2sc4445 ds jp

2SC4445
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (高耐圧・高速スイッチングトランジスタ)
V
IEBO
7
V
V(BR)CEO
A
hFE
VEBO
3(パルス6)
IC
単位
VCB＝800V
100max
μA
VEB＝7V
100max
μA
IC＝10mA
800min
V
VCE＝4V, IC＝0.7A
10∼30
IB
1.5
A
VCE(sat)
IC＝0.7A, IB＝0.14A
0.5max
PC
60(Tc＝25℃)
W
VBE(sat)
IC＝0.7A, IB＝0.14A
1.2max
V
Tj
150
℃
fT
VCE＝12V, IE＝−0.3A
15typ
MHz
℃
COB
VCB＝10V, f＝1MHz
50typ
pF
−55∼＋150
Tstg
15.6±0.2
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
250
357
0.7
10
–5
0.1
–0.35
0.7max
4max
0.7max
0.65 +0.2
-0.1
C
3.35
1.5
製品質量 約6.5g
イ．品名
ロ．ロット番号
E
(V CE =4V)
3
I B =700mA
3
0
0.01
4
0.05
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
h FE – I C 温度特性（ 代 表 例 ）
スィッチング時間 t o n• t s t g • t f (µs )
125 ˚C
25 ˚C
– 55 ˚C
10
5
2
0.01
0.05
0.1
0.5
1
3
0.4
）
−55
˚C（
ケー
ース
0.6
ス温
温度
度）
）
温度
ース
（ケ
0.2
0.8
1.0
1.2
θ j-a – t特 性
tf
0.5
t on
0.1
0.1
0.5
1
2
1
0.5
0.3
1
10
逆バイアスASO曲線
5
100
1000
時間 t(ms)
コレクタ電流 I C (A)
5
P c – Ta定 格
60
コレクタ電流 I C (A )
0.05
500
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
1000
5
10
50
付
0.05
板
0.1
熱
0.1
放
放熱板なし
自然空冷
L=3mH
I B 2 = – 1.0A
Duty 1％以下
放熱板なし
自然空冷
大
0.5
40
限
s
0.5
1
無
0µ
µs
10
50
1
106
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
1
10
100
0
3
t s tg
V CC 250V
I C :I B1 :– I B 2 =10:1.5:5
ASO 曲線（単発 パ ル ス ）
50
1
4
10
10
0.5
7
5
コレクタ電流 I C (A)
5
0.1
t on •t stg • t f – I C 特 性（ 代 表 例 ）
(V CE =4V)
50
1
コレクタ電流 I C (A)
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C /W)
2
最大許容損失 P C (W)
1
0
温度 ）
−5 5˚C （ケ ース
度）
25 ˚C（ ケー ス温
ース温度）
12 5˚ C（ ケ
C（ケ
50mA
V B E (sat)
1
2
5˚C
100mA
1
25˚C（ケース温度）
125˚C（ケース温度）
25˚
200m A
−55 ˚C（ケース温度）
12
2
V C E (sat)
2
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ・エミッタ飽和電圧 V C E (sat) (V)
ベース・エミッタ飽和電圧 V B E (sat) (V)
コレクタ電流 I C (A)
4.4
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
(I C /I B =5)
300m A
コレクタ電流 I C (A )
+0.2
-0.1
5.45±0.1
B
V CE (sat),V BE (sat) – I C 温度特性(代表例)
500 mA
直流電流増幅率 h FE
1.5
IC
(A)
0.8
2.15
1.05
RL
(Ω)
0
1.75
5.45±0.1
VCC
(V)
3
3.45 ±0.2
ø3.3±0.2
イ
ロ
V
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
I C – V CE 特性（代表 例 ）
5.5±0.2
3.0
800
試 験 条 件
0.8±0.2
VCEO
記 号
5.5
ICBO
1.6
V
3.3
900
23.0±0.3
単 位
VCBO
記 号
外形図 FM100(TO3PF)
(Ta＝25℃)
規格値
9.5±0.2
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
16.2
■絶対最大定格
用途： スイッチングレギュレータ、一般用
20
放熱板なし
100
500
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
1000
3.5
0
0
50
100
周囲温度 Ta( ˚C)
150