XP152A11E5MR-G JTR1120-003 パワーMOS FET ■概要 XP152A11E5MR-G は、低オン抵抗、超高速スイッチング特性を実現した P チャネルパワーMOS FET です。スイッチン グ速度の高速化ができ、セットの高効率化、省エネルギー化を図ることが可能です。 静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵しております。 パッケージは SOT-23 を使用しており高密度実装を可能にしています。 ■特長 ■用途 低オン抵抗 ●ノートブック PC ●携帯電話 超高速スイッチング 駆動電圧 : -4.5V 駆動 P チャンネル パワーMOS FET DMOS 構造 ゲート保護ダイオード内蔵 パッケージ : SOT-23 環境への配慮 :EU RoHS 指令対応、鉛フリー ●オンボード電源 ●Li イオン電池 ■端子配列/マーキング 2 1 : Rds(on) = 0.25Ω@ Vgs = -10V : Rds(on) = 0.45Ω@ Vgs = -4.5V 1 x G:ゲート S:ソース D:ドレイン ■製品名 製品名 パッケージ 発注単位 XP152A11E5MR SOT-23 3,000/Reel XP152A11E5MR-G* SOT-23 3,000/Reel (*) ”-G”は、ハロゲン＆アンチモンフリーかつ RoHS 対応製品です。 * x は製造ロットを表す。 ■等価回路 ■絶対最大定格 Ta = 25℃ P チャネル MOSFET （１素子内蔵） 項目 記号 定格 単位 ドレイン・ソース間電圧 Vdss -30 V ゲート・ソース間電圧 Vgss ±20 V ドレイン電流 (DC) Id -0.7 A ドレイン電流 (パルス) Idp -2.8 A 逆ドレイン電流 Idr -0.7 A 許容チャネル損失 * Pd 0.5 W チャネル温度 Tch 150 ℃ 保存温度 Tstg -55~150 ℃ * セラミック基板実装時 1/5 XP152A11E5MR-G ■電気的特性 DC 特性 Ta = 25℃ 項目 記号 条件 MIN. TYP. MAX. 単位 ドレイン遮断電流 Idss Vds= -30V, Vgs= 0V - - -10 μA ゲート・ソース間漏れ電流 Igss Vgs= ±20V, Vds= 0V - - ±10 μA ゲート・ソース間カットオフ電圧 Vgs(off) Id= -1mA, Vds= -10V -1.0 - -3.0 V ドレイン・ソース間オン抵抗 ** Rds(on) Id= -0.4A, Vgs= -10V - 0.20 0.25 Ω Id= -0.4A, Vgs= -4.5V - 0.35 0.45 Ω 順伝達アドミタンス ** | Yfs | Id= -0.4A, Vds= -10V - 1 - S ボディドレインダイオード 順方向電圧 Vf If= -0.7A, Vgs= 0V - -0.8 -1.1 V 項目 記号 条件 MIN. TYP. MAX. 単位 入力容量 Ciss - 160 - pF - 120 - pF - 50 - pF ** パルステスト ダイナミック特性 Ta = 25℃ 出力容量 Coss 帰還容量 Crss Vds= -10V, Vgs=0V f= 1MHz スイッチング特性 Ta = 25℃ 項目 記号 ターンオン遅延時間 td (on) 上昇時間 tr ターンオフ遅延時間 td (off) 下降時間 tf 項目 記号 熱抵抗(チャネル一周囲) Rth (ch-a) 条件 MIN. TYP. MAX. 単位 - 10 - ns - 25 - ns - 25 - ns - 40 - ns 条件 MIN. TYP. MAX. 単位 セラミック基板実装 - 250 - ℃/W Vgs= -5V, Id= -0.4A Vdd= -10V 熱特性 2/5 XP152A11E5MR-G ■特性曲線 (1)ドレイン電流－ドレイン・ソース間電圧 特性例 (2)ドレイン電流－ゲート・ソース間電圧 ドレイン電流 Id（A） Vds=-10V, ﾊﾟﾙｽﾃｽﾄ ドレイン電流 Id（A） Ta=25℃, ﾊﾟﾙｽﾃｽﾄ ドレイン・ソース間電圧 Vds（V） ゲート・ソース間電圧 Vgs（V） (3)ドレイン・ソース間オン抵抗－ゲート・ソース間電圧 特性例 Ta=25℃, ﾊﾟﾙｽﾃｽﾄ (4)ドレイン・ソース間オン抵抗－ドレイン電流 特性例 ドレイン・ソース間オン抵抗 Rds (on)（Ω） ドレイン・ソース間オン抵抗 Rds (on)（Ω） 特性例 ゲート・ソース間電圧 Vgs（V） ドレイン電流 Id（A） 周囲温度 Topr（℃） (6)ゲート・ソース間カットオフ電圧変化量－周囲温度 特性例 Vds=-10V, Id=-1mA Vgs(off)Variance（V） ゲート・ソース間カットオフ電圧変化量 ドレイン・ソース間オン抵抗 Rds (on)（Ω） (5)ドレイン・ソース間オン抵抗－周囲温度 特性例 ﾊﾟﾙｽﾃｽﾄ Ta=25℃, ﾊﾟﾙｽﾃｽﾄ 周囲温度 Topr（℃） 3/5 XP152A11E5MR-G ■特性曲線 特性例 (8)スイッチングタイム－ドレイン電流 特性例 容量値 C（pF） スイッチングタイム t（ns） (7)容量値－ドレイン・ソース間電圧 ドレイン・ソース間電圧 ドレイン電流 Vds（V） (9)ゲート・ソース間電圧－ゲート入力電荷量 特性例 Id（A） (10)逆ドレイン電流－ソース・ドレイン間 特性例 逆ドレイン電流 Idr（A） ゲート・ソース間電圧 Vgs（V） Ta=25℃, ﾊﾟﾙｽﾃｽﾄ ゲート入力電荷量 ソース・ドレイン間電圧 Qg（nc） Vsd（V） (11)Standardized Standardizedtransition transitionThermal Thermal Resistancevs. vs.Pulse PulseWidth Width (11)規格化過渡熱抵抗－パルス幅 特性例 (11) Resistance 規格化過渡熱抵抗 ys（t） Rth(ch-a)=250℃/W, セラミック基板実装時 パルス幅 4/5 PW（s） XP152A11E5MR-G 1. 本書に記載された内容(製品仕様、特性、データ等)は、改善のために予告なしに変更す ることがあります。製品のご使用にあたっては、その最新情報を当社または当社代理 店へお問い合わせ下さい。 2. 本書に記載された技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するものであり、工業 所有権、その他の権利に対する保証または許諾するものではありません。 3. 本書に記載された製品は、通常の信頼度が要求される一般電子機器(情報機器、オーデ ィオ／ビジュアル機器、計測機器、通信機器(端末)、ゲーム機器、パーソナルコンピュ ータおよびその周辺機器、家電製品等)用に設計・製造しております。 4. 本書に記載の製品を、その故障や誤作動が直接人命を脅かしたり、人体に危害を脅か す恐れのある装置やシステム(原子力制御、航空宇宙機器、輸送機器、交通信号機器、 燃焼制御、生命維持装置を含む医療機器、各種安全装置など)へ使用する場合には、事 前に当社へご連絡下さい。 5. 当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。しかしながら、万が一のため にフェールセーフとなる設計およびエージング処理など、装置やシステム上で十分な 安全設計をお願いします。 6. 保証値を超えた使用、誤った使用、不適切な使用等に起因する損害については、当社 では責任を負いかねますので、ご了承下さい。 7. 本書に記載された内容を当社に無断で転載、複製することは、固くお断り致します。 トレックス・セミコンダクター株式会社 5/5