F39W60CP データシート

Title:diode-A.ec9
Page:32
Date: 2011/02/17
Thu
14:01:38
PowerMOSFET
■外観図
F39W60CP
OUTLI
NE
Package:MTO3P
16.0
(例)
ロット記号
Date code
600V39A
t
:mm
Uni
5.0
④
特 長
品名
Type No.
煙高耐圧
煙高速スイッチング
煙低オン抵抗
21.0
管理番号
(例)
Control No.
0000
39W60CP
20.0
Feat
ur
e
煙Hi
ghVol
t
age
煙Fas
tSwi
t
chi
ng
煙LowRON
5.45
①
②
③
①: G
②:D
③: S
④:D
5.45
捺印表示については捺
外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。
印仕様をご確認下さい。
Fordet
ai
l
soft
heout
l
i
nedi
mens
i
ons
,r
ef
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t
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i
cat
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Mar
ki
ng,T
er
mi
nalConnect
i
on"
.
mar
■定格表 RATI
NGS
●絶対最大定格
項
Abs
ol
ut
eMaxi
mum Rat
i
ngs
(指定のない場合
目
I
t
em
記号
Sy
mbol
保存温度
St
or
a
geT
e
mpe
r
a
t
ur
e
チャネル温度
Cha
nne
l
T
e
mpe
r
a
t
ur
e
ドレイン・ソース間電圧
Dr
a
i
nSour
c
eVol
t
a
ge
ゲート・ソース間電圧
Dr
a
i
nSour
c
eVol
t
a
ge
ドレイン電流(直流)
Cont
i
nuousDr
a
i
nCur
r
e
nt(
DC)
ドレイン電流(ピーク)
Cont
i
nuousDr
a
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nCur
r
e
nt(
Pe
a
k
)
ソース電流(直流)
Cont
i
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c
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r
e
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DC)
全損失
T
ot
a
l
Powe
rDi
s
s
i
pa
t
i
on
締め付けトルク
Mount
i
ngT
or
que
●電気的・熱的特性
項
条 件
Condi
t
i
ons
ドレイン・ソース間降伏電圧
Dr
a
i
nSour
c
eBr
e
a
k
downVol
t
a
ge
ドレイン遮断電流
Ze
r
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t
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a
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a
i
nCur
r
e
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ゲート漏れ電流
Ga
t
e
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k
a
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r
e
nt
順伝達コンダクタンス
For
wa
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ns
c
onduc
t
a
nc
e
ドレイン・ソース間オン抵抗
St
at
i
cDr
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t
at
eRes
i
s
t
ance
ゲートしきい値電圧
Ga
t
eThr
e
s
hol
dVol
t
a
ge
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
Sour
c
e
Dr
a
i
nDi
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wa
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t
a
ge
熱抵抗
The
r
ma
l
Re
s
i
s
t
a
nc
e
ゲート全電荷量
T
ot
a
l
Ga
t
eCha
r
ge
入力容量
I
nputCa
pa
c
i
t
a
nc
e
帰還容量
Re
v
e
r
s
eT
r
a
ns
f
e
rCa
pa
c
i
t
a
nc
e
出力容量
Out
putCa
pa
c
i
t
a
nc
e
ターンオン遅延時間
T
ur
nonde
l
a
yt
i
me
上昇時間
Ri
s
et
i
me
ターンオフ遅延時間
T
ur
nof
fde
l
a
yt
i
me
下降時間
Fa
l
l
t
i
me
規格値
Rat
i
ngs
単位
Uni
t
Ts
t
g
-5
5~1
5
0
Tc
h
1
5
0
VDSS
6
0
0
VGSS
±3
0
I
D
I
DP
V
1
1
7
I
S
A
3
9
PT
TOR
℃
3
9
パルス幅 1
0
μs
,
dut
y=1
/
1
0
0
Pul
s
ewi
dt
h10µs
,dut
y=1/
100
1
2
5
W
0
.
8
N・m
規格値 Rat
i
ngs
MI
N TYP MAX
単位
Uni
t
(推奨値:0
.
5N
・m)
(
Re
c
omme
nde
dt
or
que:
0.
5N
・m)
El
ect
r
i
calChar
act
er
i
s
t
i
cs
(指定のない場合
目
I
t
em
Tc=2
5
℃)
記号
Sy
mbol
Tc= 2
5
℃)
条 件
Condi
t
i
ons
V
mA,
VGS=0
V
(BR)
DSS I
D=1
6
0
0
─
─
I
DSS
VDS=6
0
0
V,
VGS=0
V
─
─
1
0
I
GSS
VGS= ±3
0
V,
VDS=0
V
─
─
±0
.
1
gf
s
I
9
.
5
A,
VDS=1
0
V
D=1
1
6
3
2
─
R
9
.
5
A,
VGS=1
0
V
(DS)
ON I
D=1
─
0
.
0
6
8 0
.
0
7
5
V
μA
S
Ω
VTH
I
mA,
VDS=1
0
V
D=1
2
.
5
3
.
0
3
.
5
VSD
I
9
.
5
A,
VGS=0
V
S= 1
─
─
1
.
5
θj
c
接合部・ケース間
J
unc
t
i
ont
oc
a
s
e
─
─
1
℃/
W
Qg
VGS=1
0
V,
I
9
A,
VDD=4
0
0
V
D=3
nC
─
8
3
─
Ci
s
s
─
4
5
0
0
─
Cr
s
s VDS=1
0
0
V,
VGS=0
V,
f
=1
MHz
─
3
─
Co
s
s
─
2
2
0
─
t
d
(o
n)
─
6
4
─
t
r
I
9
.
5
A,
VDD=1
5
0
V,
RL= 7
.
6
9
Ω
D=1
0
V,
VGS
V
(+)= 1
(-)= 0
t
d
(o
f
f
) VGS
─
1
0
0
─
─
2
9
6
─
─
8
8
─
t
f
V
pF
ns
※ケース温度によりジャンクション温度を算出する場合の熱抵抗値は、0
.
6
〔℃/
W〕を御使用下さい。但し、上記印加電流、電圧は安全動作領域内での御使用を前提とします。
TheJ
unc
t
i
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nTe
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6
℃/
W.
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P
(MOS〈2011.2〉)
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emi
/
Title:diode-A.ec9
Page:33
Date: 2011/02/17
Thu
14:01:38
F39W60CP
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
ドレイン・ソース間オン抵抗─ドレイン電流
伝達特性
Typical Output Characteristics
Transfer Characteristics
78
VGS=10V
VGS=8V
60
70
VGS
GS=6V
Drain Current ID〔A〕
Drain Current ID〔A〕
70
78
Tc=25℃
TYP
50
40
30
20
VGS=5V
10
0
0
4
6
150℃
60
50
40
20
VDS=20V
TYP
Pulse measurement
0
0
10
8
Drain Source Voltage VDS〔V〕
5
10
15
20
Gate Source Voltage VGS〔V〕
ゲートしきい値電圧─ケース温度
Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature
Gate Threshold Voltage vs Case Temperature
0.
5
0.
2
ID=19.
=19.5A
0.
1
0.
05
0.
02
Pulse measurement
0.
01
−55
0
100
50
02
.
01
.
Pulse measurement
0.
01
2
0.
1 0.
VDS=10V
ID=1mA
TYP
1
2
5
10 20
Drain Current ID〔A〕
150
1
1
7
100
7
8
39
3
2
1
10μs
10
100μs
200μs
1
0
100
50
Case Temperature Tc〔℃〕
1ms
10ms
DC
Tc=25℃
Single pulse
Pulse measurement
−55
RDS(on)
on)
Restricted space
0.
1
1
150
10
100
全損失減少率 ─ケース温度
Capacitance Characteristics
Power Derating - Case Temperature
10000
0.01
10-4
10-3
10-2
10-1
Time t〔s〕
100
101
Ci
s
s
80
Power Derating〔%〕
0.1
0.0
01 -5
10
100
100000
Capacitance Ciss Coss Crss〔pF〕
Trancient Thermal Impedance θjc 〔℃/W〕
キャパシタンス特性
Transient Thermal Impedance
1
1000
Cos
s
100
Crs
s
10
60
40
20
1
0.1
600
Drain Source Voltage VDS〔V〕
過渡熱抵抗
10
50 78
Safe Operating Area
4
0
0.
5
安全動作領域
5
150
Case Temperature Tc〔℃〕
VGS=10V
Tc=25℃
TYP
0.
02
Drain Current ID〔A〕
VGS=10V
Pulse test
TYP
Gate Threshold Voltage VTH〔V〕
Static Drain-Source On-static Resistance RDS(ON)〔Ω〕
ドレイン・ソース間オン抵抗─ケース温度
1
05
.
0.
05
30
10
Pulse measurement
VGS
GS=4V
2
Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current
Tc=−55℃
25℃
100℃
Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON)〔Ω〕
出力特性
0
100
200
300
400
f=1MHz
Tc=25℃
TYP
500
600
Drain Source Voltage VDS〔V〕
0
0
25
50
75
100
125
Case Temperature Tc〔 ℃〕
150
ゲートチャージ特性
Drain Source Voltage VDS〔V〕
500
400
ID=39A
TYP
20
VDS
VGS
GS
VDD=4
=400V
200V
100V
300
15
10
200
5
100
0
0
30
60
Gate Source Voltage VGS〔V〕
Gate Charge Characteristics
80
120
Total Gate Charge Qg〔nC〕
0
150
*Si
newa
veは5
0
Hzで測定しています。
*50Hzs
i
newav
ei
sus
edf
ormeas
ur
ement
s
.
www.
s
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ndengen.
c
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pr
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t
/
s
emi
/
P
(MOS〈2011.2〉)
ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の
製品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器(車載、船舶等)、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
検討下さい。
4. 本資料に記載されている内容は、製品改良などのためお断りなしに変更することがありますのでご了承下さ
い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。
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【Special applications】
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control systems, anti-disaster/crime systems, safety equipment, medical equipment, etc.
【Specific applications】
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