PowerMOSFET Nch ■外観図 P60B4EL OUTLI NE Package：FB t ：mm Uni 6.6 40V60A 2.3 特 長 品名略号 Type No. 煙面実装タイプ 煙低オン抵抗 煙４. ５V駆動 煙低容量 P60B4EL 000000 ロット管理記号（例） Lot Control No. Feat ur e 2.3 10.0 ④ 2.3 ①: G ②:D ③: S ④:D ① ② ③ 煙SMD 煙LowRON 煙4. 5VGat eDr i v e 煙LowCapaci t ance 外形図については新電元 We bサイトをご参照下さい。捺印表示については 捺印仕様をご確認下さい。 Fordet ai l soft heout l i nedi mens i ons ,r ef ert oourweb s i t e.Asf ort he mar ki ng,r ef ert ot hes peci f i cat i on" Mar ki ng,T er mi nalConnect i on" . ■定格表 RATI NGS ●絶対最大定格 項 Abs ol ut eMaxi mum Rat i ngs （指定のない場合 目 I t em 記号 Sy mbol 保存温度 St o r a g eT e mp e r a t u r e チャネル温度 Ch a n n e l T e mp e r a t u r e ドレイン・ソース間電圧 Dr a i n So u r c eV o l t a g e ゲート・ソース間電圧 Ga t eSo u r c eV o l t a g e ドレイン電流（直流） Co n t i n u o u sDr a i nCu r r e n t( DC) ドレイン電流（ピーク） Co n t i n u o u sDr a i nCu r r e n t( Pe a k ) 全損失 T o t a l Po we rDi s s i p a t i o n 単発アバランシェ電流 Si n g l eAv a l a n c h eCu r r e n t 単発アバランシェエネルギー Si n g l eAv a l a n c h eEn e r g y ●電気的・熱的特性 項 ドレイン・ソース間降伏電圧 Dr a i n So u r c eBr e a k d o wnV o l t a g e ドレイン遮断電流 Ze r oGa t eV o l t a g eDr a i nCu r r e n t ゲート漏れ電流 Ga t e So u r c eL e a k a g eCu r r e n t 順伝達コンダクタンス F o r wa r dT r a n s c o n d u c t a n c e 記号 Sy mbol V （BR） DSS I DSS I GSS gf s R ゲートしきい値電圧 Ga t eT h r e s h o l dV o l t a g e ソース・ドレイン間ダイオード順電圧 So u r c e Dr a i nDi o d eF o r wa r dV o l t a g e 熱抵抗 T h e r ma l Re s i s t a n c e ゲート全電荷量 T o t a l Ga t eCh a r g e ゲート・ソース電荷量 Ga t et oSo u r c eCh a r g e ゲート・ドレイン電荷量 Ga t et oDr a i nCh a r g e 入力容量 I n p u tCa p a c i t a n c e 帰還容量 Re v e r s eT r a n s f e rCa p a c i t a n c e 出力容量 Ou t p u tCa p a c i t a n c e ターンオン遅延時間 T u r n o nd e l a yt i me 上昇時間 Ri s et i me ターンオフ遅延時間 T u r n o f f d e l a yt i me 降下時間 F a l l t i me ダイオード逆回復時間 Di o d eRe v e r s eRe c o v e r yT i me ダイオード逆回復電荷量 Di o d eRe v e r s eRe c o v e r yCh a r g e 規格値 Rat i ngs Ts t g Tc h VDSS VGSS I D パルス幅 1 0 μs , d u t y=1 / 1 0 0 I DP Pu l s ewi d t h1 0µ s , d u t y=1 / 1 0 0 PT I St a r t i ngTc h=2 5 ℃, Tc h≦1 5 0 ℃ AS EAS St a r t i ngTc h=2 5 ℃, Tc h≦1 5 0 ℃ ドレイン・ソース間オン抵抗 ON St a t i cDr a i n So u r c eOn s t a t eRe s i s t a n c e （DS） p （MOS〈2014.03〉） 条 件 Condi t i ons El ect r i calChar act er i s t i cs （指定のない場合 目 I t em Tc＝2 5 ℃/ unl e s so t he r wi s es pe c i f i e d） VTH VSD θj c Qg Qgs Qgd Ci s s Cr s s Co s s t d （o n） t r t d （o f f ） t f t r r Qr r －5 5～1 5 0 1 5 0 4 0 ±2 0 6 0 2 4 0 6 2 . 5 4 0 1 7 5 単位 Uni t ℃ V A W A mJ Tc＝2 5 ℃/ unl e s so t he r wi s es pe c i f i e d） 条 件 Condi t i ons I mA, VGS＝0 V D＝1 VDS＝4 0 V, VGS＝0 V VGS＝±2 0 V, VDS＝0 V I 0 A, VDS＝1 0 V D＝3 I 0 A, VGS＝1 0 V D＝3 I 0 A, VGS＝4 . 5 V D＝3 I mA, VDS＝1 0 V D＝1 I 0 A, VGS＝0 V S＝6 接合部・ケース間 J u n c t i o nt oc a s e VDD＝3 2 V, VGS＝1 0 V, I 0 A D＝6 VDS＝25 V, VGS＝0 V, f ＝1 MHz I 0 A, RL＝0 . 6 7Ω, VDD＝2 0 V, Rg＝0Ω, D＝3 ＝1 0 V, VGS V VGS （＋） （－）＝0 I 0 A, VGS＝0 V, di / dt ＝1 0 0 A/ μs F＝6 www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / 規格値 Rat i ngs MI N TYP MAX 4 0 ─ ─ 1 9 ─ ─ 1 . 5 ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ 単位 Uni t ─ ─ V ─ 1 μA ─ ±0 . 1 3 8 ─ S 3 . 3 4 . 2 mΩ 4 . 6 6 . 2 2 . 0 2 . 5 V ─ 1 . 5 ─ 2 ℃/ W 5 7 ─ 1 0 ─ nC 1 8 ─ 2 9 0 0 ─ 2 8 0 ─ pF 5 0 0 ─ 1 0 ─ 2 4 ─ ns 2 2 ─ 4 ─ 4 0 ─ ns 4 7 ─ nC P60B4EL ■特性図 CHARACTERI STI C DI AGRAMS 伝達特性 ドレイン・ソース間オン抵抗 −ドレイン電流 Typical Output Characteristics Transfer Characteristics Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current Drain Current ID〔A〕 １００ １２０ VGS C==１ １０V ０ ０V V ８V ８V ６V ５V ４V ８０ ６０ ４０ TC=２５℃ TYP Pulse measurement ２０ ０ ０ VDS=１０V TYP １００ Drain Current ID〔A〕 １２０ ０.５ １ １.５ ６０ ４０ Ｔｃ=１５０℃ Ｔｃ=１００℃ Ｔｃ=２５℃ Ｔｃ= −５５℃ ２０ Pulse measurement ０ ０ ２ Drain・Source Voltage VDS〔V〕 ８０ １ ２ ３ ４ ５ ６ Gate・Source Voltage VGS〔V〕 ゲートしきい値電圧 −ケース温度 Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature Gate Threshold Voltage vs Case Temperature VGS＝10V TYP ID=３０A ５ ２ Pulse measurement １ −５５ ０ ５０ １００ VDS＝１０V ID=１mA TYP ３.５ VGS＝10V Tc＝２５℃ TYP ５ ２ １ １ Pulse measurement １０ Safe Operating Area ５００ ２４０ １８０ １２０ １００ ２.５ ２ １.５ １ ０.５ Pulse measurement ０ ５０ １００ Case Temperature Tc〔℃〕 １５０ 10μs １０ RDS（ON）Limited （at VGS=10V） １ 100μs Power Dissipation Limited 1ms 10ms DC ０． １ Tc＝２５℃ Single pulse ０． ０１ ０． １ １ １０ Drain・Source Voltage VDS〔V〕 キャパシタンス特性 全損失減少率 −ケース温度 Transient Thermal Impedance Capacitance Characteristics Power Derating - Case Temperature Capacitance Ｃiss Coss Crss〔pF〕 １０００ ０.１ ０.０１ １０-５ １０-４ １０-3 １０-2 １０-1 Time t〔s〕 １０0 ID=６０A TYP VDS VＧS ＧS VDD=３２Ｖ １６Ｖ ２５ ２０ ２０ １５ １０ １５ １０ ５ ５ ０ ０ Gate・Source Voltage VGS〔V〕 ４０ ３０ ２０ Ｃrｓ ｓ ６０ ４０ ２０ ５ １０ １５ ２０ ２５ Tc＝２５℃ f＝１MHz TYP ３０ ３５ ４０ Drain・Source Voltage VDS〔Ｖ〕 ０ ０ ２５ ５０ ７５ １００ １２５ Case Temperature Tc〔℃〕 １５０ 単発アバランシェエネルギー減少率−チャネル温度 Gate Charge Characteristics ３５ Ｃoｓ ｓ １００ ０ １０1 ゲートチャージ特性 Drain・Source Voltage VDS〔V〕 ８０ Ｃ ｉ ｓ ｓ Ｃ ｉ ｓ ｓ Power Derating〔%〕 １ ４０ １００ １００００ ４０ ６０ ８０ Total Gate Charge Qg〔nC〕 ０ １００ Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature １００ Single Avalanche Energy Derating〔 %〕 Transient Thermal Impedance θjc〔℃/W〕 過渡熱抵抗 １０ １２０ Drain Current ID〔A〕 ６０ ３ ０ −５５ １５０ Case Ｔemperature Tc〔℃〕 １０ 安全動作領域 ４ Drain Current ID〔A〕 １０ Gate Threshold Voltage ＶTH〔Ｖ〕 Static Drain-Source On-static Resistance RDS（ON）〔mΩ〕 ドレイン・ソース間オン抵抗 −ケース温度 Static Drain-Source On-state Resistance RDS（ON）〔mΩ〕 出力特性 ８０ ６０ ４０ ２０ ０ ０ ５０ １００ Starting Channel Temperature Tch〔℃〕 １５０ www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / ＊ Si newa veは 5 0 Hzで測定しています。 ＊ 50Hzs i newav ei sus edf ormeas ur ement s . p （MOS〈2014.03〉 ） ご 注 意 1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。 2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。 その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特 別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の 製品の品質水準は以下のように分類しております。 【標準用途】 コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、 工作機器、パーソナル機器、産業用機器等 【特別用途】 輸送機器（車載、船舶等）、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療 機器等 【特定用途】 原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム 等 3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止 設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご 検討下さい。 4. 本資料に記載されている内容は、製品改良などのためお断りなしに変更することがありますのでご了承下さ い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。 5. 本資料の使用によって起因する損害または特許権その他権利の侵害に関しては、当社は一切その責任を負 いません。 6. 本資料によって第三者または当社の特許権その他権利の実施に対する保証または実施権の許諾を行うもの ではありません。 7. 本資料に記載されている製品が、外国為替及び外国貿易管理法に基づき規制されている場合、輸出には同 法に基づく日本国政府の輸出許可が必要です。 8. 本資料の一部または全部を当社に無断で転載または複製することを堅くお断りいたします。 Notes 1. If you wish to use any such product, please be sure to refer to the specifications issued by Shindengen. 2. All products described or contained herein are designed with a quality level intended for use in standard applications requiring an ordinary level of reliability. If these products are to be used in equipment or devices for special or specific applications requiring an extremely high grade of quality or reliability in which failures or malfunctions of products may directly affect human life or health, a local Shindengen office must be contacted in advance to confirm that the intended use of the product is appropriate. Shindengen products are grouped into the following three applications according the quality grade. 【Standard applications】 Computers, office automation and other office equipment, communication terminals, test and measurement equipment, audio/visual equipment, amusement equipment, consumer electronics, machine tools, personal electronic equipment, industrial equipment, etc. 【Special applications】 Transportation equipment (vehicles, ships, etc.), trunk-line communication equipment, traffic signal control systems, anti-disaster/crime systems, safety equipment, medical equipment, etc. 【Specific applications】 Nuclear reactor control systems, aircraft, aerospace equipment, submarine repeaters, life support equipment and systems, etc. 3. Although Shindengen continuously endeavors to enhance the quality and reliability of its products, customers are advised to consider and take safety measures in their design, such as redundancy, fire containment and anti-failure, so that personal injury, fires, or societal damages can be prevented. 4. Please note that all information described or contained herein is subject to change without notice due to product upgrades and other reasons. When buying Shindengen products, please contact the Company s offices or distributors to obtain the latest information. 5. Shindengen shall not bear any responsibility with regards to damages or infringement of any third-party patent rights and other intellectual property rights incurred due to the use of information on this website. 6. The information and materials on this website neither warrant the use of Shindengen's or any third party s patent rights and other intellectual property rights, nor grant license to such rights. 7. 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