C4D02120E–碳化硅肖特基二极管 Z-Rec™ 整流器 特点 • • • • • • IF, TC<135˚C = 6.9 A Qc = 15 nC 1200 伏肖特基整流器 针对 PFC 升压二极管应用进行优化 零反向恢复电流 高频工作 与温度无关的开关特性 正向电压 (VF) 的正温度系数 TO-252-2 将双极整流器替换成单极整流器 基本无开关损耗 效率更高 对散热器要求降低 并联器件不会导致热失控 引脚 1 外壳 引脚 2 应用 • • = 1200 V 封装 优点 • • • • • VRRM 太阳能逆变器 功率因数校正 部件号 封装 标记 C4D02120E TO-252-2 C4D02120 D02120E 技术数据表：C4 Rev. A 最大额定值 符号 参数 值 单位 VRRM 测试条件 反向重复峰值电压 1200 V VRSM 反向浪涌峰值电压 1300 V VDC 直流阻断电压 1200 V IF 持续正向电流 6.9 A TC=135˚C；无交流分量 IFRM 正向重复峰值浪涌电流 14.4 10 A TC=25˚C，tP=10 ms，半正弦脉冲 TC=110˚C，tP=10 ms，半正弦脉冲 IFSM 正向不重复峰值浪涌电流 18.8 16.4 A TC=25˚C，tP=10 ms，半正弦脉冲 TC=110˚C，tP=10 ms，半正弦脉冲 Ptot 功率耗散 51.7 22.4 W TC=25˚C TC=110˚C Tc 最高外壳温度 135 ˚C TJ 工作结温范围 -55 至 +175 ˚C Tstg 存储温度范围 -55 至 +135 ˚C 信息若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com 注 1 电气特征 符号 参数 典型 最大 单位 测试条件 注 VF 正向电压 1.5 1.9 1.8 3 V IR 反向电流 10 40 50 150 μA VR = 1200 V TJ=25°C VR = 1200 V TJ=175°C QC 总电容电荷 15 nC VR = 1200 V, IF = 2A di/dt = 200 A/μs TJ = 25°C C 总电容 167 11 8 pF VR = 0 V，TJ = 25°C，f = 1 MHz VR = 400 V，TJ = 25˚C，f = 1 MHz VR = 800 V，TJ = 25˚C，f = 1 MHz IF = 2 A TJ=25°C IF = 2 A TJ=175°C 注： 1.这是一款主载子二极管，因此没有反向恢复电荷。 热特征 符号 参数 典型 单位 RθJC TO-252 封装热阻，结到外壳 2.9 °C/W 典型性能 600 4 TJ=-55°C TJ= 25°C TJ= 75°C TJ = 125°C TJ =175°C 3.5 3 500 400 IR (μA) IF (A) 2.5 2 1.5 300 TJ=-55°C TJ= 25°C TJ= 75°C TJ = 125°C TJ =175°C 200 1 100 0.5 0 0 0.5 1 1.5 2 VF (V) 图 1.正向特征 2 C4D02120E Rev. A 2.5 3 3.5 0 0 500 1000 VR (V) 图 2.反向特征 1500 2000 典型性能 35 60 30 50 20% 30% 50% 70% 直流 20 占空系数* 占空系数* 占空系数* 占空系数* 40 PTot (W) IF(peak) (A) 25 15 20 10 10 5 0 0 25 50 75 100 125 150 25 175 图 4.功率降额 14 160 125 150 175 140 120 C (pF) 10 8 6 100 80 60 4 40 2 20 0 200 400 600 800 1000 0 0.1 VR (V) 3 100 图 3.电流降额 180 75 TC ˚C 16 0 50 TC ˚C 12 Qrr (nC) 30 图 5.恢复电荷与反向电压的关系 C4D02120E Rev. A 1 10 VR (V) 图 6.电容与反向电压 100 1000 典型性能 10 热阻 (˚C/W) 1 0.1 0.01 0.001 1E-6 10E-6 100E-6 1E-3 10E-3 100E-3 时间 （秒） 图 7.瞬态热阻抗 二极管型号 Diode Model CSD04060 VfT = VT+If*RT Vf T = VT + If*RT V = 0.99+(T * -1.70*10-3) -3 J VT=T0.965 + (Tj * -1.3*10 ) -4 RT = 0.15+(TJ* 2.40*10 -3 ) RT= 0.096 + (Tj * 1.06*10 ) 注：Tj = 二极管结温，单位摄氏度 VT 4 C4D02120E Rev. A RT 1 10 建议的焊盘布局 .08 部件号 封装 标记 C4D02120E TO-252-2 C4D02120 TO-252-2 封装尺寸 位置 封装 TO-252-2 英寸 最大 最小 最大 A .250 .289 6.350 7.341 B .197 .215 5.004 5.461 C .027 .050 .686 1.270 D* .270 .322 6.858 8.179 E .178 .182 4.521 4.623 F .025 .045 .635 1.143 G 44˚ 46˚ 44˚ 46˚ H .380 .410 9.652 10.414 J * 引脚 2 外壳 .090 典型 2.286 典型 K 6˚ 8˚ 6˚ 8˚ L .086 .094 2.184 2.388 M .018 .034 .457 .864 N .035 .050 .889 1.270 P .231 .246 5.867 6.248 Q 0.00 .005 0.00 .127 R 引脚 1 毫米 最小 R0.010 典型 R0.254 典型 S .017 .023 .432 .584 T .038 .045 .965 1.143 U .021 .029 .533 .737 注： * 接片 “D” 可能不存在 本产品中对环境有害物质、持久性生物毒性物质 (PBT)、持久性有机污染物 (POP) 或其它受限制原料的含量低于此类物质所允许的最大浓度值 (也称为阈值)，或者依照欧盟关于在电气和电子设备中限制 使用某些有害物质的 2002/95/EC 号指令 (RoHS) 用于可豁免的应用场合 (修订截至 2006 年 4 月 21 日)。 本产品并未针对以下应用进行设计或测试，也不用于以下应用：植入人体的应用；产品失效可能导致死亡、人员受伤或财产损失的应用，包括但不限 于用于以下操作中的装置：核设施、生命维持机器、心脏除颤器或类似的急救设备、飞行器导航、通信或控制系统、空中交通控制系统、武器系统。 版权所有 ©2012 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是 Cree, Inc. 的注册商标，Z-Rec 是 Cree, Inc. 的商标。 5 C4D02120E Rev. A 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected]