XC6118 シリーズ センス端子分離 JTR02013-005 コンデンサ遅延タイプ電圧検出器 ■概要 XC6118 シリーズは CMOS プロセスとレーザートリミング技術を用いて、高精度、低消費電流を実現した電圧検出器です。 センス端子と電源入力端子が分離されており、別電源の電圧を監視する事が可能です。 センス端子と電源入力端子を分離して使用する事で、監視する電源の電圧が 0V まで低下しても、出力を検出状態に保持す る事が可能です。 また、遅延回路を内蔵しており遅延容量端子にコンデンサを接続する事によって、任意の解除遅延を持たせることが可能です。 出力形態は CMOS 出力と Nch オープンドレイン出力の 2 種類があります。 ■用途 ■特長 高精度 ：±2％(検出電圧≧1.5V) ±30mV(検出電圧＜1.5V) 低消費電流 ：0.4μA TYP. (検出時, VIN=1.0V) 0.8μA TYP. (解除時, VIN=1.0V) 検出電圧範囲 ：0.8V～5.0V(0.1V ステップ) 動作電圧範囲 ：1.0V～6.0V 検出電圧温度特性：±100ppm/℃ TYP. 出力形態 ：CMOS 出力 Nch オープンドレイン出力 センス端子分離型 遅延回路内蔵 遅延容量端子付き 動作周囲温度 ：-40℃～+85℃ パッケージ ：USP-4、SOT-25 環境への配慮 ：EU RoHS 指令対応、鉛フリー ● マイコンシステムのリセット ● バッテリー電圧の監視回路 ● バックアップ電源の切換回路 ● 停電検出回路 ■代表特性例 ■代表標準回路 出力電圧-センス電圧特性例 XC6118C25Ax 別電源 (CMOS 出力品の場合、PullUp 抵抗は必要ありません。) Output Voltage: VOUT (V) Ta=25℃ 7.0 6.0 VIN=6.0V 5.0 4.0 4.0V 3.0 2.0 1.0 1.0V 0.0 -1.0 0 1 2 3 4 5 6 Sense Voltage: VSEN (V) 1/20 XC6118 シリーズ ■端子配列 Cd/NC 2 VOUT 1 Cd/NC 3 VSEN 5 VSS 4 VIN USP-4 （BOTTOM VIEW） SOT-25 （TOP VIEW） *XC6118xxxA/B- 放熱板は他端子とショートさせ ないで下さい。 *XC6118xxxC/D- 放熱板を他端子とショートさせ る場合は 2 番端子(NC)と接続の上ご使用下さい。 ■端子説明 端子番号 USP-4 SOT-25 1 2 2 3 4 5 1 5 5 4 3 2 端子名 機能 VOUT Cd NC VSEN VIN VSS 出力端子・検出時’L’ 遅延容量端子(*) 未使用 センス端子 電源入力端子 グランド端子 (*) ※USP-4 の VSS 端子は裏面タブを 5 番ピンとして使用しています。 ※遅延容量端子無しオプションを選択した場合、遅延容量端子が NC となります。 ■製品分類 ●品番ルール XC6118①②③④⑤⑥-⑦(*1) 記号 項目 ① 出力形態 ②③ ④ ⑤⑥-⑦ 2/20 検出電圧 シンボル C CMOS 出力 N Nch オープンドレイン出力 08~50 e.g. 18 → 1.8V A 遅延容量端子有＆ヒステリシス 5％（TYP.）(標準※) B 遅延容量端子有＆ヒステリシス１％以下 C 遅延容量端子無＆ヒステリシス 5％（TYP.）(セミカスタム) D 遅延容量端子無＆ヒステリシス１％以下 オプション パッケージ (発注単位) 説明 GR-G USP-4 (3,000/Reel) MR-G SOT-25 (3,000/Reel) ※ 遅延機能を使用しない場合は遅延容量端子をオープンにしてご使用下さい。 ※ “-G”は、ハロゲン＆アンチモンフリーかつ RoHS 対応製品です。 (標準※) (セミカスタム) XC6118 シリーズ ■ブロック図 (1) XC6118CxxA ※左図から遅延容量端子 Cd の接続を省いた ものが XC6118CxxC(セミカスタム)です。 (2) XC6118CxxB ※左図から遅延容量端子 Cd の接続を省いた ものが XC6118CxxD(セミカスタム) です。 (3) XC6118NxxA ※左図から遅延容量端子 Cd の接続を省いた ものが XC6118NxxC(セミカスタム) です。 (4) XC6118NxxB ※左図から遅延容量端子 Cd の接続を省いた ものが XC6118NxxD(セミカスタム) です。 ※上図のダイオードは、静電保護用のダイオードと寄生ダイオードです。 3/20 XC6118 シリーズ ■絶対最大定格 XC6118xxxA/B Ta=25℃ 項目 入力電圧 出力電流 XC6118C(※1) 出力電圧 XC6118N(※2) センス端子電圧 遅延容量端子電圧 遅延容量端子電流 USP-4 許容損失 SOT-25 動作周囲温度 保存温度 記号 VIN IOUT VOUT VSEN VCD ICD Pd Ta Tstg 定格 VSS-0.3～7.0 10 VSS-0.3～VIN+0.3 VSS-0.3～7.0 VSS-0.3～7.0 VSS-0.3～VIN+0.3 5.0 120 250 -40～+85 -55～+125 XC6118xxxC/D 出力電圧 許容損失 V V V mA mW o o C C Ta=25℃ 項目 入力電圧 出力電流 XC6118C(※1) XC6118N(※2) センス端子電圧 USP-4 SOT-25 動作周囲温度 保存温度 (※1)CMOS 出力 (※2)Nch オープンドレイン出力 4/20 単位 V mA 記号 VIN IOUT VOUT VSEN Pd Ta Tstg 定格 VSS-0.3～7.0 10 VSS-0.3～VIN+0.3 VSS-0.3～7.0 VSS-0.3～7.0 120 250 -40～+85 -55～+125 単位 V mA V V mW o o C C XC6118 シリーズ ■電気的特性 Ta=25℃ XC6118xxxA 規格値 電気的特性 記号 測定条件 MIN. 動作電圧 TYP. 測定回路 V - VIN VDF(T)=0.8～5.0V(※1) 検出電圧 VDF VIN=1.0～6.0V E-1 V ① ヒステリシス幅 VHYS VIN=1.0～6.0V E-2 V ① VIN=1.0～6.0V ±0.1 %/V ① μA ② μA ② mA ③ mA ④ μA ③ ppm/ C o ① 検出電圧入力安定度 ΔVDF/ (ΔVIN・VDF) 1.0 単位 MAX. 6.0 VSEN=VDF×0.9 消費電流 1(※2) ISS1 VIN=1.0V 0.4 1.0 VIN=6.0V 0.4 1.0 VIN=1.0V 0.8 1.6 VIN=6.0V 0.9 1.8 VSEN=VDF×1.1 消費電流 2(※2) ISS2 VSEN=0V, VDS=0.5V(Nch) IOUT1 出力電流(※3) VIN=1.0V 0.1 0.7 VIN=2.0V 0.8 1.6 VIN=3.0V 1.2 2.0 VIN=4.0V 1.6 2.3 VIN=5.0V 1.8 2.4 VIN=6.0V 1.9 2.5 VSEN=6.0V, VDS=0.5V(Pch) IOUT2 VIN=1.0V -0.30 -0.08 VIN=6.0V -1.00 -0.70 CMOS 出力 VIN=6.0V, VSEN=0V, リーク (Pch) VOUT=0V, Cd: Open 電流 Nch オープン VIN=6.0V, VSEN=6.0V, ドレイン出力 VOUT=6.0V, Cd: Open 温度特性 ILEAK ΔVDF/ (ΔTopr・VDF) o o RSEN VSEN=5.0V, VIN=0V 遅延抵抗(※5) RDELAY VSEN=6.0V, VIN=5.0V, VCD=0V 遅延容量端子シンク電流 ICDS VCD=0.5V, VIN=1.0V VTCD 不定動作電圧(※6) VUNS 検出遅延時間(※7) tDF0 解除遅延時間(※8) tDR0 0.20 -40 C≦Topr≦85 C センス抵抗(※4) 遅延容量端子閾値電圧 -0.20 0.40 ±100 E-4 1.6 2.0 2.4 200 MΩ ⑤ MΩ ⑥ μA ⑥ V ⑦ VSEN=6.0V, VIN=1.0V 0.4 0.5 0.6 VSEN=6.0V, VIN=6.0V 2.9 3.0 3.1 0.3 0.4 V ⑧ 30 230 μs ⑨ 30 200 μs ⑨ VIN=VSEN=0～1.0V VIN=6.0V, VSEN=6.0V→0V Cd: Open VIN=6.0V, VSEN=0V→6.0V Cd: Open (※1)VDF(T):設定検出電圧値。 (※2)センス抵抗に流れる電流は含まない。 (※3)Pch 側出力電流は XC6118C(CMOS 出力)のみ。 (※4)VSEN の電圧値と電流値から算出。 (※5)VIN の電圧値と Cd の電流値から算出。 (※6)VIN と VSEN を短絡して使用した時、VIN が 0～1.0V の範囲における VOUT の最大電圧。XC6118C(CMOS 出力)のみ。 (※7) VSEN が立ち下がる時、VSEN=VDF から VOUT=VIN×0.1 になるまでの時間。 (※8) VSEN が立ち上がる時、VIN=VDF+VHYS から VOUT=VIN×0.9 になるまでの時間。 5/20 XC6118 シリーズ ■電気的特性 XC6118xxxB Ta=25℃ 規格値 電気的特性 記号 測定条件 MIN. 動作電圧 TYP. 測定回路 V - VIN VDF(T)=0.8～5.0V(※1) 検出電圧 VDF VIN=1.0～6.0V E-1 V ① ヒステリシス幅 VHYS VIN=1.0～6.0V E-3 V ① VIN=1.0～6.0V ±0.1 %/V ① μA ② μA ② mA ③ mA ④ μA ③ ppm/ C o ① MΩ ⑤ 検出電圧入力安定度 ΔVDF/ (ΔVIN・VDF) 1.0 単位 MAX. 6.0 VSEN=VDF×0.9 消費電流 1(※2) ISS1 VIN=1.0V 0.4 1.0 VIN=6.0V 0.4 1.0 VIN=1.0V 0.8 1.6 VIN=6.0V 0.9 1.8 VSEN=VDF×1.1 消費電流 2(※2) ISS2 VSEN=0V, VDS=0.5V(Nch) IOUT1 出力電流(※3) VIN=1.0V 0.1 0.7 VIN=2.0V 0.8 1.6 VIN=3.0V 1.2 2.0 VIN=4.0V 1.6 2.3 VIN=5.0V 1.8 2.4 VIN=6.0V 1.9 2.5 VSEN=6.0V, VDS=0.5V(Pch) IOUT2 VIN=1.0V -0.30 -0.08 VIN=6.0V -1.00 -0.70 CMOS 出力 VIN=6.0V, VSEN=0V, リーク (Pch) VOUT=0V, Cd: Open 電流 Nch オープン ILEAK ドレイン出力 温度特性 -0.20 VIN=6.0V, VSEN=6.0V, 0.20 VOUT=6.0V, Cd: Open ΔVDF/ (ΔTopr・VDF) o o -40 C≦Topr≦85 C センス抵抗(※4) RSEN VSEN=5.0V VIN=0V 遅延抵抗(※5) RDELAY VSEN=6.0V, VIN=5.0V, VCD=0V 遅延容量端子シンク電流 ICD Cd=0.5V, VIN=1.0V 遅延容量端子閾値電圧 VTCD 不定動作電圧(※6) VUNS 検出遅延時間 (※7) tDF0 解除遅延時間(※8) tDR0 0.40 ±100 E-4 1.6 2.0 2.4 200 MΩ ⑥ μA ⑥ V ⑦ VSEN=6.0V, VIN=1.0V 0.4 0.5 0.6 VSEN=6.0V, VIN=6.0V 2.9 3.0 3.1 0.3 0.4 V ⑧ 30 230 μs ⑨ 30 200 μs ⑨ VIN=VSEN=0～1.0V VIN=6.0V, VSEN=6.0V→0V Cd: Open VIN=6.0V, VSEN=0 V→6.0V Cd: Open (※1)VDF(T):設定検出電圧値。 (※2)センス抵抗に流れる電流は含まない。 (※3)Pch 側出力電流は XC6118C(CMOS 出力)のみ。 (※4)VSEN の電圧値と電流値から算出。 (※5)VIN の電圧値と Cd の電流値から算出。 (※6)VIN と VSEN を短絡して使用した時、VIN が 0～1.0V の範囲における VOUT の最大電圧。XC6118C(CMOS 出力)のみ。 (※7) VSEN が立ち下がる時、VSEN=VDF から VOUT=VIN×0.1 になるまでの時間。 (※8) VSEN が立ち上がる時、VIN=VDF+VHYS から VOUT=VIN×0.9 になるまでの時間。 6/20 XC6118 シリーズ ■電気的特性 XC6118xxxC Ta=25℃ 規格値 電気的特性 記号 測定条件 MIN. 動作電圧 TYP. 測定回路 V - VIN VDF(T)=0.8～5.0V(※1) 検出電圧 VDF VIN=1.0～6.0V E-1 V ① ヒステリシス幅 VHYS VIN=1.0～6.0V E-2 V ① VIN=1.0～6.0V ±0.1 %/V ① μA ② μA ② mA ③ mA ④ μA ③ ppm/ C o ① MΩ ⑤ 検出電圧入力安定度 ΔVDF/ (ΔVIN・VDF) 1.0 単位 MAX. 6.0 VSEN=VDF×0.9 消費電流 1(※2) ISS1 VIN=1.0V 0.4 1.0 VIN=6.0V 0.4 1.0 VIN=1.0V 0.8 1.6 VIN=6.0V 0.9 1.8 VSEN=VDF×1.1 消費電流 2(※2) ISS2 VSEN=0V, VDS=0.5V(Nch) IOUT1 出力電流(※3) VIN=1.0V 0.1 0.7 VIN=2.0V 0.8 1.6 VIN=3.0V 1.2 2.0 VIN=4.0V 1.6 2.3 VIN=5.0V 1.8 2.4 VIN=6.0V 1.9 2.5 VSEN=6.0V, VDS=0.5V(Pch) IOUT2 CMOS 出力 リーク (Pch) 電流 Nch オープン -0.30 -0.08 VIN=6.0V -1.00 -0.70 VIN=6.0V, VSEN=0V, ILEAK ドレイン出力 温度特性 VIN=1.0V VOUT=0V VIN=6.0V, VSEN=6.0V, VOUT=6.0V ΔVDF/ (ΔTopr・VDF) o o -0.20 0.20 -40 C≦Topr≦85 C ±100 0.40 センス抵抗(※4) RSEN VSEN=5.0V, VIN=0V E-4 不定動作電圧(※5) VUNS VIN=VSEN=0～1.0V 0.3 0.4 V ⑦ 検出遅延時間(※6) tDF0 VIN=6.0V, VSEN=6.0V→0V 30 230 μs ⑨ 解除遅延時間(※7) tDR0 VIN=6.0V, VSEN=0V→6.0V 30 200 μs ⑨ (※1)VDF(T):設定検出電圧値。 (※2)センス抵抗に流れる電流は含まない。 (※3)Pch 側出力電流は XC6118C(CMOS 出力)のみ。 (※4)VSEN の電圧値と電流値から算出。 (※5)VIN と VSEN を短絡して使用した時、VIN が 0～1.0V の範囲における VOUT の最大電圧。XC6118C(CMOS 出力)のみ。 (※6) VSEN が立ち下がる時、VSEN=VDF から VOUT=VIN×0.1 になるまでの時間。 (※7) VSEN が立ち上がる時、VIN=VDF+VHYS から VOUT=VIN×0.9 になるまでの時間。 7/20 XC6118 シリーズ ■電気的特性 XC6118xxxD Ta=25℃ 規格値 電気的特性 記号 測定条件 MIN. 動作電圧 TYP. 測定回路 V - VIN VDF(T)=0.8～5.0V(※1) 検出電圧 VDF VIN=1.0～6.0V E-1 V ① ヒステリシス幅 VHYS VIN=1.0～6.0V E-3 V ① VIN=1.0～6.0V ±0.1 %/V ① μA ② μA ② mA ③ mA ④ μA ③ ppm/ C o ① MΩ ⑤ 検出電圧入力安定度 ΔVDF/ (ΔVIN・VDF) 1.0 単位 MAX. 6.0 VSEN=VDF×0.9 消費電流 1(※2) ISS1 VIN=1.0V 0.4 1.0 VIN=6.0V 0.4 1.0 VIN=1.0V 0.8 1.6 VIN=6.0V 0.9 1.8 VSEN=VDF×1.1 消費電流 2(※2) ISS2 VSEN=0V, VDS=0.5V(Nch) IOUT1 出力電流(※3) VIN=1.0V 0.1 0.7 VIN=2.0V 0.8 1.6 VIN=3.0V 1.2 2.0 VIN=4.0V 1.6 2.3 VIN=5.0V 1.8 2.4 VIN=6.0V 1.9 2.5 VSEN=6.0V, VDS=0.5V(Pch) IOUT2 CMOS 出力 リーク (Pch) 電流 Nch オープン -0.30 -0.08 VIN=6.0V -1.00 -0.70 VIN=6.0V, VSEN=0V, ILEAK ドレイン出力 温度特性 VIN=1.0V VOUT=0V VIN=6.0V, VSEN=6.0V, VOUT=6.0V ΔVDF/ (ΔTopr・VDF) o o -0.20 0.20 -40 C≦Topr≦85 C ±100 0.40 センス抵抗(※4) RSEN VSEN=5.0V, VIN=0V E-4 不定動作電圧(※5) VUNS VIN=VSEN=0～1.0V 0.3 0.4 V ⑦ 検出遅延時間(※6) tDF0 VIN=6.0V, VSEN=6.0V→0V 30 230 μs ⑨ 解除遅延時間(※7) tDR0 VIN=6.0V, VSEN=0V→6.0V 30 200 μs ⑨ (※1)VDF(T):設定検出電圧値。 (※2)センス抵抗に流れる電流は含まない。 (※3)Pch 側出力電流は XC6118C(CMOS 出力)のみ。 (※4)VSEN の電圧値と電流値から算出。 (※5)VIN と VSEN を短絡して使用した時、VIN が 0～1.0V の範囲における VOUT の最大電圧。XC6118C(CMOS 出力)のみ。 (※6) VSEN が立ち下がる時、VSEN=VDF から VOUT=VIN×0.1 になるまでの時間。 (※7) VSEN が立ち上がる時、VIN=VDF+VHYS から VOUT=VIN×0.9 になるまでの時間。 8/20 XC6118 シリーズ ■設定電圧別規格表 記号 項目 設定電圧 VDF(T) (V) 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 3.0 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 3.8 3.9 4.0 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 4.8 4.9 5.0 E-1 E-2 E-3 E-4 検出電圧(※1) (V) ヒステリシス幅 (V) ヒステリシス幅 (V) センス抵抗 (MΩ) VDF MIN. 0.770 0.870 0.970 1.070 1.170 1.270 1.370 1.470 1.568 1.666 1.764 1.862 1.960 2.058 2.156 2.254 2.352 2.450 2.548 2.646 2.744 2.842 2.940 3.038 3.136 3.234 3.332 3.430 3.528 3.626 3.724 3.822 3.920 4.018 4.116 4.214 4.312 4.410 4.508 4.606 4.704 4.802 4.900 VHYS MAX. 0.830 0.930 1.030 1.130 1.230 1.330 1.430 1.530 1.632 1.734 1.836 1.938 2.040 2.142 2.244 2.346 2.448 2.550 2.652 2.754 2.856 2.958 3.060 3.162 3.264 3.366 3.468 3.570 3.672 3.774 3.876 3.978 4.080 4.182 4.284 4.386 4.488 4.590 4.692 4.794 4.896 4.998 5.100 MIN. 0.015 0.017 0.019 0.021 0.023 0.025 0.027 0.029 0.031 0.033 0.035 0.037 0.039 0.041 0.043 0.045 0.047 0.049 0.051 0.053 0.055 0.057 0.059 0.061 0.063 0.065 0.067 0.069 0.071 0.073 0.074 0.076 0.078 0.080 0.082 0.084 0.086 0.088 0.090 0.092 0.094 0.096 0.098 VHYS MAX. 0.066 0.074 0.082 0.090 0.098 0.106 0.114 0.122 0.131 0.085 0.147 0.155 0.163 0.171 0.180 0.188 0.196 0.204 0.212 0.220 0.228 0.237 0.245 0.253 0.261 0.269 0.277 0.286 0.294 0.302 0.310 0.318 0.326 0.335 0.343 0.351 0.359 0.367 0.375 0.384 0.392 0.400 0.408 MIN. 0 RSEN MAX. 0.008 0.009 0.010 0.011 0.012 0.013 0.014 0.015 0.016 0.017 0.018 0.019 0.020 0.021 0.022 0.023 0.024 0.026 0.027 0.028 0.029 0.030 0.031 0.032 0.033 0.034 0.035 0.036 0.037 0.038 0.039 0.040 0.041 0.042 0.043 0.044 0.045 0.046 0.047 0.048 0.049 0.050 0.051 MIN. TYP. 10 20 13 24 15 28 (※1)VDF(T)≦1.4V の時、検出精度は±30mV。VDF(T)≧1.5V の時、検出精度は±2%。 9/20 XC6118 シリーズ ■測定回路 測定回路 2 測定回路 1 RPULL=100kΩ CMOS 出力品には不要 VIN VSEN VOUT XC6118 Series V Cd VSS 測定回路 4 測定回路 3 VIN VIN VSEN VOUT VSEN VOUT XC6118 Series A XC6118 Series A Cd Cd VSS VSS 測定回路 5 測定回路 6 VIN VSEN VOUT XC6118 Series A Cd VSS 測定回路 8 測定回路 7 RPULL=100kΩ CMOS 出力品には不要 VIN VSEN VOUT XC6118 Series V V Cd VSS 測定回路 9 RPULL=100kΩ CMOS 出力品には不要 波形観測点 注)XC6118xxxC/D シリーズには遅延容量端子はありません 10/20 XC6118 シリーズ ■動作説明 図 1 に代表的な回路例、図 2 に図 1 のタイミングチャートを示します。 注: XC6118N シリーズ(Nch オープ VIN ンドレイン出力)では出力をプル M2 VSEN ＲＳEN=R1+R2+R3 必要です。 Rdelay Comparator Inverter VOUT R1 VIN VSEN アップする為のプルアップ抵抗が M4 R2 M3 Vref M5 M1 R3 VSS Cd Cd 図 1：代表的な回路例 センス端子電圧: VSEN(MIN.:0V MAX.:6.0V) 解除電圧: VDF+VHYS 検出電圧: VDF 遅延容量端子電圧: VCD(MIN.:VSS MAX.:VIN) 遅延容量端子閾値電圧: VTCD 出力端子電圧: VOUT (MIN.:VSS MAX:VIN) 図 2：図 1 のタイミングチャート ①初期状態としてセンス端子には解除電圧に対して十分に高い電圧(MAX.:6.0V)が印加されており、遅延容量 Cd は電源入力電圧 VIN(MIN.:1.0V MAX.:6.0V)までチャージされているものとします。センス端子電圧が降下し始め、 検出電圧に達するまでの間(VSEN＞VDF)、出力電圧 VOUT は High レベル(=VIN)となっています。 注:Nch オープンドレイン出力(XC6118N)でプルアップ抵抗を電源入力端子 VIN とは別の電源に接続する場合、High レベルはプルアップ抵抗を接続している電源の電圧値となります。 ②センス端子電圧が下降し続け、検出電圧となった(VSEN=VDF)時、M1 が ON し、遅延容量 Cd のディスチャージ を開始します。Inverter は基準電圧 VIN のコンパレータとして動作し、出力電圧 VOUT は Low レベル(=VSS)に変化 します。VSEN=VDF から VOUT が Low レベルになるまでの時間を検出遅延 tDF(特に遅延容量端子がオープンの時の検 出遅延を tDF0)とします。 ③センス端子電圧が検出電圧 VDF 以下の間、遅延容量 Cd はグランドレベルまでディスチャージされ、センス端子 が再び上昇し、解除電圧に達するまでの間(VSEN＜VDF+VHYS)、出力電圧 VOUT は Low レベルを保持します。 11/20 XC6118 シリーズ ■動作説明 ④センス端子が上昇し続け、解除電圧(VDF+VHYS)になった時、M1 が OFF し、遅延抵抗 RDELAY を介して遅延容量 Cd のチャージを開始します。Inverter はこの時点からセンス端子が検出電圧より高い(VSEN>VDF)間、立上り論理 閾値 VTLH=VTCD、立下り論理閾値 VTHL=VSS のコンパレータとして動作します。 ⑤センス端子は解除電圧以上を保持し、遅延容量端子電圧が上昇し遅延容量端子閾値 VTCD に達するまでの間、RC 直列回路の時定数でチャージされ、その時間を解除遅延 tDR とすると、式(1)により算出されます。(ln は自然対数) tDR=-RDELAY×Cd×ln(1-VTCD/VIN) …(1) 遅延抵抗 RDELAY は 2.0MΩ(TYP.)、遅延容量端子閾値電圧 VTCD は VIN/2(TYP.)となっておりますので、簡易的には 式(2)で算出する事が可能です。 tDR= RDELAY×Cd×0.69 …(2) ＊：RDELAY は 2.0MΩ（TYP.）になります。 例として遅延容量 Cd を 0.68μF とした時の解除遅延 tDR は 2.0×106×0.68×10-6×0.69=938(ms)となります。 注:③の期間が短く、遅延容量 Cd をグランドレベルまでディスチャージ出来ない場合、解除遅延が著しく短くな る事があります。ご注意ください。 ⑥遅延容量端子電圧 VCD が遅延容量端子閾値電圧 VTCD に達した時(VCD=VTCD)、Inverter が反転し、出力電圧 VOUT は High(=VIN)レベルに変化します。遅延容量端子がオープンの時の VSEN=VDF+VHYS から VOUT が High レベルにな るまでの時間を tDR0 とします。 ⑦センス端子電圧が検出電圧より高い(VSEN＞VDF)間、遅延容量 Cd は遅延容量端子電圧 VCD が電源入力電圧 VIN になるまでチャージされ、VOUT は High(=VIN)レベルを保持します。 機能表 VSEN VCD L H L L H H L H L H VOUT 遷移 * ① ② L ⇒ L ⇒ L H L H ⇒ H ⇒ ※①の状態から VSEN, VCD, VIN の組合せにより②の状態に遷移することを表す。 また、VIN は最低動作電圧以上とする。 ● 機能表状態遷移例 例1) VOUT が”L”の時 VSEN=”H”(VDR≧VSEN)、Cd=”H”(VTCD≧Cd)となった場合 VOUT は”L”から”H”に変化する。 例2) 例 1 で VOUT が”H”になった状態の時 Cd が”H”から”L”に変化して VSEN=”H”、Cd=”L”となった場合 VOUT は”H”を保持する。 解除遅延時間表 遅延容量 Cd (μF) 0.01 0.022 0.047 0.1 0.22 0.47 1 解除遅延 tDR (TYP.) (ms) 13.8 30.4 64.9 138 304 649 1380 解除遅延 tDR (MIN.～MAX.) (ms) ※2 11.0 ~ 16.6 24.3 ~ 36.4 51.9 ~ 77.8 110 ~ 166 243 ~ 364 519 ~ 778 1100 ~ 1660 解除遅延時間表の値は式(2)より求めた計算値となります。 ※1 解除遅延 tDR の値は遅延容量 Cd の実容量値により変わるのでご注意下さい。 12/20 XC6118 シリーズ ■使用上の注意 1. 本 IC をご使用の際には絶対最大定格内でご使用ください。一時的、過渡的な電圧降下および電圧上昇等の現 象について、絶対最大定格を超えて使用した場合、劣化または破壊する可能性があります。 2. 電源-電源入力端子間の抵抗成分と IC 動作時の貫通電流により電源入力端子電圧が降下します。この時、動作 電圧範囲を下回ると誤動作の原因となる可能性があります。CMOS 出力の場合、出力電流でも同様に電源入 力端子電圧の降下が起こります。また、CMOS 出力で電源入力端子とセンス端子を短絡してご使用になる場 合、前述の電圧降下がヒステリシス電圧を上回ると回路が発振する可能性があります。電源入力端子に抵抗を 接続してご使用になる場合は特にご注意ください。 3. 設定電圧が 1.0V 未満の場合、電源入力端子とセンス端子は必ず分離して電源入力端子に 1.0V 以上の電圧を 印加してご使用ください。 4. 電源入力端子電圧が急峻かつ大きく変動すると誤動作を起こす可能性がありますので、ご注意ください。 5. 電源ノイズは誤動作の原因となることがありますので、VIN-GND 間にコンデンサを挿入するなど実機での評 価を十分にして下さい。 6. 遅延容量端子にコンデンサを接続した状態で、解除動作時に電源入力端子電圧が急激に低下(例:6.0V から 0V) する事が想定される場合は、図 3 のように電源入力端子-遅延容量端子間にショットキーダイオードを接続し てご使用ください。 7. Nch オープンドレイン出力の時、出力端子に接続するプルアップ抵抗より検出時と解除時の VOUT 電圧が決ま ります。以下の事柄を参照して抵抗値を選択して下さい。(図 4 参照) 検出時：VOUT=Vpull/(1+Rpull/RON) Vpull：プルアップ先の電圧 RON(※1)：Nch ドライバーM3 の ON 抵抗（電気的特性より、VDS/IOUT1 から算出） -3 計算例：VIN=2.0V 時(※2)RON=0.5/0.8×10 =625Ω（MAX.）となり、VPULL が 3.0V で検出時の VOUT 電圧を 0.1V 以下にしたい場合、 Rpull=(Vpull /VOUT -1)×RON=(3/0.1-1)×625≒18kΩになるため 上記の条件で検出時の出力電圧を 0.1V 以下にするためにはプルアップ抵抗を 18kΩ以上にする必要があります。 (※1)VIN が小さいほど RON は大きくなりますのでご注意下さい。 (※2)VIN の選択はご使用になる入力電圧の範囲で最低の値で計算してください。 解除時：VOUT=Vpull/(1+Rpull/Roff) Vpull：プルアップ先の電圧 Roff：Nch ドライバーM3 の OFF 時抵抗値 15MΩ（MIN.）（電気的特性より、VOUT/ILEAK から算出） 計算例：Vpull が 6.0V で VOUT を 5.99V 以上にしたい場合 6 Rpull=(Vpull/VOUT-1)×Roff=(6/5.99-1)×15×10 ≒25kΩになるため 上記の条件で解除時の出力電圧を 5.99V 以上にするためにはプルアップ抵抗を 25kΩ以下にする必要があります。 8. 当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。しかしながら、万が一のためにフェールセーフとなる 設計およびエージング処理など、装置やシステム上で十分な安全設計をお願いします。 Vpull VIN M2 RFULL=100kΩ VIN VSEN （CMOS 出力では不用） VSEN ＲＳEN=R1+R2+R3 Rpull Comparator Rdelay Inverter ILEA K R1 VIN VOUT VSEN VOUT VIN VSEN VOUT M3 R2 Vref Cd Cd M5 VSS M1 VSS R3 Cd 備考： Roff=VOUT/ILEAK 図 3:遅延容量端子にショットキーダイオードを接続した回路例 図 4:XC6118N シリーズ 代表的な回路例 13/20 XC6118 シリーズ ■特性例 (1)消費電流-センス電圧特性例 XC6118C25Ax VIN=3.0V Supply Current: ISS (μA) 2.0 Ta=85℃ 1.5 25℃ 1.0 0.5 -40℃ 0.0 0 1 2 3 4 5 6 Sense Voltage: VSEN (V) (2)消費電流-電源入力電圧特性例 XC6118C25Ax XC6118C25Ax VSEN=2.75V VSEN=2.25V 1.2 Supply Current: ISS (μA) Supply Current: ISS (μA) 1.2 1.0 Ta=85℃ 0.8 25℃ 0.6 0.4 -40℃ 0.2 0.0 0 1 2 3 4 5 Ta=85℃ 1.0 0.8 0.6 25℃ 0.4 -40℃ 0.2 0.0 0 6 1 2 3 4 5 6 Input Voltage: VIN (V) Input Voltage: VIN (V) (4)検出電圧-電源入力電圧特性例 (3)検出電圧-周囲温度特性例 XC6118C25Ax XC6118C25Ax VIN=4.0V 2.55 Detect Voltage: VDF (V) Detect Voltage: VDF (V) 2.55 2.50 2.45 85℃ 2.50 -40℃ 2.45 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) 14/20 Ta=25℃ 100 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 Input Voltage: VIN (V) 6.0 XC6118 シリーズ ■特性例 (6)遅延容量端子シンク電流-電源入力電圧特性例 (5)ヒステリシス電圧-周囲温度特性例 XC6118C25Ax XC6118C25Ax VSEN=0V VDS=0.5V Cd PIN Current: ICD (mA) Hysteresis Voltage: VHYS (V) VIN=4.0V 0.20 0.15 0.10 0.05 -50 -25 0 25 50 75 3.0 2.5 Ta=-40℃ 2.0 25℃ 1.5 1.0 85℃ 0.5 0.0 0 100 1 Ambient Temperature: Ta (℃) Output Voltage: VOUT (V) Output Voltage: VOUT (V) 6.0 VIN=6.0V 5.0 4.0 4.0V 3.0 2.0 1.0 1.0V 0.0 -1.0 3 5 6 VSEN=VIN Pull-up=VIN R=100kΩ Ta=25℃ 7.0 2 4 XC6118N25Ax XC6118C25Ax 1 3 (8)出力電圧-電源入力電圧特性例 (7)出力電圧-センス電圧特性例 0 2 Input Voltage : VIN (V) 4 5 4.0 3.0 Ta=85℃ 2.0 25℃ 1.0 -40℃ 0.0 -1.0 0 6 0.5 1 1.5 2 2.5 3 Input Voltage : VIN (V) Sense Voltage: VSEN (V) (9)出力電流-電源入力電圧特性例 XC6118C25Ax XC6118C25Ax VDS(Pch)=0.5V VDS(Nch)=0.5V 0.0 3.5 Output Current: Iout (mA) Output Current: Iout (mA) 4.0 Ta=-40℃ 3.0 25℃ 2.5 2.0 1.5 85℃ 1.0 0.5 0.0 Ta=85℃ -0.5 -1.0 25℃ -1.5 -40℃ -2.0 0 1 2 3 4 5 Input Voltage : VIN (V) 6 0 1 2 3 4 5 6 Input Voltage : VIN (V) 15/20 XC6118 シリーズ ■特性例 (11)解除遅延-遅延容量特性例 (10)遅延抵抗-周囲温度特性例 XC6118C25Ax Delay Resistance: Rdelay (MΩ) VSEN=6.0V VCD=0.0V VIN=5.0V 4 3.5 3 2.5 2 1.5 1 -50 -25 0 25 50 75 Release Delay time: TDR (ms) XC6118C25Ax 100 Ta=25℃ 10000 VIN=1.0V 3.0V 6.0V 1000 100 10 1 tDR=Cd×2.0×10 6 ×0.69 0.1 0.0001 0.001 XC6118C25Ax XC6118N25Ax VIN=6.0V 4.0V 3.0V 2.0V 1.0V 0.001 0.01 0.1 1 Delay Capacitor: Cd (μF) XC6118N25Ax Leak Current: ILEAK (μA) VIN=VSEN=6.0V 0.25 0.20 0.15 0.10 0 1 2 3 4 5 Output Voltage: VOUT (V) 0.25 0.20 0.15 0.10 -50 -25 0 25 50 75 Ambient Temperature: Ta (℃) (14)リーク電流-出力電圧特性例 16/20 VIN=VSEN=6.0V VOUT=6.0V 1000 Leak Current: ILEAK (μA) Detect Delay time: TDF (μs) Ta=25℃ 1 0.0001 1 (13)リーク電流-周囲温度特性例 (12)検出遅延-遅延容量特性例 10 0.1 Delay Capacitor: Cd (μF) Ambient Temperature: Ta (℃) 100 0.01 6 100 XC6118 シリーズ ■外形寸法図 +0.2 -0.1 2.8±0.2 1.6 1.3MAX 1.1±0.1 0.2MIN ●SOT-25 ●USP-4 ●USP-4 参考パターンレイアウト 1.0 0.35 0.35 4 3 1 2 0.6 0.3 1.9 0.5 0.3 ●USP-4 参考メタルマスクデザイン 17/20 XC6118 シリーズ ■ マーキング ●SOT-25 マーク① 出力形態と検出電圧の整数部を表す。 CMOS 出力（XC6118C シリーズ） Nch 出力（XC6118N シリーズ） シンボル 電圧(V) シンボル 電圧(V) L 0.X T 0.X M 1.X U 1.X N 2.X V 2.X P 3.X X 3.X R 4.X Y 4.X S 5.X Z 5.X 5 ① 1 4 ② ③ ④ 2 ⑤ 3 SOT-25 (TOP VIEW) マーク② 検出電圧の小数点 1 桁目を表す。 例: シンボル 電圧(V) 品名表記例 3 X.3 XC6118**3*** 0 X.0 XC6118**0*** マーク③ オプションを表す。 シンボル A B C D マーク④,⑤ 18/20 オプション 遅延容量端子有＆ヒステリシス 5％（TYP.）（標準） 遅延容量端子有＆ヒステリシス１％以下 （標準） 遅延容量端子無＆ヒステリシス 5％（TYP.） （セミカスタム） 遅延容量端子無＆ヒステリシス１％以下 （セミカスタム） 品名表記例 XC6118***A** XC6118***B** XC6118***C** XC6118***D** 製造ロットを表す。01～09、0A～0Z、11･･･9Z、A1～A9、AA･･･Z9、ZA～ZZ を繰り返す。 (但し、G，I，J，O，Q，W は除く。反転文字は使用しない。) XC6118 シリーズ ■ マーキング ●USP-4 シンボル T U V X Y Z 電圧(V) 0.X 1.X 2.X 3.X 4.X 5.X 2 4 3 USP-4 (TOP VIEW) 検出電圧の小数点 1 桁目を表す。 シンボル 3 0 マーク③ Nch 出力（XC6118N シリーズ） ① ② ③ CMOS 出力（XC6118C シリーズ） シンボル 電圧(V) L 0.X M 1.X N 2.X P 3.X R 4.X S 5.X マーク② 例: 1 出力形態と検出電圧の整数部を表す。 ④ ⑤ マーク① 電圧(V) X.3 X.0 品名表記例 XC6118**3*** XC6118**0*** オプションを表す。 シンボル A B C D マーク④,⑤ オプション 遅延容量端子有＆ヒステリシス 5％（TYP.）（標準） 遅延容量端子有＆ヒステリシス１％以下 （標準） 遅延容量端子無＆ヒステリシス 5％（TYP.） （セミカスタム） 遅延容量端子無＆ヒステリシス１％以下 （セミカスタム） 品名表記例 XC6118***A** XC6118***B** XC6118***C** XC6118***D** 製造ロットを表す。01～09、0A～0Z、11･･･9Z、A1～A9、AA･･･Z9、ZA～ZZ を繰り返す。 (但し、G，I，J，O，Q，W は除く。反転文字は使用しない。) 19/20 XC6118 シリーズ 1. 本書に記載された内容(製品仕様、特性、データ等)は、改善のために予告なしに変更す ることがあります。製品のご使用にあたっては、その最新情報を当社または当社代理 店へお問い合わせ下さい。 2. 本書に記載された技術情報は、製品の代表的動作・応用を説明するものであり、工業 所有権、その他の権利に対する保証または許諾するものではありません。 3. 本書に記載された製品は、通常の信頼度が要求される一般電子機器(情報機器、オーデ ィオ／ビジュアル機器、計測機器、通信機器(端末)、ゲーム機器、パーソナルコンピュ ータおよびその周辺機器、家電製品等)用に設計・製造しております。 4. 本書に記載の製品を、その故障や誤作動が直接人命を脅かしたり、人体に危害を脅か す恐れのある装置やシステム(原子力制御、航空宇宙機器、輸送機器、交通信号機器、 燃焼制御、生命維持装置を含む医療機器、各種安全装置など)へ使用する場合には、事 前に当社へご連絡下さい。 5. 当社では製品の改善、信頼性の向上に努めております。しかしながら、万が一のため にフェールセーフとなる設計およびエージング処理など、装置やシステム上で十分な 安全設計をお願いします。 6. 保証値を超えた使用、誤った使用、不適切な使用等に起因する損害については、当社 では責任を負いかねますので、ご了承下さい。 7. 本書に記載された内容を当社に無断で転載、複製することは、固くお断り致します。 トレックス・セミコンダクター株式会社 20/20