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BL6526B
特点

单相多功能电能计量芯片
BL6526B 是一颗宽量程单相多功能电子电能
高精度，在输入动态工作范围（3000:1）内，
计量芯片，适用于简单单相多功能或单相电力线载
非线性测量误差小于 0.1%
波电能表应用，具有较高的性价比。

高稳定性，输出频率波动小于 0.1%

芯片可精确测量正负两个方向的有功功率，输
参考电压，电源管理等模拟电路模块，以及处理有
出快速输出脉冲（CF）
功功率、视在功率、电流电压有效值等电参数的数
芯 片 给出 电压 和电 流的 有效值 ， 测量 范围
字信号处理电路。

BL6526B 集成了 2 路高精度 Sigma-Delta ADC，
（20mA~12Ib）
BL6526B 具有一个电流采样端，采样火线电

芯片具有电压失压和断相检测功能

芯片上有电源电压监测电路，检测掉电状况
BL6526B 能够测量单相有功能量、视在能量、

芯片具有防潜动功能，可编程防潜阀值设置
功率因子、电流电压有效值、线频率等参数；具有

芯片具有可编程调整脉冲输出的频率
失压及过压监测功能；电流电压峰值检测；过零检

芯片具有可编程增益调整和相位补偿
测，能够充分满足简单单相多功能电能表的需要。

功率因子（PF）测量范围（20mA~12Ib）

芯片可按需要给出中断请求信号（/IRQ）

芯片具有一个 SPI 通信接口，用于数据传输

芯片内置参考电压源 2.5V，
也可使用外部 2.5V
整、相位校正（最大±2.54°可调）等。有功功率校
流。
BL6526B 集成一个 SPI 接口，
方便与外部 MCU
之间进行计量参数以及校表参数的传递。
BL6526B 支持全数字域的偏置补偿、增益调
电压
验输出快速脉冲 CF，可以直接接到标准表进行误

芯片外接晶振 3.58MHz
差校正。

芯片单工作电源 5V，低功耗 25mW（典型值）
BL6526B 符合新农村电网需求。
相关专利申请中
概述
管脚与系统框图
/RST
VREF
AVDD DVDD
CLKOUT
CLKIN
15
CF
参考电压源
电源监控
时钟
14
DIN
13
DOUT
12
SCLK
1
16
IP
2
IN
3
VP
4
VN
5
VREF
6
GND
7
10
CLKOUT
/IRQ
8
9
CLKIN
BL6526B
VDD
11
/CS
SOP16
电流电压有效值
IP
IN
VP
VN
电流
采样
模数
转换
电压
采样
模数
转换
功率因子
数字
信号
处理
有功/视在能量值
电流不平衡检测
电流电压峰值检测
电压失压断相检测
多种中断事件
BL6526B
AGND
有功/视在功率值
/RST
中断
SPI
通
讯
接
口
选
择
输
出
/IRQ
DIN
DOUT
SCLK
/CS
CF
AT3
AT2
AT1
AT0
DGND
1. 引脚定义（SOP16）
管脚号
符号
说明
1
VDD
正 电 源 （ +5V ）， 提 供 电 源 ， 正 常 工 作 时 电 源 电 压 应 该 保 持 在
+4.75V~5.25V 之间。
2，3
IP，IN
电流通道的模拟输入，管脚的最大差分电压±660mV，增益可以调整，
详见寄存器 GAIN。由于内部有 ESD 保护电路，如果电压过压在±1.5V
1/20
v1.1
BL6526B
单相多功能电能计量芯片
时，仍然不会出现太大的破坏。
4，5
VP，VN
电压通道的模拟输入，管脚的最大差分电压±660mV，详见寄存器
GAIN。
（同上，信号最大幅度为±1.5V）
6
VREF
参考电压端，片内基准电压标称值 2.58%，温度系数典型值为
30ppm/C。外部参考源可以接在这个管脚上。另外，该管脚需要使用
1uF 的陶瓷电容消除对地耦合。
7
GND
内部电路参考地。这个管脚应该绑定到接地板上或是系统中最为稳定
地静态地，此静态地使用在所有的电路中，为了将芯片中地信号中的
噪声降至最低，静态地平面只能在一点上连接地平面。
8
/IRQ
中断请求输出端，低电平有效。
9
CLKIN
内部模拟电路及数字处理电路的主时钟，可引入外部时钟。晶振可并
联在 CLKIN 和 CLKOUT 上为芯片提供时钟源，时钟频率为 3.58MHz。
22pF 和 33pF 间的陶瓷负载电容可以使用在晶振电路中。
10
CLKOUT
晶振可以通过该管脚和 CLKIN 管脚一起为芯片提供时钟，当外部时
钟和晶振被引入时，该管脚可以驱动一个 CMOS 负载。
11
/CS
片选信号。四线 SPI 串口的一部分，该管脚的低电平输入允许芯片与
其它设备一起共用串行总线。
12
SCLK
串行接口的同步时钟输入，所有的串行数据传输要与此时钟同步。
13
DOUT
串行接口的数据输出端，数据在 SCLK 的下降沿由此端口输出，此端
口的逻辑输出一般处于高阻态，除非它在驱动数据进入串行数据总
线。
14
DIN
串行接口的数据输入端，数据在 SCLK 的上升沿由此端口移入。
15
CF
校验脉冲输出脚，此管脚给出了有功功率的信息，这个输出可用来较
表，满刻度下的输出频率可以通过 WA_CFNUM 来调整。在计量小功
率时，CF 定脉宽为 90ms。当计量大功率时，CF 输出周期小于 180ms
时，CF 的脉宽为周期的一半。
16
/RST
芯片复位信号输入，低电平有效。
2. 封装尺寸 SOP16
3. 极限范围
（T = 25 ℃）
项目
符号
2/20
极值
单位
v1.1
BL6526B
单相多功能电能计量芯片
电源电压 VDD
VDD
-0.3 ~ +7
V
模拟输入电压（相对于 GND）
IP、VP
-6 ~ +6
V
数字输入电压（相对于 GND）
DIN、SCLK、/CS
-0.3 ~ VDD+0.3
V
数字输出电压（相对于 GND）
CF、/IRQ、DOUT
-0.3 ~ VDD+0.3
V
工作温度
Topr
-40 ~ +85
℃
贮藏温度
Tstr
-55 ~ +150
℃
功耗（SSOP24）
P
80
mW
4. 电参数
（VDD = 5V， GND＝0V，片上基准电压源，3.58MHz 晶振，常温）
测量项目
符号
测量条件
测量点
有功功率测量误差
（绝对误差）
WATTerr
3000:1 输入动态
范围
CF
通道间相角引起测
量误差（容性）
PF08err
通道间相角引起测
量误差（感性）
典型
最大
单位
0.1
0.3
%
相位超前 37
（PF=0.8）
0.5
%
PF05err
相位滞后 60
（PF=0.5）
0.5
%
AC 电源抑制 （输
出频率幅度变化）
ACPSRR
IP/N=100mV
0.01
%
DC 电源抑制 （输
出频率幅度变化）
DCPSRR
VP/N=100mV
0.1
%
电压有效值测量精
度（相对误差）
VRMSerr
0.4%Ib~12Ib
input DR
0.3
%
电流有效值测量精
度（相对误差）
IRMSerr
0.4%Ib~12Ib
input DR
0.3
%
模拟输入电平
最小
差分输入（峰值）
1200
模拟输入阻抗
mV
370
k
14
kHz
模拟输入带宽
（-3dB）
模拟输入增益误差
外部 2.5V 基准
电压
-4
+4
%
模拟输入相间增益
匹配误差
外部 2.5V 基准
电压
-1.5
+1.5
%
内部电压基准
Vref
基准偏差
Vreferr
温度系数
TempCoef
VREF
2.5
V
±200
30
逻辑输入高电平
DVDD=5V±5%
逻辑输入低电平
DVDD=5V±5%
逻辑输出高电平
DVDD=5V±5%
逻辑输出低电平
DVDD=5V±5%
mV
ppm/℃
2.6
V
0.8
4
V
V
1
V
电源 AVDD
VAVDD
4.75
5.25
V
电源 DVDD
VDVDD
4.75
5.25
V
AIDD
IAVDD
AVDD=5.25V
3/20
3
mA
v1.1
BL6526B
单相多功能电能计量芯片
5.2 前端波形计算
前端波形计算包括高精度的模数转换（ADC）、相位校正（PHASE）、降采样滤波器
（SINC4）
、高通滤波器（HPF）及通道增益调整等模块，得到需要的电流波形数据和电压
波形数据（I_WAVE ，V_WAVE）。
（上图以电流通道为例）
5.2.1 前端增益调整
BL6526B 每个模拟通道具有一个可编程益放大器 PGA，其可选增益 7 级可调整。增益
选择可以通过对增益寄存器（GAIN）的写入来实现，GAIN 的缺省值为 000H。
增益寄存器各用 4 位用来选择电流通道或电压通道的 PGA。电流通道用[3:0]位，电压 V
通道用[11:8]位。
如电流通道，用 GAIN[3:0]位调整。
x000 = 1 倍
x001 = 2 倍
x010=4 倍
x011=8 倍
x100=16 倍
x101=24 倍
x110=32 倍
x111=32 倍
5.2.2 相位补偿
BL6526B 提供了对电流电压通道间相位误差进行数字校准的方法。它能在电流通道或
电压通道，引入一个可数字设置的时间延时，来补偿由于外部 PCB 布局布线所造成的通道
间的相位误差。这种方法只适用于±2.54范围的小相位误差。注意，利用此时移技术来修
正大的相位误差会在高次谐波中引入显著的相位误差。
相位校准寄存器（I_PHCAL、V_PHCAL）是二进制 8 位寄存器，分别对应补偿电流通
道和电压 V 通道的相位误差，缺省值为 00H。其中[7]为使能位，[7]＝0 时，关闭补偿；[7]
＝1 时，补偿有效。用[6:0]位细调延时时间，1LSB 对应 1 个延时，最大 127 个延时，每个
延时 1.1us。对于 50Hz 的输入信号，相应最小相位补偿的分辨率为 360（1/900KHz）
50Hz=0.02，最大可调 2.54。
5.2.3 输入偏差校正
BL6526B 还包含了输入偏差校正寄存器（I_CHOS、V_CHOS），这些 16 位寄存器的缺
省值为 000H。它们以 2 的补码形式的数据来分别消除电流通道和电压 V 通道模数转换带来
的偏差。这里的偏差可能是源于输入以及模数转换电路本身产生的 offset。偏差校正可以使
在无负载情况下输入波形 offset 接近 0。
5.2.4 通道增益校正
BL6526B 还包含了通道增益校正寄存器（I_CHGN、V_CHGN）
，该寄存器为 12 位带符
5/20
v1.1
BL6526B
单相多功能电能计量芯片
5.3.3 有功功率增益调整
有功功率的增益可以通过增益寄存器 WATTGN 来调节采用有功功率的范围，该寄存器
为 12 位带符号数，缺省值为 000H。下式说明了有功功率增益寄存器是如何来做增益调节的：
例如：在 WATTGN 中写入 7FFH（十六进制）
，功率输出便增大了 50％，因为 7FFH＝
2047（十进制）
，2047/4096＝0.5。类似的，写入 801H 时，功率输出减小 50％。
5.3.4 有功功率的防潜动
BL6526B 包含两种防潜动方式：功率阈值防潜和时间阈值防潜。
防潜动阈值寄存器（WA_CREEP）
，为 24 位。寄存器分成两部分，低 12 位 WA_CREEP_L
以无符号数的形式来设定一个功率防潜动阈值，缺省为 02BH。当输入有功功率信号绝对值
小于这个阈值时，输出有功功率设为零。这可以使在无负载情况下，即使有小的噪声信号，
输出到有功功率寄存器中的值为 0。
防潜动阈值寄存器（WA_CREEP）
，高 12 位 WA_CREEP_H 以无符号数的形式来设定
一个定时器阈值，缺省 FFFH。内部存在一个定时器寄存器 TIME_CREEP，每当检测有 CF
脉冲输出时，寄存器 TIME_CREEP 就被置为 WA_CREEP_H 的值。如果无检测到 CF 脉冲
输出时 TIME_CREEP 寄存器值就递减，如果在 TIME_CREEP 寄存器减值到 0 时仍无 CF 信
号输出时，寄存器 TIME_CREEP 会产生一个清零信号，产生 CF 脉冲的内部能量累计寄存
器会被清零。清零后定时器寄存器 TIME_CREEP 任然恢复到 WA_CREEP_H 值，重新开始
计时。WA_CREEP_H 可以由用户写入或读出，缺省值为 FFFH，该寄存器的分辨率为 4.6s/
LSB，这样最大防潜动时间约为 5h13m。如 WA_CREEP_H=413H，对应防潜动时间阈值为
80 分钟，在 80 分钟内如果无 CF 输出时，CF 能量累计寄存器会被清零，不会有 CF 输出。
定时防潜方式在 MODE[6]=1 时候开启，MODE[6]=0 时关闭；功率阈值防潜方式一直
工作。
5.3.5 有功功率的小信号补偿
BL6526B 包含了一个有功功率小信号补偿寄存器（WA_LOS）
，这个 24 位寄存器以 2
的补码形式的数据来补偿输入小信号时有功功率的误差。高 12 位补偿 B 相功率，低 12 位
补偿 A 相功率，缺省值为 000H。
5.3.6 反向指示阈值
BL6526B 包含了一个反向指示阈值寄存器（WA_REVP）
，这个 12 位寄存器以无符号数
的形式来设定一个阈值。当输入有功功率信号为负功并且绝对值大于这个阈值时，输出反向
指示 REVP。如果中断屏蔽寄存器（MASK）中相应的 REVP 使能位置为逻辑 1，则/IRQ 逻
辑输出变为有效低电平。
5.4 能量计算
有功功率通过积分，可获得有功能量。
7/20
v1.1
BL6526B
单相多功能电能计量芯片
5.4.1 能量计算原理
功率和能量的关系可以表示作：
反过来就是:
在 BL6526B 中，
通过在一个 53 位内部寄存器中连续累加有功功率信号来得到有功能量，
有功能量寄存器 WATTHR[23:0]取出此内部寄存器的高 24 位作为有功能量输出。这里离散
信号的连续累加和连续信号的积分是一样的道理，即：

E   p(t )dt LimT 0 { P(nT )  T }
n 0
这里 n 为采样个数，T 为采样周期，有功功率采样周期 T 为 1.1us。
这样对功率信号进行累加还可以消除功率信号中没有滤除干净的交流信号。有功功率信
号在内部有功功率寄存器中连续进行累加。
功率信号 WATT 进入 55 位的内部积分器进行叠加，然后将内部寄存器的高 24 写入有
功能量寄存器
（WATTHR）
，
寄存器溢出的时间大约为 10 分钟。
当有功能量寄存器（WATTHR）
的最高位为 1 时，给出半满指示 APEHF，如果中断屏蔽寄存器中相应的 APEHF 使能位置
为逻辑 1，则/IRQ 逻辑输出变为有效低电平。
下图显示了在模拟输入满幅度时，有功能量信号在内部寄存器中的累加过程：
5.4.2 线周期能量计算原理
同样，BL6526B 还提供线能量寄存器（LINE_WATTHR），在给定的 n 个线周期内，功
率信号 WATT 进入 32 位的内部积分器进行叠加，然后将内部寄存器的高 24 写入线周期能
8/20
v1.1
BL6526B
单相多功能电能计量芯片
量寄存器（LINE_WATTHR）
。
线周期能量累计主要用于快速校表。
5.4.3 正向有功能量计算
正向功率和正向能量的关系可以表示作：
PWATT 
d ( PWAHR )
dt
反过来就是:
在 BL6526B 中，通过在一个 49 位内部寄存器中连续累加正向有功功率信号来得到正向
有功能量，正向有功能量寄存器 PWAHR [23:0]取出此内部寄存器的高 24 位作为正向有功能
量输出。这里离散信号的连续累加和连续信号的积分是一样的道理，即：

E   p(t )dt LimT 0 { P(nT )  T }
n 0
这里 n 为采样个数，T 为采样周期，BL6526B 中采样周期 T 为 1.1us。
这样对功率信号进行累加还可以消除功率信号中没有滤除干净的交流信号。正向功率信
号 WATT 进入 49 位的内部积分器进行叠加，然后将内部寄存器的高 24 写入正向有功能量
寄存器（PWAHR）
，寄存器溢出的时间大约为 10 分钟。
5.4.4 反向有功能量计算
同样反向功率和反向能量的关系可以表示作：
反过来就是:
在 BL6526B 中，通过在一个 49 位内部寄存器中连续累加反向有功功率信号来得到反向
有功能量，反向有功能量寄存器 NWAHR[23:0]取出此内部寄存器的高 24 位作为反向有功能
量输出。
反向功率信号 WATT 进入 49 位的内部积分器进行叠加，然后将内部寄存器的高 24 写
入反向有功能量寄存器（WAHR_N）
，寄存器溢出的时间大约为 10 分钟。
5.4.5 频率输出
为了校验，BL6526B 还提供了能量频率转换，除了厂家最初的校验，终端用户也要经
常进行能量计量器的校准。对于厂家，校准所使用的最一般的方法就是产生一个与输出功率
（能量）成正比的脉冲输出。这个脉冲输出可以通过一个简单的、单线、光学隔离端口连接
到外部校验设备上。
BL6526B 中可选择输出有功能量累计（WATTHR）、正功能量累计（PWAHR）
、负功能
量累计（NWAHR）
，然后根据 CF 缩放比例寄存器（WA_CFDIV）提供的系数，通过数字到
频率转换产生的是一个 CF 脉冲输出，CF 需要定脉宽 90ms。在负载稳定的条件下，输出频
9/20
v1.1
BL6526B
单相多功能电能计量芯片
率正比于有功功率。当 AC 输入端为满刻度，WA_CFDIV=010H 时，最大的输出频率大约为
0.5kHz。
BL6526B 用寄存器（WA_CFDIV）来设置 CF 的频率。这个 12 位无符号寄存器可以在
很宽范围的范围内调节 CF 频率，缺省值为 010H。当设置 WA_CFDIV[x]为 1 时，其的缩放
比例为（2^（x－4）
）
。
由于滤波器不可能是完全理想的，所以低通后乃至 DFC 后的信号都会含有 Sin(2wt)的
成分，下图是能量随时间变化曲线，其中那条虚直线是理想的有功能量曲线，等于 V×I×t，
而实际中的能量曲线是实型曲线，因为正弦信号的平均值为零，所以正弦波纹不会影响能量
信号的累积。然而，在输出频率中可以观察到这些正弦波纹，尤其是在频率比较高的时候。
负载越大、频率越高，这种正弦波纹会越明显。这是因为频率越高，能量频率转换时信号累
加平均的时间就越短，正弦变化也就越明显。因而，选择比较低的频率输出可以很大程度上
减小正弦变化现象的影响，有利于脉冲校准。还有，可以通过使用更长的时钟门限时间来平
均输出频率，得到同样的效果。
5.5 有效值计算
电流波形数据和电压波形数据分别通过平方电路（X2）
、低通滤波器（LPF）、开根电路
（ROOT）
，分别得到电流有效值和电压有效值。
5.5.1 有效值计算原理
有效值也就是信号的均方根（Root Mean Square－RMS），一个连续信号的均方根计算
如下：
对于离散数字信号，该公式变为：
Vrms 
1
N
N
V
2
(i )
i 1
5.5.2 有效值偏差校正
BL6526B 包含了有效值偏置寄存器（I_RMSOS、V_RMSOS），这些 12 位寄存器的缺省
值为 000H。它们以 2 的补码形式的数据来分别消除电流通道和电压 V 通道的有效值计算中
出现的偏差。这种偏差可能来源于输入噪声，因为在计算有效值中有一步平方运算，这样可
能引入由噪声产生的直流偏置。偏差校正可以使在无负载情况下有效值寄存器中的值接近
0。
10/20
v1.1
BL6526B
单相多功能电能计量芯片
这里 n 为采样个数，T 为采样周期，BL6526B 中采样周期 T 为 1.1us。
视在功率信号被连续地累加到内部寄存器中，这里的累加仍是有符号加法。视在能量寄
存器（VAHR）溢出的时间大约为 10 分钟。
当视在能量寄存器（VAHR）的最高位为 1 时，给出半满指示 VAPEHF，如果中断屏蔽
寄存器中相应的 VAPEHF 使能位置为逻辑 1，则/IRQ 逻辑输出变为有效低电平。
5.6.3 功率因子
功率因子由有功功率除以视在功率得到。
PF 寄存器为一个带符号数，则 24¶h7FFFFF 表示功率因子＝1，24¶h800000 表示功率因
子＝－1，24¶h400000 表示功率因子＝0.5。
5.6.4 视在功率偏差校正
视在功率偏差寄存器（VAOS）
，是 12 位寄存器，缺省值为 000H，以 2 的补码形式表示。
VAOS 用来消除视在功率计算中出现的偏差。偏差校正可以使在无负载情况下视在功率寄存
器中的值接近 0。
VA  VA0  VAOS
5.6.5 视在功率增益调整
视在功率的增益可以通过增益寄存器 VAGN 来调节有功功率的范围，下式说明了视在
功率增益寄存器是如何来做增益调节的：
Output VA  VA0  (1 
AVAG
)
212
5.7 工作模式选择
5.7.1 能量累计时功率选择
当 MODE[0]＝0 时，正常进行计量。
5.7.2 高通滤波器使用选择
BL6526B 在模数转换电路之后，电流电压通道中均有高通滤波器以消除 offset。工作模
式寄存器（MODE）的 MODE[4：2]可以由用户入，默认为 0，表示使用高通滤波器。
当 MODE[2]＝0 时，电流通道中有高通滤波器；当 MODE[2]＝1，电流通道中不通过高
通滤波器。缺省 MODE[3] 缺省为 0，保留。同样，当 MODE[4]＝0 时，电压通过高通滤波
器；当 MODE[3]＝1，电压不通过高通滤波器。
5.7.3 能量累加模式选择
工作模式寄存器（MODE）的 MODE[9：8]可以被用户写入，默认为 2¶b00，表示能量
累加模式采用绝对值累加，这时 CF 输出对应绝对值累加的能量。MODE[9：8]＝2¶b01 时，
12/20
v1.1
BL6526B
单相多功能电能计量芯片
过零超时寄存器 ZXTOUT 可以由用户写入或读出，初始值为 FFFFH。该寄存器的分辨
率为 70.5us/ LSB，这样一个中断的最大延迟时间就被限制为 4.369s。
下图显示了当线电压一直为一个固定直流信号时，检测过零超时的机制：
5.8.4 线电压跌落检测
BL6526B 可以通过编程的方式来指示，当线电压有效值低于某一峰值的时间超过一定
的半周期数时，给出线电压跌落指示。
如上图所示，当电压有效值小于跌落电压阈值寄存器（SAGLVL）中设定的阈值并且跌
落时间超过跌落线周期寄存器（SAGCYC）中的设定时间（图示为超过第 6 个半周期后，
SAGCYC[7:0]＝06H）
，线电压跌落事件通过设置中断状态寄存器中的 SAG 标志位来记录下
来。如果中断屏蔽寄存器（MASK）中相应的 SAG 使能位置为逻辑 1，则/IRQ 逻辑输出变
为有效低电平。
跌落电压阈值寄存器（SAGLVL）可以由用户写入或读出，初始值为 FFFH。跌落线周
期寄存器（SAGCYC）也可以由用户写入或读出，初始值为 FFH。该寄存器的分辨率为 10ms/
LSB，这样一个中断的最大延迟时间就被限制为 2.55s。
5.8.5 峰值检测
BL6526B 可以记录电流通道和电压通道的最大绝对值，分别存储在电流 A 瞬态峰值寄
存器（I_PEAK）和电压瞬态峰值寄存器（V_PEAK）中。这 2 个寄存器都是 24 位无符号数。
5.8.6 电流电压过载监控
BL6526B 可以通过编程方式来设定电流和电压有效值的门限值，由峰值门限寄存器
（I_PKLVL、V_PKLVL）设定。
当电流有效值大于电流峰值门限寄存器（I_PKLVL）设定的阈值时，给出电流过载指示
PKI，如果中断屏蔽寄存器（MASK）中相应的 PKI 使能位置为逻辑 1，则/IRQ 逻辑输出变
为有效低电平。
同样，当电压有效值大于电压峰值门限寄存器（V_PKLVL）设定的阈值时，给出电压
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v1.1
BL6526B
单相多功能电能计量芯片
07H
V_RMS
R
W
24
0
电压 V 有效值寄存器，刷新率 10Hz
08H
PF
R
W
24
0
功率因子寄存器，刷新率 10Hz
09H
FREQ
R
W
24
0
线电压频率/周期寄存器
0AH
WATT
R
W
24
0
平均有功功率寄存器，补码，刷新率
10Hz
0BH
VA
R
W
24
0
平均视在功率寄存器，刷新率 10Hz
0CH
WATTHR
R
W
24
0
有功能量寄存器
0DH
VAHR
R
W
24
0
视在能量寄存器
0EH
PWAHR
R
W
24
0
正功能量寄存器
0FH
NWAHR
R
W
24
0
负功能量寄存器
10H
I_PEAK
R
W
24
0
电流瞬态峰值寄存器，刷新率 50Hz
11H
Reversed
R
W
24
0
保留
12H
V_PEAK
R
W
24
0
电压 V 瞬态峰值寄存器，刷新率 50Hz
13H
Reversed
R
W
24
0
保留
校表寄存器（外部写，除 3AH）
14H
MODE
R/W
R
12
000H
工作模式寄存器，详见“工作模式选
择”说明
15H
GAIN
R/W
R
12
000H
增益寄存器，详见“前端增益调整”
说明
16H
Reversed
R/W
R
12
044H
保留
17H
WA_CREEP
R/W
R/W
24
FFF02
BH
低 12 位为，防潜动功率阈值寄存器
（内部倍 2^4，该值等于 20ppm，最大
FFF 等于 0.2％）
；
高 12 位为，防潜动时间阈值寄存器，
为无符号数；
18H
WA_REVP
R/W
R
12
087H
反向指示阈值寄存器（内部倍 2^8，该
值等于 0.1％，最大 FFF00 等于 3％）
19H
WA_CFDIV
R/W
R
12
001H
有功 CF 缩放比例寄存器
1AH
WATTOS
R/W
R
12
0
有功功率偏置校准寄存器，补码
1BH
Reversed
R/W
R
12
0
保留
1CH
WATTGN
R/W
R
12
0
有功功率增益调整寄存器，补码
1DH
Reversed
R/W
R
12
0
保留
1EH
I_PHCAL
R/W
R
8
0
电流通道相位校正寄存器（[7]为使能
位，1.1us/1LSB，最大 FF 可调 2.54）
1FH
Reversed
R/W
R
8
0
保留
20H
V_PHCAL
R/W
R
8
0
电压 V 通道相位校正寄存器（同上）
21H
VAOS
R/W
R
12
0
视在功率偏置校准寄存器，补码
22H
VAGN
R/W
R
12
0
视在功率增益调整寄存器，补码
23H
I_RMSGN
R/W
R
12
0
电流有效值增益调整寄存器，补码，
24H
Reversed
R/W
R
12
0
保留
25H
V_RMSGN
R/W
R
12
0
电压 V 有效值增益调整寄存器，补码，
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