C3D03060F–碳化硅肖特基二极管 VRRM = 600 V Z-Rec™ 整流器（全隔离式封装） IF(AVG)= 3 A Qc 特点 • • • • • • • • = 6.7 nC 封装 600 伏肖特基整流器 针对 PFC 升压二极管应用进行优化 零反向恢复电流 零正向恢复电压 高频工作 与温度无关的开关特性 极快的开关 正向电压 (VF) 的正温度系数 TO-220-F2 优点 • • • • • 引脚 1 将双极整流器替换成单极整流器 基本无开关损耗 效率更高 对散热器要求降低 并联器件不会导致热失控 应用 • • 外壳 引脚 2 开关电源 功率因数校正 -- 典型 PFC Pout：150W-300W 部件号 封装 标记 C3D03060F TO-220-F2 C3D03060 D03060F 技术数据表：C3 Rev. B 最大额定值 符号 参数 值 单位 VRRM 反向重复峰值电压 600 V VRSM 反向浪涌峰值电压 600 V VDC 直流阻断电压 600 V IF(AVG) 平均正向电流 3.0 A TC=105˚C IFRM 正向重复峰值浪涌电流 20 15 A TC=25˚C，tP=10 mS，半正弦波 D=0.3 TC=110˚C，tP=10 mS，半正弦波 D=0.3 IFSM 正向不重复峰值浪涌电流 28 22 A TC=25˚C，tP=10 mS，半正弦波 D=0.3 TC=110˚C，tP=10 mS，半正弦波 D=0.3 IFSM 正向不重复峰值浪涌电流 100 A TC=25˚C，tP=10 µs，脉冲 Ptot 功率耗散 12.5 5.4 W TC=25˚C TC=110˚C -55 至 +175 ˚C 1 8.8 Nm lbf-in TJ，Tstg 工作结温和存储温度 TO-220 安装扭矩 测试条件 注 M3 螺丝 6-32 螺丝 信息若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com 1 电气特征 符号 参数 典型 最大 单位 测试条件 1.7 2.4 V 50 100 μA VR = 600 V TJ=25°C VR = 600 V TJ=175°C 注 IF = 3 A TJ=25°C IF = 3 A TJ=175°C VF 正向电压 IR 反向电流 10 20 QC 总电容电荷 6.7 nC VR = 600 V，IF = 3A di/dt = 500 A/μS TJ = 25°C C 总电容 155 13 12 pF VR = 0 V，TJ = 25°C，f = 1 MHz VR = 200 V，TJ = 25˚C，f = 1 MHz VR = 400 V，TJ = 25˚C，f = 1 MHz 注： 1.这是一款主载子二极管，因此没有反向恢复电荷。 热特征 符号 参数 典型 单位 RθJC TO-220-F2 封装热阻，结到外壳 12.0 °C/W 典型性能 1.40E-05 14 6.0 6.0 TJ = TJ = TJ = TJ = 5.0 5.0 25°C 75°C 125°C 175°C 12 1.20E-05 1.00E-05 10 8.00E-068 3.0 3.0 TJ = 25°C TJ = 75°C 2.00E-062 TJ = 175°C 6.00E-066 2.0 2.0 4.00E-064 1.0 1.0 TJ = 125°C 0.00E+000 0 0.0 0.0 0.0 0.5 0.5 1.0 1.0 1.5 1.5 VF 正向电压 (V) 图 1.正向特征 2 IR 反向电流 (μA) IF 正向电流 (A) 4.0 4.0 C3D03060F Rev. B 2.0 2.0 2.5 2.5 3.0 3.0 0 0 100 100 200 200 300 300 400 400 500 VR 反向电压 (V) 图 2.反向特征 500 600 600 700 700 800 800 Capacitance 典型性能 C3D03060F Current Derating 80 12 12 80 70 60 88 10% 30% 50% 70% 直流 66 占空系数* 占空系数* 占空系数* 占空系数* 44 C 电容 (pF) Capacitance (pF) 60 F(PEAK) (A) 峰值正向电流 I IF(PEAK) Peak Forward Current (A) 70 10 10 50 50 40 40 30 30 20 20 22 10 10 00 25 25 50 50 75 100 75 100 TC 外壳温度 (°C) 125 125 * 频率 > 1KHz (° TC Case Temperature °C) 150 150 0 0 175 175 1 1 10 10 V 反向电压 (V) 100 100 R Reverse Voltage 图 3.电流降额 热阻抗 (°C/W) 图 4.电容与反向电压的关系 时间 (s) 图 5.瞬态热阻抗 3 C3D03060F Rev. B 1000 1000 典型性能 16.0 16 12.0 12 10.0 10 功率耗散 (W) Power Dissipation (W) 14.0 14 8.08 6.06 4.04 2.02 0.00 25 25 50 50 75 100 125 75 100 125 Tc Case Temperature T 外壳温度 (°C) (°C) C 图 6.功率降额 4 C3D03060F Rev. B 150 150 175 175 封装尺寸 封装 TO-220-F2 E A F 位置 B G C H P L S D T M N 引脚 1 引脚 2 5 C3D03060F Rev. B 外壳 英寸 毫米 最小 最大 最小 A .177 .193 4.5 最大 4.9 B .092 .108 2.34 2.74 6.9 C .248 .272 6.3 D .098 .114 2.5 2.9 E .390 .406 9.9 10.3 3.4 F .118 .134 3.0 G .122 .137 3.1 3.5 H .617 .633 15.67 16.07 L .039 .055 1.0 1.4 M .016 .031 0.4 0.8 N .185 .217 4.7 5.5 P 0 .154 0 3.9 S .476 .508 12.1 12.9 T .016 .031 0.4 0.8 注： 1. 尺寸 L、M、T 适用于浸焊表面处理 建议的焊盘布局 TO-220-2 部件号 封装 标记 C3D03060F TO-220-F2 C3D03060 二极管型号 Diode Model CSD04060 Vf T =VfVTT=+ V If*R T+If*R T T -3 VVT =0.965 -3 1.01+(T -1.26*10 ) + (Tj *J*-1.3*10 ) T= -3 R -3 0.14+(T 1.13*10 RT =0.096 + (T *J*1.06*10 ) ) T= j 注：Tj = 二极管结温，单位摄氏度 VT RT 本产品中对环境有害物质、持久性生物毒性物质 (PBT)、持久性有机污染物 (POP) 或其它受限制原料的含量低于此类物质所允许的最大浓度值 (也称为阈值)，或者依照欧盟关于在电气和电子设备中限制 使用某些有害物质的 2002/95/EC 号指令 (RoHS) 用于可豁免的应用场合 (修订截至 2006 年 4 月 21 日)。 本产品并未针对以下应用进行设计或测试，也不用于以下应用：植入人体的应用；产品失效可能导致死亡、人员受伤或财产损失的应用，包括但不限 于用于以下操作中的装置：核设施、生命维持机器、心脏除颤器或类似的急救设备、飞行器导航、通信或控制系统、空中交通控制系统、武器系统。 版权所有 © 2009-2011 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是 Cree, Inc. 的注册商标， Z-Rec 是 Cree, Inc. 的商标。 6 C3D03060F Rev. B 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected]