能被使用，用户 必须使 P71 引脚和/或 P70 引脚通过一个 430KΩ 外接电阻 r (Rex)与 VSS 相连。若 Rex 接入/未接到 VDD， 读到 P70 (P71) 的状态是 0/1。参见图 4-6b 所示。ROC 位可读写 SLPC 位可读写。 Bits 1~2, 和 7: 未使用 Bit 0 (/WUE): 使能 P74、P75 引脚唤醒功能的控制位。 0: 使能唤醒功能. 1: 禁止唤醒功能. /WUE 可读可写。 4.2.6 IOCF (中断屏蔽寄存器) Bit 7 Bit 6 Bit5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 - - - - EXIE - - TCIE Bit 3 (EXIE): EXIF 中断使能位。 0: 禁止 EXIF 中断。 1 Vdd = 5V, 建立时间周期 = 16.2ms ± 30% Vdd = 3V, 建立时间周期 = 19.6ms ± 30% 12 • 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 1: 使能 EXIF 中断。 Bits 1, 2 和 4~7: 未使用。 Bit 0 (TCIE): TCIF 中断使能位。 0: 禁止 TCIF 中断。 1: 使能 TCIF 中断。 通过 IOCF 中的相关控制位置 1，使能各个相关中断。 总中断是由 ENI 指令使能，由 DISI 指令禁止。参见图 4-8 所示。 IOCF 寄存器是可读写的。 /WUE0 振荡器 使能 禁止 /WUE1 复位 Q Q 清除 PR D CL K VCC CL 置位 8 /WUE7 来自S/W P60~P67 VCC /WUE /PHEN 2 P74~P75 图 4-4 I/O口休眠模式与唤醒电路框图 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) • 13 EM78P447S 8位OTP微控制器 4.3 TCC/WDT 和预分频器 TCC 或 WDT 有一个 8 位计数器做预分频器。在同一时刻它只能分配给其中一方，这由 CONT 寄存器的 PAB 位决定。PSR0~PSR2 位确定预分频比。若分配给 TCC ，在 TCC 模式下则每次写 TCC 操作均将预分频器清 0 。若分配给 WDT ，则 WDT 和预分频器均 在执行 WDTC 或 SLEP 指令时清 0 。图 4-5 详细描述了 TCC/WDT 电路特性。 R1(TCC)为 8 位定时器/计数器。TCC 时钟源可为内部时钟或外部时钟（由 TCC 引脚输 入，触发沿可选择）。如果是内部时钟，每个指令周期 TCC 加 1（无预分频器） 。由图 4-5 可知，指令周期是 2 个还是 4 个时钟周期由代码选择寄存器 CLKS 位决定。CLKS=0 则 CLK=Fosc/2 ，CLKS=1 则 CLK=Fosc/4 。如果是外部时钟，则 TCC 由外部信号边 沿触发。 WDT 的时钟源 是一个自由运行的片内 RC 振荡器。当控制器振荡关闭后，WDT 依然运 行（例如在休眠模式） 。在正常模式或休眠模式，WDT 溢出将引起复位（若 WDT 使能）。 在正常工作时，WDT 可由软件设置 IOCE 的 WDTE 位来使能或禁止。在没有预分频情 2 况下，WDT 溢出时间约为 18 ms （默认） 。 数据总线 CLK(=Fosc/2) 0 TCC 引脚 1 M U X TE TS 0 WDT 1 WDTE (IOCE) 1 0 M U X SYNC 2 个周期 TCC 溢出中断 PAB M U X TCC(R1) 8 位定时器 PAB 8 选 1 MUX 0 PSR0~PSR2 1 MUX PAB WDT 溢出 图 4-5 TCC 和 WDT 模块图 2 Vdd = 5V, 建立时间周期= 16.2ms ± 30% Vdd = 3V, 建立时间周期 = 19.6ms ± 30% 14 • 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 4.4 I/O 端口 I/O 端口 P5 、P6、P7 均为双向三态 I/O 口。可以由 CONT、IOCE 分别设置为上拉电 阻、R-option、漏极开路功能。P6 口、P74 和 P75 具有输入变化唤醒功能。每个 I/O 引 脚能被 I/O 控制寄存器（IOC5~IOC7）置为输入或输出。 I/O 寄存器和 I/O 控制寄存器 都是可读可写的。 P5 、P6 和 P7 的 I/O 接口电路见图 4-6(a) ，4-6 (b)。 PCRD Q Q PORT 0 1 PR D PCWR CLK CL Q PR Q CL IOD D PDWR CLK M U X PDRD 图 4-6 (a) I/O端口和I/O 控制寄存器电路 PCR D VC C ROC Q PR D CL K Q CL 上拉 Port Q Q Rex * 0 1 PCWR IOD PR D CL K CL M U X PDWR PDR D *外接电阻Rex为430K欧姆 图 4-6(b) 具有R-option(P70,P71)功能的I/O 口电路 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) • 15 EM78P447S 8位OTP微控制器 4.5 复位和唤醒 4.5.1 复位 复位由下列情况之一引起： (1) 上电复位。 (2) /RESET 引脚输入低电平。 (3) WDT 溢出（若使能） 。 3 在复位动作被检测到之后，单片机保持复位状态 18ms (振荡器起振时间) 。一旦复位发 生，单片机将会执行下列功能。参见图 4-7。 振荡器振荡或起振。 程序计数器（R2）都置为 1 。 上电时，R3 的 Bit5-6，R4 的 Bit7-6 清 0。 所有 I/O 引脚定义为输入模式（高阻状态） 。 WDT 和预分频器清 0 。 上电时，R3 的 Bit5-6 清 0 。 上电时，R4 的 Bit7~6 清 0 。 CONT 寄存器除第 6 位（INT 标志）外，全置为 1 。 IOCB 寄存器全置为 1（P60~67 唤醒功能禁止） 。 IOCE 寄存器第 0、4、5 位置 1 ，第 3 、6 位清 0 。 R3F 、IOCF 寄存器第 0、3 位清 0 。 执行 SLEP 指令可进入休眠模式（省电模式）。进入休眠模式时，WDT（若使能）清 0 但 继续运行。单片机可被如下情况唤醒： (1) /RESET 引脚上输入的外部复位信号。 (2) WDT 溢出(若使能)。 以上两种情况会引起 EM78P447S 复位，R3 的 T、P 标志位用于判断复位源(唤醒)。 除了基本的休眠模式 1，EM78P447S 还有休眠模式 2，(命名为 Sleep 2 模式并由“SLPC” 位清零启用)。在休眠模式 2，单片机可由下列条件唤醒： (A) 图 4-4 所示的所有唤醒引脚为“0” 。唤醒后，微控制器从接下来的地址处继续执行。 对于此事件，在进入 Sleep2 模式前，应该选择（即输入引脚）并使能（即上拉，唤 醒控制）触发源(P60~P67 和 P74~P75)的唤醒功能。唤醒后必须注意的是，不论代 码选项的 ENWDT 为”0”或是”1”，WDT 都将被使能。唤醒后的 WDT 操作(被使能或 3 Vdd = 5V, 建立时间周期 = 16.2ms ± 30% Vdd = 3V, 建立时间周期 = 19.6ms ± 30% 16 • 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 是禁止)应该通过软件编程做适当的控制。 （请参考表 6 有关 Sleep 2 模式的详细设 置步骤） (B) WDT 定时器溢出（若使能）或在/RESET 引脚有外部复位输入，都会引起控制器复 位。 表 6 Sleep2及Sleep1模式的使用 Sleep2及Sleep1模式的使用 SLEEP2 SLEEP1 (a) 进入SLEEP2之前的操作 (a) 进入Sleep1之前的操作 1. 设置P6口或P74或P75为输入口 2. 使能上拉及设置WDT的预分频大 于 1：1（设置CONT.7及CONT.3~CONT.0） 1. 执行SLEP指令 3. 使能唤醒功能（设置IOCB或IOCE.0） 4. 执行Sleep2(设置IOCE.4) (b) 唤醒之后的操作 (b) 唤醒之后的操作 1. 执行下一条指令 1. 复位 2. 禁止唤醒功能 3. 禁止WDT（设置IOCE.5） 如果想用 P6 口输入状态变化来唤醒 EM78P447S，在进入 SLEEP2 模式之前必须被执 行如下指令： ;设置P6口为输入 MOV A, @11111111b IOW R6 MOV A, @0xxx1010b ;设置P6为上拉及WDT的预分频，WDT预分频必须大于 1：1 MOV A, @00000000b ; 使能P6口的唤醒功能 IOW RB MOV A, @xx00xxx1b IOW RE CONTW ; 进入SLEEP2模式 唤醒后 NOP MOV A, @11111111b IOW RB MOV A, @ xx01xxx1b IOW RE ;禁止P6口的唤醒功能 ; 禁止WDT 注意 从SLEEP2模式唤醒之后，WDT自动地被使能。从SLEEP2唤醒之后WDT是使能 /禁止状态应在软件里做准确的定义。 PORT6口状态改变用于进入中断或用于唤醒MCU会引起复位发生，为了避免复 位的发生，WDT的分频比必须设为大于1：1的比率。 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) • 17 EM78P447S 8位OTP微控制器 表 7 寄存器初始植概要 地址 N/A N/A N/A N/A 0x00 0x01 0x02 0x03 名称 IOC5 IOC6 IOC7 CONT R0(IAR) R1(TCC) R2(PC) R3(SR) 复位类型 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 位名 C57 C56 C55 C54 C53 C52 C51 C50 类型 A B A B A B A B - - - - 上电 0 1 0 1 0 1 0 1 1 1 1 1 /RESET和 WDT 0 1 0 1 0 1 0 1 1 1 1 1 引脚输入改变唤醒 0 P 0 P 0 P 0 P P P P P 位名 C67 C66 C65 C64 C63 C62 C61 C60 上电 1 1 1 1 1 1 1 1 /RESET和 WDT 1 1 1 1 1 1 1 1 引脚输入改变唤醒 P P P P P P P P 位名 C77 C76 C75 C74 C73 C72 C71 C70 上电 1 1 1 1 1 1 1 1 /RESET和 WDT 1 1 1 1 1 1 1 1 引脚输入改变唤醒 P P P P P P P P 位名 /PHEN /INT TS TE PAB PSR2 PSR1 PSR0 上电 1 0 1 1 1 1 1 1 /RESET和 WDT 1 P 1 1 1 1 1 1 引脚输入改变唤醒 P P P P P P P P 上电 U U U U U U U U /RESET和 WDT P P P P P P P P 引脚输入改变唤醒 P P P P P P P P 位名 - - - - - - - - 上电 0 0 0 0 0 0 0 0 /RESET和 WDT 0 0 0 0 0 0 0 0 引脚输入改变唤醒 P P P P P P P P 位名 - - - - - - - - 上电 1 1 1 1 1 1 1 1 /RESET和 WDT 1 1 1 1 1 1 1 1 引脚输入改变唤醒 **0/P **0/P **0/P **0/P **0/P **0/P **0/P **0/P 位名 GP PS1 PS0 T P Z DC C 上电 0 0 0 1 1 U U U /RESET和 WDT 0 0 0 t t P P P 引脚输入改变唤醒 P P P t t P P P - - - - - - 位名 0x04 0x05 18 • R4(RSR) R5(P5) RSR.1 RSR.0 上电 0 0 U U U U U U /RESET和 WDT 0 0 P P P P P P 引脚输入改变唤醒 P P P P P P P P 位名 P57 P56 P55 P54 P53 P52 P51 P50 上电 U U U U U U U U 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 地址 0x06 0x07 0x3F 复位类型 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 /RESET和 WDT P P P P P P P P 引脚输入改变唤醒 P P P P P P P P 位名 P67 P66 P65 P64 P63 P62 P61 P60 上电 U U U U U U U U /RESET和 WDT P P P P P P P P 引脚输入改变唤醒 P P P P P P P P 位名 P77 P76 P75 P74 P73 P72 P71 P70 上电 U U U U U U U U /RESET和 WDT P P P P P P P P 引脚输入改变唤醒 P P P P P P P P 位名 X X X X EXIF X X TCIF 上电 U U U U 0 U U 0 /RESET和 WDT U U U U 0 U U 0 引脚输入改变唤醒 U U U U P U U P 名称 R6(P6) R7(P7) R3F(ISR) 位名 0x0B 0x0E 0x0F 0x08 IOCB /WUE7 /WUE6 /WUE5 /WUE4 /WUE3 /WUE2 /WUE1 /WUE0 上电 1 1 1 1 1 1 1 1 /RESET和 WDT 1 1 1 1 1 1 1 1 引脚输入改变唤醒 P P P P P P P P 位名 X ODE WDTE SLPC ROC X X /WUE 上电 U 0 1 1 0 U U 1 /RESET和 WDT U 0 1 1 0 U U 1 引脚输入改变唤醒 U P 1 1 P U U P 位名 X X X X EXIE X X TCIE 上电 U U U U 0 U U 0 /RESET和 WDT U U U U 0 U U 0 引脚输入改变唤醒 U U U U P U U P 位名 - - - - - - - - 上电 0 0 0 0 0 0 0 0 /RESET和 WDT 0 0 0 0 0 0 0 0 引脚输入改变唤醒 P P P P P P P P 位名 - - - - - - - - 上电 U U U U U U U U /RESET和 WDT P P P P P P P P 引脚输入改变唤醒 P P P P P P P P IOCE IOCF R8 0x09~0x3 R9~R3E E ** IOCE 寄存器的 SLPC 位元 从 1 变成 0 后执行下一条指令。 X: 未使用。 U: 未知或无关或未定义。 P: 复位前的初值。 t: 对照表 8。 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) • 19 EM78P447S 8位OTP微控制器 4.5.2状态寄存器的 RST, T, 和 P的状态 复位可由下列条件之一引起： 1. 上电。 2. 复位引脚有一个高-低-高的脉冲。 3. WDT 定时器溢出。 T 和 P 的值(以下表 8 列出) 用于判断单片机由什么唤醒。 表 8 表示可能影响到 T 和 P 状态的各种情况。 表 8 复位后的 RST, T, 和 P 值 表 8 复位后的RST,T和P T P 上电 1 1 运行模式下/RESET引脚复位 *P *P 休眠模式1下/RESET引脚复位 1 0 休眠模式2下/RESET引脚复位 *P *P 运行模式下WDT溢出复位 0 *P 休眠模式1下WDT溢出唤醒 0 0 休眠模式2下WDT溢出唤醒 0 *P 休眠模式2下引脚状态改变唤醒 *P *P 复位类型 * P: 复位前状态 表 9 影响 T和 P状态的事件 T P 上电 1 1 WDTC 指令 1 1 WDT 溢出 0 *P SLEP 指令 1 0 休眠2模式下引脚状态改变唤醒 *P *P 事件 * P: 复位前状态 20 • 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 图 4-7 控制器复位功能框图 4.6 中断 EM78P447S 有两个中断源： (1) TCC 溢出中断 (2) 外部中断（/INT 引脚） R3F 是中断状态寄存器，它的相关标志位记录了中断请求状态。 IOCF 是中断屏蔽寄存 器。通过执行指令 ENI 使能全局中断，通过执行 DISI 禁止全局中断。当一个中断(使能) 发生，下一条指令将从地址 001H 获取。在中断服务程序中，通过轮询 R3F 的标志位来 确定中断源。 在离开中断服务程序之前，必须用指令清除中断标志以免发生重复中断。 中断状态寄存器(R3F)的标志位(除 ICIF 位以外)的置位与中断屏蔽寄存器状态或者是否 执行了 ENI 指令无关。 注意读 R3F 的输出得到的是 R3F 和 IOCF 的逻辑与的结果 (参 见图 4-8)， RETI 指令结束中断程序并使能全局中断(执行 ENI)。 当一个中断是由 INT 指令产生（若使能），则下一条指令将从地址 002H 获取。 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) • 21 EM78P447S 8位OTP微控制器 VCC P R D /IRQn CLK RF C L Q IRQn INT _ Q IRQm RFRD ENI/DISI P R Q IOCF _ Q C L IOD D CLK IOCFWR /RESET IOCFRD RFWR 图 4-8 中断输入电路 4.7 振荡器 4.7.1 振荡模式 EM78P447S 可在三种不同的振荡模式下运行，例如，高频晶体振荡模式（HXT）和低 频晶体振荡模式（LXT） 、外部 RC 振荡器模式（ERC） 。用户可通过编程代码选项寄存 器的 MS, HLF 及 HLP 来选择某一种振荡方式。表 10 描述如何定义这三种模式。 在不同的电源电压 VDD 下，晶体或陶瓷振荡的最大受限频率列于表 11 中。 表 10 由MS 和 HLP 定义的振荡模式 MS HLF HLP ERC(外部RC振荡器模式) 0 *× *× HXT(高频晶体振荡模式) 1 1 *× LXT(低频晶体振荡模式) 1 0 0 振荡模式 注意: *×：无关 在 HXT 和 LXT 之间的系统频率临界点大约为 400 KHz。 表11 最大操作频率表 条件 一个指令周期两个时钟周期 22 • VDD 最大频率(MHz) 2.3 4.0 3.0 8.0 5.0 20.0 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 4.7.2 晶体振荡器/陶瓷谐振器(XTAL) EM78P447S 可通过 OSCI 管脚用外部时钟信号驱动，如图 4-9 示。 在大多数的应用场所，通过在 OSCI 和 OSCO 管脚连接晶体或陶瓷振荡器来产生振荡。 如图 4-10 电路所示。无论在 HXT 或 LXT 振荡模式，都可以应用这种电路。表 12 列出 建议的电容 C1 和 C2 的值。由于每一种谐振器都有自己的特性，用户应根据它们的特 性选择合适的 C1 和 C2 的值。RS，串联电阻，在 AT 切片的晶体或低频模式是必要的。 OSCI 外部时钟 OSCO EM 78P447S 图 4-9 外部时钟输入电路 C1 OSCI EM78P447S Crystal OSCO RS C2 图 4-10 晶体或陶瓷振荡电路 表 12 陶瓷谐振器及晶体谐振器电容选择参考 振荡类型 陶瓷谐振器 频率模式 HXT LXT 晶体振荡器 HXT 频率 C1(pF) C2(pF) 455 kHz 100~150 100~150 2.0 MHz 20~40 20~40 4.0 MHz 10~30 10~30 32.768kHz 25 15 100KHz 25 25 200KHz 25 25 455KHz 20~40 20~150 1.0MHz 15~30 15~30 2.0MHz 15 15 4.0MHz 15 15 有些应用并不需要十分精确的时间计算。 （图 4-14）RC 振荡提供了大量的成本节约。但 应该注意的是供给电压、电阻值（Rext） 、电容值（Cext） 、甚至环境温度都影响 RC 振 荡的频率，而且由于制造工艺的不同，不同的芯片频率也会有微小的差异。 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) • 23 EM78P447S 8位OTP微控制器 为了获得一个稳定的系统频率，电容值应该不小于 20PF，并且电阻值应该不大于 1M 欧姆。如果不能稳定在此范围，频率容易受噪声、湿度和漏电流的影响。 RC 振荡中的电阻越小，频率越快。相反，对于很小的电阻值，举个例子，1000 欧的电 阻，由于 NMOS 不能通过电容准确的放电，所以振荡器振荡将变的不稳定。 基于以上因素，必须牢记所有的供给电压、环境温度、RC 振荡的组成、封装形式和 PCB 布线方式，都将影响频率。 VCC Rext O SCI Cext EM 78P447S 图 4-11 外部RC振荡电路 表 13 RC振荡器频率 Cext 20 pF 100 pF 300 pF Rext 平均频率 5V,25°C 平均频率 3V,25°C 3.3k 4.32 MHz 3.56 MHz 5.1k 2.83 MHz 2.8 MHz 10k 1.62MHz 1.57 MHz 100k 184 KHz 187 KHz 3.3k 1.39 MHz 1.35 MHz 5.1k 950 KHz 930 KHz 10k 500 KHz 490 KHz 100k 54KHz 55 KHz 3.3k 580 KHz 550 KHz 5.1k 390 KHz 380 KHz 10k 200 KHz 200 KHz 100k 21 KHz 21 KHz 注意: 1.以 DIP 封装测量 2.值仅供设计参考. 3.频率偏差大约在 ± 30% 24 • 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 4.8 代码选项寄存器 EM78P447S 有一个代码选项字, 它们不属于一般程序存储器的一部分。程式执行期间 不能对选项位寻址。 Bit12 Bit11 Bit10 Bit9 Bit8 Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 MS /ENWDT CLK CS HLP HLP TYPE - - - - - - Bit 12 (MS): 晶振类型选择 0: RC 类型 1: 晶振类型（XTAL1 和 XTAL2） Bit 11 (/ENWDT): 看门狗定时使能位 0: 使能 1: 关闭 Bit 10(CLK): 指令周期选择位 0: 两个振荡周期 1: 四个振荡周期 参考指令集部分 Bit 9 (CS): 加密保护位 0: 加密保护 1: 不加密保护 Bit 8 (HLF): 晶体频率选择位 0: XTAL2 型 (低频, 32.768KHz) 1: XTAL1 型 (高频) 此位只有在第 12 位（MS）为“1”时才影响系统振荡。MS 为 0，HLF 必须为“0” 。 注意 HXT 和 LXT的频率临界点约为 400 KHz. Bit 7 (HLP): 功耗选择位。 0: 低功耗 1: 高功耗 Bit 6(TYPE): EM78P447SA 或 B 类型选择位 0: EM78P447SB 1: EM78P447SA Bit 5 和 Bit 4: 保留 "0": Bit 5 置 “1” 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) • 25 EM78P447S 8位OTP微控制器 "1": Bit 4 置 “0” Bit 3~0: 用户 ID 代码 4.9 上电考量 在供电电压达到稳定状态前，任何微控制器都不能确保正常工作。EM78P447S 复位电 压范围 1.2~1.8V.在用户应用中，当电源关闭，Vdd 在电源再次开启前，必须降到 1.2V 以下并保持在关断状态大约 10us。这样 EM78P447S 将复位并且正常工作。如果电源 VDD 上升的非常之快， （50ms 或更少） ，额外的外部复位电路将工作的非常好。但是在 涉及到关键应用的大多数情况下，可能需要额外的器件来辅助解决上电问题。 4.10 外部上电复位电路 图 4-12 中的电路用外部 RC 产生一个复位脉冲。脉冲的宽度（时间常数）应保持足够长 的时间以使电源达到最小工作电压。该电路应用在电源电压上升比较慢的情况下。因为 /RESET 脚的漏电流大约在±5μA，所以建议 R 应小于 40 KΩ。按照这种方法，在/RESET 脚上的电压将在 0.2V 之下。二极管（D）在掉电时作为短路回路。电容 C 将快速彻底的 放电。Rin，限流电阻，防止大电流放电或 ESD（静电放电）对/RESET 脚的冲击。 Vdd R /RESET D EM78P447S Rin C 图 4-2 外部上电复位电路 4.11 残留电压保护 当更换电池时，芯片的电源（Vdd）已关闭但残留电压仍然存在。残留电压可能低于 VDD 的最小工作电压，但又不为零，在这种情况下有可能引起不良的上电复位。图 4-13 和 图 4-14 给出了如何建立一个残留电压保护电路。 26 • 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 Vdd Vdd 33K EM78P447S Q1 10K /RESET 40K 1N4684 图 4-13 残留电压保护电路1 Vdd Vdd R1 EM78P447S Q1 /RESET 40K R2 图 4-14 残留电压保护电路2 4.12 指令集 指令集的每条指令为 13-bit 的字宽，由操作码和一个或多个的操作数组成。在一般情况 下，如果程序计数器的值在没有被改变的情况下,所有的指令花费一个指令周期（一个指 令周期由两个振荡周期组成） ，除非 PC 的值被"MOV R2,A", "ADD R2,A"指令改变，或 对 R2 进行算术、逻辑运算 时(如 "SUB R2,A", "BS(C) R2,6", "CLR R2", ⋅⋅⋅⋅)，在这种情 况下, 指令执行将花费两个指令周期。 如果由于其它的原因，对某一个应用场所指令周期的的特性不适合的话，试着按照以下 方法修改: (A) 一个指令周期改为由 4 个振荡周期组成。 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) • 27 EM78P447S 8位OTP微控制器 (B) 执行花费两个指令周期的"JMP", "CALL", "RET", "RETL", "RETI" 命令，或结果为真 的条件转移命令 ("JBS", "JBC", "JZ", "JZA", "DJZ", "DJZA") 。有关写程序计数器的 指令，都将花费两个指令周期。 情况(A)由代码选项的 CLK 位控制。 如果 CLK 设为‘0’ ，一个指令周期由两个振荡周 期构成，如果 CLKS 设为‘1’ ，一个指令周期由四个振荡周期构成。 请注意如果在情况(A)中选择指令周期由四个振荡周期构成，那么内部 TCC 的时钟源是 CLK=Fosc/4 (不是 Fosc/ 2) ，如图 4-4 所示。 另外，指令集有以下特性： (1) 任何寄存器的每一个 bit 位可以置‘1’ 、清零或直接测试。 (2) I/O 寄存器可当作通用寄存器。即，相同的指令可用于 I/O 寄存器。 惯例： "R" ：表示一个寄存器指示符，用来指定指令操作哪个寄存器（包括操作寄存器和通用 寄存器） 。R4 的位 6 和位 7 用于选择 Bank 寄存器 "b" ：表示一个位指示符，指定位于 R 寄存器中会影响操作的位 "k"：代表一个 8 位或 10 位常数或立即数。 二进制指令 十六进制 助记符 操作 受影响的标志位 0 0000 0000 0000 0000 NOP 无操作 无 0 0000 0000 0001 0001 DAA 寄存器 A 的数由二进制调整为 BCD 码 C 0 0000 0000 0010 0002 CONTW A → CONT 无 0 0000 0000 0011 0003 SLEP 0 → WDT, 停止振荡 T,P 0 0000 0000 0100 0004 WDTC 0 → WDT T,P 0 0000 0000 rrrr 000r IOW R A → IOCR 无 0 0000 0001 0000 0010 ENI 使能中断 无 0 0000 0001 0001 0011 DISI 禁止中断 无 0 0000 0001 0010 0012 RET [栈顶] → PC 无 0 0000 0001 0011 0013 RETI [栈顶] → PC,使能中断 无 0 0000 0001 0100 0014 CONTR CONT → A 无 0 0000 0001 rrrr 001r IOR R IOCR → A 无 0 0000 0010 0000 0020 TBL R2+A → R2, R2的Bits 8~9 不改变 Z,C,DC 0 0000 01rr rrrr 00rr MOV R,A A→R 无 0 0000 1000 0000 0080 CLRA 0→A Z 0 0000 11rr rrrr 00rr CLR R 0→R Z 0 0001 00rr rrrr 01rr SUB A,R R-A → A Z,C,DC 0 0001 01rr rrrr 01rr SUB R,A R-A → R Z,C,DC 0 0001 10rr rrrr 01rr DECA R R-1 → A Z 0 0001 11rr rrrr 01rr DEC R R-1 → R Z 28 • 1 1 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 二进制指令 十六进制 助记符 操作 受影响的标志位 0 0010 00rr rrrr 02rr OR A,R A∨R→A Z 0 0010 01rr rrrr 02rr OR R,A A∨R→R Z 0 0010 10rr rrrr 02rr AND A,R A&R→A Z 0 0010 11rr rrrr 02rr AND R,A A&R→R Z 0 0011 00rr rrrr 03rr XOR A,R A⊕R→A Z 0 0011 01rr rrrr 03rr XOR R,A A⊕R→R Z 0 0011 10rr rrrr 03rr ADD A,R A+R→A Z,C,DC 0 0011 11rr rrrr 03rr ADD R,A A+R→R Z,C,DC 0 0100 00rr rrrr 04rr MOV A,R R→A Z 0 0100 01rr rrrr 04rr MOV R,R R→R Z 0 0100 10rr rrrr 04rr COMA R /R → A Z 0 0100 11rr rrrr 04rr COM R /R → R Z 0 0101 00rr rrrr 05rr INCA R R+1 → A Z 0 0101 01rr rrrr 05rr INC R R+1 → R Z 0 0101 10rr rrrr 05rr DJZA R R-1 → A, 如果为0跳过 无 0 0101 11rr rrrr 05rr DJZ R R-1 → R, 如果为0跳过 无 0 0110 00rr rrrr 06rr RRCA R R(n) → A(n-1), R(0) → C, C → A(7) C 0 0110 01rr rrrr 06rr RRC R R(n) → R(n-1), R(0) → C, C → R(7) C 0 0110 10rr rrrr 06rr RLCA R R(n) → A(n+1), R(7) → C, C → A(0) C 0 0110 11rr rrrr 06rr RLC R R(n) → R(n+1), R(7) → C, C → R(0) C 0 0111 00rr rrrr 07rr SWAPA R R(0-3) → A(4-7), R(4-7) → A(0-3) 无 0 0111 01rr rrrr 07rr SWAP R R(0-3) ↔ R(4-7) 无 0 0111 10rr rrrr 07rr JZA R R+1 → A, 如果为0跳过 无 0 0111 11rr rrrr 07rr JZ R R+1 → R, 如果为0跳过 无 0 100b bbrr rrrr 0xxx BC R,b 0 → R(b) 无 0 101b bbrr rrrr 0xxx BS R,b 1 → R(b) 无 0 110b bbrr rrrr 0xxx JBC R,b if R(b)=0, 跳过 无 0 111b bbrr rrrr 0xxx JBS R,b if R(b)=1, 跳过 无 1 00kk kkkk kkkk 1kkk CALL k PC+1 → [SP], (页, k) → PC 无 1 01kk kkkk kkkk 1kkk JMP k (页, k) → PC 无 1 1000 kkkk kkkk 18kk MOV A,k k→A 无 1 1001 kkkk kkkk 19kk OR A,k A∨k→A Z 1 1010 kkkk kkkk 1Akk AND A,k A&k→A Z 1 1011 kkkk kkkk 1Bkk XOR A,k A⊕k→A Z 1 1100 kkkk kkkk 1Ckk RETL k k → A, [栈顶] → PC 无 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) 2 3 • 29 EM78P447S 8位OTP微控制器 二进制指令 十六进制 助记符 操作 受影响的标志位 1 1101 kkkk kkkk 1Dkk SUB A,k k-A → A Z,C,DC 1 1110 0000 0010 1E02 INT PC+1 → [SP], 002H → PC 无 1 1111 kkkk kkkk 1Fkk ADD A,k k+A → A Z,C,DC 30 • 注意 这个指令只能应用于IOC5 ~ IOC7, IOCB, IOCE, IOCF。 2 建议这个指令不用于对R3F的操作。 1 3 这个指令不能操作R3F。 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 4.13 时序图 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) • 31 EM78P447S 8位OTP微控制器 5 最大绝对值 项目 6 范围 温度偏差范围 -40°C 到 85°C 储存温度 -65°C 到 150°C 输入电压 0.3V 到 +6.0V 输出电压 -0.3V 到 +6.0V 工作频率 (2clk) DC 到 20MHz 电气特性 6.1 直流电气特性 (Ta= -40°C ~ 85 °C, VDD= 5.0V±5%, VSS= 0V) 符号 参数 条件 最小值 最大值 单位 晶振: VDD＝ 3V 指令周期为2个时钟周期 DC 8.0 MHz 晶振: VDD＝ 5V 指令周期为2个时钟周期 DC 20.0 MHz ERC ERC: VDD＝ 5V R: 5.1KΩ, C: 100 pF F±30% F±30% KHz IIL 输入引脚输入漏电流 VIN = VDD, VSS ±1 µA VIH1 输入高电压(VDD=5V) Ports 5, 6 VIL1 输入低电压(VDD=3V) Ports 5, 6 VIHT1 输入高临界电压(VDD=5V) /RESET, TCC VILT1 输入低临界电压(VDD=3V) /RESET, TCC VIHX1 时钟输入高电压(VDD=5V) OSCI VILX1 时钟输入低电压(VDD=3V) OSCI VIH2 输入高电压 (VDD=5V) Ports 5, 6 VIL2 输入低电压(VDD=3V) Ports 5, 6 VIHT2 输入高临界电压 (VDD=5V) /RESET, TCC VILT2 输入低临界电压(VDD=3V) /RESET, TCC VIHX2 时钟输入高电压(VDD=5V) OSCI VILX2 时钟输入低电压(VDD=3V) OSCI VOH1 输出高电压 (Ports 5, 6, 7) IOH = -10.0 mA VOL1 输出低电压 (Ports 5, 6) IOL = 9.0 mA 0.4 V VOL2 输出低电压 (Port7) IOL = 14.0 mA 0.4 V IPH 上拉电流 激活上拉,输入引脚接 VSS -240 µA ISB1 掉电电流 所有的输入引脚和I/O 引脚接VDD, 输出引脚悬空 WDT禁止 1 µA ISB2 掉电电流 所有的输入引脚和I/O 引脚接VDD, 输出引脚悬空 WDT使能 7 µA FXT 32 • 典型值 950 2.0 V 0.8 2.0 V 0.8 3.5 V V 1.5 1.5 V V 0.4 1.5 V V 0.4 2.1 V V 0.9 2.4 -50 V V V -100 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 ICC1 工作供电电流 (VDD=3V) 2个指令周期/四个时钟周期 /RESET= '高', Fosc=32kHz (晶振 类型, CLKS="0"), 输出引脚悬空, WDT禁止 15 25 30 µA ICC2 工作供电电流 (VDD=3V) 2个指令周期/四个时钟周期 /RESET= '高', Fosc=32kHz (晶振 类型, CLKS="0"), 输出引脚悬空, WDT使能 30 35 µA ICC3 工作供电电流 (VDD=5V) 2个指令周期/四个时钟周期 /RESET= '高', Fosc=4MHz (晶振类 型, CLKS="0"), 输出引脚悬空, WDT使能 2.2 mA ICC4 工作供电电流 (VDD=5V) 2个指令周期/四个时钟周期 /RESET= '高', Fosc=10MHz (晶振 类型, CLKS="0"), 输出引脚悬空, WDT使能 5.0 mA 6.2 交流电气特性 (Ta=-40°C ~85 °C, VDD=5V±5%, VSS=0V) 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 45 50 55 % Dclk 输入时钟的占空比 Tins 指令周期 (CLKS="0") Ttcc TCC 输入时间周期 Tdrh 单片机复位持续时间 Ta = 25°C 11.3 Trst /RESET 脉冲宽度 Ta = 25°C 2000 Twdt 看门狗定时器时间 Ta = 25°C 11.3 Tset 输入引脚启动时间 0 ns Thold 输入引脚保持时间 20 ns 50 ns Tdelay 输出引脚延迟时间 晶振类型 100 DC ns RC类型 500 DC ns (Tins+20)/N* Cload=20pF ns 16.2 21.6 ms ns 16.2 21.6 ms * N = 选择预分频比。 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) • 33 EM78P447S 8位OTP微控制器 6.3 器件特性 以下所列图所示特性取自有限的样品，并不保证它的准确性，在此仅用作参考。有些图 片所示数据可能超出规格指定的工作范围。 Vih 最大值 (-40℃ toVih/Vil 85℃ )(带有施密特反相器的输入引脚) 2 Vih典型值25℃ Vih 最小值 (-40℃ to 85℃) Vih Vil (Volt) 1.5 1 Vil最大值 (-40℃ to 85℃) Vil典型值 25℃ Vil 最小值 (-40℃ to 85℃) 0.5 0 2.5 3 3.5 4 Vdd (Volt) 4.5 5 5.5 图 6-1 TCC, /INT, /RESET 引脚的 Vih, Vil I/O引脚的Vth (输入临界电压) 1.8 1.6 1.4 Vth (Volt) 1.2 典型值 25 ℃ 最大值 (-40 ℃到 85 ℃) 1 最小值 (-40 ℃ 到 85 ℃) 0.8 0.6 0.4 0.2 0 2.5 3 3.5 4 VDD (Volt) 4.5 5 5.5 图 6-2 P60~P67, P70~P77的 Vth（临界电压）与VDD 34 • 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 Voh/Ioh (VDD=5V) 0 最小值 85 ℃ Ioh (mA) -5 典型值 25 ℃ 最大值 -40℃ -10 -15 最小值 85 ℃ 典型值 25 ℃ -20 最大值 -40℃ -25 0 1 2 3 Voh (Volt) 4 5 图 6-3 端口5，6，7的Voh对比Ioh,VDD=5V Voh/Ioh (VDD=3V) 0 Ioh (mA) -2 -4 -6 -8 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 Voh (Volt) 图 6-4端口5，6，7的Voh对比Ioh,VDD=3V 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) • 35 EM78P447S 8位OTP微控制器 Vol/Iol (VDD=5V) 50 40 最大值 -40 ℃ Iol (mA) 30 25 ℃ 典型值 最大值 -40 ℃ 最小值 85 ℃ 典型值 25 ℃ 20 最小值 85 ℃ 10 0 0 1 2 3 4 5 Vol (Volt) 图 6-5 端口5和6的Vol对比Iol,VDD=5V Vol/Iol (VDD=3V) 25 Iol (mA) 20 15 10 5 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 Vol (Volt) 图 6-6 端口5和6的Vol对比Iol,VDD=3V 36 • 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 Vol/Iol (5V) 60 最大值 -40 ℃ 50 典型值 25 ℃ 典型值 25 ℃ 最小值 40 85 ℃ 最小值 85 ℃ Iol (mA) 最大值 -40 ℃ 30 20 10 0 0 1 2 3 4 5 Vol (Volt) 图 6-7 端口7的VOL对比IOL，VDD=5V Vol/Iol (3V) 25 Iol (mA) 20 15 10 5 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 Vol (Volt) 图 6-8 端口7的VOL对比IOL，VDD=3V 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) • 37 EM78P447S 8位OTP微控制器 WDT 溢出 30 WDT 溢出周期 (ms) 25 20 最大值 85 ℃ 15 典型值 25 ℃ 10 最小值 -40℃ 5 0 2 3 4 VDD (Volt) 5 6 图 6-9 预分频比1：1，看门狗溢出周期对比 VDD Cext=100pF, 典型 RC OSC 频率 1.4 R = 3.3 k 1.2 频率 (M Hz) 1 R = 5.1 k 0.8 0.6 R = 10 k 0.4 0.2 R = 100 k 0 2.5 3 3.5 4 4.5 VDD (Volt) 5 5.5 图 6-10 典型RC OSC 频率对比. VDD （Cext=100pF,温度为25 ℃） 38 • 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 ERC OSC 频率对比温度(Cext=100pF, Rext=5.1K) 1.01 Fosc/Fosc (25℃) 1.005 1 5V 0.995 3V 0.99 0.985 0.98 -40 -20 0 20 40 60 80 温度 (℃) 图 6-11 典型 RC OSC 频率对比. 温度 （R和C为理想器件） 四种工作条件下的工作电流 ICC1 到 ICC4，工作条件如下： ICC1：VDD=3V, Fosc=32 kHz, 2 个时钟, WDT 禁止. ICC2：VDD=3V, Fosc=32 kHz, 2 个时钟 WDT 使能. ICC3：VDD=5V, Fosc=4 MHz, 2 个时钟, WDT 使能. ICC4：VDD=5V, Fosc=10 MHz, 2 个时钟, WDT 使能. ICC1 和 ICC2的典型值对比温度 21 电流 (uA) 18 15 12 9 -40 -20 0 20 40 60 80 温度 (℃) 图 6-12工作电流的典型值（ICC1和ICC2）对比温度 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) • 39 EM78P447S 8位OTP微控制器 ICC1和 ICC2的最大值对比温度 27 电流 (µA) 24 21 18 15 -40 -20 0 20 40 60 80 温度 (℃) 图6-13最大工作电流（ICC1 和 ICC2）对比温度 ICC3 和ICC4 的典型值对比温度 4 3.5 ICC4 典型值 电流 (mA) 3 2.5 ICC3 典型值 2 1.5 1 0.5 -40 -20 0 20 40 60 80 温度 (℃) 图 6-14 典型工作电流（ICC3 和 ICC4） 对比温度 ICC3和 ICC4 的最大值对比温度 4.5 ICC4 最大值 4 电流 (mA) 3.5 3 2.5 ICC3 最大值 2 1.5 1 -40 -20 0 20 40 60 80 温度 (℃) 图 6-15最大工作电流（ICC3 和 ICC4）对比温度 40 • 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 两种条件（ISB1、ISB2）下所消耗的电流，条件如下： ISB1：VDD=5V, WDT 禁止 ISB2：VDD=5V, WDT 使能 ISB1 和 ISB2的典型值对比温度 12 9 电流 (µA) ISB2 典型值 6 3 ISB1 典型值 0 -40 -20 0 20 40 60 80 温度 (℃) 图 6-16 典型残留电流（ISB1 和 ISB2） 和温度 ISB1和 ISB2 最大值对比温度 15 12 电流 (µA) ISB2 最大值 9 6 3 ISB1 最大值 0 -40 -20 0 20 40 60 80 温度 (℃) 图 6-17 最大残留电流（ISB1和 ISB2） 对比温度 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) • 41 EM78P447S 8位OTP微控制器 工作电压 (-40℃~85℃) 25 频率(M Hz) 20 15 10 5 0 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 VDD (Volt) 图 6-18 -40 ℃到 85 ℃温度范围内的工作电流 EM78P447S HXT I-V 2.5 I (mA) 2 1.5 最大值 1 最小值 0.5 0 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 Volt (V) 图 6-19 4MHz时 EM78P447S电流-电压 工作曲线 42 • 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 EM78P447S-G HXT I-V 2.5 I (mA) 2 1.5 最大值 最小值 1 0.5 0 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 Volt (V) 图 6-20 4MHz时EM78P447S-G电流-电压工作曲线 EM78P447S LXT I-V 50 I (µA) 40 30 最大值 20 最小值 10 0 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 Volt (V) 图 6-21 32.768KHz时EM78P447S电流－电压曲线 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) • 43 EM78P447S 8位OTP微控制器 EM78P447S-G LXT I-V 50 I (µA) 40 30 最大值 20 最小值 10 0 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 Volt (V) 图 6-22 32.768KHZ EM78P447S-G电流－电压曲线 44 • 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 附录 A 封装类型 OTP MCU 封装类型 引脚数 封装尺寸 EM78P447SAP DIP 28 600 mil EM78P447SAM SOP 28 300 mil EM78P447SAK Skinny DIP 28 300 mil EM78P447SAS SSOP 28 209 mil EM78P447SBP DIP 32 600 mil EM78P447SBWM SOP 32 450 mil EM78P447SBM SOP 32 300 mil EM78P447SCK Skinny DIP 24 300 mil EM78P447SAPS DIP 28 600 mil EM78P447SAMS SOP 28 300 mil EM78P447SAKS Skinny DIP 28 300 mil EM78P447SASS SSOP 28 209 mil EM78P447SBPS DIP 32 600 mil EM78P447SBWMS SOP 32 450 mil EM78P447SBMS SOP 32 300 mil EM78P447SCKS Skinny DIP 24 300 mil EM78P447SCMS SOP 24 300 mil EM78P447SAPJ DIP 28 600 mil EM78P447SAMJ SOP 28 300 mil EM78P447SAKJ Skinny DIP 28 300 mil EM78P447SASJ SSOP 28 209 mil EM78P447SBPJ DIP 32 600 mil EM78P447SBWMJ SOP 32 450 mil EM78P447SBMJ SOP 32 300 mil EM78P447SCKJ Skinny DIP 24 300 mil EM78P447SCMJ SOP 24 300 mil 注意: 带有“S” 或者 “J”的是绿色产品, 不包含有害物质. 符合 Sony SS-00259 第三版本标准 Pb 含量符合 Sony 规格说明 Pb 含量小于 100ppm 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) • 45 EM78P447S 8位OTP微控制器 B 封装信息 B.1 24引脚小型塑封双列直插封装（SKDIP）－ 300 mil 13 24 E 12 Min 0.381 3.175 0.203 31.750 6.426 7.370 8.380 0.356 1.470 3.048 0 Normal Max 5.334 3.302 3.429 0.254 0.356 31.801 31.852 6.628 6.830 7.620 7.870 8.950 9.520 0.457 0.559 1.520 1.630 3.302 3.556 2.540(TYP) 15 A1 A2 1 Symbal A A1 A2 c D E1 E eB B B1 L e θ e TITLE: PDIP-24L SKINNY 300MIL PACKAGE OUTLINE DIMENSION File : K24 Edtion: A Unit : mm Scale: Free Material: Sheet:1 of 1 46 • 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 B.2 28引脚塑封双列直插封装（DIP）－ 600 mil B.3 32引脚塑封双列直插封装（DIP）－ 600 mil 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) • 47 EM78P447S 8位OTP微控制器 B.4 28引脚小型塑封双列直插封装（SKDIP）－ 300 mil Min 0.381 3.175 0.152 35.204 7.213 7.620 8.382 0.356 1.422 3.251 0 Normal Max 5.334 3.302 3.429 0.254 0.356 35.255 35.306 7.315 7.417 7.874 8.128 8.890 9.398 0.457 0.559 1.524 1.626 3.302 3.353 2.540(TYP) 10 A Symbal A A1 A2 c D E1 E eB B B1 L e θ TITLE: PDIP-28L SKINNY 300MIL PACKAGE OUTLINE DIMENSION File : K28 Edtion: A Unit : mm Scale: Free Material: Sheet:1 of 1 B.5 24引脚塑封小外型封装（SOP）－ 300 mil 48 • 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 B.6 28引脚塑封小外型封装（SOP）－ 300 mil B.7 32引脚塑封小外型封装（SOP）－ 300 mil 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) • 49 EM78P447S 8位OTP微控制器 B.8 32引脚塑封小外型封装（SOP）－ 450 mil 50 • 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) EM78P447S 8位OTP微控制器 B.9 28引脚缩小小外型封装（SSOP）－ 209 mil 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新) • 51 EM78P447S 8位OTP微控制器 C EM78P447S 烧写脚位列表 使用 DWTR 烧录 EM78P447S IC。由 CON3 选择 DWTR（EM78P447S）的连接 器并 且选择 EM78P447S 类型软件 烧录脚位名称 IC 引脚名称 28-DIP 引脚号 32-DIP 引脚号 VPP /RESET 28 30 ACLK OSCO 26 28 DINCK P77 25 27 DATAIN P76 24 26 /PGMB P75 23 25 /OEB P74 22 24 VDD VDD 2 4 VSS VSS 4 6 ELAN DWRITE 连线图 28 /RESET --VPP P55 1 32 2 27 OSCI P54 2 31 P57 NC 3 26 OSCO --ACLK TCC 3 30 /RESET --VPP VSS-- Vss 4 25 P77 --DINCK VDD-- VDD 4 29 OSCI /INT 5 24 P76 --DATAIN NC 5 28 OSCO --ACLK P50 6 23 P75 --/PGMB Vss 6 27 P77 --DINCK 22 P74 --/OEB /INT 7 26 P76 --DATAIN 21 P73 P50 8 25 P75 --/PGMB P72 P51 9 24 P74 --/OEB P51 7 P52 8 P53 9 P60 10 P61 20 VSS-- EM78P447SBP EM78P447SBWM 1 EM78P447SAP EM78P447SAM TCC VDD-- VDD P56 19 P71 P52 10 23 P73 11 18 P70 P53 11 22 P72 P62 12 17 P67 P60 12 21 P71 P63 13 16 P66 P61 13 20 P70 P64 14 15 P65 P62 14 19 P67 P63 15 18 P66 P64 16 17 P65 DIP DIP 52 • 版本号 (V1.7) 11.24.2009 (产品更新后规格书不保证同步更新)