2SC5101 シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (2SA1909とコンプリメンタリ) PC A VCE(sat) 80(Tc=25℃) W fT 150 ℃ COB Tj −55∼+150 Tstg ℃ 140min V 50min※ IC=5A, IB=0.5A 0.5max V VCE=12V, IE=−0.5A 20typ MHz VCB=10V, f=1MHz 250typ pF ※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180) RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (A) IB2 (A) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) 60 12 5 10 –5 0.5 –0.5 0.24typ 4.32typ 0.40typ V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 ) 50 mA 4 20mA 2 8 2 1 6 温度 ) 温度 ) 75 m A 6 4 2 12 I C =10A 10mA 5A 0 0 1 2 3 0 4 0 0.5 1.0 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 1.5 (V C E =4V) 50 0.1 0.5 1 5 過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W) 直流電流増幅率 h F E Typ 125 ˚C 25 ˚C 100 – 30 ˚C 50 20 0.02 10 0.1 コレクタ電流 I C (A) 0.5 1 5 10 1 0.5 0.1 1 10 100 1000 2000 時間 t(ms) コレクタ電流 I C (A) f T – I E 特性(代 表 例 ) 2 3 300 100 1 θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 ) 200 20 0.02 0 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) (V CE =4V) 直流電流増幅率 h FE 0 2.0 ベース電流 I B (A) h FE – I C 特性(代 表 例 ) E (V CE =4V) ース A 3.35 製品質量 約6.5g イ.品名 ロ.ロット番号 10 コレクタ電流 I C (A) コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) 100m 1.5 I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 ) 3 mA C (ケ 150 4.4 5˚C A m 00 =4 mA 0.65 +0.2 -0.1 5.45±0.1 B IB 8 コレクタ電流 I C (A) 30 0 20 0.8 2.15 1.5 VCC (V) A 0m 1.75 1.05 +0.2 -0.1 ■代表的スイッチング特性(エミッタ接地) 10 ø3.3±0.2 イ ロ 5.45±0.1 I C – V CE 特性(代 表 例 ) 3.45 ±0.2 3.0 4 IB IC=50mA VCE=4V, IC=3A 0.8±0.2 hFE μA 5.5 V(BR)CEO A 10max 5.5±0.2 1.6 V IC VEB=6V 15.6±0.2 3.3 6 10 VEBO μA 度) IEBO 10max ース温 V 単位 VCB=200V ˚C ( ケ 140 試 験 条 件 −30 VCEO 記 号 ース ICBO C(ケ V 25˚ 200 23.0±0.3 単 位 VCBO 記 号 外形図 FM100(T03PF) (Ta=25℃) 規格値 9.5±0.2 ■電気的特性 (Ta=25℃) 規 格 値 16.2 ■絶対最大定格 用途:オーディオ、一般用 AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス ) P c – Ta定 格 (V CE =12V) 80 30 40 10 5 10 最大許容損失 P C (W) コレクタ電流 I C (A) 遮断周波数 f T (MH Z ) 40 付 0.1 3 板 –10 熱 –1 放 –0.1 大 0.5 20 放熱板なし 自然空冷 エミッタ電流 I E (A) 128 60 1 10 0 –0.02 C 限 D 無 20 5 ms s 0m 10 Typ 10 30 50 100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 200 3.5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta( ˚C) 125 150