CGH60030D 30 W、6.0 GHz GaN HEMT芯片

CGH60030D
30 W、6.0 GHz GaN HEMT芯片
Cree的CGH60030D是一款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管
(HEMT)。与硅或砷化镓相比,GaN具有更加优良的性能,比如
说,更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度以及更高的导热性。
与Si和GaAs晶体管相比,GaN HEMT可以提供更大的功率密度和更
宽的频带。
部件号:CGH
60030D
特点
应用
• 4 GHz下小信号增益典型值:15 dB
• 双向专用无线电
• 6 GHz下小信号增益典型值:12 dB
• 宽带放大器
• PSAT典型值:30 W
• 蜂窝基础设施
• 工作电压:28 V
• 测试仪器
• 高击穿电压
• A类、AB类线性放大器,适用于OFDM、
W-CDMA、EDGE、CDMA波形
• 高工作温度
• 最大工作频率:6 GHz
• 高能效
封装信息
裸芯片采用Gel-Pak®容器包装。
•
在运输过程中采用不干胶粘性膜固定芯片。
修订版本3.1—
—2012年4月
•
SiC和GaN可用的大型信号型号
若有更改,恕不另行通知。
www.cree.com/wireless
1
25˚C时的绝对最大额定值(非同时出现)
参数
符号
额定值
单位
条件
漏源电压
VDSS
84
VDC
25˚C
25˚C
栅源电压
VGS
-10、+2
VDC
储存温度
TSTG
-65、+150
˚C
工作结温
TJ
225
˚C
最大正向栅极电流
IGMAX
7.0
mA
25˚C
最大漏极电流1
IDMAX
3.0
A
25˚C
热阻,结点到表面(封装)2
RθJC
4.8
˚C/W
热阻,结点到表面(仅芯片)
RθJC
3.0
˚C/W
85˚C
TS
320
˚C
30秒
安装温度(30秒)
注1 为确保长期可靠地运行所需满足的电流限制。
注2 共晶芯片粘接是通过80/20 AuSn焊料接合到40 mil厚的铜钼铜载体上。
电气特性(除非另行说明,否则频率 = 4 GHz;TC = 25˚C)
规格参数表
符号
最小值
典型值
最大值
栅极阈值电压
VGS(TH)
栅极静态电压
VGS(Q)
漏极电流
漏源击穿电压
单位
条件
-3.8
-3.0
–2.3
V
–
-2.7
–
VDC
IDS
5.8
7.0
–
A
VDS = 6.0 V,VGS = 2.0 V
VBD
120
–
–
V
VGS = -8 V,ID = 7.2 mA
DC特性
VDS = 10 V,ID = 7.2 mA
VDD = 28 V,IDQ = 200 mA
RON
–
0.5
–
Ω
VDS = 0.1 V
VG-ON
–
1.9
–
V
IGS = 7.2 mA
小信号增益
GSS
–
15
–
dB
VDD = 28 V,IDQ = 200 mA
饱和输出功率1
PSAT
–
30
–
W
VDD = 28 V,IDQ = 200 mA
η
–
65
–
%
VDD = 28 V,IDQ = 200 mA,PSAT = 30 W
IM3
–
-30
–
dBc
VDD = 28 V,IDQ = 200 mA,
POUT = 30 W PEP
VSWR
–
–
10:1
Y
所有相角均无损坏,
VDD = 28 V,IDQ = 200 mA,
POUT = 30 W CW
CGS
–
8.2
–
pF
VDS = 28 V,Vgs = -8 V,f = 1 MHz
输出电容
CDS
–
1.7
–
pF
VDS = 28 V,Vgs = -8 V,f = 1 MHz
反馈电容
CGD
–
0.4
–
pF
VDS = 28 V,Vgs = -8 V,f = 1 MHz
导通电阻
栅极正向电压
射频特性
漏极效率
2
互调失真
输出失配应力
动态特性
输入电容
注:
1
2
PSAT是在IG = 0.7 mA的条件下所确定。
漏极效率 = POUT / PDC。
版权所有© 2006-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改,恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。其他商标、
产品和公司名称均为其各自所有者的财产,并不意味着特定的产品和/或供应商的认可、赞助或关联。
2
CGH60030D Rev 3.1
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, North Carolina, USA 27703
美国电话:+1.919.313.5300
传真:+1.919.869.2733
www.cree.com/wireless
芯片尺寸(以微米为单位)
漏极
漏极
栅极
栅极
芯片外形尺寸:1660 x 920(+0/-50)微米,芯片厚度:100(+/- 10)微米。
所有栅极和漏极焊盘的电气连接必须使用线焊。
装配说明:
•
建议使用AuSn(80/20)焊料进行焊接。请参考Cree网站上的共晶芯片焊接程序应用说明,
网址为:http://www.cree.com/products/wireless_documents.asp
•
拿取时首选真空夹头。
•
芯片背面是源接点(接地)。
•
芯片背面镀金厚度至少5微米。
•
连接时首选热超声球焊或楔焊。
•
连接时必须使用金线。
•
确保芯片标签(XX-YY)方向正确。
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CGH60030D Rev 3.1
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典型性能
K因数
MAG (dB)
CGH60030D的模拟最大可用增益与K因数
VDD = 28 V,IDQ = 250 mA
频率 (GHz)
芯片内部参数 - 请参考栅极和漏极焊盘的中心平面。假设无需线焊。
典型噪声性能
噪声电阻(Ω)
最小噪声系数(dB)
CGH60030D的模拟最小噪声系数及噪声电阻与频率之间的关系
VDD = 28 V,IDQ = 250 mA
频率 (GHz)
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CGH60030D Rev 3.1
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
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典型芯片S参数(小信号,VDS = 28 V,IDQ = 100 mA,幅值/相角)
频率
Mag S11
Ang S11
Mag S21
Ang S21
Mag S12
Ang S12
Mag S22
Ang S22
500 MHz
0.928
-148.38
12.12
97.65
0.026
8.46
0.377
-137.96
600 MHz
0.927
-153.41
10.18
93.73
0.026
4.70
0.383
-141.15
700 MHz
0.926
-157.06
8.75
90.48
0.026
1.62
0.389
-143.08
800 MHz
0.926
-159.83
7.66
87.68
0.026
-1.02
0.397
-144.26
900 MHz
0.926
-162.00
6.80
85.17
0.026
-3.37
0.406
-144.97
1.0 GHz
0.927
-163.74
6.10
82.88
0.026
-5.49
0.415
-145.39
1.1 GHz
0.927
-165.17
5.53
80.75
0.026
-7.46
0.425
-145.63
1.2 GHz
0.927
-166.37
5.05
78.75
0.026
-9.30
0.435
-145.76
1.3 GHz
0.928
-167.39
4.64
76.85
0.026
-11.03
0.446
-145.83
1.4 GHz
0.929
-168.26
4.28
75.04
0.026
-12.68
0.457
-145.87
1.5 GHz
0.929
-169.03
3.97
73.30
0.026
-14.26
0.468
-145.91
1.6 GHz
0.930
-169.70
3.70
71.62
0.025
-15.78
0.479
-145.96
1.7 GHz
0.931
-170.30
3.46
69.99
0.025
-17.24
0.491
-146.02
1.8 GHz
0.932
-170.83
3.24
68.41
0.025
-18.66
0.502
-146.10
1.9 GHz
0.933
-171.31
3.04
66.88
0.025
-20.03
0.514
-146.22
2.0 GHz
0.934
-171.75
2.87
65.39
0.025
-21.36
0.525
-146.35
2.1 GHz
0.934
-172.16
2.71
63.93
0.024
-22.65
0.537
-146.52
2.2 GHz
0.935
-172.53
2.56
62.51
0.024
-23.90
0.548
-146.71
2.3 GHz
0.936
-172.87
2.43
61.13
0.024
-25.13
0.559
-146.92
2.4 GHz
0.937
-173.19
2.31
59.77
0.024
-26.32
0.570
-147.16
2.5 GHz
0.938
-173.49
2.19
58.45
0.024
-27.48
0.581
-147.42
2.6 GHz
0.939
-173.77
2.09
57.15
0.023
-28.61
0.592
-147.70
2.7 GHz
0.940
-174.04
1.99
55.89
0.023
-29.71
0.602
-147.99
2.8 GHz
0.941
-174.29
1.90
54.65
0.023
-30.79
0.613
-148.30
2.9 GHz
0.942
-174.53
1.82
53.44
0.023
-31.84
0.623
-148.63
3.0 GHz
0.943
-174.76
1.74
52.25
0.022
-32.86
0.633
-148.97
3.2 GHz
0.945
-175.19
1.60
49.95
0.022
-34.84
0.652
-149.67
3.4 GHz
0.947
-175.59
1.47
47.74
0.021
-36.72
0.670
-150.40
3.6 GHz
0.948
-175.97
1.36
45.62
0.021
-38.52
0.687
-151.16
3.8 GHz
0.950
-176.32
1.26
43.58
0.020
-40.23
0.703
-151.92
4.0 GHz
0.952
-176.65
1.17
41.62
0.020
-41.86
0.718
-152.69
4.2 GHz
0.953
-176.97
1.09
39.74
0.019
-43.42
0.732
-153.47
4.4 GHz
0.955
-177.28
1.02
37.92
0.019
-44.91
0.745
-154.24
4.6 GHz
0.956
-177.58
0.95
36.17
0.018
-46.33
0.758
-155.00
4.8 GHz
0.957
-177.86
0.89
34.49
0.018
-47.69
0.770
-155.75
5.0 GHz
0.959
-178.14
0.84
32.87
0.018
-48.99
0.781
-156.49
5.2 GHz
0.960
-178.41
0.79
31.30
0.017
-50.23
0.791
-157.22
5.4 GHz
0.961
-178.67
0.74
29.79
0.017
-51.41
0.801
-157.93
5.6 GHz
0.962
-178.92
0.70
28.33
0.016
-52.55
0.810
-158.62
5.8 GHz
0.963
-179.17
0.66
26.91
0.016
-53.64
0.819
-159.30
6.0 GHz
0.964
-179.42
0.62
25.54
0.015
-54.68
0.827
-159.97
请联系Cree(电子邮箱:[email protected]),索取“.s2p”格式的s参数文件。
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CGH60030D Rev 3.1
Cree, Inc.
4600 Silicon Drive
Durham, North Carolina, USA 27703
美国电话:+1.919.313.5300
传真:+1.919.869.2733
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典型芯片S参数(小信号,VDS = 28 V,IDQ = 250 mA,幅值/相角)
频率
Mag S11
Ang S11
Mag S21
Ang S21
Mag S12
Ang S12
Mag S22
Ang S22
500 MHz
0.942
-153.97
12.93
96.51
0.019
7.34
0.456
-157.13
600 MHz
0.941
-158.22
10.84
93.23
0.019
4.23
0.462
-158.92
700 MHz
0.941
-161.30
9.31
90.53
0.019
1.69
0.467
-159.94
800 MHz
0.941
-163.63
8.15
88.20
0.019
-0.48
0.472
-160.51
900 MHz
0.941
-165.46
7.24
86.11
0.019
-2.39
0.477
-160.77
1.0 GHz
0.941
-166.93
6.51
84.20
0.019
-4.13
0.483
-160.84
1.1 GHz
0.941
-168.14
5.90
82.43
0.019
-5.74
0.488
-160.78
1.2 GHz
0.941
-169.15
5.40
80.76
0.019
-7.24
0.494
-160.64
1.3 GHz
0.942
-170.02
4.96
79.17
0.018
-8.66
0.500
-160.45
1.4 GHz
0.942
-170.77
4.59
77.65
0.018
-10.02
0.506
-160.22
1.5 GHz
0.942
-171.42
4.27
76.18
0.018
-11.32
0.512
-159.98
1.6 GHz
0.943
-171.99
3.99
74.76
0.018
-12.57
0.519
-159.73
1.7 GHz
0.943
-172.50
3.73
73.38
0.018
-13.79
0.526
-159.49
1.8 GHz
0.944
-172.96
3.51
72.03
0.018
-14.97
0.533
-159.26
1.9 GHz
0.944
-173.38
3.31
70.72
0.018
-16.11
0.540
-159.04
2.0 GHz
0.945
-173.76
3.12
69.43
0.018
-17.23
0.547
-158.85
2.1 GHz
0.945
-174.10
2.96
68.18
0.018
-18.32
0.555
-158.67
2.2 GHz
0.946
-174.42
2.81
66.94
0.018
-19.39
0.562
-158.51
2.3 GHz
0.946
-174.72
2.67
65.73
0.018
-20.43
0.569
-158.38
2.4 GHz
0.947
-174.99
2.54
64.55
0.017
-21.45
0.577
-158.27
2.5 GHz
0.947
-175.25
2.42
63.38
0.017
-22.45
0.584
-158.18
2.6 GHz
0.948
-175.49
2.31
62.23
0.017
-23.43
0.592
-158.11
2.7 GHz
0.948
-175.72
2.21
61.10
0.017
-24.39
0.599
-158.07
2.8 GHz
0.949
-175.94
2.12
60.00
0.017
-25.33
0.607
-158.04
2.9 GHz
0.949
-176.14
2.03
58.90
0.017
-26.25
0.614
-158.03
3.0 GHz
0.950
-176.34
1.95
57.83
0.017
-27.16
0.621
-158.05
3.2 GHz
0.951
-176.71
1.80
55.73
0.016
-28.92
0.636
-158.12
3.4 GHz
0.952
-177.05
1.67
53.70
0.016
-30.62
0.650
-158.27
3.6 GHz
0.953
-177.37
1.55
51.73
0.016
-32.25
0.664
-158.46
3.8 GHz
0.954
-177.67
1.44
49.82
0.015
-33.83
0.677
-158.70
4.0 GHz
0.955
-177.95
1.35
47.97
0.015
-35.35
0.690
-158.99
4.2 GHz
0.957
-178.22
1.26
46.17
0.015
-36.81
0.702
-159.31
4.4 GHz
0.958
-178.48
1.18
44.42
0.015
-38.22
0.714
-159.66
4.6 GHz
0.959
-178.73
1.11
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-39.57
0.726
-160.03
4.8 GHz
0.960
-178.98
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0.014
-40.88
0.737
-160.42
5.0 GHz
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-160.82
5.2 GHz
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37.94
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-161.24
5.4 GHz
0.962
-179.67
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0.767
-161.67
5.6 GHz
0.963
-179.89
0.84
34.96
0.013
-45.65
0.776
-162.11
5.8 GHz
0.964
179.90
0.79
33.54
0.013
-46.74
0.784
-162.55
6.0 GHz
0.965
179.68
0.75
32.15
0.012
-47.79
0.793
-162.99
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典型芯片S参数(小信号,VDS = 28 V,IDQ = 400 mA,幅值/相角)
频率
Mag S11
Ang S11
Mag S21
Ang S21
Mag S12
Ang S12
Mag S22
Ang S22
500 MHz
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-155.97
12.94
96.03
0.016
6.87
0.489
-162.06
600 MHz
0.948
-159.93
10.84
92.98
0.016
3.99
0.495
-163.44
700 MHz
0.947
-162.79
9.31
90.46
0.016
1.65
0.499
-164.22
800 MHz
0.947
-164.96
8.15
88.28
0.016
-0.36
0.503
-164.63
900 MHz
0.947
-166.67
7.24
86.34
0.016
-2.13
0.507
-164.80
1.0 GHz
0.947
-168.04
6.51
84.56
0.016
-3.73
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-164.82
1.1 GHz
0.947
-169.17
5.90
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-164.72
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0.016
-6.60
0.521
-164.56
1.3 GHz
0.948
-170.93
4.97
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0.016
-7.91
0.525
-164.35
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0.948
-171.63
4.60
78.44
0.016
-9.17
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-164.11
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0.948
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0.016
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-163.85
1.6 GHz
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-172.78
4.00
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0.016
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-163.59
1.7 GHz
0.949
-173.27
3.75
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0.016
-12.66
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-163.33
1.8 GHz
0.949
-173.70
3.52
73.17
0.016
-13.75
0.552
-163.07
1.9 GHz
0.949
-174.09
3.32
71.93
0.016
-14.82
0.558
-162.82
2.0 GHz
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-174.45
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-15.86
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-162.59
2.1 GHz
0.950
-174.78
2.98
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0.015
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0.569
-162.37
2.2 GHz
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-175.08
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0.015
-17.87
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-162.17
2.3 GHz
0.951
-175.36
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67.22
0.015
-18.84
0.582
-161.99
2.4 GHz
0.951
-175.62
2.56
66.09
0.015
-19.79
0.588
-161.82
2.5 GHz
0.952
-175.87
2.45
64.98
0.015
-20.73
0.594
-161.67
2.6 GHz
0.952
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2.34
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2.7 GHz
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-176.31
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0.015
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-161.43
2.8 GHz
0.953
-176.52
2.15
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0.015
-23.44
0.613
-161.34
2.9 GHz
0.953
-176.72
2.06
60.72
0.015
-24.31
0.619
-161.27
3.0 GHz
0.954
-176.90
1.98
59.69
0.015
-25.16
0.626
-161.21
3.2 GHz
0.955
-177.25
1.83
57.68
0.014
-26.83
0.638
-161.15
3.4 GHz
0.956
-177.58
1.70
55.72
0.014
-28.44
0.651
-161.14
3.6 GHz
0.957
-177.88
1.58
53.82
0.014
-30.00
0.663
-161.19
3.8 GHz
0.957
-178.16
1.47
51.97
0.014
-31.51
0.675
-161.30
4.0 GHz
0.958
-178.43
1.38
50.16
0.013
-32.96
0.686
-161.44
4.2 GHz
0.959
-178.69
1.29
48.41
0.013
-34.37
0.698
-161.63
4.4 GHz
0.960
-178.94
1.22
46.71
0.013
-35.73
0.709
-161.84
4.6 GHz
0.961
-179.18
1.14
45.05
0.013
-37.04
0.719
-162.09
4.8 GHz
0.962
-179.41
1.08
43.43
0.012
-38.31
0.729
-162.36
5.0 GHz
0.962
-179.63
1.02
41.85
0.012
-39.54
0.739
-162.66
5.2 GHz
0.963
-179.85
0.96
40.32
0.012
-40.72
0.749
-162.97
5.4 GHz
0.964
179.93
0.91
38.83
0.012
-41.87
0.758
-163.30
5.6 GHz
0.965
179.72
0.87
37.37
0.012
-42.97
0.767
-163.64
5.8 GHz
0.965
179.52
0.82
35.95
0.011
-44.04
0.775
-163.99
6.0 GHz
0.966
179.32
0.78
34.57
0.011
-45.07
0.783
-164.35
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市场与出口
Cree射频组件
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市场营销
Cree射频组件
1.919.407.7816
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销售总监
Cree射频组件
1.919.407.5639
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