CGH60120D

CGH60120D
120 W、6.0 GHz GaN HEMT芯片
Cree的CGH60120D是一款氮化镓（GaN）高
电子迁移率晶体管（HEMT）。与硅或砷化镓相
比，GaN具有更加优良的性能，比如说，更高的
部件号：CGH
60120D
击穿电压、更高的饱和电子漂移速度以及更高的导热性。与Si和
GaAs晶体管相比，GaN HEMT可以提供更大的功率密度和更宽的频带。
特点
应用
• 4 GHz下小信号增益典型值：13 dB
• 双向专用无线电
• 6 GHz下小信号增益典型值：12 dB
• 宽带放大器
• PSAT典型值：120 W
• 蜂窝基础设施
• 工作电压：28 V
• 测试仪器
• 高击穿电压
• A类、AB类线性放大器，适用于OFDM、
W-CDMA、EDGE、CDMA波形
• 高工作温度
• 最大工作频率：6 GHz
• 高能效
封装信息
裸芯片采用Gel-Pak®容器包装。
•
在运输过程中采用不干胶粘性膜固定芯片。
修订版本3.1—
—2012年4月
•
SiC和GaN可用的大型信号型号
若有更改，恕不另行通知。
www.cree.com/wireless
1
25˚C时的绝对最大额定值（非同时出现）
参数
符号
额定值
单位
条件
漏源电压
VDSS
84
VDC
25˚C
25˚C
栅源电压
VGS
-10、+2
VDC
储存温度
TSTG
-65、+150
˚C
工作结温
TJ
225
˚C
最大正向栅极电流
IGMAX
30
mA
25˚C
最大漏极电流1
IDMAX
12
A
25˚C
热阻，结点到表面（封装）2
RθJC
1.5
˚C/W
热阻，结点到表面（仅芯片）
RθJC
0.8
˚C/W
85˚C
TS
320
˚C
30秒
安装温度（30秒）
注1 为确保长期可靠地运行所需满足的电流限制。
注2 共晶芯片粘接是通过80/20 AuSn焊料接合到60 mil厚的铜钼铜载体上。
电气特性（除非另行说明，否则频率 = 4 GHz；TC = 25˚C）
规格参数表
符号
最小值
典型值
最大值
栅极阈值电压
VGS(TH)
栅极静态电压
VGS(Q)
单位
条件
-3.8
-3.0
–2.3
V
VDS = 10 V，ID = 28.8 mA
–
-2.7
–
VDC
VDD = 28 V，IDQ = 800 mA
漏极电流
IDSS
23.2
28.0
–
A
VDS = 6 V，VGS = 2.0 V
漏源击穿电压
VBD
120
–
–
V
VGS = -8 V，ID = 28.8 mA
导通电阻
RON
–
0.1
–
Ω
VDS = 0.1 V
VG-ON
–
1.9
–
V
IGS = 28.8 mA
小信号增益
GSS
–
13
–
dB
VDD = 28 V，IDQ = 800 mA
饱和输出功率2
PSAT
–
120
–
W
VDD = 28 V，IDQ = 800 mA
漏极效率1
η
–
65
–
%
VDD = 28 V，IDQ = 800 mA，PSAT = 120
W
互调失真
IM3
–
-30
–
dBc
VDD = 28 V，IDQ = 800 mA，
POUT = 120 W PEP
VSWR
–
–
10：1
Y
所有相角均无损坏，
VDD = 28 V，IDQ = 800 mA，
POUT = 120 W CW
CGS
–
34.0
–
pF
VDS = 28 V，Vgs = -8 V，f = 1 MHz
输出电容
CDS
–
7.7
–
pF
VDS = 28 V，Vgs = -8 V，f = 1 MHz
反馈电容
CGD
–
1.5
–
pF
VDS = 28 V，Vgs = -8 V，f = 1 MHz
DC特性
栅极正向电压
射频特性
输出失配应力
动态特性
输入电容
注：
1
2
漏极效率 = POUT / PDC。
PSAT是在IG = 3.0 mA的条件下所确定。
版权所有© 2006-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。其他商标、
产品和公司名称均为其各自所有者的财产，并不意味着特定的产品和／或供应商的认可、赞助或关联。
2
CGH60120D Rev 3.1
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, North Carolina, USA 27703
美国电话：+1.919.313.5300
传真：+1.919.869.2733
www.cree.com/wireless
芯片尺寸（以微米为单位）
漏极
漏极
漏极
漏极
漏极
漏极
漏极
漏极
栅极
栅极
栅极
栅极
栅极
栅极
栅极
栅极
芯片外形尺寸：5260 x 920（+0/-50）微米，芯片厚度：100（+/- 10）微米。
所有栅极和漏极焊盘的电气连接必须使用线焊。
装配说明：
•
建议使用AuSn（80/20）焊料进行焊接。请参考Cree网站上的共晶芯片焊接程序应用说明，
网址为：www.cree.com/wireless。
•
拿取时首选真空夹头。
•
芯片背面是源接点（接地）。
•
芯片背面镀金厚度至少5微米。
•
连接时首选热超声球焊或楔焊。
•
连接时必须使用金线。
•
确保芯片标签（XX-YY）方向正确，如上图箭头9所示。
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CGH60120D Rev 3.1
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, North Carolina, USA 27703
美国电话：+1.919.313.5300
传真：+1.919.869.2733
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典型性能
K因数
MAG（dB）
CGH60120D的模拟最大可用增益与K因数
VDD = 28 V，IDQ = 1000 mA
频率 (GHz)
芯片内部参数 - 请参考栅极和漏极焊盘的中心平面。假设无需线焊。
典型噪声性能
噪声电阻（Ω）
最小噪声系数（dB）
CGH60120D的模拟最小噪声系数及噪声电阻与频率之间的关系
VDD = 28 V，IDQ = 1000 mA
频率 (GHz)
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CGH60120D Rev 3.1
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, North Carolina, USA 27703
美国电话：+1.919.313.5300
传真：+1.919.869.2733
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典型芯片S参数（小信号，VDS = 28 V，IDQ = 500 mA，幅值/相角）
频率
Mag S11
Ang S11
Mag S21
Ang S21
Mag S12
Ang S12
Mag S22
Ang S22
500 MHz
0.961
-174.70
4.32
82.44
0.008
-5.29
0.780
-176.07
600 MHz
0.962
-175.52
3.58
80.05
0.008
-7.21
0.783
-175.85
700 MHz
0.962
-176.10
3.05
77.81
0.008
-8.99
0.786
-175.58
800 MHz
0.962
-176.53
2.65
75.66
0.008
-10.67
0.790
-175.30
900 MHz
0.963
-176.86
2.34
73.59
0.008
-12.27
0.794
-175.02
1.0 GHz
0.963
-177.12
2.08
71.58
0.008
-13.80
0.798
-174.74
1.1 GHz
0.964
-177.33
1.88
69.64
0.008
-15.27
0.802
-174.48
1.2 GHz
0.964
-177.50
1.70
67.75
0.008
-16.68
0.807
-174.24
1.3 GHz
0.965
-177.65
1.55
65.90
0.008
-18.04
0.812
-174.02
1.4 GHz
0.965
-177.78
1.43
64.11
0.007
-19.34
0.817
-173.82
1.5 GHz
0.966
-177.89
1.31
62.37
0.007
-20.60
0.822
-173.64
1.6 GHz
0.967
-177.99
1.22
60.67
0.007
-21.80
0.827
-173.49
1.7 GHz
0.967
-178.08
1.13
59.02
0.007
-22.95
0.832
-173.35
1.8 GHz
0.968
-178.16
1.05
57.41
0.007
-24.04
0.837
-173.24
1.9 GHz
0.968
-178.24
0.98
55.85
0.007
-25.09
0.842
-173.15
2.0 GHz
0.969
-178.31
0.92
54.33
0.007
-26.08
0.847
-173.07
2.1 GHz
0.970
-178.37
0.86
52.85
0.006
-27.03
0.851
-173.01
2.2 GHz
0.970
-178.43
0.81
51.42
0.006
-27.92
0.856
-172.97
2.3 GHz
0.971
-178.49
0.77
50.02
0.006
-28.76
0.861
-172.95
2.4 GHz
0.971
-178.55
0.72
48.67
0.006
-29.56
0.865
-172.93
2.5 GHz
0.972
-178.60
0.68
47.36
0.006
-30.30
0.870
-172.93
2.6 GHz
0.973
-178.66
0.65
46.08
0.006
-31.00
0.874
-172.94
2.7 GHz
0.973
-178.71
0.61
44.84
0.006
-31.64
0.878
-172.97
2.8 GHz
0.974
-178.76
0.58
43.64
0.005
-32.24
0.882
-173.00
2.9 GHz
0.974
-178.81
0.55
42.47
0.005
-32.78
0.886
-173.03
3.0 GHz
0.975
-178.85
0.53
41.34
0.005
-33.28
0.890
-173.08
3.2 GHz
0.975
-178.95
0.48
39.17
0.005
-34.13
0.897
-173.19
3.4 GHz
0.976
-179.03
0.44
37.12
0.005
-34.78
0.903
-173.32
3.6 GHz
0.977
-179.12
0.40
35.19
0.004
-35.24
0.909
-173.46
3.8 GHz
0.978
-179.20
0.37
33.37
0.004
-35.48
0.915
-173.62
4.0 GHz
0.979
-179.29
0.34
31.64
0.004
-35.52
0.920
-173.78
4.2 GHz
0.979
-179.37
0.31
30.01
0.004
-35.32
0.925
-173.95
4.4 GHz
0.980
-179.44
0.29
28.46
0.003
-34.89
0.929
-174.12
4.6 GHz
0.980
-179.52
0.27
27.00
0.003
-34.19
0.933
-174.29
4.8 GHz
0.981
-179.60
0.25
25.61
0.003
-33.22
0.937
-174.46
5.0 GHz
0.981
-179.67
0.24
24.29
0.003
-31.92
0.941
-174.63
5.2 GHz
0.982
-179.74
0.22
23.03
0.003
-30.27
0.944
-174.80
5.4 GHz
0.982
-179.81
0.21
21.84
0.002
-28.22
0.947
-174.97
5.6 GHz
0.982
-179.88
0.19
20.70
0.002
-25.72
0.950
-175.13
5.8 GHz
0.983
-179.95
0.18
19.61
0.002
-22.72
0.952
-175.29
6.0 GHz
0.983
179.98
0.17
18.58
0.002
-19.15
0.954
-175.45
请联系Cree（电子邮箱：[email protected]），索取“.s2p”格式的s参数文件。
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CGH60120D Rev 3.1
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, North Carolina, USA 27703
美国电话：+1.919.313.5300
传真：+1.919.869.2733
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典型芯片S参数（小信号，VDS = 28 V，IDQ = 1.0 A，幅值/相角）
频率
Mag S11
Ang S11
Mag S21
Ang S21
Mag S12
Ang S12
Mag S22
Ang S22
500 MHz
0.969
-175.20
4.23
83.99
0.006
-3.13
0.817
-177.45
600 MHz
0.969
-175.97
3.51
81.96
0.006
-4.57
0.818
-177.31
700 MHz
0.969
-176.53
3.00
80.05
0.006
-5.88
0.820
-177.14
800 MHz
0.970
-176.94
2.61
78.23
0.006
-7.11
0.822
-176.95
900 MHz
0.970
-177.26
2.31
76.46
0.006
-8.27
0.824
-176.75
1.0 GHz
0.970
-177.51
2.06
74.75
0.006
-9.38
0.827
-176.55
1.1 GHz
0.970
-177.72
1.86
73.08
0.006
-10.44
0.829
-176.35
1.2 GHz
0.971
-177.90
1.70
71.45
0.006
-11.46
0.832
-176.16
1.3 GHz
0.971
-178.04
1.55
69.85
0.006
-12.44
0.835
-175.98
1.4 GHz
0.971
-178.17
1.43
68.28
0.006
-13.37
0.838
-175.81
1.5 GHz
0.971
-178.28
1.32
66.75
0.006
-14.27
0.841
-175.65
1.6 GHz
0.972
-178.38
1.23
65.25
0.005
-15.13
0.844
-175.50
1.7 GHz
0.972
-178.47
1.15
63.78
0.005
-15.95
0.847
-175.36
1.8 GHz
0.972
-178.55
1.07
62.33
0.005
-16.73
0.850
-175.24
1.9 GHz
0.973
-178.62
1.01
60.92
0.005
-17.47
0.854
-175.13
2.0 GHz
0.973
-178.69
0.95
59.54
0.005
-18.17
0.857
-175.03
2.1 GHz
0.974
-178.75
0.89
58.19
0.005
-18.82
0.860
-174.94
2.2 GHz
0.974
-178.81
0.84
56.87
0.005
-19.44
0.864
-174.86
2.3 GHz
0.974
-178.86
0.80
55.57
0.005
-20.01
0.867
-174.80
2.4 GHz
0.975
-178.91
0.75
54.31
0.005
-20.54
0.870
-174.74
2.5 GHz
0.975
-178.96
0.72
53.07
0.005
-21.02
0.873
-174.69
2.6 GHz
0.975
-179.01
0.68
51.86
0.005
-21.46
0.876
-174.66
2.7 GHz
0.976
-179.05
0.65
50.68
0.004
-21.86
0.880
-174.63
2.8 GHz
0.976
-179.10
0.62
49.53
0.004
-22.20
0.883
-174.61
2.9 GHz
0.976
-179.14
0.59
48.40
0.004
-22.50
0.886
-174.59
3.0 GHz
0.977
-179.18
0.56
47.30
0.004
-22.75
0.889
-174.59
3.2 GHz
0.977
-179.26
0.51
45.17
0.004
-23.11
0.894
-174.60
3.4 GHz
0.978
-179.34
0.47
43.14
0.004
-23.25
0.900
-174.63
3.6 GHz
0.978
-179.41
0.43
41.20
0.004
-23.18
0.905
-174.68
3.8 GHz
0.979
-179.49
0.40
39.36
0.003
-22.87
0.910
-174.74
4.0 GHz
0.979
-179.56
0.37
37.60
0.003
-22.32
0.915
-174.82
4.2 GHz
0.980
-179.62
0.35
35.92
0.003
-21.50
0.919
-174.91
4.4 GHz
0.980
-179.69
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-20.40
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-175.00
4.6 GHz
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4.8 GHz
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5.0 GHz
0.982
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5.2 GHz
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5.4 GHz
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5.6 GHz
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5.8 GHz
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24.90
0.002
-2.48
0.945
-175.81
6.0 GHz
0.983
179.80
0.20
23.78
0.002
1.75
0.948
-175.93
请联系Cree（电子邮箱：[email protected]），索取“.s2p”格式的s参数文件。
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