XC2163 シリーズ JTR1403-001b 3 次オーバートーン水晶発振回路 ■概要 ■特長 XC2163シリーズは高周波・低消費電流で動作する水晶 発振用CMOS ICです。 水晶発振回路および分周回路を内蔵しています。 出力は原発振f0に対して、f0/1, f0/2, f0/4, f0/8の中から １つを選択できます。 発振容量、発振帰還抵抗を内蔵しており、外付け水晶振 動子のみで安定した３次オーバートーン発振が可能です。 発振周波数が調整可能な発振容量、発振帰還抵抗外付け タイプもご用意しております。 発振周波数 ■用途 ●水晶発振モジュール ●通信機器 (3 次ｵｰﾊﾞｰﾄｰﾝ) : 40MHz ~ 125MHz (Rf,Cg,Cd 内蔵 5.0V 品) : 57MHz ~ 125MHz (Rf,Cg,Cd 内蔵 3.3V 品) : 20MHz ~ 125MHz (Rf,Cg,Cd 外付け品) : f0/1, f0/2, f0/4, f0/8 : 3 ステート : 3.3V ±10%, 5.0V ±10% : スタンバイ機能付き* 分周比 出力 動作電圧範囲 低消費電流 CMOS 構成 発振容量、発振帰還抵抗内蔵 パッケージ : SOT-26 環境への配慮 : EU RoHS 指令対応、鉛フリー * スタンバイ時も発振は継続 ●マイコン、DSP 等のクロック ●各種システムクロック ■端子配列 ■端子説明 端子番号 1 2 3 4 5 6 端子名 機 能 /INH スタンバイ制御* XT 水晶振動子接続（入力） VSS グランド Q0 クロック出力 VDD 電源入力 /XT 水晶振動子接続（出力） * スタンバイ制御端子はプルアップ抵抗内蔵 ■/INH,Qo 端子真理値表 /INH Q0 "H" or OPEN 分周出力 "L"(スタンバイ) ハイインピーダンス H = High レベル L = Low レベル 1/9 XC2163 シリーズ ■製品分類 ●品番ルール XC2163①②③④⑤⑥-⑦ 記 号 (*1) 内 容 ① 分周比 ② ③ 出力能力 デューティレベル 推奨周波数範囲 Rf, Cg, Cd パッケージ形状 テーピング仕様(*2) ④ ⑤⑥-⑦ シンボル C D E F 5 1 Z A∼L MR-G 詳細内容 : f0/1 : f0/2 : f0/4 : f0/8 : 10TTL : CMOS (VDD/2) 但し、20MHz∼37MHz は TLL 兼用 : 外付け部品（別表 1 参照） : 内蔵品（別表 2 参照） : SOT-26 (*1) 末尾に”-G”が付く場合は、ハロゲン＆アンチモンフリーかつ RoHS 対応製品になります。 (*2) エンボステープポケットへのデバイス挿入方向は定まっております。標準とは別に逆挿入を要望される場合は弊社営業に相談ください。 (標準：⑤R-⑦、逆挿入：⑤L-⑦) 表 1: 外付け部品推奨値一覧 シンボル Z 5.0V 品 Rf 推奨周波数範囲 108MHz∼125MHz 1.6kΩ 93MHz∼110MHz 2.4kΩ 80MHz∼95MHz 2.4kΩ 68MHz∼83MHz 2.4kΩ 55MHz∼70MHz 3.3kΩ 45MHz∼57MHz 3.3kΩ 35MHz∼47MHz 3.6kΩ 28MHz∼37MHz 4.7kΩ 24MHz∼30MHz 5.6kΩ 20MHz∼26MHz 6.8kΩ - Cg/Cd 10pF 10pF 12pF 15pF 15pF 20pF 24pF 27pF 30pF 33pF - 3.3V 品 Rf 推奨周波数範囲 108MHz∼125MHz 3.9kΩ 95MHz∼110MHz 2.4kΩ 80MHz∼97MHz 2.7kΩ 68MHz∼83MHz 2.7kΩ 58MHz∼70MHz 3.9kΩ 50MHz∼60MHz 3.9kΩ 40MHz∼52MHz 2.4kΩ 33MHz∼42MHz 3.6kΩ 28MHz∼35MHz 3.6kΩ 24MHz∼30MHz 3.9kΩ 20MHz∼26MHz 3.9kΩ Cg/Cd 4pF 7pF 8pF 10pF 10pF 12pF 20pF 20pF 24pF 27pF 33pF 注 : 外付け部品によっては、発振安定性の向上、水晶振動子保護の為、/XT 端子と水晶振動子間に ダンピング抵抗 Rd を付加することをお勧め致します。 表 2: 内蔵品対応周波数一覧 シンボル A B C D E F H K L 2/9 5.0V 品 推奨周波数範囲 108MHz∼125MHz 95MHz∼110MHz 80MHz∼97MHz 68MHz∼83MHz 55MHz∼70MHz 45MHz∼57MHz 40MHz∼48MHz Rf 2.2kΩ 2.4kΩ 3.2kΩ 3.7kΩ 4.9kΩ 5.5kΩ 6.5kΩ 3.3V 品 Cg/Cd 5.5pF 6.5pF 6.5pF 6.5pF 7.6pF 11.0pF 11.0pF 推奨周波数範囲 108MHz∼125MHz 93MHz∼110MHz 80MHz∼95MHz 72MHz∼83MHz 65MHz∼75MHz 57MHz∼67MHz - Rf 1.5kΩ 1.7kΩ 2.2kΩ 2.4kΩ 3.2kΩ 3.7kΩ - Cg/Cd 5.5pF 6.5pF 5.5pF 6.5pF 6.5pF 6.5pF - XC2163 シリーズ ■ブロック図 ①発振容量、発振帰還抵抗内臓品 ②発振容量、発振帰還抵抗外付け品 ■絶対最大定格 項目 記号 定格 単位 電源電圧 VDD VSS-0.3∼VSS+7.0 V 入力電圧 VIN VSS-0.3∼VDD+0.3 V 許容損失 Pd 250 * mW 動作周囲温度 Topr -30∼+80 ℃ 保存温度 Tstg -55∼+125 ℃ * ガラスエポキシ基板実装時 3/9 XC2163 シリーズ ■電気的特性例 XC2163C51AMR : (特記なき場合は VDD=3.3V,Ta=25℃) fosc=108MHz~125MHz 項 目 記号 動作電圧 VDD "H"レベル入力電圧 VIH 条 規格値 件 MIN. /INH 端子 単位 TYP. MAX. 2.97 - 3.63 V 2.4 - - V "L"レベル入力電圧 VIL /INH 端子 - 0.4 V "H"レベル出力電圧 VOH Qo 端子, VDD =2.97V, IOH = 8mA 2.2 2.4 - V "L"レベル出力電圧 VOL Qo 端子, VDD = 2.97V, IOL = 8mA - 0.3 0.4 V 消費電流 1 IDD1 /INH = OPEN, CL = 15pF, f = 125MHz - 18 - mA 消費電流 2 IDD2 /INH = "L", f = 125MHz - 5 - mA 入力プルアップ抵抗 1 Rup1 /INH = "L" 1.0 2.0 4.0 MΩ 入力プルアップ抵抗 2 Rup2 /INH = 0.7VDD 35 70 140 kΩ Cg 設計値 - 5.5 - pF Cd 設計値 - 5.5 - pF - 1.5 - kΩ - - 10 μA 内蔵発振容量 内蔵発振帰還抵抗 Rf 出力オフリーク電流 IOZ Qo 端子, /INH = "L" 注）設計値 XC2163C51BMR : (特記なき場合は VDD=3.3V, 無負荷, Ta=25℃) fosc=93MHz~110MHz 項 目 記号 条 規格値 件 単位 MIN. TYP. MAX. 2.97 - 3.63 V V 動作電圧 VDD "H"レベル入力電圧 VIH /INH 端子 2.4 - - "L"レベル入力電圧 VIL /INH 端子 - - 0.4 V "H"レベル出力電圧 VOH Qo 端子, VDD = 2.97V, IOH = 8mA 2.2 2.4 - V "L"レベル出力電圧 VOL Qo 端子, VDD = 2.97V, IOL = 8mA - 0.3 0.4 V 消費電流 1 IDD1 /INH = OPEN, CL = 15pF, f = 110MHz - 15 - mA 消費電流 2 IDD2 /INH = "L", f = 110MHz - 5 - mA 入力プルアップ抵抗 1 Rup1 /INH = "L" 1.0 2.0 4.0 MΩ 入力プルアップ抵抗 2 Rup2 /INH = 0.7VDD 35 70 140 kΩ Cg 設計値 - 6.5 - pF Cd 設計値 - 6.5 - pF - 1.7 - kΩ - - 10 μA 内蔵発振容量 内蔵発振帰還抵抗 Rf 出力オフリーク電流 IOZ Qo 端子, /INH = "L" ■スイッチング特性例 XC2163C51AMR/XC2163C51BMR CMOS DUTY:VDD=3.3V, Ta=25℃ 項 目 記号 条 件 規格値 MIN. TYP. MAX. 単位 出力立ち上がり時間 tr CL=15pF, 0.1VDD→0.9VDD - 1.5 - ns 出力立ち下がり時間 tf CL=15pF, 0.9VDD→0.1VDD - 1.5 - ns 45 - 55 % - - 100 ns 出力 DUTY サイクル 出力ディスエーブル 遅延時間 4/9 DUTY tplz C51A 0.5VDD, CL=15pF, f=125MHz C51B 0.5VDD, CL=15pF, f=110MHz CL=15pF XC2163 シリーズ ■電気的特性例 XC2163C51ZMR : (特記なき場合は VDD=5.0V, Ta=25℃) fosc = 108MHz to 125MHz : Rf = 1.6kΩ, Cg = Cd = 10pF 外付け 項 目 記号 動作電圧 VDD "H"レベル入力電圧 VIH 条 件 /INH 端子 規格値 MIN. 単位 TYP. MAX. 4.5 - 5.5 V 2.4 - - V "L"レベル入力電圧 VIL /INH 端子 - - 0.4 V "H"レベル出力電圧 VOH Qo 端子, VDD = 4.5V, IOH = -16mA 3.9 4.2 - V "L"レベル出力電圧 VOL Qo 端子, VDD = 4.5V, IOL = 16mA - 0.3 0.4 V 消費電流 1 IDD1 /INH = OPEN, CL = 15pF, f = 120MHz - 31 - mA 消費電流 2 IDD2 /INH = "L", f = 120MHz - 14 - mA 入力プルアップ抵抗 1 Rup1 /INH = "L" 0.5 1.0 2.0 MΩ 入力プルアップ抵抗 2 Rup2 /INH = 0.7VDD 25 50 100 kΩ 出力オフリーク電流 IOZ Qo 端子, /INH = "L" - - 10 μA ■スイッチング特性例 CMOS DUTY : VDD=5.0V, Ta=25℃ 項 目 記号 条 件 規格値 MIN. TYP. MAX. 単位 出力立ち上がり時間 tr CL=15pF, 0.1VDD→0.9VDD - 1.5 - ns 出力立ち下がり時間 tf CL=15pF, 0.9VDD→0.1VDD - 1.5 - ns 出力 DUTY サイクル DUTY 0.5VDD, CL=15pF, f=120MHz 45 - 55 % tplz CL=15pF - - 100 ns tpzl CL=15pF - - 100 ns 出力ディスエーブル 遅延時間 出力カイネーブル 遅延時間 本仕様は暫定のものであり、予告無しに変更する可能性があります。 ご了承下さい。 5/9 XC2163 シリーズ ■電気的特性例 XC2163C51ZMR : (特記なき場合は VDD=3.3V, Ta=25℃) fosc = 108MHz to 125MHz : Rf = 3.9kΩ, Cg = Cd = 4pF 外付け 項 目 記号 動作電圧 VDD "H"レベル入力電圧 VIH 条 件 /INH 端子 規格値 MIN. 単位 TYP. MAX. 2.97 - 3.63 V 2.4 - - V "L"レベル入力電圧 VIL /INH 端子 - - 0.4 V "H"レベル出力電流 VOH Qo 端子, VDD = 2.97V, IOH = -8mA 2.2 2.4 - V "L"レベル出力電流 VOL Qo 端子, VDD = 2.97V, IOL = 8mA - 0.3 0.4 V 消費電流 1 IDD1 /INH = OPEN, CL = 15pF, f = 120MHz - 15 - mA 消費電流 2 IDD2 /INH = "L", f = 100MHz - 4 - mA 入力プルアップ抵抗 1 Rup1 /INH = "L" 2.0 4.0 6.0 MΩ 入力プルアップ抵抗 2 Rup2 /INH = 0.7VDD 70 140 250 kΩ 出力オフリーク電流 IOZ Qo 端子, /INH = "L" - - 10 μA ■スイッチング特性 CMOS DUTY : VDD=3.3V, Ta=25℃ 項 目 記号 条 件 規格値 MIN. TYP. MAX. 単位 出力立ち上がり時間 tr CL=15pF, 0.1VDD ~ 0.9VDD - 1.5 - ns 出力立ち下がり時間 tf CL=15pF, 0.9VDD ~ 0.1VDD - 1.5 - ns 出力 DUTY サイクル DUTY 0.5VDD, CL=15pF, f=120MHz 45 - 55 % tplz CL=15pF - - 100 ns tpzl CL=15pF - - 100 ns 出力ディスエーブル 遅延時間 出力カイネーブル 遅延時間 本仕様は暫定のものであり、予告無しに変更する可能性があります。 ご了承下さい。 6/9 XC2163 シリーズ ■スイッチング特性測定波形 (1) スイッチング時間 CMOS 出力 DUTY 測定レベル 出力 (2) 出力波形対称性 DUTY 測定レベル Qo 出力 出力波形対称性 (3) 出力ディスエーブル遅延時間、出力イネーブル遅延時間 *) /INH 端子入力波形 : tr=tf=10ns 以下 /INH 入力 Qo 出力 7/9 XC2163 シリーズ ■外形寸法図 ●SOT-26 ■マーキング ①オーバートーン水晶発振 IC を表す。 シンボル 6 SOT-26 (TOP VIEW) ②分周比を表す。 シンボル 分周比 C fo/1 D fo/2 シンボル E F 分周比 fo/4 fo/8 ③推奨発振周波数および Rf, Cg, Cd を表す。 発振周波数 (MHz) シンボル 5.0V 3.3V A 108~125 B 93~110 C 108~125 80~95 D 95~110 72~83 E 80~97 65~75 F 68~83 57~67 H 55~70 K 45~57 L 40~48 Z 外付け ④アセンブリロットを表す。 表示方法は、社内基準に基づく。 8/9 XC2163 シリーズ 1. 本書に記載された内容(製品仕様、特性、データ等)は、改善のために予告なしに変更す ることがあります。製品のご使用にあたっては、その最新情報を当社または当社代理 店へお問い合わせ下さい。 2. 本書に記載された技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するものであり、工業 所有権、その他の権利に対する保証または許諾するものではありません。 3. 本書に記載された製品は、通常の信頼度が要求される一般電子機器(情報機器、オーデ ィオ／ビジュアル機器、計測機器、通信機器(端末)、ゲーム機器、パーソナルコンピュ ータおよびその周辺機器、家電製品等)用に設計・製造しております。 4. 本書に記載の製品を、その故障や誤作動が直接人命を脅かしたり、人体に危害を脅か す恐れのある装置やシステム(原子力制御、航空宇宙機器、輸送機器、交通信号機器、 燃焼制御、生命維持装置を含む医療機器、各種安全装置など)へ使用する場合には、事 前に当社へご連絡下さい。 5. 当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。しかしながら、万が一のため にフェールセーフとなる設計およびエージング処理など、装置やシステム上で十分な 安全設計をお願いします。 6. 保証値を超えた使用、誤った使用、不適切な使用等に起因する損害については、当社 では責任を負いかねますので、ご了承下さい。 7. 本書に記載された内容を当社に無断で転載、複製することは、固くお断り致します。 トレックス・セミコンダクター株式会社 9/9