Vfid„³ _diode2014-05.ec9

PowerMOSFET
Nch
■外観図
P60B4EL
OUTLI
NE
Package:FB
t
:mm
Uni
6.6
40V60A
2.3
特 長
品名略号
Type No.
煙面実装タイプ
煙低オン抵抗
煙4.
5V駆動
煙低容量
P60B4EL
000000
ロット管理記号(例)
Lot Control No.
Feat
ur
e
2.3
10.0
④
2.3
①: G
②:D
③: S
④:D
① ② ③
煙SMD
煙LowRON
煙4.
5VGat
eDr
i
v
e
煙LowCapaci
t
ance
外形図については新電元 We
bサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordet
ai
l
soft
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i
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Mar
ki
ng,T
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mi
nalConnect
i
on"
.
■定格表
RATI
NGS
●絶対最大定格
項
Abs
ol
ut
eMaxi
mum Rat
i
ngs
(指定のない場合
目
I
t
em
記号
Sy
mbol
保存温度
St
o
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g
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mp
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r
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t
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チャネル温度
Ch
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n
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l
T
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mp
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e
ドレイン・ソース間電圧
Dr
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i
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So
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c
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l
t
a
g
e
ゲート・ソース間電圧
Ga
t
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c
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o
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a
g
e
ドレイン電流(直流)
Co
n
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i
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u
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r
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n
t(
DC)
ドレイン電流(ピーク)
Co
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t
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a
i
nCu
r
r
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n
t(
Pe
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k
)
全損失
T
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単発アバランシェ電流
Si
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l
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c
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n
t
単発アバランシェエネルギー
Si
n
g
l
eAv
a
l
a
n
c
h
eEn
e
r
g
y
●電気的・熱的特性
項
ドレイン・ソース間降伏電圧
Dr
a
i
n
So
u
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c
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a
k
d
o
wnV
o
l
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ドレイン遮断電流
Ze
r
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eV
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g
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nCu
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t
ゲート漏れ電流
Ga
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k
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g
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順伝達コンダクタンス
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c
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記号
Sy
mbol
V
(BR)
DSS
I
DSS
I
GSS
gf
s
R
ゲートしきい値電圧
Ga
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g
e
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
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Dr
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r
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熱抵抗
T
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Re
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s
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a
n
c
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ゲート全電荷量
T
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t
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l
Ga
t
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a
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g
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ゲート・ソース電荷量
Ga
t
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c
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r
g
e
ゲート・ドレイン電荷量
Ga
t
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nCh
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r
g
e
入力容量
I
n
p
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tCa
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c
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帰還容量
Re
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s
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c
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t
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n
c
e
出力容量
Ou
t
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tCa
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c
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n
c
e
ターンオン遅延時間
T
u
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n
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nd
e
l
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yt
i
me
上昇時間
Ri
s
et
i
me
ターンオフ遅延時間
T
u
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n
o
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a
yt
i
me
降下時間
F
a
l
l
t
i
me
ダイオード逆回復時間
Di
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v
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me
ダイオード逆回復電荷量
Di
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c
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v
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yCh
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r
g
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規格値
Rat
i
ngs
Ts
t
g
Tc
h
VDSS
VGSS
I
D
パルス幅 1
0
μs
,
d
u
t
y=1
/
1
0
0
I
DP
Pu
l
s
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t
h1
0µ
s
,
d
u
t
y=1
/
1
0
0
PT
I
St
a
r
t
i
ngTc
h=2
5
℃,
Tc
h≦1
5
0
℃
AS
EAS St
a
r
t
i
ngTc
h=2
5
℃,
Tc
h≦1
5
0
℃
ドレイン・ソース間オン抵抗
ON
St
a
t
i
cDr
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i
n
So
u
r
c
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s
t
a
t
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s
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s
t
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c
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p
(MOS〈2014.03〉)
条 件
Condi
t
i
ons
El
ect
r
i
calChar
act
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i
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t
i
cs
(指定のない場合
目
I
t
em
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5
℃/
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0
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0
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0
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.
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4
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7
5
単位
Uni
t
℃
V
A
W
A
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5
℃/
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条 件
Condi
t
i
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I
mA,
VGS=0
V
D=1
VDS=4
0
V,
VGS=0
V
VGS=±2
0
V,
VDS=0
V
I
0
A,
VDS=1
0
V
D=3
I
0
A,
VGS=1
0
V
D=3
I
0
A,
VGS=4
.
5
V
D=3
I
mA,
VDS=1
0
V
D=1
I
0
A,
VGS=0
V
S=6
接合部・ケース間
J
u
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c
t
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VDD=3
2
V,
VGS=1
0
V,
I
0
A
D=6
VDS=25
V,
VGS=0
V,
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=1
MHz
I
0
A,
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.
6
7Ω,
VDD=2
0
V,
Rg=0Ω,
D=3
=1
0
V,
VGS
V
VGS
(+)
(-)=0
I
0
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VGS=0
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0
0
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─
─
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─
─
─
─
─
─
─
─
─
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Uni
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V
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μA
─
±0
.
1
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8
─
S
3
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4
.
2
mΩ
4
.
6
6
.
2
2
.
0
2
.
5
V
─
1
.
5
─
2
℃/
W
5
7
─
1
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nC
1
8
─
2
9
0
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2
8
0
─
pF
5
0
0
─
1
0
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4
─
ns
2
2
─
4
─
4
0
─
ns
4
7
─
nC
P60B4EL
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
伝達特性
ドレイン・ソース間オン抵抗 −ドレイン電流
Typical Output Characteristics
Transfer Characteristics
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
Drain Current ID〔A〕
100
120
VGS
C==1
10V
0
0V
V
8V
8V
6V
5V
4V
80
60
40
TC=25℃
TYP
Pulse measurement
20
0
0
VDS=10V
TYP
100
Drain Current ID〔A〕
120
0.5
1
1.5
60
40
Tc=150℃
Tc=100℃
Tc=25℃
Tc= −55℃
20
Pulse measurement
0
0
2
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
80
1
2
3
4
5
6
Gate・Source Voltage VGS〔V〕
ゲートしきい値電圧 −ケース温度
Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature
Gate Threshold Voltage vs Case Temperature
VGS=10V
TYP
ID=30A
5
2
Pulse measurement
1
−55
0
50
100
VDS=10V
ID=1mA
TYP
3.5
VGS=10V
Tc=25℃
TYP
5
2
1
1
Pulse measurement
10
Safe Operating Area
500
240
180
120
100
2.5
2
1.5
1
0.5
Pulse measurement
0
50
100
Case Temperature Tc〔℃〕
150
10μs
10 RDS(ON)Limited
(at VGS=10V)
1
100μs
Power Dissipation
Limited
1ms
10ms
DC
0.
1
Tc=25℃
Single pulse
0.
01
0.
1
1
10
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
キャパシタンス特性
全損失減少率 −ケース温度
Transient Thermal Impedance
Capacitance Characteristics
Power Derating - Case Temperature
Capacitance Ciss Coss Crss〔pF〕
1000
0.1
0.01
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
Time t〔s〕
100
ID=60A
TYP
VDS
VGS
GS
VDD=32V
16V
25
20
20
15
10
15
10
5
5
0
0
Gate・Source Voltage VGS〔V〕
40
30
20
Crs
s
60
40
20
5
10
15
20
25
Tc=25℃
f=1MHz
TYP
30 35 40
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
0
0
25
50
75
100
125
Case Temperature Tc〔℃〕
150
単発アバランシェエネルギー減少率−チャネル温度
Gate Charge Characteristics
35
Cos
s
100
0
101
ゲートチャージ特性
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
80
C
i
s
s
C
i
s
s
Power Derating〔%〕
1
40
100
10000
40
60
80
Total Gate Charge Qg〔nC〕
0
100
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
100
Single Avalanche Energy Derating〔 %〕
Transient Thermal Impedance θjc〔℃/W〕
過渡熱抵抗
10
120
Drain Current ID〔A〕
60
3
0
−55
150
Case Temperature Tc〔℃〕
10
安全動作領域
4
Drain Current ID〔A〕
10
Gate Threshold Voltage VTH〔V〕
Static Drain-Source On-static Resistance RDS(ON)〔mΩ〕
ドレイン・ソース間オン抵抗 −ケース温度
Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON)〔mΩ〕
出力特性
80
60
40
20
0
0
50
100
Starting Channel Temperature Tch〔℃〕
150
www.
s
hi
ndengen.
c
o.
j
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pr
oduc
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s
emi
/
* Si
newa
veは 5
0
Hzで測定しています。
* 50Hzs
i
newav
ei
sus
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ormeas
ur
ement
s
.
p
(MOS〈2014.03〉
)
ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の
製品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器(車載、船舶等)、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
検討下さい。
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い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。
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【Special applications】
Transportation equipment (vehicles, ships, etc.), trunk-line communication equipment, traffic signal
control systems, anti-disaster/crime systems, safety equipment, medical equipment, etc.
【Specific applications】
Nuclear reactor control systems, aircraft, aerospace equipment, submarine repeaters, life support
equipment and systems, etc.
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