XC9519 シリーズ JTR0710-009 2ch 昇圧・極性反転 DC/DC コンバータ ■概要 XC9519シリーズは、高クロック2ch昇圧・極性反転DC/DCコンバータICです。2個のDC/DCコンバータは一方が昇圧DC/DCコンバータ、他方が極性 反転DC/DCコンバータとして機能します。昇圧DC/DCコンバータは1.0Vの内蔵の基準電圧源をFBP電圧(精度±1.5%)と比較し、外付け部品で18Vま で任意に設定可能です。極性反転DC/DCコンバータはリファレンス電圧とFBN電圧の差分(精度±1.5%)をGNDと比較し、外付け部品で-15Vまで任意 に設定可能です。 スイッチング周波数が 1.2MHz と高く、外付け部品を小さくすることが可能です。動作モードは MODE 端子によって、PWM 制御と PWM/PFM 自動 切換制御の選択が出来ます。PWM/PFM 自動切換制御は、軽負荷時に PWM 制御から PFM 制御へ動作を移行することで、軽負荷から大出力電流ま での全負荷領域で高効率を実現します。PWM 制御はスイッチング周波数が固定されるため、容易にノイズを減衰させることが可能です。これによりア プリケーションに最適な動作モードの選択が出来ます。ソフトスタート機能と電流制限機能は内部で最適化されています。スタンバイ時には全回路を停 止することにより消費電流を 1.0μA 以下に抑えます。負荷切断制御回路を内蔵しており、P-ch MOS FET を外付けすることによってスタンバイ時に容 易に負荷を切断することが可能です。GAINP 端子、GAINN 端子によって、最適な負荷過渡応答のために外部補償を行うことが可能です。UVLO (Under Voltage Lock Out)機能を内蔵しており入力電圧 2.2V 以下では内部ドライバトランジスタを強制的にオフさせます。 ■用途 ■特長 ●AMOLED -スマートフォン -タブレット -カーナビ ●CCD -監視カメラ ●e-paper -e-Book 入力電圧 出力電流 : : 2.7V ~ 5.5V 500mA @VIN=3.7V, VOUTP=5.0V, VOUTN=-5.0V 正出力電圧外部設定 : 4.0V 負出力電圧外部設定 発振周波数 ソフトスタート回路内蔵 : : : 保護回路 : 付加機能 : 動作周囲温度 パッケージ 環境への配慮 : : : -15.0V ~ -4.0V(精度 ±1.5% @25 C) 1.2MHz 昇圧 DC/DC コンバータ 2.5ms(TYP.) 極性反転 DC/DC コンバータ 2.2ms(TYP.) 過電流保護 (積分ラッチ) 短絡保護ラッチ UVLO サーマルシャットダウン 過電圧保護 制御端子付き 負荷切断制御端子付き 位相補償端子付き セラミックコンデンサ対応 -40～+85℃ QFN-24 EU RoHS 指令対応、鉛フリー (*1) o ~ 18.0V(精度 ±1.5% @25 C) (*2) o （*1）VOUTPSET≧VIN + 0.2V (VOUTPSET:正出力電圧範囲)を満たすこと。 （*2）VIN - VOUTNSET+VFN ≦ 21.0V (VFN : SBDN の順方向電圧、VOUTNSET:負出力電圧範囲)を満たすこと。 ■代表特性例 ■代表標準回路 VOUTP=5.0V, VOUTN=-5.0V, IOUTP=IOUTN LP SBDP CLP, CLN=4×4.7μF, LP, LN=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0), SBDP, SBDN: CMS03 VOUTP P-ch MOS: EMH1303, RZP=7.5kΩ, CZP=4.7nF, RZN=130kΩ, CZN=0.47nF CFBP SWP LXP BSW VOUTP FBP PVIN VIN CIN_SW CIN_P CIN_A CLP VENP="H",VENN="H" 80 VREF RFBN2 AVIN ENP RSP CL_VR RFBP2 FBN XC9519 ENN MODE AGND VOUTN PGND LXN GAINP GAINN RZP RZN CZP CZN RFBN1 VOUTN SBDN CLN Efficiency:EFFI(%) P-ch MOS 100 RFBP1 VIN= 4.4V 60 3.6V 2.7V 40 20 PWM/PFM (VMODE="H") PWM (VMODE="L") LN 0 0.1 1 10 100 1000 Output Current:IOUT P, IOUT N (mA) 1/38 XC9519 シリーズ ■ブロック図 Internal ON/OFF Controller 上記図のダイオードは静電保護素子、寄生ダイオードになります。 ■製品分類 ●品番ルール XC9519①②③④⑤⑥-⑦ 記号 項目 シンボル ① UVLO 検出電圧 A UVLO 検出電圧 2.2 V UVLO ヒステリシス幅 0.2 V ②③ 発振周波数 12 発振周波数 1.2 MHz 最大電流制限 A 最大電流検出電流 2.0A パッケージ (発注単位) ZR-G QFN-24 (1000/Reel) (*2) ④ ⑤⑥-⑦ (*1) (*1) “-G”は、ハロゲン＆アンチモンフリーかつ RoHS 対応製品です。 (*2) リールは防湿梱包状態で出荷されます。 2/38 説明 XC9519 シリーズ ■端子配列 *1 *1 裏面放熱板電位, AGND, PGND（21,22 番端子）は必ずショートして、ご使用下さい。 ■端子説明 端子番号 QFN-24 1, 2 端子名 PVIN 機能 電源入力端子 1 3 NC 未接続端子 4, 5 LXN 極性反転 DC/DC コンバータスイッチング端子 6 VOUTN 極性反転 DC/DC コンバータ出力電圧監視端子 7 8 MODE 制御モード選択端子 VREF リファレンス出力電圧端子 9 AVIN 電源入力端子 2 10 FBN 極性反転 DC/DC コンバータ帰還電圧端子 11 GAINN 極性反転 DC/DC コンバータ位相調整端子 12 AGND アナロググランド端子 13 GAINP 昇圧 DC/DC コンバータ位相調整端子 14 FBP 昇圧 DC/DC コンバータ帰還電圧端子 15 ENP 昇圧 DC/DC コンバータイネーブル端子 16 BSW 外付け P-ch MOS FET ゲート制御端子 17 VOUTP 18, 19 LXP 昇圧 DC/DC コンバータスイッチング端子 未接続端子 昇圧 DC/DC コンバータ出力電圧監視端子 20 NC 21, 22 PGND 23 ENN 極性反転 DC/DC コンバータイネーブル端子 24 SWP 外付け P-ch MOS FET ドレイン電圧監視端子 パワーグランド端子 3/38 XC9519 シリーズ ■機能表 1. ENP 端子機能 ENP 端子 H L 動作状態 昇圧 DC/DC コンバータ 起動 昇圧 DC/DC コンバータ スタンバイ * ENP 端子をオープンで使用しないで下さい。 VIN ENP 0V VIN BSW 0V 2.5ms（TYP.） VOUTP VIN 0V 2. ENN 端子機能 ENN 端子 H L 動作状態 極性反転 DC/DC コンバータ 起動 極性反転 DC/DC コンバータ スタンバイ * ENN 端子をオープンで使用しないで下さい。 VIN ENN 0V 2.2ms(TYP.) 0V VOUTN 3. MODE 端子機能 MODE 端子 H L 動作状態 PWM/PFM 自動切換制御 PWM 制御 * MODE 端子をオープンで使用しないで下さい。 4/38 XC9519 シリーズ ■絶対最大定格 Ta=25℃ 項目 記号 定格 単位 PVIN 端子電圧 AVIN 端子電圧 ENP 端子電圧 ENN 端子電圧 MODE 端子電圧 LXP 端子電圧 LXN 端子電圧 FBP 端子電圧 FBN 端子電圧 VOUTP 端子電圧 VOUTN 端子電圧 BSW 端子電圧 SWP 端子電圧 VREF 端子電圧 GAINP 端子電圧 GAINN 端子電圧 LXP 端子電流 LXN 端子電流 許容損失 動作周囲温度 保存温度 VPVIN VAVIN VENP VENN VMODE VLXP VLXN VFBP VFBN VOUTP VOUTN VBSW VSWP VREF VGAINP VGAINN ILXP ILXN Pd Topr Tstg -0.3 ~ +6.0 -0.3 ~ +6.0 -0.3 ~ +6.0 -0.3 ~ +6.0 -0.3 ~ +6.0 -0.3 ~ +22.0 VPVIN -22.0 ~ VPVIN +0.3 -0.3 ~ +6.0 -0.3 ~ +6.0 -0.3 ~ +22.0 VAVIN -22.0 ~ VAVIN +0.3 -0.3 ~ +6.0 -0.3 ~ +6.0 -0.3 ~ +6.0 -0.3 ~ +6.0 -0.3 ~ +6.0 4000 4000 1500 (基板実装時) * -40 ~ +85 -55 ~ +125 V V V V V V V V V V V V V V V V mA mA mW o C o C 各電圧定格は AGND, PGND を基準とする。 * 基板実装時の許容損失の参考データ。 実装条件については Web を参照下さい。 5/38 XC9519 シリーズ ■電気的特性 XC9519 シリーズ 共通 電気的特性 記号 入力電圧 VIN 測定条件 (*1) UVLO 検出電圧 VUVLO VENP =1.5V , VENN = VFBP = 0V, VFBN = 0.1V VIN を 2.4V から減少させ、LXP が発振停止する電圧 UVLO 解除電圧 VUVLOR VENP =1.5V , VENN = VFBP = 0V, VFBN = 0.1V VIN を VUVLO から上昇させ、LXP が発振開始する電圧 UVLO ヒステリシス幅 VUVLOH VUVLOH = VUVLOR - VUVLO fOSC=1.2MHz Ta=25℃ 単位 回路図 規格値 MIN. TYP. MAX. 2.7 - 5.5 V - 2.0 2.2 2.4 V ⑨ 2.2 2.4 2.6 V ⑨ - 0.2 - V - 50 170 450 μA ① 消費電流 1 IDD1 VIN =VENP = VENN = VMODE = 5.5V VFBP =5.5V, VFBN = -0.1V, VOUTP = VSWP = 5.5V 消費電流 2 IDD2 VIN = VENN = VMODE = 5.5V, VENP = 0V VFBN = -0.1V 30 90 250 μA ① 消費電流 3 IDD3 VIN =VENP = VMODE = 5.5V, VENN =0V VFBP = 5.5V, VOUTP = VSWP = 5.5V 30 110 250 μA ① スタンバイ電流 ISTB VIN =5.5V, VENP =VENN = VMODE = 0V - 0 1.0 μA ① 1.4 - 5.5 V ⑦ AGND - 0.3 V ⑦ -0.1 -0.1 - 0.1 0.1 μA μA ⑦ ⑦ 1.4 - 5.5 V ⑦ AGND - 0.3 V ⑦ -0.1 -0.1 - 0.1 0.1 μA μA ⑦ ⑦ 1.4 - 5.5 V ⑦ AGND - 0.3 V ⑦ -0.1 -0.1 -0.1 -0.1 -0.1 -0.1 -0.1 -0.1 - 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 μA μA μA μA μA μA μA μA ⑦ ⑦ ⑦ ⑦ ⑦ ⑦ ⑦ ⑦ 1.0 2.0 3.0 ms ⑤ TTSD - 150 - o - TTSDR - 130 - o - - 20 - o - ENP ”H” 電圧 VENPH VIN = 5.5V, VENN = VMODE = 0V, VFBP = 0V VENP を 0.3V から上昇させ、LXP が発振開始する電圧 ENP ”L” 電圧 VENPL VIN = 5.5V, VENN = VMODE = 0V, VFBP = 0V VENP を 1.4V から減少させ、LXP が発振停止する電圧 ENP ”H” 電流 ENP ”L” 電流 IENPH IENPL ENN ”H” 電圧 VENNH ENN ”L” 電圧 VENNL ENN ”H” 電流 ENN ”L” 電流 IENNH IENNL MODE ”H” 電圧 VMODEH MODE ”L” 電圧 VMODEL MODE ”H” 電流 MODE ”L” 電流 FBP ”H” 電流 FBP ”L” 電流 FBN ”H” 電流 FBN ”L” 電流 SWP ”H” 電流 SWP ”L” 電流 IMODEH IMODEL IFBPH IFBPL IFBNH IFBNL ISWPH ISWPL 積分ラッチ時間 tLAT サーマルシャットダウン 温度 サーマルシャットダウン 解除温度 サーマルシャットダウン ヒステリシス幅 THYS VIN = VENP = 5.5V VIN = VENP = 0V VIN = 5.5V, VENP = VMODE = 0V, VFBN = 5.5V VENN を 0.3V から上昇させ、LXN が発振開始する電圧 VIN = 5.5V, VENP = VMODE = 0V, VFBN = 5.5V VENN を 1.4V から減少させ、LXN が発振停止する電圧 VIN = VENN = 5.5V VIN = VENN = 0V VIN = VENP = 5.5V, VENN = 0V, VMODE を 0.3V から上昇させ、消費電流が減少する電圧 VIN = VENP = 5.5V, VENN = 0V, VMODE を 1.4V から減少させ、消費電流が増加する電圧 VIN = VMODE = 5.5V VIN = VMODE = 0V VIN =5.5V, VENP =VENN =VMODE =0V, VFBP =5.5V VIN =5.5V, VENP =VENN =VMODE =0V, VFBP =0V VIN =5.5V, VENP =VENN =VMODE =0V, VFBN =5.5V VIN =5.5V, VENP =VENN =VMODE =0V, VFBN =0V VIN =5.5V, VENP =VENN =VMODE =0V, VSWP =5.5V VIN =5.5V, VENP =VENN =VMODE =0V, VSWP =0V VIN =VENP =VENN = 5.5V, VMODE =0V VFBP =0.9V, VFBN = 0.1V 最大電流制限状態から動作停止までの時間 THYS =TTSDR - TTSD (*1) 回路図内および測定条件において、印加電圧の指定なき端子はオープン にて測定。 6/38 C C C XC9519 シリーズ ■電気的特性 XC9519 シリーズ 昇圧 DC/DC コンバータ Ta=25℃ 測定条件 (*1) 電気的特性 記号 出力電圧設定範囲 VOUTPSET FBP 電圧 VFBP VIN = VENP = 3.6V, VENN = VMODE = 0V VOUTP = VSWP = 3.6V VFBP を減少させ、LXP が発振開始する電圧 0.985 発振周波数 fOSCP VIN = VENP = 3.6V, VENN = VMODE = 0V VOUTP = VSWP = 3.6V, VFBP =0V PFM スイッチ電流 IPFMP 最大デューティ比 DMAXP LXP SW “H” オン抵抗 RLXPH VIN = VENP = 3.6V, VENN = VMODE = 0V, ILXP = 100mA LXP SW “H” リーク電流 ILEAKH VIN =5.5V, VENP=0V, VLXP=5.5V VIN =VENP = 5.5V, VENN = VMODE =0V VFBP = 0.9V, VOUTP = VSWP = 5.5V 最大電流制限 (*3) FBP 電圧温度特性 ILIMP VFBP / (VFBP・ Topr) ソフトスタート時間 tSSP 短絡保護閾値電圧 VSHORTP 過電圧保護検出電圧 VOVPP BSW 端子電流 IBSW CL 放電抵抗 RDCHGP 規格値 TYP. MAX. - 単位 回路図 18.0 V - 1.000 1.015 V ③ 1020 1200 1380 kHz ③ VIN =VENP = VMODE = 3.6V, VENN =0V 180 350 550 mA ⑧ VIN = VENP = 3.6V, VENN = VMODE = 0V VOUTP = VSWP = 3.6V, VFBP =0V 84 90 97 % ③ - 0.12 0.28 Ω ④ - 0.01 1.0 μA ⑥ 2000 - 4000 mA ⑤ - ±100 - ppm / C - 2.5 5.2 ms ③ 0.5 0.7 V ⑤ VFBP +0.07 VFBP +0.10 V ③ 1.2 3.0 mA ⑦ 200 500 Ω ② MIN. 4.0 o o -40 C≦Topr≦85 C (*2) VIN = 3.6V, VENN = VMODE = 0V 0.8 VOUTP = VSWP = 3.6V, VFBP = 0.95V VENP を 0V→3.6V にさせ、LXP が発振開始までの時間 VIN =VENP = 5.5V, VENN = VMODE =0V VOUTP = VSWP = 5.5V 0.3 VFBP を減少させ、積分ラッチ時間が 200μs 以下になる電圧 VIN = VENP = 3.6V, VENN = VMODE = 0V VFBP VOUTP = VSWP = 3.6V, VGAINP = 3.6V +0.03 VFBP を上昇させ、LXP が発振停止する電圧 VIN = VENP = 3.6V, VENN = VMODE = 0V 0.2 VOUTP = VSWP = 3.6V, VBSW =3.6V VIN = 6.0V, VENP =VENN = VMODE = 0V 50 VOUTP = 4.0V o (*1) 回路図内および測定条件において、印加電圧の指定なき端子はオープンにて測定。 (*2) 入力電圧および正出力電圧設定範囲が、次式を満たすよう設定してください。 VOUTPSET≧VIN + 0.2V (*3) 最大電流制限はコイルに流れる電流のピークを示す。 7/38 XC9519 シリーズ ■電気的特性 XC9519 シリーズ 極性反転 DC/DC コンバータ 電気的特性 記号 出力電圧設定範囲 VOUTNSET FBN 電圧 VFBN リファレンス電圧 VREF 出力電圧精度 VOUTNA 発振周波数 Ta=25℃ 測定条件 規格値 (*1) MIN. 回路図 -4.0 V - 26 mV ③ MAX. - -26 0 -15.0 VIN = VENN = 3.6V, VENP = VMODE = 0V VFBN を上昇させ、LXN が発振開始する電圧 単位 TYP. (*2) VIN = VENN = 3.6V, VENP = VMODE = 0V, VFBN= 0.1V 0.970 1.000 1.030 V ① VOUTNA =VREF -VFBN 0.985 1.000 1.015 V - fOSCN VIN = VENN = 3.6V, VENP = VMODE = 0V, VFBN= 0.1V 1020 1200 1380 kHz ③ PFM スイッチ電流 IPFMN VIN = VENN = VMODE = 3.6V, VENP = 0V 220 350 550 mA ⑧ 最大デューティ比 DMAXN VIN = VENN = 3.6V, VENP = VMODE = 0V, VFBN= 0.1V 84 90 97 % ③ LXN SW “L” オン抵抗 RLXNL VIN = VENN = 3.6V, VENP = VMODE = 0V, ILXN = 100mA - 0.22 0.48 Ω ④ LXN SW “L” リーク電流 ILEAKL VIN =5.5V, VENN=0V, VLXN=0V - 0.01 1.0 μA ⑥ ILIMN VIN = VENN = 5.5V, VENP = VMODE = 0V VFBN = 0.1V 2000 - 4000 mA ⑤ - ±100 - ppm / C - 0.8 2.2 4.0 ms ③ 0.3 0.5 0.7 V ⑤ VFBN -0.10 VFBN -0.07 VFBN -0.03 V ③ 50 200 500 Ω ② 最大電流制限 (*3) V / リファレンス電圧温度特性 (V ・REFTopr) REF ソフトスタート時間 tSSN 短絡保護閾値電圧 VSHORTN 過電圧保護検出電圧 VOVPN CL 放電抵抗 RDCHGN o o -40 C≦Topr≦85 C VIN = 3.6V, VENP = VMODE = 0V, VFBN = 0.05V VENP を 0V→3.6V にさせ、LXN が発振開始までの時間 VIN = VENN = 5.5V, VENP = VMODE = 0V VFBN を上昇させ、積分ラッチ時間が 200μs 以下にな る電圧 VIN = VENN = 3.6V, VENP = VMODE = 0V, VGAINN = 3.6V VFBN を減少させ、LXN が発振停止する電圧 VIN = 6.0V, VENP =VENN = VMODE = 0V VOUTN = -4.0V (*1) 回路図内および測定条件において、印加電圧の指定なき端子はオープンにて測定。 (*2) 入力電圧および負出力電圧設定範囲が、次式を満たすよう設定してください。 VIN - VOUTNSET+ VFN≦21.0V (VFN : SBDN の順方向電圧)を満たすこと。 (*3) 最大電流制限はコイルに流れる電流のピークを示す。 8/38 o XC9519 シリーズ ■動作説明 XC9519シリーズは、基準電圧源、ランプ波回路、エラーアンプ、PWMコンパレータ、位相補償回路、ドライバトランジスタ、電流制限回路、短絡保護回 路、UVLO回路、サーマルシャットダウン回路、過電圧保護回路、負荷切断制御回路等で構成されています。(下記ブロック図参照) 内部基準電圧とFBP(FBN)端子電圧をエラーアンプで比較し、PWM動作時のスイッチングのオンタイムを決定するためにPWMコンパレータに信号を 入力します。PWMコンパレータでは、エラーアンプから来た信号とランプ回路から来たランプ波を電圧レベルとして比較し、出力をバッファードライブ回路 に送り、LXP(LXN) 端子よりスイッチングのDUTY幅として出力します。この動作を連続的に行い出力電圧を安定させています。 また、カレントフィードバック回路により、スイッチング毎にドライバトランジスタの電流がモニタリングされており、エラーアンプの出力信号に多重帰還信 号として変調をかけています。これにより、セラミックコンデンサなどの低ESRコンデンサを使用しても安定した帰還系が得られ、出力電圧の安定化が図ら れています。 Internal ON/OFF Controller 上記図のダイオードは静電保護素子、寄生ダイオードになります。 9/38 XC9519 シリーズ ■動作説明 <基準電圧源> 本ICの出力電圧を安定にするため基準になるリファレンス電圧です。 <昇圧DC/DCコンバータ用エラーアンプ> 昇圧 DC/DC コンバータ用エラーアンプは出力電圧監視用のアンプで、FBP 端子電圧が基準電圧と比較されます。FBP 端子電圧に基準電圧より低い 電圧がフィードバックされると、エラーアンプは出力電圧が高くなるように動作します。またエラーアンプの周波数特性を、外部補償することが可能です。 <極性反転DC/DCコンバータ用エラーアンプ> 極性反転 DC/DC コンバータ用エラーアンプは出力電圧監視用のアンプで、FBN 端子電圧が GND と比較されます。FBN 端子電圧に GND より高い 電圧がフィードバックされると、エラーアンプは出力電圧が高くなるように動作します。またエラーアンプの周波数特性を、外部補償することが可能です。 <ランプ波回路> スイッチング周波数はこの回路により決定されています。周波数は1.2MHzとなります。ここで生成されたクロックでPWM動作に必要なランプ波が作ら れており、また各内部回路が同期しています。 <UVLO> AVIN端子電圧が2.2V以下になると内部回路の動作不安定による誤パルス出力防止のため、ドライバトランジスタを強制的にオフした状態にします。 AVIN端子電圧が2.4V以上になるとスイッチング動作を行います。UVLO機能が解除されることでソフトスタート機能が働き出力立上げ動作が開始されま す。瞬時的にAVIN端子電圧がUVLO検出電圧より降下した場合もソフトスタートは動作します。UVLOでの停止は、シャットダウンではなくパルス出力を 停止している状態なので内部回路は動作しています。 <サーマルシャットダウン> o 熱破壊からICを保護するためチップ温度の監視を行っています。チップ温度が150 Cに達するとサーマルシャットダウンが働き、ドライバトランジスタを o オフ状態とします。電流供給を止めることによりチップ温度が130 Cまで下がると再度ソフトスタートを使い出力を立ち上げ直します。 <PFMスイッチ電流> PFM動作時は、コイルに流れる電流がある一定電流(IPFMP, IPFMN)に達するまでドライバトランジスタをオンします。このときのドライバトランジスタのオン 時間(tON)は次式によって決定されます。 tON = L × IPFMP (IPFMN) / VIN <PFMデューティ制限> PFM 時の最大 DUTY 比(DTYLIMIT_PFM)を TYP=50%程度と定めています。よって昇圧比が大きい場合などの DUTY が広がる条件では IPFMP (IPFMN) に達しなくともドライバトランジスタをオフすることがあります。 10/38 XC9519 シリーズ ■動作説明 <CL 高速ディスチャージ機能> VOUTP端子-AGND 端子間(VOUTN端子-AVIN端子間)の内部スイッチによりENP(ENN)端子 Lレベル信号入力時、出力コンデンサ(CL)の電荷を高 速ディスチャージすることが可能です。 この機能により、CLに残った電荷によるアプリケーションの誤動作を防ぐことが可能です。 放電時間は、CL放電抵抗(RDCHC)とCLによって決定されます。CLとRDCHGの時定数をτ(τ＝CL×RDCHG）とすると、以下CR放電式より出力電圧の放電時 間式を求めることが可能です。 ｔ=τln（VOUTSET / V） V：放電中の出力電圧 , VOUTSET：設定電圧 , t：放電時間, τ：CL×RDCHG 【計算例】 設定電圧(VOUTPSET)=5.0V , CLP=18.8μF , CL 放電抵抗(RDCHGP)=200Ω(TYP.)の昇圧 DC/DC コンバータにおいて、CL 高速ディスチャージ開始から 出力電圧 1.0V へ低下するまでの放電時間 t は下記のように算出することができます。 -3 ｔ=τln ( VOUTPSET / V )= CLP×RDCHGP ln ( VOUTPSET / V ) = 18.8μF×200Ω×ln ( 5.0V / 1.0V ) = 6.05×10 s = 6.05 ms (*1) (*1) IOUT=0mA として算出 <OSC タイミングチャート> 昇圧 DC/DC コンバータと極性反転 DC/DC コンバータは、1 つの OSC に同期してスイッチング動作を行います。このとき、昇圧 DC/DC コンバータの ドライバオンタイミングは極性反転 DC/DC コンバータのドライバオンタイミングに対して位相が 180 度シフトします。 1.2MHz Internal OSC Inductor Peak Current Boost_ILX 0A Inductor Peak Current Inverting_ILX 0A <過電圧保護> 過電圧保護は出力電圧 VOUTP(VOUTN)を FBP(FBN)端子電圧で監視しており、出力電圧 VOUTP(VOUTN)が設定電圧より上昇しすぎることを防ぎます。 具体的には負荷変動等により出力電圧が上昇することで FBP(FBN)端子電圧が過電圧保護検出電圧に達すると、昇圧 DC/DC コンバータ(極性反転 DC/DC コンバータ)のドライバトランジスタをオフすることで、出力電圧の上昇を抑えることが可能です。過電圧保護検出後、出力電圧が低下すると通常 の DC/DC コンバータの動作に戻ります。 また過電圧保護が検出される出力電圧 VOUT_OVP は、下記の式より求められます。 VOUT_OVPP(VOUT_OVPN) = VOUTPSET (VOUTNSET) × VOVPP(VOVPN) VOUTPSET (VOUTNSET)：設定電圧, VOVPP(VOVPN)：過電圧保護検出電圧 【計算例】 下記条件の昇圧 DC/DC コンバータにおいて、過電圧保護が検出される出力電圧 VOUT_OVPP は下記のように算出することができます。 条件：設定電圧(VOUTPSET)=5.0V, VOVPP=VFBP+0.07V(TYP.) , VFBP=1.0V(TYP.) VOUT_OVPP = VOUTPSET × VOVPP = 5.0V × (1.0 + 0.07(TYP.) ) =5.0V × 1.07 = 5.35V <負荷切断制御回路> 負荷切断制御回路は、昇圧 DC/DC コンバータ スタンバイ時に外付け P-ch MOS FET をオフすることで、VIN-VOUTP 間の導通を切断することが可能です。 11/38 XC9519 シリーズ ■動作説明 <電流制限回路> ドライバトランジスタを流れる電流を監視しており、電流制限と機能停止の複合となっています。 ①一定電流以上ドライバトランジスタに電流が流れると電流制限機能が動作し、LXP（LXN）端子から出力するパルスを任意のタイミングでオフさせま す。 ②ドライバトランジスタがオフすることで電流制限回路はリミット検知状態から解除されます。 ③次のパルスのタイミングでドライバトランジスタはオンしますが、過電流制限状態であれば直ちにドライバトランジスタはオフします。 ④過電流状態でなくなれば通常の動作になります。 ①～③を繰り返しながら過電流状態がなくなるのを待ちます。積分ラッチ時間の間 過電流状態が続き①～③の動作を繰り返すとドライバトランジスタ のオフ状態をラッチし、機能停止となります。 一旦機能停止状態になると、ENP(ENN)端子から一度 IC をオフにして立ち上げるか、電源再投入を行うことで動作を再開します。尚、ラッチ時間は周 囲のノイズによる影響にて電流リミット検知状態から解除されることがあり基板の状態によってはラッチ時間が長くなる場合やラッチ動作に至らない場合 があります。入力容量はできる限り近くに配置するようにして下さい。 (a).昇圧 DC/DC コンバータ Limit < 2.0ms(TYP.) Limit > 2.0ms(TYP.) Current Limit Level IOUTP 0mA VOUTP AGND,PGND VLXP ENP Restart AGND,PGND (b).極性反転 DC/DC コンバータ Limit < 2.0ms(TYP.) Limit > 2.0ms(TYP.) Current Limit Level IOUTN 0mA AGND,PGND VOUTN VLXN ENN Restart AGND,PGND ＜短絡保護回路＞ 短絡保護は出力電圧 VOUTP(VOUTN)を FBP(FBN)端子電圧で監視しており、誤って出力を GND とショートしてしまった場合、FBP 端子電圧が短絡保護 閾値電圧以下（FBN 端子電圧が短絡保護閾値電圧以上）となり、かつ電流制限検出状態になった場合、短絡保護が働き瞬時にドライバトランジスタをオフ させラッチをかけます。 一旦ラッチ状態になると、ENP(ENN)端子から IC を一度オフにしてから立ち上げ直すか、電源再投入を行うことで動作を再開いたします。 12/38 XC9519 シリーズ ■部品選定方法 <昇圧DC/DCコンバータ 出力電圧設定> 外部に分割抵抗 RFBP1,RFBP2 を接続することにより昇圧 DC/DC コンバータ 出力電圧 VOUTP が設定できます。 出力電圧 VOUTP は、RFBP1 と RFBP2 の値によって下記の式で決まります。 また (RFBP1＋RFBP2) ＜ 500kΩ になるよう RFBP1 と RFBP2 を調整してください。 VOUTP = VFBP × (RFBP1 + RFBP2) / RFBP2 ただし、 VOUTP ≧ VIN + 0.2V を満たすように、出力電圧を設定してください。 位相補償用スピードアップコンデンサCFBPの値は、fzfp = 1/(2×π×RFBP1)が40kHz程度となるように調整し、直列にRSPとして数kΩを入れてください。ま た出力電圧設定が大きい場合、位相補償用スピードアップコンデンサを入れることで動作が不安定になる場合があります。 CFBP, RSPの設定例につきましては 次項 ”昇圧DC/DCコンバータ用エラーアンプ 外部補償” にて記載しております。 【代表例】 VOUTP RFBP1 RFBP2 4.0V 5.0V 9.0V 12.0V 15.0V 18.0V 300kΩ 300kΩ 240kΩ 330kΩ 336kΩ 408kΩ 100kΩ 75kΩ 30kΩ 30kΩ 24kΩ 24kΩ <極性反転DC/DCコンバータ 出力電圧設定> 外部に分割抵抗 RFBN1, RFBN2 を接続することで極性反転 DC/DC コンバータ 出力電圧 VOUTN が設定できます。 出力電圧 VOUTN は、RFBN1 と RFBN2 の値によって下記の式で決まります。 また (RFBN1＋RFBN2) ＜ 500kΩ になるよう RFBN1 と RFBN2 を調整してください。 VOUTN = - (VREF - VFBN) × RFBN1 / RFBN2 ただし、 VIN - VOUTN+ VFN ≦ 21.0V (VFN : 外付けダイオード SBDN の順方向電圧) を満たすように、出力電圧を設定してください。 【代表例】 VOUTN RFBN1 RFBN2 -4.0V -5.0V -9.0V -12.0V -15.0V 300kΩ 300kΩ 270kΩ 360kΩ 360kΩ 75kΩ 60kΩ 30kΩ 30kΩ 24kΩ 13/38 XC9519 シリーズ ■部品選定方法 <昇圧DC/DCコンバータ用エラーアンプ 外部補償> 昇圧 DC/DC コンバータ用エラーアンプの周波数特性は、RZP, CZP により外部補償することができます。RZP, CZP の値を調整することにより最適な負荷 過渡応答を得ることが可能です。各入力電圧、出力電圧での調整については、下記の設定値にてご使用下さい。 VIN Li-ion (2.7～4.4V) VIN 3.3V±10% VIN 5V±10% Output Voltage Range 4.6V ≦ VOUTP ≦ 5.0V 3.3μH 5.0V < VOUTP ≦ 9.0V 3.3μH 9.0V < VOUTP ≦ 12.0V 3.3μH 12.0V < VOUTP ≦ 15.0V 3.3μH 15.0V < VOUTP ≦ 18.0V 3.3μH Output Voltage Range LP 4.0V ≦VOUTP ≦ 5.0V 3.3μH 5.0V < VOUTP ≦ 9.0V 3.3μH 9.0V < VOUTP ≦12.0V 3.3μH 12.0V < VOUTP ≦ 15.0V 3.3μH 15.0V < VOUTP ≦ 18.0V 3.3μH VOUTP LP 5.7V ≦ VOUTP ≦ 7.0V 3.3μH 7.0V < VOUTP ≦ 9.0V 3.3μH 9.0V < VOUTP ≦ 12.0V 3.3μH 12.0V < VOUTP ≦ 15.0V 3.3μH 15.0V < VOUTP ≦ 18.0V 3.3μH (*1) RFBP1 = 300kΩ での設定値 (*2) RFBP1 = 360kΩ での設定値 (*3) RFBP1 = 240kΩ での設定値 14/38 LP CLP 2×4.7μF RZP 5.1kΩ CZP 4.7nF CFBP RSP 47pF (*1) 4.7kΩ 47pF (*1) 4.7kΩ 4×4.7μF 8.2kΩ 4.7nF 2×4.7μF 5.1kΩ 4.7nF - - 4×4.7μF 7.5kΩ 4.7nF - - 2×4.7μF 10kΩ 4.7nF - - 4×4.7μF 18kΩ 2.2nF - - 2×4.7μF 16kΩ 2.2nF - - 4×4.7μF 27kΩ 2.2nF - - 2×4.7μF 16kΩ 2.2nF - - 4×4.7μF 24kΩ 4.7nF - - CLP RZP CZP CFBP 2×4.7μF 8.2kΩ 4.7nF RSP 47pF (*2) 4.7kΩ 47pF (*2) 4.7kΩ 4×4.7μF 13kΩ 4.7nF 2×4.7μF 16kΩ 2.2nF - - 4×4.7μF 22kΩ 2.2nF - - 2×4.7μF 18kΩ 2.2nF - - 4×4.7μF 30kΩ 2.2nF - - 2×4.7μF 24kΩ 2.2nF - - 4×4.7μF 36kΩ 2.2nF - - 2×4.7μF 22kΩ 2.2nF - - 4×4.7μF 36kΩ 2.2nF - - CLP RZP CZP CFBP 2×4.7μF 4.7kΩ 4.7nF RSP 68pF (*3) 4.7kΩ 68pF (*3) 4.7kΩ 4×4.7μF 8.2kΩ 4.7nF 2×4.7μF 5.1kΩ 4.7nF - - 4×4.7μF 10kΩ 4.7nF - - 2×4.7μF 8.2kΩ 4.7nF - - 4×4.7μF 16kΩ 2.2nF - - 2×4.7μF 13kΩ 2.2nF - - 4×4.7μF 24kΩ 2.2nF - - 2×4.7μF 12kΩ 2.2nF - - 4×4.7μF 18kΩ 4.7nF - - XC9519 シリーズ ■部品選定方法 <極性反転DC/DCコンバータ用エラーアンプ 外部補償> 極性反転 DC/DC コンバータ用エラーアンプの周波数特性は、RZN, CZN により外部補償することができます。RZN, CZN の値を調整することにより最適な 負荷過渡応答を得ることが可能です。各入力電圧、出力電圧での調整については、下記の設定値にてご使用下さい。 VIN Li-ion (2.7～4.4V) VIN Output Voltage Range LN -4.0V ≧VOUTN ≧ -5.0V 3.3μH -5.0V > VOUTN≧ -9.0V 3.3μH -9.0V > VOUTN ≧ -12.0V 3.3μH -12.0V >VOUTN ≧ -15.0V 3.3μH Output Voltage Range LN -4.0V ≧ VOUTN ≧ -5.0V 3.3μH -5.0V > VOUTN ≧ -9.0V 3.3μH -9.0V > VOUTN ≧ -12.0V 3.3μH -12.0V >VOUTN ≧ -15.0V 3.3μH Output Voltage Range LN -4.0V ≧VOUTN ≧ -5.0V 3.3μH -5.0V > VOUTN ≧ -9.0V 3.3μH -9.0V > VOUTN ≧ -12.0V 3.3μH -12.0V >VOUTN ≧ -15.0V 3.3μH 3.3V±10% VIN 5V±10% CLN RZN CZN 2×4.7μF 51kΩ 1.0nF 4×4.7μF 110kΩ 0.47nF 2×4.7μF 68kΩ 0.47nF 4×4.7μF 130kΩ 0.47nF 2×4.7μF 120kΩ 0.47nF 4×4.7μF 200kΩ 0.47nF 2×4.7μF 110kΩ 1.0nF 4×4.7μF 200kΩ 0.47nF CLN RZN CZN 2×4.7μF 51kΩ 1.0nF 4×4.7μF 110kΩ 0.47nF 2×4.7μF 68kΩ 0.47nF 4×4.7μF 130kΩ 0.47nF 2×4.7μF 120kΩ 0.47nF 4×4.7μF 200kΩ 0.47nF 2×4.7μF 110kΩ 1.0nF 4×4.7μF 200kΩ 0.47nF CLN RZN CZN 2×4.7μF 51kΩ 1.0nF 4×4.7μF 110kΩ 0.47nF 2×4.7μF 68kΩ 0.47nF 4×4.7μF 130kΩ 0.47nF 2×4.7μF 120kΩ 0.47nF 4×4.7μF 200kΩ 0.47nF 2×4.7μF 110kΩ 1.0nF 4×4.7μF 200kΩ 0.47nF 15/38 XC9519 シリーズ ■標準回路例（VIN=3.6V, VOUTP=5.0V, VOUTN=-5.0V 設定） <代表部品例> VIN=3.6V, VOUTP=5.0V, VOUTN=-5.0V 設定 ・ コンデンサ CIN_P CIN_SW CIN_A CLP CLN CL_VR CZP CZN CFBP : 10μF/ 10V (C2012JB1A106M, TDK-EPC) : 4.7μF/ 10V (C2012JB1A475M, TDK-EPC) : 0.1μF/ 10V (C1005JB1A104K, TDK-EPC) : 4×4.7μF/ 10V (C2012JB1A475M, TDK-EPC) : 4×4.7μF/ 10V (C2012JB1A475M, TDK-EPC) : 0.22μF/ 6.3V (C1005JB0J224M, TDK-EPC) : 4.7nF/ 25V (C1005JB1E472K, TDK-EPC) : 0.47nF/ 50V (C1005JB1H471K, TDK-EPC) : 47pF/ 50V (C1005CH1H470J, TDK-EPC) CIN_P,CIN_SW, CIN_A, CL_VR, CLP, CLN には、B 特性(JIS 規格)または X7R、X5R(EIA 規格)を使用し DC バイアスにて静電容量 が減少しにくいセラミックコンデンサをご使用下さい。 ・ コイル、ショットキーダイオード、P-ch MOSFET LP, LN : 3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0, TDK-EPC) (MSS5121-332, Coilcraft) SBDP, SBDN : XBS304S17R-G (TOREX) P-ch MOS CMS03 (TOSHIBA) : EMH1303 (SANYO) 外付け部品の選定につきましては、各部品の仕様書を参考の上、各定格を超えないよう部品選定を行ってください。 ・ 抵抗 RFBP1 RFBP2 RSP 16/38 : 300kΩ : 75kΩ : 4.7kΩ RFBN1 RFBN2 : 300kΩ : 60kΩ RZP RZN : 8.2kΩ : 110kΩ XC9519 シリーズ ■標準回路例（VIN=3.6V, VOUTP=15.0V, VOUTN=-15.0V 設定） <代表部品例> VIN=3.6V, VOUTP=15.0V, VOUTN=-15.0V 設定 ・ コンデンサ CIN_P CIN_SW CIN_A CLP CLN CL_VR CZP CZN CFBP : 10μF/ 10V (C2012JB1A106M, TDK-EPC) : 4.7μF/ 10V (C2012JB1A475M, TDK-EPC) : 0.1μF/ 10V (C1005JB1A104K, TDK-EPC) : 4×4.7μF/ 25V (TMK212BJ475KG, TAIYO YUDEN) : 4×4.7μF/ 25V (TMK212BJ475KG, TAIYO YUDEN) : 0.22μF/ 6.3V (C1005JB0J224M, TDK-EPC) : 2.2nF/ 50V (C1005JB1H222K, TDK-EPC) : 0.47nF/ 50V (C1005JB1H471K, TDK-EPC) : OPEN CIN_P,CIN_SW, CIN_A, CL_VR, CLP, CLN には、B 特性(JIS 規格)または X7R、X5R(EIA 規格)を使用し DC バイアスにて静電容量 が減少しにくいセラミックコンデンサをご使用下さい。 ・ コイル、ショットキーダイオード、P-ch MOSFET LP, LN : 3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0, TDK-EPC) (MSS5121-332, Coilcraft) SBDP, SBDN : XBS304S17R-G (TOREX) P-ch MOS CMS03 (TOSHIBA) : EMH1303 (SANYO) 外付け部品の選定につきましては、各部品の仕様書を参考の上、各定格を超えないよう部品選定を行ってください。 ・ 抵抗 RFBP1 RFBP2 RSP : 336kΩ : 24kΩ : OPEN RFBN1 RFBN2 : 360kΩ : 24kΩ RZP RZN : 27kΩ : 200kΩ 17/38 XC9519 シリーズ ■測定回路図 1) 測定回路図① 2) 測定回路図② 3) 測定回路図③ 4) 測定回路図④ ENP LXP ENN VOUTP MODE SWP 1μF VIN 18/38 PGND FBP VREF BSW FBN PVIN VOUTN AVIN V LXN AGND GAINN PGND GAINP PVIN V XC9519 シリーズ ■測定回路図 5) 測定回路図⑤ Wave Form Measure Point ENP LXP ENN VOUTP FBP MODE SWP 22μF VREF BSW FBN PVIN VOUTN LXN AVIN 1μF V Wave Form Measure Point 10μH VIN AGND GAINN PGND GAINP 0.51Ω 6) 測定回路図⑥ 7) 測定回路図⑦ Wave Form Measure Point 47Ω A ENP LXP A ENN VOUTP A A MODE FBP A A SWP VREF A A BSW FBN A PVIN VOUTN A AVIN LXN 1μF A VIN Wave Form Measure Point 47Ω AGND GAINN A PGND GAINP A 19/38 XC9519 シリーズ ■測定回路図 8) 測定回路図⑧ 9) 測定回路図⑨ 1. 端子間容量について 下記の端子間の容量については、回路図の記載を省略しております。 ・PVIN端子 - PGND端子間 ：1μF ・FBP端子 - AGND端子間 ：1μF ・FBN端子 - AGND端子間 ：1μF ・VREF端子 - AGND端子間 ：1μF 2. オン抵抗のテスト方法について テストモードを使用することにより、100% DUTY状態にてテストを実施しております。 20/38 XC9519 シリーズ ■使用上の注意 1) 一時的、過渡的な電圧降下および電圧上昇等の現象について。 絶対最大定格を超える場合には、劣化または破壊する可能性があります。 2) 本 IC の特性は周辺回路に大きく依存します。 外付け部品の選定につきましては、各部品の仕様書を参考の上、 各定格を超えないよう部品選定を行ってください。 また周辺部品の選択によっては、動作が不安定になる場合があります。 ご使用の際は、実機での動作を十分にご確認の後、使用願います。 3) 入力電圧 VIN が小さく、出力電圧 VOUTP,VOUTN が大きい条件において 最大デューティ制限により入力電流が制限され設定を行った出力電圧が出力 されない場合があります。 4) 昇圧比が高いときに過剰な負荷電流が流れた場合、最大デューティ制限により入力電流が制限され最大電流制限保護および短絡保護がかからな い場合があります。 5) VREF 端子に CL_VR 以外の部品を接続しないで下さい。 CL_VR 以外の部品を接続すると、極性反転 DC/DC コンバータ出力電圧 VOUTN が不安定になる場合があります。 6) 外付け部品については、標準回路例および部品選定方法にて指定の部品を使用下さい。 7) 入力電圧 VIN が大きく、出力電圧 VOUTP,VOUTN が小さい条件で、PWM 制御時に間欠発振する場合があります。 8) 昇圧 DC/DC コンバータにおいて 昇圧比が小さい場合 PFM/PWM 切替制御時(VMODE="H")に、出力電圧 VOUTP が不安定になる場合があります。 <External Components> 昇圧DC/DCコンバータ: PWM/PFM MODE (VIN=4.4V, VOUTP=5.0V, IOUTP=200mA VENP="H", VENN="L", VMODE="H") C LP=4×4.7μF LP=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) SBD P: CMS03 P-ch MOS: EMH1303 R ZP=7.5kΩ, C ZP=4.7nF V OUT P: 50mV/ di v time:20μs/div 9) PFM/PWM 切替制御時(VMODE="H")に、PFM モードと PWM モードの切替付近において出力電圧が不安定になる場合があります。 <External Components> 昇圧DC/DCコンバータ: PWM/PFM MODE (VIN=3.6V, VOUTP=5.0V, IOUTP=120mA VENP="H", VENN="L", VMODE="H") C LP=4×4.7μF LP=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) SBD P: CMS03 P-ch MOS: EMH1303 R ZP=7.5kΩ, C ZP=4.7nF V OUTP: 20mV/ di v time:10μs/div 21/38 XC9519 シリーズ ■使用上の注意 10) PWM 制御時(VMODE="L")に、軽負荷で出力電圧が不安定になる場合があります。 <External Components> 極性反転DCコンバータ: PWM MODE (VIN=5.5V, VOUTN=-15.0V, IOUTN=100mA VENP="L", VENN="H", VMODE="L") C LN=4×4.7μF LN=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) SBD N: CMS03 R ZN=200kΩ, C ZN=0.47nF V OUTN: 20mV/ di v time:50μs/div 11) 当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。 しかしながら、万が一のためにフェールセーフとなる設計およびエージング処理など、装置やシステム上で十分な安全設計をお願いします。 22/38 XC9519 シリーズ ■使用上の注意 ●レイアウトのご注意 1) 外付け部品は IC の近くに置き、配線を太く短くレイアウトして下さい。 2) 入力電圧の変動をできる限り抑えるため、CIN_P、CIN_A は可能な限り IC から近くに配置してください。 3) GND 配線を十分に強化して下さい。スイッチング時の GND 電流による AGND, PGND 電位の変動は IC の動作を不安定にする場合が あります。 4) 下記の回路図および推奨レイアウトパターンを参照に、レイアウトして下さい。 5) 本製品はドライバ内蔵品のため、ドライバトランジスタに流れる電流とオン抵抗により発熱が生じます。 LP SBDP VOUTP P-ch MOS SWP VOUTP RFBP1 LXP BSW CFBP FBP RSP VREF RFBP2 CLP PVIN AVIN RFBN2 ENP VIN CIN_SW CIN_P CIN_A FBN ENN MODE AGND VOUTN PGND LXN GAINP GAINN RZP RZN CZP CZN CL_VR RFBN1 VOUTN SBDN CLN LN ●推奨レイアウトパターン 表面 裏面透視 23/38 XC9519 シリーズ ■特性例 (1) 効率 - 出力電流特性例 昇圧 DC/DC コンバータ (VOUTP=5.0V) 極性反転 DC/DC コンバータ (VOUTN=-5.0V) CLP=4×4.7μF, LP=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) 100 Efficiency:EFFI(%) 3.6V 40 VENP="L",VENN="H" 80 VIN= 4.4V 60 SBDN: CMS03, RZN=130kΩ, CZN=0.47nF 100 VENP="H",VENN="L" 80 Efficiency:EFFI(%) CLN=4×4.7μF, LN=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) SBDP: CMS03, P-ch MOS: EMH1303, RZP=7.5kΩ, CZP=4.7nF 2.7V 20 60 VIN= 4.4V 3.6V 40 2.7V 20 PWM/PFM (VMODE="H") PWM (VMODE="L") PWM/PFM (VMODE="H") PWM (VMODE="L") 0 0 0.1 1 10 100 1000 0.1 1 Output Current:IOUTP (mA) 1000 極性反転 DC/DC コンバータ (VOUTN=-15.0V) CLN=4×4.7μF, LN=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) CLP=4×4.7μF, LP=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) SBDN: CMS03, RZN=200kΩ, CZN=0.47nF SBDP: CMS03, P-ch MOS: EMH1303, RZP=27kΩ, CZP=2.2nF 100 VENP="H",VENN="L" VENP="L",VENN="H" 80 Efficiency:EFFI(%) 80 Efficiency:EFFI(%) 100 Output Current:IOUTN (mA) 昇圧 DC/DC コンバータ (VOUTP=15.0V) 100 10 VIN= 5.5V 60 3.6V 40 20 60 3.6V 40 VIN= 5.5V 20 PWM/PFM (VMODE="H") PWM (VMODE="L") 0 PWM/PFM (VMODE="H") PWM (VMODE="L") 0 0.1 1 10 100 1000 0.1 1 Output Current:IOUTP (mA) 10 100 1000 Output Current:IOUTN (mA) (2) 出力電圧 - 出力電流特性例 昇圧 DC/DC コンバータ (VOUTP=5.0V) 極性反転 DC/DC コンバータ (VOUTN=-5.0V) CLP=4×4.7μF, LP=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) CLN=4×4.7μF, LN=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) SBDP: CMS03, P-ch MOS: EMH1303, RZP=7.5kΩ, CZP=4.7nF 5.2 -4.8 Output Voltage:V OUTN(V) Output Voltage:V OUTP(V) VENP="H",VENN="L" VIN＝4.4V,3.6V,2.7V 5.1 5.0 4.9 SBDN: CMS03, RZN=130kΩ, CZN=0.47nF VENP="L",VENN="H" VIN＝4.4V -4.9 3.6V -5.0 2.7V -5.1 PWM/PFM (VMODE="H") PWM (VMODE="L") 4.8 -5.2 0.1 1 10 100 Output Current:IOUTP (mA) 24/38 PWM/PFM (VMODE="H") PWM (VMODE="L") 1000 0.1 1 10 100 Output Current:IOUTN (mA) 1000 XC9519 シリーズ ■特性例 昇圧 DC/DC コンバータ (VOUTP=15.0V) 極性反転 DC/DC コンバータ (VOUTN=-15.0V) CLN=4×4.7μF, LN=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) CLP=4×4.7μF, LP=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) SBDP: CMS03, P-ch MOS: EMH1303, RZP=27kΩ, CZP=2.2nF 15.2 VIN＝5.5V 15.0 3.6V 14.8 SBDN: CMS03, RZN=200kΩ, CZN=0.47nF -14.6 VENP="H",VENN="L" Output Voltage:V OUTN(V) Output Voltage:V OUTP(V) 15.4 VENP="L",VENN="H" -14.8 VIN＝5.5 V,3.6V -15.0 -15.2 PWM/PFM (VMODE="H") PWM (VMODE="L") 14.6 PWM/PFM (VMODE="H") PWM (VMODE="L") -15.4 0.1 1 10 100 1000 0.1 1 Output Current:IOUTP (mA) 10 100 1000 Output Current:IOUTN (mA) (3) リップル電圧 - 出力電流特性例 昇圧 DC/DC コンバータ (VOUTP=5.0V) 極性反転 DC/DC コンバータ (VOUTN=-5.0V) CLP=4×4.7μF, LP=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) VENP="H",VENN="L" SBDN: CMS03, RZN=130kΩ, CZN=0.47nF 100 VENP="L",VENN="H" PWM/PFM (VMODE="H") PWM (VMODE="L") 80 60 Ripple Voltage : Vr(mVp-p) Ripple Voltage : Vr(mVp-p) 100 CLN=4×4.7μF, LN=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) SBDP: CMS03, P-ch MOS: EMH1303, RZP=7.5kΩ, CZP=4.7nF 4.4V 3.6V 40 VIN= 2.7V,3.6V,4.4V 2.7V 20 0 80 60 4.4V 40 3.6V 20 1 10 100 1000 0.1 Output Current:IOUTP (mA) 100 1000 CLN=4×4.7μF, LN=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) SBDP: CMS03, P-ch MOS: EMH1303, RZP=27kΩ, CZP=2.2nF 100 PWM/PFM (VMODE="H") PWM (VMODE="L") 80 Ripple Voltage : Vr(mVp-p) Ripple Voltage : Vr(mVp-p) 10 極性反転 DC/DC コンバータ (VOUTN=-15.0V) CLP=4×4.7μF, LP=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) VENP="H",VENN="L" 1 Output Current:IOUTN (mA) 昇圧 DC/DC コンバータ (VOUTP=15.0V) 60 2.7V 5.5V 3.6V 40 2.7V VIN= 2.7V,3.6V,4.4V 0 0.1 100 PWM/PFM (VMODE="H") PWM (VMODE="L") VIN= 2.7V,3.6V,4.4V 20 0 SBDN: CMS03, RZN=200kΩ, CZN=0.47nF VENP="L",VENN="H" PWM/PFM (VMODE="H") PWM (VMODE="L") 80 60 VIN= 5.5V 3.6V 40 2.7V 20 0 0.1 1 10 100 Output Current:IOUTP (mA) 1000 0.1 1 10 100 1000 Output Current:IOUTN (mA) 25/38 XC9519 シリーズ ■特性例 (4) 発振周波数 - 周囲温度特性例 1.5 Oscillation Frequency : fOSCN(MHz) Oscillation Frequency : fOSCP(MHz) 1.5 1.4 3.6V VIN=5.5V 1.3 1.2 1.1 2.7V 1.0 0.9 1.4 3.6V VIN=5.5V 1.3 1.2 1.1 2.7V 1.0 0.9 -50 -25 0 25 50 75 100 -50 -25 Ambient Temperature: Ta ( ℃) 0 25 50 75 100 Ambient Temperature: Ta ( ℃) (5) 消費電流 1,2,3 - 周囲温度特性例 消費電流 1 消費電流 2 200 VIN=5.5V Supply Current 2: IDD2 (μA) Supply Current 1: IDD1 (μA) 250 200 150 2.7V 100 50 -25 0 25 50 75 100 Ambient Temperature: Ta ( ℃) 100 2.7V 50 消費電流 3 VIN=5.5V 150 100 2.7V 50 0 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta ( ℃) -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta ( ℃) 200 Supply Current 3: IDD3 (μA) VIN=5.5V 0 -50 26/38 150 100 100 XC9519 シリーズ ■特性例 (6) FBP 電圧 - 周囲温度特性例 (7) 出力電圧精度 - 周囲温度特性例 1.02 Output Voltage Accuracy : V OUTNA (V) 1.02 FBP Voltage : VFBP (V) VIN=5.5V 1.01 1.00 2.7V,3.6V 0.99 0.98 -50 -25 0 25 50 75 VIN=5.5V 1.01 1.00 2.7V 3.6V 0.99 0.98 100 -50 -25 Ambient Temperature: Ta ( ℃) 0 25 50 75 100 Ambient Temperature: Ta ( ℃) (8) UVLO 電圧 - 周囲温度特性例 2.7 UVLO Voltage : UVLO (V) 2.6 2.5 UVLO Release Voltage 2.4 2.3 UVLO Detect Voltage 2.2 2.1 VENP="H",VENN="L",VMODE="L" 2.0 -50 -25 0 25 50 75 100 Ambient Temperature: Ta ( ℃) (10) ENP "L" 電圧 - 周囲温度特性例 1.4 1.2 1.3 1.1 ENP "L" Voltage : VENPL (V) ENP "H" Voltage : VENPH (V) (9) ENP "H" 電圧 - 周囲温度特性例 1.2 1.1 1.0 0.9 0.8 VIN=5.5V,VENN="L",VMODE="L" 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 VIN=5.5V,VENN="L",VMODE="L" 0.7 0.5 -50 -25 0 25 50 Ambient Temperature: Ta ( ℃) 75 100 -50 -25 0 25 50 75 100 Ambient Temperature: Ta ( ℃) 27/38 XC9519 シリーズ ■特性例 (12) ENN "L" 電圧 - 周囲温度特性例 1.4 1.2 1.3 1.1 ENN "L" Voltage : VENNL (V) ENN "H" Voltage : VENNH (V) (11) ENN "H" 電圧 - 周囲温度特性例 1.2 1.1 1.0 0.9 0.8 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 VIN=5.5V,VENP="L",VMODE="L" VIN=5.5V,VENP="L",VMODE="L" 0.7 0.5 -50 -25 0 25 50 75 100 -50 -25 Ambient Temperature: Ta ( ℃) 1.4 1.2 1.3 1.1 MODE "L" Voltage : VMODEL (V) MODE "H" Voltage : VMODEH (V) 50 75 100 (14) MODE "L" 電圧 - 周囲温度特性例 1.2 1.1 1.0 0.9 0.8 VIN=5.5V,VENP="H",VENN="L" 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 VIN=5.5V,VENP="H",VENN="L" 0.7 0.5 -50 -25 0 25 50 75 100 -50 -25 Ambient Temperature: Ta ( ℃) 0 25 50 75 100 Ambient Temperature: Ta ( ℃) (16) LXN SW "L" オン抵抗 - 周囲温度特性例 (15) LXP SW “H” オン抵抗 - 周囲温度特性例 0.3 0.5 LXN SW “L” ON Resistance :RLXNL (Ω) LXP SW “H” ON Resistance :R LXPH (Ω) 25 Ambient Temperature: Ta ( ℃) (13) MODE "H" 電圧 - 周囲温度特性例 2.7V 0.2 0.1 3.6V V =5.5V IN 0.0 -50 -25 0 25 50 Ambient Temperature: Ta ( ℃) 28/38 0 75 100 0.4 2.7V 0.3 0.2 3.6V VIN=5.5V 0.1 0.0 -50 -25 0 25 50 Ambient Temperature: Ta ( ℃) 75 100 XC9519 シリーズ ■特性例 (17) 出力電圧立上り波形 昇圧 DC/DC コンバータ (VOUTP=15.0V) 極性反転 DC/DC コンバータ (VOUTN=-15.0V) CLP=4×4.7μF, LP=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) CLN=4×4.7μF, LN=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) SBDP: CMS03, P-ch MOS: EMH1303, RZP=27kΩ, CZP=2.2nF VIN =3.6V,VENN ="L",VMODE="L" SBDN: CMS03, RZN=200kΩ, CZN=0.47nF VIN =3.6V,VENP="L",VMODE="L" 1ch VOUTN VOUTP 1ch VENP = 0 ⇒ 3.6V 2ch VENN = 0 ⇒ 3.6V 2ch 1ch:5V/div, 2ch:5V/div 1ch:5V/div, 2ch:5V/div time:500μs/div time:500μs/div (18) ソフトスタート時間 - 周囲温度特性例 昇圧 DC/DC コンバータ 極性反転 DC/DC コンバータ 5.0 4.0 4.0 VIN=5.5V 3.6V 3.5 3.0 2.5 2.0 2.7V 1.5 3.5 Soft Start Time : tSSN (ms) Soft Start Time : tSSP (ms) 4.5 3.6V 3.0 VIN=5.5V 2.5 2.0 2.7V 1.5 1.0 1.0 -50 -25 0 25 50 75 100 -50 -25 Ambient Temperature: Ta ( ℃) 0 25 50 75 100 Ambient Temperature: Ta ( ℃) (19) 最大デューティ比 - 周囲温度特性例 昇圧 DC/DC コンバータ 極性反転 DC/DC コンバータ 96 94 92 90 88 86 VIN=3.6V,VENP="H",VENN="L",VMODE="L" 84 Maximum Duty Cycle : DMAXN (%) Maximum Duty Cycle : DMAXP (%) 96 94 92 90 88 86 VIN=3.6V,VENP="L",VENN="H",VMODE="L" 84 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta ( ℃) 100 -50 -25 0 25 50 75 100 Ambient Temperature: Ta (℃) 29/38 XC9519 シリーズ ■特性例 (20) 最大電流制限 - 周囲温度特性例 昇圧 DC/DC コンバータ (VOUTP=5.0V) 極性反転 DC/DC コンバータ (VOUTN=-5.0V) CLP=4×4.7μF, LP=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) CLN=4×4.7μF, LN=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) SBDP: CMS03, P-ch MOS: EMH1303, RZP=7.5kΩ, CZP=4.7nF SBDN: CMS03, RZN=130kΩ, CZN=0.47nF 5.0 4.5 VIN=4.4V 2.7V 4.0 3.5 3.6V 3.0 2.5 VENP="H",VENN="L",VMODE="L" Maximum Current Limit :LIMN I (A) Maximum Current Limit :LIMP I (A) 5.0 2.0 4.5 VIN=4.4V 4.0 3.5 3.0 2.7V VENP="L",VENN="H",VMODE="L" 2.0 -50 -25 0 25 50 75 100 -50 -25 Ambient Temperature: Ta ( ℃) 50 75 100 CLN=4×4.7μF, LN=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) SBDN: CMS03, RZN=200kΩ, CZN=0.47nF SBDP: CMS03, P-ch MOS: EMH1303, RZP=27kΩ, CZP=2.2nF 5.0 Maximum Current Limit :LIMN I (A) 5.0 Maximum Current Limit :LIMP I (A) 25 極性反転 DC/DC コンバータ (VOUTN=-15.0V) CLP=4×4.7μF, LP=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) 4.5 4.0 3.6V 3.5 3.0 VIN=5.5V 2.5 VENP="H",VENN="L",VMODE="L" 2.0 -50 -25 0 25 50 75 100 3.0 2.5 2.7V 2.0 3.6V VIN=5.5V 1.0 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta ( ℃) 4.0 VIN=5.5V 3.5 3.0 3.6V 2.5 VENP="L",VENN="H",VMODE="L" -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta ( ℃) (21) 積分ラッチ時間 - 周囲温度特性例 1.5 4.5 2.0 Ambient Temperature: Ta ( ℃) Integral Latch Time :tLAT (ms) 0 Ambient Temperature: Ta ( ℃) 昇圧 DC/DC コンバータ (VOUTP=15.0V) 30/38 3.6V 2.5 100 100 XC9519 シリーズ ■特性例 350 2.7V 300 250 200 3.6V VIN=5.5V 150 100 -50 -25 0 25 50 極性反転 DC/DC コンバータ 400 CL Discharge Resistance: RDCHGN (Ω) CL Discharge Resistance: RDCHGP (Ω) (22) CL 放電抵抗 - 周囲温度特性例 昇圧 DC/DC コンバータ 400 75 100 350 2.7V 300 250 200 150 3.6V VIN=5.5V 100 -50 Ambient Temperature: Ta ( ℃) -25 0 25 50 75 100 Ambient Temperature: Ta (℃) (23) PFM スイッチ電流 - 周囲温度特性例 昇圧 DC/DC コンバータ (VOUTP=5.0V) 極性反転 DC/DC コンバータ (VOUTN=-5.0V) CLP=4×4.7μF, LP=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) CLN=4×4.7μF, LN=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) SBDP: CMS03, P-ch MOS: EMH1303, RZP=7.5kΩ, CZP=4.7nF SBDN: CMS03, RZN=130kΩ, CZN=0.47nF 550 PFM Switching Current : PFMN I (mA) PFM Switching Current : PFMP I (mA) 550 500 450 VIN=4.4V 400 350 300 3.6V 250 200 VENP="H",VENN="L",VMODE="H" 150 500 VIN=4.4V 450 400 350 300 3.6V 250 200 VENP="L",VENN="H",VMODE="H" 150 -50 -25 0 25 50 75 100 -50 Ambient Temperature: Ta ( ℃) 0 25 50 75 100 Ambient Temperature: Ta ( ℃) 昇圧 DC/DC コンバータ (VOUTP=15.0V) 極性反転 DC/DC コンバータ (VOUTN=-15.0V) CLP=4×4.7μF, LP=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) CLN=4×4.7μF, LN=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) SBDP: CMS03, P-ch MOS: EMH1303, RZP=27kΩ, CZP=2.2nF SBDN: CMS03, RZN=200kΩ, CZN=0.47nF 550 PFM Switching Current : PFMN I (mA) 550 PFM Switching Current : PFMP I (mA) -25 500 450 VIN=5.5V 400 350 300 3.6V 250 200 VENP="H",VENN="L",VMODE="H" 150 500 VIN=5.5V 450 400 350 300 3.6V 250 200 VENP="H",VENN="L",VMODE="H" 150 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta ( ℃) 100 -50 -25 0 25 50 75 100 Ambient Temperature: Ta ( ℃) 31/38 XC9519 シリーズ ■特性例 (24) 負荷過渡応答特性例 昇圧 DC/DC コンバータ: PWM/PFM MODE 昇圧 DC/DC コンバータ: PWM MODE (VIN=3.6V, VOUTP=5.0V, IOUTP=1⇒200mA) (VIN=3.6V, VOUTP=5.0V, IOUTP=200⇒1mA) CLP=4×4.7μF, LP=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0), SBDP: CMS03 CLP=4×4.7μF, LP=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0), SBDP: CMS03 P-ch MOS: EMH1303, RZP=8.2kΩ, CZP=4.7nF, CFBP=47pF, RSP=4.7kΩ P-ch MOS: EMH1303, RZP=8.2kΩ, CZP=4.7nF, CFBP=47pF, RSP=4.7kΩ VENP="H",VENN ="L",VMODE="L" VENP="H",VENN ="L",VMODE="L" VOUTP VOUTP 1ch 1ch 2ch IOUTP = 200 ⇒ 1mA IOUTP = 1 ⇒ 200mA 2ch 1ch:200mV/div, 2ch:200mA/div 1ch:200mV/div, 2ch:200mA/div time:100μs/div time:1ms/div 昇圧 DC/DC コンバータ: PWM/PFM MODE 昇圧 DC/DC コンバータ: PWM/PFM MODE (VIN=3.6V, VOUTP=5.0V, IOUTP=1⇒200mA) (VIN=3.6V, VOUTP=5.0V, IOUTP=200⇒1mA) CLP=4×4.7μF, LP=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0), SBDP: CMS03 CLP=4×4.7μF, LP=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0), SBDP: CMS03 P-ch MOS: EMH1303, RZP=8.2kΩ, CZP=4.7nF, CFBP=47pF, RSP=4.7kΩ P-ch MOS: EMH1303, RZP=8.2kΩ, CZP=4.7nF, CFBP=47pF, RSP=4.7kΩ VENP="H",VENN ="L",VMODE="H" VENP="H",VENN ="L",VMODE="H" VOUTP VOUTP 1ch 1ch 2ch 2ch IOUTP = 1 ⇒ 200mA 1ch:200mV/div, 2ch:200mA/div time:100μs/div 32/38 IOUTP = 200 ⇒ 1mA 1ch:200mV/div, 2ch:200mA/div time:1ms/div XC9519 シリーズ ■特性例 昇圧 DC/DC コンバータ: PWM MODE 昇圧 DC/DC コンバータ: PWM MODE (VIN=3.6V, VOUTP=15.0V, IOUTP=1⇒50mA) (VIN=3.6V, VOUTP=15.0V, IOUTP=50⇒1mA) CLP=4×4.7μF, LP=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) CLP=4×4.7μF, LP=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) SBDP: CMS03, P-ch MOS: EMH1303, RZP=27kΩ, CZP=2.2nF SBDP: CMS03, P-ch MOS: EMH1303, RZP=27kΩ, CZP=2.2nF VENP="H",VENN ="L",VMODE="L" VENP="H",VENN ="L",VMODE="L" VOUTP VOUTP 1ch 1ch 2ch IOUTP = 50 ⇒ 1mA IOUTP = 1 ⇒ 50mA 2ch 1ch:500mV/div, 2ch:50mA/div 1ch:500mV/div, 2ch:50mA/div time:200μs/div time:1ms/div 昇圧 DC/DC コンバータ: PWM/PFM MODE 昇圧 DC/DC コンバータ: PWM/PFM MODE (VIN=3.6V, VOUTP=15.0V, IOUTP=1⇒50mA) (VIN=3.6V, VOUTP=15.0V, IOUTP=50⇒1mA) CLP=4×4.7μF, LP=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) CLP=4×4.7μF, LP=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) SBDP: CMS03, P-ch MOS: EMH1303, RZP=27kΩ, CZP=2.2nF SBDP: CMS03, P-ch MOS: EMH1303, RZP=27kΩ, CZP=2.2nF VENP="H",VENN ="L",VMODE="H" VENP="H",VENN ="L",VMODE="H" VOUTP VOUTP 1ch 1ch 2ch 2ch IOUTP = 1 ⇒ 50mA 1ch:500mV/div, 2ch:50mA/div time:200μs/div IOUTP = 50 ⇒ 1mA 1ch:500mV/div, 2ch:50mA/div time:1ms/div 33/38 XC9519 シリーズ ■特性例 極性反転 DC/DC コンバータ: PWM MODE 極性反転 DC/DC コンバータ: PWM MODE (VIN=3.6V, VOUTN=-5.0V, IOUTN=1⇒200mA) (VIN=3.6V, VOUTN=-5.0V, IOUTN=200⇒1mA) CLN=4×4.7μF, LN=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) CLN=4×4.7μF, LN=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) SBDN: CMS03, RZN=130kΩ, CZN=0.47nF SBDN: CMS03, RZN=130kΩ, CZN=0.47nF VENP="L",VENN ="H",VMODE="L" VENP="L",VENN ="H",VMODE="L" VOUTN VOUTN 1ch 1ch 2ch IOUTN = 200 ⇒ 1mA IOUTN = 1 ⇒ 200mA 2ch 1ch:200mV/div, 2ch:200mA/div 1ch:200mV/div, 2ch:200mA/div time:100μs/div time:500μs/div 極性反転 DC/DC コンバータ: PWM/PFM MODE 極性反転 DC/DC コンバータ: PWM/PFM MODE (VIN=3.6V, VOUTN=-5.0V, IOUTN=1⇒200mA) (VIN=3.6V, VOUTN=-5.0V, IOUTN=200⇒1mA) CLN=4×4.7μF, LN=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) CLN=4×4.7μF, LN=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) SBDN: CMS03, RZN=130kΩ, CZN=0.47nF SBDN: CMS03, RZN=130kΩ, CZN=0.47nF VENP="L",VENN ="H",VMODE="H" VENP="L",VENN ="H",VMODE="H" VOUTN VOUTN 1ch 1ch 2ch 2ch IOUTN = 1 ⇒ 200mA 1ch:200mV/div, 2ch:200mA/div time:100μs/div 34/38 IOUTN = 200 ⇒ 1mA 1ch:200mV/div, 2ch:200mA/div time:500μs/div XC9519 シリーズ ■特性例 極性反転 DC/DC コンバータ: PWM MODE 極性反転 DC/DC コンバータ: PWM MODE (VIN=3.6V, VOUTN=-15.0V, IOUTN=1⇒50mA) (VIN=3.6V, VOUTN=-15.0V, IOUTN=50⇒1mA) CLN=4×4.7μF, LN=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) CLN=4×4.7μF, LN=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) SBDN: CMS03, RZN=200kΩ, CZN=0.47nF SBDN: CMS03, RZN=200kΩ, CZN=0.47nF VENP="L",VENN ="H",VMODE="L" VENP="L",VENN ="H",VMODE="L" VOUTN VOUTN 1ch 1ch 2ch IOUTN = 1 ⇒ 50mA IOUTN = 50 ⇒ 1mA 2ch 1ch:500mV/div, 1ch: 200mV/ di v,2ch:50mA/div 2ch: 200mA/ di v 1ch:500mV/div, 1ch: 200mV/ di v,2ch:50mA/div 2ch: 200mA/ di v μs/div t itime:100 me: 100μ s/ di v μs/div t itime:500 me: 500μ s/ di v 極性反転 DC/DC コンバータ: PWM/PFM MODE 極性反転 DC/DC コンバータ: PWM/PFM MODE (VIN=3.6V, VOUTN=-15.0V, IOUTN=1⇒50mA) (VIN=3.6V, VOUTN=-15.0V, IOUTN=50⇒1mA) CLN=4×4.7μF, LN=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) CLN=4×4.7μF, LN=3.3μH (VLF5014S-3R3M2R0) SBDN: CMS03, RZN=200kΩ, CZN=0.47nF SBDN: CMS03, RZN=200kΩ, CZN=0.47nF VENP="L",VENN ="H",VMODE="H" VENP="L",VENN ="H",VMODE="H" VOUTN VOUTN 1ch 1ch 2ch IOUTN = 1 ⇒ 50mA IOUTN = 50 ⇒ 1mA 2ch 1ch:500mV/div, 1ch: 200mV/ di v,2ch:50mA/div 2ch: 200mA/ di v μs/div t itime:100 me: 100μ s/ di v 1ch:500mV/div, 1ch: 200mV/ di v,2ch:50mA/div 2ch: 200mA/ di v μs/div t itime:500 me: 500μ s/ di v 35/38 XC9519 シリーズ ■外形寸法図 ●QFN-24 (unit:mm) 1 PIN INDENT 4.0±0.10 0.075 0.40±0.05 7 8 9 10 11 12 6 13 5 14 4 15 3 16 2 17 1 18 24 23 22 21 20 19 2.8±0.05 ●QFN-24 参考パターンレイアウト (unit:mm) 36/38 ●QFN-24 参考メタルマスクデザイン (unit:mm) XC9519 シリーズ ■マーキング QFN-24 1pin マーク①：製品番号を表す。 シンボル 品名表記例 9 ①②③④⑤⑥ XC9519＊＊＊＊＊＊-G マーク②：UVLO 検出電圧を表す。 シンボル UVLO 電圧 A 検出：2.2V、ﾋｽﾃﾘｼｽ幅：0.2V 品名表記例 XC9519A＊＊＊＊＊-G マーク③、④：発振周波数と過電流制限を表す。 シンボル 発振周波数 過電流検出電流 ③ ④ 1 2 1.2MHz 2.0A 品名表記例 XC9519＊12A＊＊-G マーク⑤、⑥：製造ロットを表す。 01～09、0A～0Z、11～9Z、A1～A9、AA～AZ、B1～ZZ を繰り返す。 (但し、G、I、J、O、Q、W は除く。反転文字は使用しない。） 37/38 XC9519 シリーズ 1. 本書に記載された内容(製品仕様、特性、データ等)は、改善のために予告なしに変更す ることがあります。製品のご使用にあたっては，その最新情報を当社または当社代理 店へお問い合わせ下さい。 2. 本書に記載された技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するものであり、工業 所有権、その他の権利に対する保証または許諾するものではありません。 3. 本書に記載された製品は、通常の信頼度が要求される一般電子機器(情報機器，オーデ ィオ／ビジュアル機器、計測機器、通信機器(端末)、ゲーム機器、パーソナルコンピュ ータおよびその周辺機器、家電製品等)用に設計・製造しております。 4. 本書に記載の製品を、その故障や誤作動が直接人命を脅かしたり、人体に危害を脅か す恐れのある装置やシステム(原子力制御、航空宇宙機器、輸送機器、交通信号機器、 燃焼制御、生命維持装置を含む医療機器、各種安全装置など)へ使用する場合には、事 前に当社へご連絡下さい。 5. 当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。しかしながら、万が一のため にフェールセーフとなる設計およびエージング処理など、装置やシステム上で十分な 安全設計をお願いします。 6. 保証値を超えた使用、誤った使用、不適切な使用等に起因する損害については、当社 では責任を負いかねますので、ご了承下さい。 7. 本書に記載された内容を当社に無断で転載、複製することは、固くお断り致します。 トレックス・セミコンダクター株式会社 38/38