C3D06060G–碳化硅肖特基二极管 VRRM = 600 V IF =6A Z-Rec™ 整流器 (TC < 155 °C) Qc 特点 • • • • • • • = 16 nC 封装 600 伏肖特基整流器 零反向恢复电流 零正向恢复电压 高频工作 与温度无关的开关特性 极快的开关 正向电压 (VF) 的正温度系数 TO-263-2 优点 • • • • • 将双极整流器替换成单极整流器 基本无开关损耗 效率更高 对散热器要求降低 并联器件不会导致热失控 引脚 1 外壳 引脚 2 应用 • • • 开关电源 功率因数校正 -- 典型 PFC Pout：600W-1200W 电机驱动器 -- 典型功率： 2HP-3HP 部件号 封装 标记 C3D06060G TO-263-2 C3D06060 最大额定值 技术数据表：C3 版本 C D06060G 修订 符号 参数 值 单位 测试条件 VRRM 反向重复峰值电压 600 V VRSM 反向浪涌峰值电压 600 V VDC 直流阻断电压 600 V IF 连续正向电流 6 8 A TC< 155˚C TC< 145˚C IFRM 正向重复峰值浪涌电流 41 27 A TC=25˚C，tP=10 mS，半正弦波，D=0.3 TC=110˚C，tP=10 mS，半正弦波，D=0.3 IFSM 正向不重复峰值浪涌电流 70 55 A TC=25˚C，tP=10 mS，半正弦波，D=0.3 TC=110˚C，tP=10 mS，半正弦波，D=0.3 IFSM 正向不重复峰值浪涌电流 200 A TC=25˚C，tP = 10 µs，脉冲 Ptot 功率耗散 91 39 W TC=25˚C TC=110˚C -55 至 +175 ˚C 1 8.8 Nm lbf-in TJ，Tstg 工作结温和存储温度 TO-220 安装扭矩 注 请参阅 图 3 M3 螺丝 6-32 螺丝 信息若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com 1 电气特征 符号 参数 典型 最大 单位 测试条件 注 IF = 6 A TJ=25°C IF = 6 A TJ=175°C VF 正向电压 1.6 1.9 1.8 2.4 V IR 反向电流 10 20 50 200 μA VR = 600 V TJ=25°C VR = 600 V TJ=175°C QC 总电容电荷 16 nC VR = 600 V，IF = 6A di/dt = 500 A/μs TJ = 25°C C 总电容 294 27 26 pF VR = 0 V，TJ = 25°C，f = 1 MHz VR = 200 V，TJ = 25˚C，f = 1 MHz VR = 400 V，TJ = 25˚C，f = 1 MHz 注： 1.这是一款主载子二极管，因此没有反向恢复电荷。 热特征 符号 参数 典型 单位 RθJC 热阻，结到外壳 1.65 °C/W 典型性能 Forward Characteristics Reverse Characteristics 100 100 11 TJ = 25°C 1010 TJ = 125°C 9 TJ = 175°C 90 90 TJ = 75°C IR Reverse Current (uA) 80 80 88 7 66 IR 反向电流 (μA) IF Forward Current (A) IF 正向电流 (A) 1212 5 44 3 22 60 60 50 50 TJ = 25°C 40 40 TJ = 75°C 30 30 TJ = 125°C TJ = 175°C 20 20 10 10 1 00 00 0.0 0 0.5 0.5 1.0 1 1.5 1.5 2.0 2 正向电压 (V) F VVForward Voltage (V) F 图 1. 正向特征 2 70 70 C3D06060G 修订版本 C 2.5 2.5 3.0 3 00 200 200 400 400 600 600 800 800 VR Reverse Voltage (V) VR 反向电压 (V) 图 2. 反向特征 1000 1000 1200 1200 典型性能 Capacitance vs. Reverse Voltage C3D06060 Current Derating 45 45 350 350 40 40 300 300 20% 30% 50% 70% 直流 25 25 250 250 占空系数* 占空系数* 占空系数* 占空系数* C Capacitance (pF) 30 30 200 200 20 20 C 电容 (pF) IF(PEAK) 峰值正向电流 (A) IF(PEAK) Peak Forward Current (A) 35 35 15 15 10 10 Series1 150 150 100 100 5050 55 00 25 25 50 50 75 75 100 100 125 125 150 150 00 175 175 1 1 TTcC Case 外壳温度 (°C)(°°C) Temperature 10 10 VR 反向电压 (V) 100 100 1000 1000 VR Reverse Voltage (V) * 频率 > 1KHz 图 3. 电流降额 图 4. 电容与反向电压的关系 1.0E+01 热阻抗 (°C/W) Zth (°C/W) 1.0E+00 1.0E-01 1.0E-02 1.0E-03 1.E-07 1.E-06 1.E-05 1.E-04 Tim (s) 时间 e(s) 图 5. 瞬态热阻抗 3 C3D06060G 修订版本 C 1.E-03 1.E-02 1.E-01 1.E+00 典型性能 80.0 80 70.0 70 Power Dissipation (W) (W) 功率耗散 60.0 60 50.0 50 40.0 40 30.0 30 20.0 20 10.0 10 0.00 25 25 50 50 75 75 100 125 100 125 TcTCase Temperature 外壳温度 (°C) (°C) C 图 6. 功率降额 4 C3D06060G 修订版本 C 150 150 175 175 封装尺寸 位置 封装 TO-263-2 英寸 最大 最小 最大 A .396 .406 10.058 10.312 B .295 .335 7.493 8.509 C .05 .065 1.27 1.651 D .25 .27 6.35 6.858 E* 0.00 .07 0.00 1.778 F .048 .062 1.219 1.575 G * 引脚 1 外壳 引脚 2 毫米 最小 .100 典型 .35 .37 8.890 9.398 J .028 .034 .711 .864 K 2˚ 5˚ 2˚ 5˚ L .170 .180 4.318 4.572 M .045 .055 1.143 1.397 N .595 .615 15.113 15.621 P 0.00 0.10 0.00 2.54 Q R0.018 典型 R0.022 典型 R0.457 典型 R0.559 典型 R .090 .110 2.286 2.794 S .013 .02 .330 .508 T 6.5˚ 8.5˚ 6.5˚ 8.5˚ U .100 .107 2.540 2.718 W — 5.0˚ — 5.0˚ 注： * 接片 “E” 可能不存在 5 C3D06060G 修订版本 C 2.540 典型 H 建议的焊盘布局 TO-263-2 部件号 封装 标记 C3D06060G TO-263-2 C3D06060 二极管型号 Diode Model CSD06060 Vf T = VT + If*RT VT= 0.975 + (Tj * -1.0*10-3) RT= 0.09 + (Tj * 0.51*10-3) 注：Tj = 二极管结温，单位摄氏度 VT RT 本产品中对环境有害物质、持久性生物毒性物质 (PBT)、持久性有机污染物 (POP) 或其它受限制原料的含量低于此类物质所允许的最大浓度值 (也称为阈值)，或者依照欧盟关于在电气和电子设备中限制 使用某些有害物质的 2002/95/EC 号指令 (RoHS) 用于可豁免的应用场合 (修订截至 2006 年 4 月 21 日)。 本产品并未针对以下应用进行设计或测试，也不用于以下应用：植入人体的应用；产品失效可能导致死亡、人员受伤或财产损失的应用，包括但不限 于用于以下操作中的装置：核设施、生命维持机器、心脏除颤器或类似的急救设备、飞行器导航、通信或控制系统、空中交通控制系统、武器系统。 版权所有 © 2006-2009 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是 Cree, Inc. 的注册商标， Z-Rec 是 Cree, Inc. 的商标。 6 C3D06060G 修订版本 C 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected]