XP202A0003MR-G JTR1128-004 P-channel 4V(G-S) MOSFET ■特長 ■用途 ・低オン抵抗 ・超高速スイッチング ・-4V 駆動 ・EU RoHS 指令対応、鉛フリー スイッチング用 ■製品名 ■絶対最大定格 項 目 記 号 定 格 単 位 ドレイン・ソース間電圧 ゲート・ソース間電圧 ドレイン電流(DC) VDSS VGSS ID -30 ±20 -3 V V A ドレイン電流(パルス)* 許容チャネル損失*(2) チャネル温度 保存温度 IDP Pd Tch Tstg -12 1 +150 - 55 ~ +150 A W ℃ ℃ (1) 製品名 詳細内容 発注単位 XP202A0003MR-G* SOT-23 3,000/Reel *”-G”は、ハロゲン＆アンチモンフリーかつ EU RoHS 対応製品になります。 ■端子配列 *(1)PW≦10μs,duty cycle≦1% *(2)セラミック基板(900mm2×0.8mm)実装時 1.Gate 2.Source 3.Drain SOT-23(TOP VIEW） ■電気的特性 項 目 記 号 測 定 条 件 MIN. 定 格 TYP. MAX. 単 位 V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(off) |yfs| ID=-1mA, VGS=0V VDS=-30V, VGS=0V VGS=±16V,VDS=0V VDS=-10V,ID=-1mA VDS=-10V,ID=-3A -30 -1.2 - 8.0 -1 ±10 -2.6 - V μA μA V S RDS(ON)1 ID=-1.5A,VGS=-10V - 45 67 mΩ ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON)2 ID=-1.0A,VGS=-4.5V - 67 95 mΩ 入力容量 出力容量 帰還容量 ターンオン遅延時間 上昇時間 RDS(ON)3 Ciss Coss Crss td(on) tr ID=-1.0A,VGS=-4V VDS=-10V,f=1MHz VDS=-10V,f=1MHz VDS=-10V,f=1MHz ID=-1A ID=-1A - 76 435 110 85 6 12 110 - mΩ pF pF pF ns ns ターンオフ遅延時間 下降時間 td(off) tf ID=-1A ID=-1A - 28 10 - ns ns 総ゲート電荷量 ゲート・ソース電荷量 ゲート・ドレイン電荷量 ダイオード順電圧 Qg Qgs Qgd VSD VDS=-15V, VGS=-10V, ID=-3A VDS=-15V, VGS=-10V, ID=-3A VDS=-15V, VGS=-10V, ID=-3A IS=-3A, VGS=0V - 10 1.2 2.2 -0.8 -1.2 nC nC nC V ドレイン・ソース間降伏電圧 ドレイン・ソース間遮断電流 ゲート･ソース漏れ電流 ゲート･ソース遮断電圧 順伝達アドミッタンス 1/5 XP202A0003MR-G ■スイッチングタイム測定回路図 0V 90% S 50Ω VI VI 10% G 0V 90% Oscilloscope D VO 90% VO 10% RL 10% td(off) tf td(on) tr Oscilloscope ■外形寸法図 ■内部接続図 ●SOT-23 ■マーキング マーク① 製品番号を表す。 シンボル 3 6 ① 1 ② ③ ④ 製品番号 XP202*******-G ⑤ 2 マーク②，③ 品種番号，管理番号を表す。 シンボル 管理番号 品種番号 ② ③ A D 00 03 品名表記例 XP202A0003**-G マーク④，⑤ 製造ロットを表す。01～09，0A～0Z，11～9Z，A1～A9，AA～Z9， ZA～ZZ を繰り返す。（但し、G, I, J, O, Q, W は除く。反転文字は 使用しない。） 2/5 XP202A0003MR-G ■特性例 (1) ドレイン電流–ドレイン・ソース間電圧 特性例 (2) ドレイン電流–ゲート・ソース間電圧 特性例 XP202A0003MR XP202A0003MR Ta= 25℃， Pulse Test -4.0 -5 -16.0V -10.0V -3.0 Drain Current： ID (A) Drain Current： ID (A) -3.5 -6.0V -2.5 -4.5V -2.0 -1.5 -4.0V -3.5V -3.0V -1.0 -0.5 V GS= -2.5V -4 -3 Ta= 75℃ -2 Ta= 25℃ -1 0 0.0 0.0 0.0 -0.2 -0.4 -0.6 VDS= -10V， Pulse Test -6 -0.8 -1.0 Ta= -25℃ 0.5 1.0 (3) ドレイン・ソース間オン抵抗–ゲート・ソース間電圧 特性例 Static Drain-source On-State Resistance：RDS(on) （ｍΩ) Static Drain-source On-State Resistance: RDS (on) (ｍΩ) 200 ID= -1.5A ID= -1.0A 50 0 -2 -4 -6 -8 100 V GS= -4.5V, ID= -1.5A 80 60 40 20 Gate-Source Voltage： V GS (V) V GS= -10V, ID= -1.5A 0 25 50 75 100 125 150 Ambient Temperature： Ta ( ℃) (5) 順伝達アドミタンス–ドレイン電流 特性例 (6) ソース電流–ダイオード順電圧 特性例 XP202A0003MR XP202A0003MR VDS= -10V VGS= 0V 10 Ta= 75℃ Ta= -25℃ Source Current： IS (A) Forward Transfer Admittance ： |yfs| (S) 4.0 V GS= -4.0V, ID= -1.0A 120 0 -50 -25 -10 -12 -14 -16 100 3.5 140 250 0 3.0 XP202A0003MR Ta= 25℃ 100 2.5 (4) ドレイン・ソース間オン抵抗–周囲温度 特性例 XP202A0003MR 150 2.0 Gate-Source Voltage： V GS (V) Drain-Source Voltage： V DS (V) 300 1.5 10 Ta=25℃ 1 0.1 0.01 Ta=75℃ 0.1 1 Drain Current： ID (A) 10 1 Ta=25℃ 0.1 Ta=-25℃ 0.01 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 Diode Forw ard Voltage： V SD (V) 3/5 XP202A0003MR-G ■特性例 (8) Ciss, Coss, Crss–ドレイン・ソース間電圧 特性例 (7) スイッチングタイム–ドレイン電流 特性例 XP202A0003MR XP202A0003MR VGS= -10V, VDS= -15V 1000 f=1MHz 1000 100 tf Ciss, Coss, Crss (pF) Switching Time： t (ns) Ciss td(off) tr 10 td(on) 1 Coss 100 Crss 10 0.1 1 10 0 5 Drain Current： ID (A) 10 Drain Current: ID (A) Gate-Source Voltage： V GS (V) -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 3 4 5 6 7 8 Gate Charge: Qg (nc) 9 10 Operation in this area is limited by RDS(on) ID =-12A 10 ID =-3A 0.1ms 1 1ms 10ms 0.1 -1 0 4/5 100 -9 2 30 XP202A0003MR VDS= -15V, ID = -3A 1 25 (10) 安全動作領域 XP202A0003MR 0 20 Drain-Source Voltage： V DS (V) (9) ゲート・ソース間電圧–ゲート入力電荷量 特性例 -10 15 0.01 0.01 Ta=25℃ Single pulse When mounted on ceramic substrate 100ms 1000ms DC Operation (900mm2 X 0.8mm) 0.1 1 10 Drain-Source Voltage: V DS (V) 100 XP202A0003MR-G 1. 本書に記載された内容(製品仕様、特性、データ等)は、改善のために予告なしに変更す ることがあります。製品のご使用にあたっては、その最新情報を当社または当社代理 店へお問い合わせ下さい。 2. 本書に記載された技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するものであり、工業 所有権、その他の権利に対する保証または許諾するものではありません。 3. 本書に記載された製品は、通常の信頼度が要求される一般電子機器(情報機器、オーデ ィオ／ビジュアル機器、計測機器、通信機器(端末)、ゲーム機器、パーソナルコンピュ ータおよびその周辺機器、家電製品等)用に設計・製造しております。 4. 本書に記載の製品を、その故障や誤作動が直接人命を脅かしたり、人体に危害を脅か す恐れのある装置やシステム(原子力制御、航空宇宙機器、輸送機器、交通信号機器、 燃焼制御、生命維持装置を含む医療機器、各種安全装置など)へ使用する場合には、事 前に当社へご連絡下さい。 5. 当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。しかしながら、万が一のため にフェールセーフとなる設計およびエージング処理など、装置やシステム上で十分な 安全設計をお願いします。 6. 保証値を超えた使用、誤った使用、不適切な使用等に起因する損害については、当社 では責任を負いかねますので、ご了承下さい。 7. 本書に記載された内容を当社に無断で転載、複製することは、固くお断り致します。 トレックス・セミコンダクター株式会社 5/5