MOS P9B40HP2

PowerMOSFET
Nch
■外観図
P9B40HP2
OUTLI
NE
Package:FB
400V9A
Uni
t
:mm
6.6
2.3
品名略号
Type No.
煙面実装タイプ
煙高耐圧
煙低ノイズ
煙低オン抵抗
P9B40H2
000000
2.3
Feat
ur
e
2.3
① ② ③
煙SMD
煙Hi
ghVol
t
age
煙LowNoi
s
e
煙LowRON
10.0
④
特 長
ロット記号
(例)
Date code
①: G
②:D
③: S
④:D
外形図については新電元 We
bサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordet
ai
l
soft
heout
l
i
nedi
mens
i
ons
,r
ef
ert
oourweb s
i
t
e.Asf
ort
he
mar
ki
ng,r
ef
ert
ot
hes
peci
f
i
cat
i
on"
Mar
ki
ng,Ter
mi
nalConnect
i
on"
.
■定格表
RATI
NGS
●絶対最大定格
項
Absol
ut
eMaxi
mum Rat
i
ngs
(指定のない場合
目
I
t
em
記号
Sy
mbol
保存温度
St
or
a
geTe
mpe
r
a
t
ur
e
チャネル温度
Cha
nne
l
Te
mpe
r
a
t
ur
e
ドレイン・ソース間電圧
Dr
a
i
nSour
c
eVol
t
a
ge
ゲート・ソース間電圧
Ga
t
e
Sour
c
eVol
t
a
ge
ドレイン電流(直流)
Cont
i
nuousDr
a
i
nCur
r
e
nt(
DC)
ドレイン電流(ピーク)
Cont
i
nuousDr
a
i
nCur
r
e
nt(
Pe
a
k
)
ソース電流(直流)
Cont
i
nuousSour
c
eCur
r
e
nt(
DC)
全損失
Tot
a
l
Powe
rDi
s
s
i
pa
t
i
on
繰り返しアバランシェ電流
Re
pe
t
i
t
i
v
eAv
a
l
a
nc
heCur
r
e
nt
単発アバランシェエネルギー
Si
ngl
eAv
a
l
a
nc
heEne
r
gy
繰り返しアバランシェエネルギー
Re
pe
t
i
t
i
v
eAv
a
l
a
nc
heEne
r
gy
ドレイン・ソース間ダイオード
Dr
a
i
nSour
c
eDi
ode
●電気的・熱的特性
項
目
I
t
em
Tc=2
5
℃/
unl
e
s
so
t
he
r
wi
s
es
pe
c
i
f
i
e
d)
条 件
Condi
t
i
ons
規格値
Rat
i
ngs
Ts
t
g
-55~150
Tc
h
150
VDSS
400
VGSS
±30
I
D
I
DP
V
9
I
S
A
9
PT
40
W
9
A
I
AR
Tc
h=150℃
EAS
Tc
=Tc
h
からのスターティング温度 Tc
h
=2
5
℃
St
a
r
t
i
n
gt
e
mp
e
r
a
t
u
r
eT
c
h
=
T
c
,
T
c
h
=
2
5C̊
37
EAR
Tc
=Tc
h
からのスターティング温度 Tc
h
=2
5
℃
St
a
r
t
i
n
gt
e
mp
e
r
a
t
u
r
eT
c
h
=
T
c
,
T
c
h
=
2
5C̊
3.
7
s
=9A,
Tc=25℃
di
/dt I
mJ
350
El
ect
r
i
calChar
act
er
i
st
i
cs
(指定のない場合
記号
Sy
mbol
℃
36
パルス幅 1
0
μs
,
d
u
t
y=1
/
1
0
0
Pu
l
s
ewi
d
t
h1
0µ
s
,
d
u
t
y=1
/
1
0
0
A/
μs
Tc=2
5
℃/
unl
e
s
so
t
he
r
wi
s
es
pe
c
i
f
i
ed)
条 件
Condi
t
i
ons
ドレイン・ソース間降伏電圧
V
mA,
VGS=0V
(BR)
DSS I
D=1
Dr
a
i
nSour
c
eBr
e
a
k
downVol
t
a
ge
ドレイン遮断電流
I
VDS=40
0
V,
VGS=0V
DSS
Ze
r
oGa
t
eVol
t
a
geDr
a
i
nCur
r
e
nt
ゲート漏れ電流
I
VGS=±25
V,
VDS=0V
GSS
Ga
t
e
Sour
c
eLe
a
k
a
geCur
r
e
nt
順伝達コンダクタンス
g
f
s
I
=4
.
5
A,
V
=10V
D
D
S
For
wa
r
dTr
a
ns
c
onduc
t
a
nc
e
ドレイン・ソース間オン抵抗
.
5
A,
VGS=10V
(DS)
ON I
D=4
St
at
i
cDr
ai
nSour
ceOns
t
at
eRes
i
s
t
ance R
ゲートしきい値電圧
V
I
=1
mA,
VDS=10V
T
H
D
Ga
t
eThr
e
s
hol
dVol
t
a
ge
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
V
I
=4
.
5
A,
V
V
S
D
S
GS=0
Sour
c
e
Dr
a
i
nDi
odeFor
wa
r
dVol
t
a
ge
熱抵抗
接合部・ケース間
θj
c Junct
i
o
nt
oc
a
s
e
The
r
ma
l
Re
s
i
s
t
a
nc
e
ゲート全電荷量
Q
g
V
=3
2
0
V
,
VGS=10V,
I
A
D
D
D=9
Tot
a
l
Ga
t
eCha
r
ge
入力容量
C
i
s
s
I
nputCa
pa
c
i
t
a
nc
e
帰還容量
VGS=0V,
f
=1MHz
Cr
s
s VDS=50V,
Re
v
e
r
s
eTr
a
ns
f
e
rCa
pa
c
i
t
a
nc
e
出力容量
C
o
s
s
Out
putCa
pa
c
i
t
a
nc
e
ターンオン遅延時間
t
d
(on)
Tur
nonde
l
a
yt
i
me
上昇時間
t
r
I
.
5
A,
RL=33.
3Ω,
VDD=150V,
D=4
Ri
s
et
i
me
ターンオフ遅延時間
=1
0
V
,
V
=0
V
V
G
S
(
+)
G
S
(
-)
t
d
(
o
f
f
)
Tur
nof
fde
l
a
yt
i
me
降下時間
t
f
Fa
l
l
t
i
me
P
(MOS〈2016.02〉)
単位
Uni
t
www.
s
hi
ndengen.
c
o.
j
p/
pr
oduc
t
/
s
emi
/
規格値 Rat
i
ngs
MI
N TYP MAX
400
─
─
─
単位
Uni
t
─
V
─
100
μA
─
±10
μA
3.
5
7.
0
─
S
Ω
─
0.
65
0.
80
3.
0
3.
75
4.
5
─
─
1.
5
─
─
3.
12 ℃/
W
─
14.
5
─
─
575
─
─
5
─
─
60
─
─
8.
5
─
─
30
─
─
50
─
─
25
─
V
nC
pF
ns
P9B40HP2
■特性図
CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
伝達特性
20
18
16
Drain Current ID〔A〕
VGS=10V
8V
VGS=6V
10
5
VGS=5V
5
10
15
5
2
ID=45
. A
1
0.
5
0.
2
Pulse measurement
0
50
100
Case Temperature Tc〔℃〕
01
.
00
.1
100
101
ID=9A
TYP
20
VDS
Gate Source Voltage VGS〔V〕
Drain Source Voltage VDS〔V〕
400
15
VGS
10
160
5
80
5
10
15
3
2
20
Total Gate Charge Qg〔nC〕
0
25
VGS=10V
Tc=25℃
TYP
10
5
2
1
0.
5
0.
2
Pulse measurement
0.
1
0.
1
0.
2
0.
5
1
2
5
10 16
Drain Current ID〔A〕
Safe Operating Area
50
36
27
18
10μs
9 RDS(on)
Restricted
space
100μs
200μs
1
1ms
0.
1
10ms
1
DC
Tc=25℃
Single pulse
Pulse measurement
−55
0
50
100
150
Case Temperature Tc〔℃〕
10
100
Drain Source Voltage VDS〔V〕
400
Power Derating - Case Temperature
f=1MHz
Tc=25℃
TYP
100
80
1000
Ci
s
s
100
Cos
s
10
50
100 150 200 250 300
Single Avalanche Current vs Inductive Load
VDD=100V
VGS=15V,-0V
Rg=60Ω
20
IAS=9A
5
EAS=37mJ
=3.7mJ
2
EAR=3.7mJ
1
0.1
00
. 1
0.1
1
40
0
0
350 400
Drain Source Voltage VDS〔V〕
50
60
20
Crs
s
1
0
9
0.
01
1
全損失減少率 ─ケース温度
単発アバランシェ電流-インダクタンス
Gate Charge Characteristics
VDD=400V
200V
100V
4
20
安全動作領域
VDS=10V
ID=1mA
TYP
5
0
102
ゲートチャージ特性
0
0
6
Capacitance Ciss Coss Crss〔pF〕
Trancient Thermal Impedance θjc 〔℃/W〕
1
240
20
Gate Source Voltage VGS〔V〕
10000
10
10-1
15
Capacitance Characteristics
100
10-2
10
キャパシタンス特性
Transient Thermal Impedance
Time t〔s〕
5
Gate Threshold Voltage vs Case Temperature
150
過渡熱抵抗
320
VDS=20V
TYP
ゲートしきい値電圧─ケース温度
Gate Threshold Voltage VTH〔V〕
Static Drain-Source On-static Resistance RDS(ON)〔Ω〕
VGS=10V
TYP
10-3
4
0
0
20
Drain Source Voltage VDS〔V〕
0.001 -5
10 10-4
8
Pulse measurement
Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature
0.
1
−55
150℃
Pulse measurement
ドレイン・ソース間オン抵抗─ケース温度
10
100℃
12
Drain Current ID〔A〕
0
0
Tc=−55℃
Power Derating〔%〕
15
Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current
25℃
10
Inductance L〔mH〕
100
25
50
75
100
125
Case Temperature Tc〔 ℃〕
150
単発アバランシェエネルギー減少率 - チャネル温度
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
100
Single Avalanche Energy Derating〔 %〕
Tc=25℃
TYP
ドレイン・ソース間オン抵抗─ドレイン電流
Transfer Characteristics
Single Avalanche Current IAS〔 A〕
Drain Current ID〔A〕
Typical Output Characteristics
Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON)〔Ω〕
出力特性
80
60
40
20
0
0
50
100
Starting Channel Temperature Tch〔℃〕
150
* Si
newa
veは 5
0
Hzで測定しています。
* 50Hzs
i
newav
ei
sus
edf
ormeas
ur
ement
s
.
www.
s
hi
ndengen.
c
o.
j
p/
pr
oduc
t
/
s
emi
/
P
(MOS〈2016.02〉)
ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の
製品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器(車載、船舶等)、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
検討下さい。
4. 本資料に記載されている内容は、製品改良などのためお断りなしに変更することがありますのでご了承下さ
い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。
5. 本資料の使用によって起因する損害または特許権その他権利の侵害に関しては、当社は一切その責任を負
いません。
6. 本資料によって第三者または当社の特許権その他権利の実施に対する保証または実施権の許諾を行うもの
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7. 本資料に記載されている製品が、外国為替及び外国貿易管理法に基づき規制されている場合、輸出には同
法に基づく日本国政府の輸出許可が必要です。
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in advance to confirm that the intended use of the product is appropriate. Shindengen products are grouped
into the following three applications according the quality grade.
【Standard applications】
Computers, office automation and other office equipment, communication terminals, test and
measurement equipment, audio/visual equipment, amusement equipment, consumer electronics,
machine tools, personal electronic equipment, industrial equipment, etc.
【Special applications】
Transportation equipment (vehicles, ships, etc.), trunk-line communication equipment, traffic signal
control systems, anti-disaster/crime systems, safety equipment, medical equipment, etc.
【Specific applications】
Nuclear reactor control systems, aircraft, aerospace equipment, submarine repeaters, life support
equipment and systems, etc.
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