CGH40025 25 W射频功率GaN HEMT Cree的CGH40025是一款无与伦比的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体 管（HEMT）。CGH40025采用28伏电轨工作，是一个通用的宽频解决方 案，适用于各种射频和微波应用。GaN HEMT具有高能效、高增益和宽频 带功能，这让CGH40025成为线性和压缩放大器电路的理想选择。该晶体 管的封装形式有：旋入式法兰封装和焊入式丸式封装。 封装类型：44 0196和4401 部件号：CGH 66 40025P和CG H40025F 特点 应用 • 最大工作频率：6 GHz • 双向专用无线电 • 2.0 GHz下小信号增益：15 dB • 宽带放大器 • 4.0 GHz下小信号增益：13 dB • 蜂窝基础设施 • PSAT典型值：30 W • 测试仪器 • PSAT下的效率：62 % • A类、AB类线性放大器，适用于OFDM、 W-CDMA、EDGE、CDMA波形 修订版本3.3— —2012年4月 • 工作电压：28 V SiC和GaN可用的大型信号型号 若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com/rf 1 表面温度为25˚C时的绝对最大额定值（非同时出现） 参数 符号 额定值 单位 条件 漏源电压 VDSS 84 电压 25˚C 25˚C 栅源电压 VGS -10、+2 电压 储存温度 TSTG -65、+150 ˚C 工作结温 TJ 225 ˚C 最大正向栅极电流 IGMAX 7.0 mA 25˚C 最大漏极电流1 IDMAX 3 A 25˚C 焊接温度 TS 245 ˚C 螺杆扭矩 τ 60 in-oz RθJC 4.8 ˚C/W 85˚C TC -40、+150 ˚C 30秒 2 热阻，结点到表面3 表面工作温度3、4 注意： 1 为确保长期可靠地运行所需满足的电流限制。 2 请参考焊接应用说明，网址为：www.cree.com/products/wireless_appnotes.asp 3 在PDISS = 28 W的条件下，针对CGH40025F测得。 4 另请参阅第6页“耗散功率下降曲线”。 电气特性（TC = 25˚C） 规格参数表 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 栅极阈值电压 VGS(th) 栅极静态电压 VGS(Q) -3.8 -3.0 -2.3 VDC VDS = 10 V，ID = 7.2 mA – -2.7 – VDC VDS = 28 V，ID = 250 mA DC特性1 饱和漏极电流 IDS 5.8 7.0 – A VDS = 6.0 V，VGS = 2.0 V 漏源击穿电压 VBR 120 – – VDC VGS = -8 V，ID = 7.2 mA 射频特性 （除非另行说明，否则测量条件一律为TC = 25˚C，F0 = 3.7 GHz） 2 小信号增益 GSS 12 13 – dB VDD = 28 V，IDQ = 250 mA 输出功率3 PSAT 20 30 – W VDD = 28 V，IDQ = 250 mA η 55 62 – % VDD = 28 V，IDQ = 250 mA，PSAT 漏极效率 4 输出失配应力 VSWR – – 10：1 Y 所有相角均无损坏， VDD = 28 V，IDQ = 250 mA， POUT = 25 W CW 动态特性 输入电容 CGS – 9.0 – pF VDS = 28 V，Vgs = -8 V，f = 1 MHz 输出电容 CDS – 2.6 – pF VDS = 28 V，Vgs = -8 V，f = 1 MHz 反馈电容 CGD – 0.4 – pF VDS = 28 V，Vgs = -8 V，f = 1 MHz 注： 1 封装之前直接在晶片上测得。 2 在CGH40025-TB中测得。 3 PSAT定义为IG = 0.72 mA。 4 漏极效率 = POUT / PDC 版权所有© 2007-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 2 CGH40025 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 典型性能 CGH40025-TB中CGH40025F的小信号增益及 回波损耗与频率之间的关系 Small Signal Gain and Input Return Loss 20 15 振幅（dB） 10 5 0 -5 -10 -15 小信号增益 输入回波损耗 -20 -25 2.50 3.00 3.50 4.00 4.50 频率（GHz） CGH40025-TB中CGH40025F的PSAT、增益及 Psat, Gain, and Drain Efficiency vs Frequency of the 漏极效率与频率之间的关系 CGH40025F in the CGH40025-TB VDD = 28 V，IDQ = 250 mA 40 80 35 70 30 60 PSAT 25 50 20 40 15 30 漏极效率（%） PSAT （W）, 增益（dB） 效率 增益 10 20 Psat 5 10 增益 漏极效率 0 3.40 3.45 3.50 3.55 3.60 3.65 3.70 3.75 0 3.80 频率（GHz） 版权所有© 2007-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 3 CGH40025 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 典型性能 15 70 14 60 13 50 12 40 增益（dB） 11 30 漏极效率（%） 10 20 9 10 8 增益（dB） 漏极效率（%） CGH40025-TB中CGH40025的扫频CW数据与针对 P 功率优化的源阻抗和负载阻抗的输出功率之间的关系 Swept CW Data SATof CGH40025F vs Output Power with Source and Load Impedances Optimized for P3dB in CGH40025F-TB VDD = 28Vdd V，I = 250 mA，频率 = 3.7 GHz = 28DQ V, Idq = 250 mA, Freq = 3.7 GHz 0 20 25 30 35 40 45 输出功率（dBm） K因数 MAG（dB） CGH40025的最大可用增益及K因数 VDD = 28 V，IDQ = 250 mA 频率（GHz） 版权所有© 2007-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 4 CGH40025 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 典型噪声性能 噪声电阻（Ω） 最小噪声系数（dB） CGH40025F的模拟最小噪声系数及噪声电阻与频率之间的关系 VDD = 28 V，IDQ = 250 mA 频率（GHz） 静电放电（ESD）分类 参数 符号 类别 测试方法 人体模型 HBM 1A > 250 V JEDEC JESD22 A114-D 充电设备模型 CDM 1 < 200 V JEDEC JESD22 C101-C 版权所有© 2007-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 5 CGH40025 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 源阻抗和负载阻抗 D Z负载 Z源 G S 频率（MHz） Z源阻抗 Z负载阻抗 500 7.75 + j15.5 20 + j5.2 1000 3.11 + j5.72 17 + j6.66 1500 2.86 + j1.63 16.8 + j3.2 2500 2.4 - j3.52 8.02 + j4.32 3500 1.31 - j7.3 5.85 - j0.51 注1. VDD = 28 V，IDQ = 250 mA（在440166封装中）。 注2. 针对功率增益、PSAT和PAE进行优化。 注3. 在低频下使用此设备时，应使用串联电阻来维持放大器的稳定性。 CGH40025耗散功率下降曲线 CGH40025F CW Power Dissipation De-rating Curve 30 25 功耗（W） 20 15 注1 10 5 0 0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 250 最高表面温度（ºC） 注1. 超出最大表面工作温度的区域（见第2页）。 版权所有© 2007-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 6 CGH40025 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGH40025-TB公版放大器电路原理图 射频输出 射频输入 CGH40025-TB公版放大器电路外形 版权所有© 2007-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 7 CGH40025 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGH40025-TB公版放大器电路物料清单 编号 描述 数量 R2 电阻，1/16W，0603，1%，47 Ω 1 R1 电阻，1/16W，0603，1%，100 Ω 1 C6 电容，470PF，5%，100V，0603 1 C16 电容，33 UF，20%，G CASE 1 C15 电容，1.0UF，100V，10%，X7R，1210 1 电容，10UF，16V，钽 1 电容，100.0pF，+/-5%，0603 1 C8 C13 C1 电容，0.8pF，+/-0.1pF，0603 1 C2 电容，0.5pF，+/-0.05pF，0603 1 C9，C10 电容，1.0pF，+/-0.1pF，0603 2 C4，C11 电容，10.0pF，+/-5%，0603 2 C5，C12 电容，39pF，+/-5%，0603 2 电容，33000PF，0805，100V，X7R 2 SMA直式连接器，面板插孔插座 2 晶体支架，RT>PLZ，0.1CEN LK 5POS 1 - PCB，RO4350B，Er = 3.48，h = 20 mil 1 - CGH40025F或CGH40025P 1 C7，C14 J3，J4 J1 CGH40025-TB公版放大器电路 版权所有© 2007-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 8 CGH40025 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGH40025的典型封装S参数（小信号，VDS = 28 V，IDQ = 100 mA，角度以度为单位） 频率 Mag S11 Ang S11 Mag S21 Ang S21 Mag S12 Ang S12 Mag S22 Ang S22 500 MHz 0.902 -151.72 11.80 92.09 0.025 6.22 0.393 -140.34 600 MHz 0.901 -157.13 9.89 87.31 0.025 2.28 0.402 -143.54 700 MHz 0.900 -161.20 8.49 83.18 0.025 -0.99 0.412 -145.64 800 MHz 0.900 -164.41 7.42 79.49 0.025 -3.82 0.424 -147.11 900 MHz 0.901 -167.04 6.58 76.10 0.024 -6.33 0.436 -148.22 1.0 GHz 0.902 -169.26 5.89 72.93 0.024 -8.60 0.449 -149.12 1.1 GHz 0.903 -171.19 5.33 69.93 0.024 -10.69 0.462 -149.91 1.2 GHz 0.904 -172.89 4.86 67.07 0.023 -12.61 0.476 -150.65 1.3 GHz 0.905 -174.43 4.45 64.33 0.023 -14.39 0.489 -151.38 1.4 GHz 0.906 -175.84 4.10 61.68 0.022 -16.06 0.503 -152.12 1.5 GHz 0.907 -177.14 3.80 59.12 0.022 -17.61 0.517 -152.87 1.6 GHz 0.909 -178.36 3.54 56.64 0.022 -19.05 0.531 -153.65 1.7 GHz 0.910 -179.52 3.30 54.22 0.021 -20.38 0.545 -154.46 1.8 GHz 0.912 179.38 3.09 51.87 0.021 -21.62 0.558 -155.29 1.9 GHz 0.913 178.33 2.90 49.58 0.020 -22.75 0.571 -156.15 2.0 GHz 0.914 177.30 2.73 47.34 0.020 -23.78 0.584 -157.04 2.1 GHz 0.916 176.31 2.58 45.15 0.019 -24.70 0.596 -157.95 2.2 GHz 0.917 175.34 2.44 43.02 0.019 -25.52 0.608 -158.88 2.3 GHz 0.918 174.39 2.31 40.92 0.018 -26.22 0.620 -159.82 2.4 GHz 0.920 173.46 2.19 38.88 0.018 -26.82 0.631 -160.78 2.5 GHz 0.921 172.54 2.09 36.87 0.017 -27.29 0.642 -161.76 2.6 GHz 0.922 171.63 1.99 34.91 0.016 -27.64 0.652 -162.74 2.7 GHz 0.923 170.73 1.90 32.98 0.016 -27.85 0.662 -163.73 2.8 GHz 0.925 169.84 1.82 31.09 0.015 -27.92 0.672 -164.73 2.9 GHz 0.926 168.95 1.74 29.24 0.015 -27.85 0.681 -165.73 3.0 GHz 0.927 168.07 1.67 27.41 0.014 -27.61 0.690 -166.74 3.2 GHz 0.929 166.30 1.54 23.86 0.013 -26.63 0.706 -168.76 3.4 GHz 0.931 164.54 1.42 20.42 0.013 -24.89 0.721 -170.79 3.6 GHz 0.932 162.78 1.33 17.08 0.012 -22.30 0.735 -172.82 3.8 GHz 0.934 161.00 1.24 13.84 0.011 -18.80 0.748 -174.85 4.0 GHz 0.935 159.21 1.16 10.67 0.011 -14.40 0.759 -176.88 4.2 GHz 0.936 157.39 1.10 7.58 0.010 -9.18 0.769 -178.90 4.4 GHz 0.937 155.55 1.04 4.55 0.010 -3.38 0.778 179.07 4.6 GHz 0.938 153.67 0.98 1.57 0.010 2.65 0.787 177.04 4.8 GHz 0.939 151.77 0.94 -1.36 0.011 8.52 0.794 175.00 5.0 GHz 0.939 149.82 0.89 -4.25 0.011 13.87 0.801 172.96 5.2 GHz 0.939 147.82 0.86 -7.11 0.012 18.48 0.807 170.90 5.4 GHz 0.939 145.78 0.82 -9.95 0.013 22.25 0.812 168.83 5.6 GHz 0.940 143.68 0.79 -12.78 0.014 25.17 0.817 166.74 5.8 GHz 0.939 141.53 0.77 -15.59 0.016 27.32 0.821 164.62 6.0 GHz 0.939 139.31 0.74 -18.41 0.017 28.77 0.825 162.48 请从http://www.cree.com/products/wireless_s-parameters.asp下载“.s2p”格式的s参数文件。 版权所有© 2007-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 9 CGH40025 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGH40025的典型封装S参数（小信号，VDS = 28 V，IDQ = 250 mA，角度以度为单位） 频率 Mag S11 Ang S11 Mag S21 Ang S21 Mag S12 Ang S12 Mag S22 Ang S22 500 MHz 0.917 -157.22 12.62 91.45 0.018 7.56 0.458 -158.97 600 MHz 0.916 -161.92 10.57 87.33 0.018 4.70 0.465 -160.93 700 MHz 0.916 -165.46 9.07 83.78 0.018 2.41 0.472 -162.19 800 MHz 0.916 -168.28 7.94 80.58 0.018 0.51 0.478 -163.04 900 MHz 0.916 -170.61 7.05 77.64 0.017 -1.12 0.485 -163.64 1.0 GHz 0.916 -172.60 6.33 74.88 0.017 -2.55 0.493 -164.09 1.1 GHz 0.917 -174.33 5.74 72.25 0.017 -3.82 0.500 -164.45 1.2 GHz 0.917 -175.88 5.24 69.73 0.017 -4.94 0.508 -164.77 1.3 GHz 0.918 -177.28 4.82 67.30 0.017 -5.95 0.516 -165.06 1.4 GHz 0.918 -178.57 4.46 64.94 0.017 -6.84 0.525 -165.36 1.5 GHz 0.919 -179.78 4.14 62.65 0.016 -7.63 0.533 -165.67 1.6 GHz 0.919 179.09 3.87 60.41 0.016 -8.31 0.542 -165.99 1.7 GHz 0.920 178.01 3.62 58.22 0.016 -8.90 0.550 -166.35 1.8 GHz 0.921 176.98 3.40 56.07 0.016 -9.39 0.559 -166.73 1.9 GHz 0.921 175.99 3.21 53.97 0.015 -9.77 0.568 -167.14 2.0 GHz 0.922 175.03 3.03 51.90 0.015 -10.06 0.577 -167.59 2.1 GHz 0.923 174.09 2.87 49.87 0.015 -10.24 0.585 -168.07 2.2 GHz 0.924 173.17 2.73 47.87 0.014 -10.31 0.594 -168.57 2.3 GHz 0.924 172.27 2.60 45.91 0.014 -10.27 0.602 -169.11 2.4 GHz 0.925 171.39 2.47 43.97 0.014 -10.12 0.610 -169.67 2.5 GHz 0.926 170.51 2.36 42.07 0.014 -9.85 0.619 -170.26 2.6 GHz 0.926 169.65 2.26 40.19 0.013 -9.46 0.626 -170.88 2.7 GHz 0.927 168.79 2.16 38.34 0.013 -8.95 0.634 -171.52 2.8 GHz 0.928 167.93 2.08 36.52 0.013 -8.31 0.642 -172.17 2.9 GHz 0.928 167.08 1.99 34.72 0.013 -7.54 0.649 -172.85 3.0 GHz 0.929 166.24 1.92 32.94 0.013 -6.65 0.656 -173.55 3.2 GHz 0.930 164.54 1.78 29.45 0.012 -4.49 0.670 -175.00 3.4 GHz 0.931 162.85 1.66 26.05 0.012 -1.85 0.683 -176.50 3.6 GHz 0.932 161.14 1.55 22.72 0.012 1.19 0.695 -178.06 3.8 GHz 0.933 159.42 1.46 19.46 0.012 4.55 0.706 -179.66 4.0 GHz 0.933 157.68 1.38 16.27 0.012 8.08 0.716 178.70 4.2 GHz 0.934 155.91 1.31 13.12 0.012 11.64 0.726 177.02 4.4 GHz 0.934 154.11 1.24 10.03 0.013 15.08 0.735 175.30 4.6 GHz 0.935 152.28 1.18 6.97 0.013 18.26 0.743 173.56 4.8 GHz 0.935 150.41 1.13 3.95 0.014 21.09 0.750 171.78 5.0 GHz 0.935 148.49 1.08 0.96 0.015 23.50 0.756 169.97 5.2 GHz 0.935 146.53 1.04 -2.00 0.016 25.48 0.762 168.12 5.4 GHz 0.935 144.52 1.00 -4.96 0.017 27.02 0.768 166.24 5.6 GHz 0.935 142.45 0.97 -7.90 0.018 28.12 0.773 164.32 5.8 GHz 0.934 140.31 0.94 -10.84 0.020 28.83 0.777 162.36 6.0 GHz 0.934 138.12 0.91 -13.79 0.021 29.18 0.781 160.36 请从http://www.cree.com/products/wireless_s-parameters.asp下载“.s2p”格式的s参数文件。 版权所有© 2007-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 10 CGH40025 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGH40025的典型封装S参数（小信号，VDS = 28 V，IDQ = 400 mA，角度以度为单位） 频率 Mag S11 Ang S11 Mag S21 Ang S21 Mag S12 Ang S12 Mag S22 Ang S22 500 MHz 0.924 -159.12 12.64 91.13 0.015 8.27 0.485 -163.72 600 MHz 0.923 -163.56 10.58 87.23 0.015 5.84 0.491 -165.34 700 MHz 0.923 -166.92 9.08 83.86 0.015 3.96 0.497 -166.41 800 MHz 0.923 -169.60 7.95 80.83 0.015 2.43 0.502 -167.13 900 MHz 0.923 -171.82 7.06 78.03 0.015 1.16 0.508 -167.65 1.0 GHz 0.923 -173.72 6.34 75.40 0.015 0.08 0.514 -168.05 1.1 GHz 0.923 -175.39 5.75 72.89 0.015 -0.84 0.520 -168.36 1.2 GHz 0.924 -176.88 5.26 70.48 0.015 -1.62 0.526 -168.63 1.3 GHz 0.924 -178.24 4.84 68.15 0.015 -2.29 0.533 -168.88 1.4 GHz 0.924 -179.50 4.48 65.89 0.015 -2.85 0.539 -169.13 1.5 GHz 0.925 179.33 4.17 63.68 0.014 -3.31 0.546 -169.38 1.6 GHz 0.925 178.22 3.89 61.52 0.014 -3.67 0.553 -169.65 1.7 GHz 0.926 177.17 3.65 59.41 0.014 -3.93 0.560 -169.94 1.8 GHz 0.926 176.16 3.43 57.34 0.014 -4.09 0.568 -170.26 1.9 GHz 0.927 175.18 3.24 55.30 0.014 -4.16 0.575 -170.60 2.0 GHz 0.927 174.24 3.07 53.29 0.014 -4.13 0.582 -170.97 2.1 GHz 0.928 173.32 2.91 51.32 0.013 -4.00 0.589 -171.36 2.2 GHz 0.928 172.41 2.76 49.38 0.013 -3.76 0.597 -171.79 2.3 GHz 0.929 171.53 2.63 47.46 0.013 -3.43 0.604 -172.24 2.4 GHz 0.929 170.65 2.51 45.57 0.013 -2.99 0.611 -172.71 2.5 GHz 0.929 169.79 2.40 43.71 0.013 -2.44 0.618 -173.22 2.6 GHz 0.930 168.93 2.30 41.87 0.013 -1.79 0.625 -173.75 2.7 GHz 0.930 168.08 2.20 40.05 0.012 -1.04 0.632 -174.30 2.8 GHz 0.931 167.24 2.12 38.26 0.012 -0.18 0.638 -174.87 2.9 GHz 0.931 166.40 2.04 36.48 0.012 0.77 0.645 -175.47 3.0 GHz 0.932 165.56 1.96 34.73 0.012 1.82 0.651 -176.08 3.2 GHz 0.932 163.88 1.82 31.28 0.012 4.18 0.663 -177.37 3.4 GHz 0.933 162.20 1.70 27.91 0.012 6.83 0.675 -178.72 3.6 GHz 0.934 160.51 1.60 24.60 0.012 9.69 0.686 179.86 3.8 GHz 0.934 158.80 1.51 21.35 0.012 12.64 0.696 178.39 4.0 GHz 0.935 157.07 1.42 18.16 0.013 15.58 0.706 176.88 4.2 GHz 0.935 155.32 1.35 15.01 0.013 18.40 0.715 175.31 4.4 GHz 0.935 153.53 1.29 11.91 0.014 21.01 0.723 173.70 4.6 GHz 0.935 151.70 1.23 8.84 0.014 23.33 0.730 172.05 4.8 GHz 0.935 149.84 1.17 5.80 0.015 25.32 0.737 170.36 5.0 GHz 0.935 147.93 1.13 2.79 0.016 26.96 0.743 168.63 5.2 GHz 0.935 145.98 1.09 -0.20 0.017 28.24 0.749 166.86 5.4 GHz 0.935 143.97 1.05 -3.19 0.018 29.16 0.754 165.05 5.6 GHz 0.934 141.91 1.01 -6.16 0.020 29.75 0.759 163.20 5.8 GHz 0.934 139.78 0.98 -9.14 0.021 30.02 0.763 161.30 6.0 GHz 0.933 137.58 0.96 -12.12 0.023 29.99 0.767 159.35 请从http://www.cree.com/products/wireless_s-parameters.asp下载“.s2p”格式的s参数文件。 版权所有© 2007-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 11 CGH40025 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf CGH40025F产品尺寸（封装类型 — 440166） 注： 1. 按照 ANSI Y14.5M – 1982规定的标示尺寸和公差。 2. 控制尺寸：英寸。 3. 胶型盖最多可以超出盖子边缘 0.020"。 4. 盖子与包装盒粘贴时的任一方向误差不得大于 0.008"。 5. 所有电镀的表面是镍/黄金。 英寸 最小 毫米 最大 最小 最大 引脚1. 栅极 引脚2. 漏极 引脚3. 光源 CGH40025P产品尺寸（封装类型 — 440196） 注： 1. 按照 ANSI Y14.5M – 1982规定的标示尺寸和公差。 2. 控制尺寸：英寸。 3. 胶型盖最多可以超出盖子边缘 0.020"。 4. 盖子与包装盒粘贴时的任一方向误差不得大于0.008"。 5. 所有电镀的表面是镍/黄金。 英寸 最小 毫米 最大 最小 最大 引脚1. 栅极 引脚2. 漏极 引脚3. 光源 版权所有© 2007-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 12 CGH40025 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf 免责声明 本文所列规格随时可能出现更改，恕不另行通知。Cree, Inc.相信本数据手册中所含的信息是准确、可靠的。然而，如若使用此信息导致 侵犯第三方的专利或其他权利，Cree对此不承担任何责任。Cree并未就其专利或专利权授予默示许可或其他形式的许可。Cree对于其产 品针对任何特定用途的适用性不作任何担保、表示或保证。所给出的“典型”参数是Cree对大量产品预计的平均值，此数据仅供参考。 在不同的应用中，这些数值会与表中所列数据有所不同，实际性能也会随着时间的推移而变化。所有工作参数均应由客户的技术专家针对 每项具体应用进行验证。Cree产品无意用作也未授权用作以下应用中的部件，事实上也未针对类似应用而设计：植入人体的外科植入物 或者用于支撑或延续生命的应用；Cree产品故障会导致人员伤亡的应用；以及规划、建设、维护或直接运作核设施的应用。 有关详细信息，请联系： Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 www.cree.com/rf Sarah Miller 市场与出口 Cree射频组件 1.919.407.5302 Ryan Baker 市场营销 Cree射频组件 1.919.407.7816 Tom Dekker 销售总监 Cree射频组件 1.919.407.5639 版权所有© 2007-2012 Cree, Inc.保留所有权利。本文件中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree和Cree徽标是Cree, Inc.的注册商标。 13 CGH40025 Rev 3.3 Cree, Inc. 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina, USA 27703 美国电话：+1.919.313.5300 传真：+1.919.869.2733 www.cree.com/rf