MKT-08J-25 (Ver.2) DC/DC 转换器研究指南 技术应用手册 =========================索引========================= 1. 序言 ....................................................................... 2 2. DC/DC 转换器的种类和特点 .................................................... 2 3. DC/DC 转换器的基本工作原理 .................................................. 4 4. DC/DC 转换器电路的设计要点 .................................................. 5 5. 开关频率的选择 ............................................................. 6 6. FET 的选择.................................................................. 7 7. 线圈的选择 ................................................................ 11 8. SBD 的选择................................................................. 15 9. CL 的选择.................................................................. 17 10. CIN 的选择 .................................................................. 19 11. RFB1, RFB2 的选择 ............................................................. 20 12. CFB 的选择 .................................................................. 20 附录．主要外设元件列表 .......................................................... 24 此资料为 DCDC 转换器电路设计提供一些提示, 当实际设计电路时, 请参考使用产品 的规格书。 (1/24) 序言 本资料为 DC/DC 转换器电路的设计提供一些提示，尽量用具体事例说明在各种制约条件下，怎样 才能设计出最接近要求规格的 DC/DC 转换器电路。 DC/DC 转换器电路的各种特性（效率、纹波、负载瞬态响应等）可根据外设元件的变更而变更，一 般最佳外设元件因使用条件（输入输出规格）不同而不同，例如，当您问“怎样才能提高效率？”， 回答“视使用条件而不同”或者“那要看具体情况啦”，感觉好像被巧妙地塘塞过去了，估计您也遇 到过这样的情况吧。那么，为什么会出现这样的回答呢？其理由就是因为电源电路大多使用市售的 商品作为电路的一部分，所以必须既要考虑大小、成本等的制约又要考虑电气要求规格来设计。通 常产品目录中的标准电路选定的元件大多是在标准使用条件下能发挥一般特性的元件，因而，并不 一定能说在各种使用条件下都是最佳的元件选定。所以在各个设计中，必须根据各自的要求规格（效 率、成本、贴装空间等）从标准电路进行设计变更。但要能设计出符合要求规格的电路，需要足够 的知识和经验。本资料就用具体的数值为不具备这些知识和经验的人说明哪些元件如何改变就能达 到要求的动作，这样不需要进行复杂的电路计算就能快捷地使 DC/DC 转换器电路正常工作。至于正 常工作后对设计的检验，可以自己以后细细地计算，也可以一开始就请具有丰富知识和经验的人进 行检验。 1. DC/DC 转换器的种类和特点 DC/DC 转换器电路根据其电路方式主要有以下一些： (1) 非绝缘型 (2) 绝缘型 基本（单线圈）型 电容耦合型双线圈 SEPIC, Zeta,… 电荷泵（开关电容／无线圈）型 变压器耦合型 正向 回扫 表１所示为各方式的特长。 表１．DC/DC 转换器各电路方式的特长 元件数目 成本 输出功率 （贴装面积） 基本型 少 便宜 大 SEPIC、Zeta 中等程度 中等程度 中等程度 电荷泵 少 中等程度 少 正向变压器 多 昂贵 大 回扫变压器 中等程度 中等程度 中等程度 项目 电路方式 非绝缘型 绝缘型 纹波 小 中等程度 中等程度 中等程度 大 (2/24) 基本型系指通过将电路工作限定为只升压或者只降压来最低限度地减少元件数目，输入侧和输出 侧没有电气绝缘的类型。图 1 所示为升压电路，图 2 所示为降压电路，这些电路具有小型、便宜、 纹波小等优点，随着设备的小型化对它们的需要在增加。 L SBD VIN VOUT D Tr G S GND GND 图 1．升压型 L Tr VIN VOUT D S G VGS SBD GND GND 图 2．降压型 SEPIC、Zeta 分别是在基本型的升压电路、降压电路的 VIN－VOUT 间插入电容器，并增加了一个线圈。 而且，都可通过使用升压 DC/DC 转换器控制 IC、降压 DC/DC 转换器控制 IC 构成升降压 DC/DC 转换 器。但有些 DC/DC 转换器控制 IC 没有设计成用于这些电路方式，故在选用时需要注意。这些电容耦 合双线圈型具有 VIN-VOUT 间能够绝缘的优点，但因增加线圈和电容器，效率会变低，尤其是降压时效 率也大幅降低，是通常的 70%～80%左右。 电荷泵型因为不需要线圈，所以其优点在于贴装面积、贴装高度都小，然而因其对多种输出电压 和大电流不易制作效率好的电路，所以也有用途被限制在白 LED 驱动用和 LCD 用电源等的一面。 绝缘型的也被称为一次电源（主电源），主要被广泛用于从商用电源（AC100V～240V）变压为 DC 电源的 AC/DC 转换器、因去除噪声等理由输入侧和输出侧需要绝缘等时。因为它们使用变压器将输 入侧和输出侧分离，故可以通过改变变压器的匝数比和二极管极性来构成升压／降压／反转等控制， 从而，能从一个电源电路获得多个电源。尤其是使用回扫变压器的因能由较少的元件构成，有时也 被用作二次电源（局部电源）电路。但是，由于回扫变压器需要用于防止内核磁饱和的空隙，所以 外形尺寸较大。而正向变压器虽然易于获得大功率电源，但在一次侧需要用于防止内核磁化的复原 电路，因而元件数目增加。变换器控制 IC 也需要输入侧和输出侧的 GND 分离的。 (3/24) 3. DC/DC 转换器的基本工作原理 我们拿最基本的基本型来说明一下 DC/DC 转换器电路的升压和降压的工作原理。其它使用线圈的 电路方式在升压电路和降压电路的组合或应用电路都可见到。 图 3、图 4 说明了升压电路的工作。图 3 所示是 FET 为 ON 时的电流路径，虚线虽是微小的漏电流， 但会使轻负载的效率变差。在 FET 为 ON 的时间里在 L 积蓄电流能。图 4 是 FET 为 OFF 时的电流路径， FET 即便 OFF，L 也在工作要保持 OFF 前的电流值，线圈的左端被强制性固定于 VIN，进行升压工作提 供足以给 VOUT 接上电压的电源功率。由此，FET 的 ON 时间长 L 里积蓄的电流能越大，越能获得电源 功率。但是，FET 的 ON 时间太长的话，给输出侧供电的时间就极为短暂，FET 为 ON 时的损失也就增 大，变换效率变差。因而通常限制占空比的最大值以便不超过适宜的 ON/OFF 时间比（占空比）。 升压工作就是反复进行图 3、图 4 的状态。 L SBD VIN VOUT IR D G ON S Tr GND GND 图 3．升压电路中 FET 为 ON 时的电流路径 L SBD VIN VOUT D G OFF S Tr GND GND 图 4．升压电路中 FET 为 OFF 时的电流路径 (4/24) 图 5、图 6 说明了降压电路的工作。图 5 所示是 FET 为 ON 时的电流路径，虚线虽是微小的漏电流， 但会使轻负载时的效率变差。在 FET 为 ON 的时间里在 L 积蓄电流能的同时为输出供电。图 6 是 FET 为 OFF 时的电流路径。FET 即便 OFF，L 也在工作要保持 OFF 前的电流值，使 SBD 为 ON。此时，由于 线圈的左端被强制性地降到 0V 以下，VOUT 的电压下降。由此，FET 的 ON 时间长 L 里积蓄的电流能越 大，越能获得大功率电源。降压时，由于 FET 为 ON 时也能给输出供电，所以不需要限制占空比的最 大值，因而输入电压低于输出电压时，FET 为常 ON 状态，不能进行升压工作，故输出电压也降低到 输入电压以下。 降压工作就是反复进行图 5 和图 6 的状态。 L Tr ON VIN VOUT D S G VGS IR SBD GND GND 图 5．降压电路中 FET 为 ON 时的电流路径 L Tr OFF VIN VOUT D S G SBD VGS GND GND 图 6．降压电路中 FET 为 OFF 时的电流路径 4. DC/DC 转换器电路的设计要点 DC/DC 转换器电路所要求的规格中应重视的项目如下： (1) 稳定工作(＝不会因异常振动等误动作、烧损、过电压而损坏) (2) 效率大 (3) 输出纹波小 (4) 负载瞬态响应好 这些可通过变更 DC/DC 转换器 IC 和外设元件得到某种程度的改善。这 4 个项目的加权因各项具体应 用而不同，下面从选择各元件的观点出发，以怎样才能改善这 4 个项目为中心进行说明。 (5/24) 5. 开关频率的选择 DC/DC 转换器 IC 具备固有的开关频率，频率的不同会对各种特性产生影响。一般来说，开关频率 的不同会对表 2 中所示的各种特性产生影响。 表 2 开关频率与各种特性的关系 开关频率 各种特性 最大效率 效率最大的输出电流 纹波 响应速度 低频 高频 大 轻负载 大 慢 小 重负载 小 快 图 7～图 8 以 XC9235/XC9236(1.2MHz)和 XC9235/XC9236(3MHz)为具体例子表明开关频率与效率的 关系。效率明显呈现表 2 中所示的结果。效率最大的电流值不同是因为不同的开关频率适合的感应 系数值也不同的缘故。对于结构相同的线圈，感应系数越大直流电阻越增加，重负载时的损失增加， 由此，效率最大的电流值越是低频的越会向轻负载侧移动。相反，频率高则因 FET 的充放电次数增 加和 IC 自身的静态消耗电流增大，3MHz 产品比 1.2MHz 产品在轻负载时的效率大幅度变差。综合来 看这些影响，可知 1.2MHz 产品的效率最大值大（＝效率图的峰值最大），效率最大的输出电流值小 （＝效率图的峰值偏左） 。此外，PFM 工作时，轻负载时的频率都进一步下降，效率明显得到改善。 (6/24) CIN:10μF CL:10μF L=4.7μH(NR3015T-4R7M) 100 PWM/PFM切换制 90 Ta=25℃ (XC9236) 80 效率： EFFI(%) 効率: EFFI (%) 70 60 50 40 PWM PWM制御 控制 30 (XC9235) 20 3.6V VIN=3.0V 10 4.2V 0 0.1 1 10 100 1000 出力電流:IOUT(mA) IOUT(mA) 输出电流： 图 7．XC9235/XC9236 VOUT=1.8V 设定(振荡频率 1.2MHz) CIN:10μF CL:10μF L=4.7μH(NR3015T-4R7M) Ta=25℃ 100 90 PWM/PFM切换制 (XC9236) 80 效率： EFFI(%) Efficiency: EFFI (%) 70 60 50 40 30 PWM控制 (XC9235) 20 4.2V 10 VIN=3.0V 3.6V 0 0.1 1 10 100 1000 出力電流:IOUT(mA) IOUT(mA) 输出电流： 图 8．XC9235/XC9236 VOUT=1.8V 设定(振荡频率 3MHz) (7/24) 图 9．XC9235/XC9236 图 7～图 8 的测试电路 (8/24) 6. FET 的选择 对电压・ 电流的绝对最大额定值，选择以减少开关时的尖峰噪声和脉冲噪声的故障率为目的的、 额定值为使用电压的 1.5 倍～2 倍左右、RDS 和 CISS 引起的损失最小的产品，可构成效率好的 DC/DC 转换器电路。虽然 RDS 和 CISS 都是越小损失也越小，但因 RDS 和 CISS 成反比关系，改善损失大的一方效 果更好。 CISS 引起的损失是 FET 的栅源极间充放电时被丢弃的功率，可用 CISSVGS2f/2 来表示。驱动电压和开 关频率越大损失就越大，由于重负载时和轻负载时损失值基本相同，所以会使轻负载时的效率大幅 度变差。 2 而 RDS 引起的损失是作为因 FET 的漏源极间电阻成分发生的热而放出的，它的值用 RDSID 来表示，负 载越大其值越是增大。因此，可以说轻负载时减少 CISS 引起的损失对提高效率的效果较好，重负载时 减少 RDS 引起的损失效果较好。将上述内容归纳于下面的表 3 中。 项目 电气特性 绝对最大额定值 表 3 选择 FET 之例 设计例 重视轻负载时效率：CISS→小 RDS, CISS 重视重负载时效率：RON→小 升压时：大约输出电压的 2 倍 VDS 降压时：大约输入电压的 2 倍 升压时：大约 VDD 的 2 倍 VGS 降压时：大约输入电压的 2 倍 升压时：大约输入电流的 2 倍 ID 降压时：大约输出电流的 2 倍 输入电流可用输出(负载)电流×输出电压÷输入电压÷效率来计算求出。效率未知时，可姑且升 压时采用 70%、降压时采用 80%左右来计算。 图 10 是图 11 所示的 XC9220C093 的外设元件中只更换了 FET 后测试的效率图。其中所用的各 FET 的规格值如表 4 中所示。 从图 10 来看，使用 RDS 小的 FET(XP162A11C0)呈现能驱动更大电流，重负载时的效率得到若干改善 的趋势。但也可知进一步大幅度降低轻负载时的效率，不必要地使用电流驱动能力大的 FET 是不适 当的。 (9/24) 100 VIN =12V Efficiency : EFFI (%) 80 60 XP152A11E5 40 XP162A11C0 20 0 0.1 1 10 100 1000 10000 Output Current : IOUT (mA) 图 10. XC9220C093 更换 FET 后的效率変化 图 11. XC9220C093 图 10 的测试电路 (10/24) 项目 产品编号 XP152A11E5 XP162A11C0 表 4 FET 的各种特性 电气特性 RDS(mΩ) CISS(pF) VDS(V) 200 160 -30 110 280 -30 绝对最大额定值 VGS(V) ±20 ±20 ID(A) -0.7 -2.5 7. 线圈的选择 开关频率不同的话，最佳 L 值也不同，因为线圈的电流与 FET 的 ON 时间成正比，与 L 值成反比。 线圈引起的损失表现为线圈的绕线电阻 RDC、铁氧体磁心产生的损失等的合计值。不过对于 2MHz 左右的开关频率，可以认为线圈的大部分损失是 RDC 引起的损失，首先应选择 RDC 小的线圈。但是为 了减小 RDC 而选择 L 值过小的线圈的话，在 FET 为 ON 的时间内电流值过大，FET、SBD、线圈产生的 热损失变大，效率下降。而且，因电流增加，纹波也增大。 相反，L 值过大的话，RDC 变大，不仅重负载时的效率变差，而且铁氧体磁心发生磁饱和，L 值急速 减少，这样就不能发挥出线圈的性能，陷入电流过大引起发热的危险状态。因而，为了在 L 值大的 线圈流经大电流，形状上必须有一定程度的大小，以避免磁饱和。 综上所述，从相对于开关频率的外形尺寸和效率两个方面来考虑的话，适当的 L 值已被限定。表 5 所示为各开关频率值的标准 L 值。 为 VIN，VOUT 在 6V 以下的参考数据。 项目 L值 额定电流 表 5 相对于开关频率的标准 L 值与额定电流值 条件 标准值 开关频率 重视轻负载 标准值 30kHz, 330μH 220μH 50kHz 100kHz 220μH 100μH 180kHz 100μH 47μH 300kHz 47μH 22μH 500kHz 33μH 15μH 600kHz 22μH 10μH 900kHz 10μH 4.7μH 1.2MHz 6.8μH 3.3μH 2MHz 3.3μH 2.2μH 3MHz 2.2μH 1.5μH 升压时 大约最大输入电流的２～3 倍 降压时 大约最大输出电流的 1.5～2 倍 重视重负载 100μH 47μH 22μH 10μH 6.8μH 4.7μH 3.3μH 2.2μH 1.5μH 1.0μH (11/24) 图 12、图 13 所示是图 14 所示的 XC9104D093（升压）电路图 12 所示的是图 13 的 XC9104D093 升 压电路的效率图, 出示只变更 L 值的效率变化。 同样，图 14、图 15 所示是图 16 所示的 XC9220A093（降压）电路的效率和纹波的实例。 两个实例都是线圈结构相同时，增大 L 值则最大输出电流值减少，轻负载时的效率增大，纹波减 少。由此可知选择与输出电流相适应的 L 值是非常重要的。 VIN=3.0V 100 L=47μH 效率 EFFI(%) 効率 EFFI (%) 90 L=22μH 80 L=10μH 70 60 50 1 10 100 1000 出力電流 IOUTOUT 输出电流：I (mA)(mA) 图 12. L 值与效率的关系 （升压时:XC9104D093） (12/24) 图 14. 图 图 13. 12、图 13 的测试电路 XC9104D093 图 12 的测试电路 图 15. L输出电流：IOUT(mA) 值与效率的关系（降压时） 图 14. L 值与效率的关系 （降压时:XC9220A093） (13/24) 图 15. L 值与纹波的关系 （降压时:XC9220A093） 图 16. 图 14、图 15 XC9220A093 的测试电路(PWM=CE=VIN) (14/24) 8. SBD 的选择 有关绝对最大额定值，根据与 FET 同样的理由，应选择相对于使用条件的 1.5 倍～2 倍左右的产品。 SBD 的损失为正向热损失 VF×IF 和反向漏电流 IR 引起的热损失的合计值。因此，选择 VF、IR 都小的 产品比较理想。但是，VF 与 IR 成反比关系，一般要视负载电流而选用。VF 在重负载时大，考虑到 IR 与负载无关为一定的值，所以轻负载时选择 IR 小的产品对提高效率的效果较好，重负载时选择 VF 小 的产品效果较好。将上面的内容归纳于下面的表 6 中。 表 6 选择 SBD 的要点 设计例 项目 电气特性 VF, IR 的选择 VRM 绝对最大额定值 IFM 轻负载时：IR→小 重负载时：VF→小 升压时：大约输出电压的 2 倍以上 降压时：大约输入电压的 2 倍以上 升压时：大约输入电流的 2 倍以上 降压时：大约输出电流的 1.5 倍以上 效率 EFFI(%) 图 17 所示是图 18 所示的 XC9220A093 电路中只用表 7 所示的 SBD 变更时的效率变化。可看到与 XBS203V17 相比, XBS204S7 的 IR 小,所以轻负载时的效率高,而因 VF 较大,所以重负载时效率低。 输出电流：IOUT(mA) 图 17. XC9220A093 SBD 的选择与效率的不同 (15/24) 图 18. 图 17 的测试电路 XC9220A093(降压时) 各种特性 品名 XBS203V17(TOREX) XBS204S17(TOREX) 表 7 测试了图 17 的 SBD 的各种特性 电气特性 VF(IF=2A) IR(VR=20V) 0.35V 150μA 0.485V 2.5μA 绝对最大额定值 VR IF 30V 2A 40V 2A (16/24) 9. CL 的选择 CL 越大则纹波越小，但过分大的话，电容器的形状也大，成本提高。CL 由所需的纹波大小而定。首 先，大致以 10mV～40mV 的纹波大小为目标，升压时从表 8 的电容值开始，降压时从表 9 的电容值开 始。但是，不支持低 ESR 电容器的 DC/DC 有异常振荡的危险，以连续模式使用时要想采用低 ESR 电 容器的话，应预先检查负载瞬态响应，确认输出电压能否及时稳定(振荡大致在 2 次以内即收敛)。 图 19 是图 20 所示的 XC9104D093 中只更换了 CL 后测试的输出纹波变化。纹波与 ESR 成正比，与电 容值成反比地增大。铝电解电容时，没有并联的陶瓷电容的话，ESR 过大难以获得输出电流。 表 8 升压时 CL 的标准 种类 陶瓷电容 OS 输出电流 0mA-300mA 20μF 22μF 300mA-600mA 30μF 47μF 600mA-900mA 40μF 100μF 900mA-1.2A 50μF 150μF 请将上述值乘上升压比(=VOUT/VIN)后的数值作为标准。 表 9 种类 钽电容 铝电解电容 47μF 94μF 150μF 220μF 100μF+2.2μF（陶瓷） 150μF+2.2μF（陶瓷） 220μF+4.7μF（陶瓷） 470μF+4.7μF（陶瓷） 降压时 CL 的标准 陶瓷电容 OS 输出电流 0mA-500mA 10μF 15μF 500mA-1.5A 20μF 22μF 1.5A-3A 20μF 33μF 3A-5A 30μF 47μF 请将上述值乘上降压比(=VIN/VOUT)后的数值作为标准。 钽电容 铝电解电容 22μF 33μF 47μF 68μF 47μF+2.2μF（陶瓷） 100μF+2.2μF（陶瓷） 100μF+4.7μF（陶瓷） 220μF+4.7μF（陶瓷） (17/24) VIN=3.0V 100 ｾﾗﾐｯｸ60μF 陶瓷电容 60μF ﾘｯﾌﾟﾙ電圧 Vr 纹波电压 Vr (mV) (mV) 80 ｾﾗﾐｯｸ40μF 陶瓷电容 40μF 陶瓷电容 20μF ｾﾗﾐｯｸ20μF 60 POSCAP47μF 40 铝电解电容 20μF+ ｱﾙﾐ電解220μF+ ｾﾗﾐｯｸ4.7μF 陶瓷电容 4.7μF 20 0 1 10 100 输出电流：IOUT(mA) 出力電流 I OUT (mA) 1000 图 19.随 CL 值变化的输出侧纹波例 (XC9104D093) 图 20. XC9104D093 图 19 的测试电路 (18/24) 10. CIN 的选择 虽然不及 CL 对输出稳定性的影响大，但 CIN 也是电容值越大、ESR 越小则输出稳定性越好，纹波也 越小。大到某种程度，降低输出纹波的效果会变小，从防止对输入侧的电磁干扰(EMI)的意义上说， 电容值应从 CL 的一半左右开始探讨较好。图 22 同样显示了使图 23 中的 CIN 变化时输入侧纹波大小会 发生怎样的变化。虽然是一般不常进行确认的数据，但对降低 EMI 是很重要的数据。CIN 不会因 ESR 太小而输出振荡，所以尽量使用低 ESR 电容为宜。 11. RFB1, RFB2 的选择 使用 FB（反馈）产品时，RFB1、RFB2 用于决定输出电压，对同一输出电压有时可考虑多种组合。此 时选择 RFB1+RFB2=150kΩ～500kΩ比较妥当。这里成为问题的是轻负载时的效率和重负载时的输出稳 定性。因为流向 RFB1、RFB2 的电流没有被作为输出功率使用，而视作 DC/DC 转换器的损失，所以要 想提高轻负载时的效率的话，要将 RFB1、RFB2 设定得大一些(RFB1+RFB2<1MΩ左右)。而要想提高重负载时 的瞬态响应的话，则要做好轻负载时的效率差的准备。 12. CFB 的选择 CFB 是纹波反馈调整用电容器相位补偿电容，该值也会影响负载瞬态响应。根据 L 值，表 10 中的 CFB 值为最佳值。过小于该值或过大于该值工作稳定性都差。 图中以 XC9220C093 为例说明了 CFB 的影响。在图 26 的电路中，RFB1=82kΩ时，fZFB=10kHz 的 CFB 为 390pF 左右。(图 23=39pF)、(图 24=390pF)和(图 25=1000pF)是对改变 CFB 时的负载瞬态响应的比较。39pF 的话，负载变重时电压急剧下降，电压恢复到恒定状态的时间短，而 1000pF 的话，负载变重时的瞬 间电压下降虽小，但电压恢复到恒定状态的时间长。 (19/24) 表 10 决定最优 CFB 的标准 fZFB fZFB=(1／(2π x RFB1 x CFB)) 项目 ( )内所示为可调整的范围 品名 XC9103/XC9104/XC9105 XC9106/XC9107 L=10μH 时：30kHz L=22μH 时：20kHz L=47μH 时：10kHz XC6365B/XC6365D XC6366B/XC6366D 10kHz 10kHz 12kHz (可在 1kHz 和 50kHz 之间调整) 10kHz (可在 1kHz 和 50kHz 之间调整) 10kHz (可在 0.5kHz 和 20kHz 之间调整) XC6367B/XC6367D XC6368B/XC6368D 10kHz (可在 0.1kHz 和 20kHz 之间调整) XC9101D09A XC9201D09A XC9210B092 XC9210B093 XC9213B093 XC9220/XC9221 XC9223/XC9224 5kHz (可在 1kHz 和 20kHz 之间调整) 20kHz (可在 1kHz 和 50kHz 之间调整) 5.1V 5.0V VOUT 4.9V 4.8V 4.7V 200mA IOUT 0mA 图 21. XC9220C093 负载瞬态响应(IOUT=0mA⇔200mA, CFB=39pF) (20/24) 5.1V 5.0V VOUT 4.9V 4.8V 4.7V 200mA IOUT 0mA 图 22. XC9220C093 负载瞬态响应(IOUT=0mA⇔200mA,CFB=390pF) 5.1V 5.0V VOUT 4.9V 4.8V 4.7V 200mA IOUT 0mA 图 23. XC9220C093 负载瞬态响应(IOUT=0mA⇔200mA,CFB=1000pF) (21/24) 图 24. XC9220C093 27. 图2524～图 26 的测试电路 图图23～图 的测试电路 图 25 所示为加上 RFB1 和 fZFB 时标准 CFB 的值。 1000 fzfb=10kHz 12kHz 20kHz 100 CFB(pF) 30kHz 10 1 10 100 1000 RFB1(kΩ) 图 25. RFB1 与 CFB 的关系 (22/24) 附录．主要外设元件列表 (1) FET 产品编号 XP152A11E5 XP162A11C0 XP132A11A1 XP161A1355 2SJ616 生产厂家 TOREX TOREX TOREX TOREX SANYO VDSS -30V -30V -30V 20V 30V VGSS ±20V ±20V ±20V ±8V 20V (2) SBD 产品编号 XBS203V17 XBS204S17 XBS303V17 XBS304S17 D1FH3 生产厂家 TOREX TOREX TOREX TOREX 新电元 VRM 30V 40V 30V 40V 30V IFM 2A 2A 3A 3A 3A 线圈 产品编号 CDRH4D18C-4R7 CDRH8D28-220 CDRH127-220 VLF10045T-100M4R3 VLF10045T-220M2R8 VLF10045T-470M1R9 NR3010T-1R5M ID -0.7A -2.5A -5A 4A 6A RDS 350mΩ(VGS=-4.5V) 200mΩ(VGS=-4.5V) 95mΩ(VGS=-4.5V) 100mΩ(VGS=1.5V) 105mΩ(VGS=-4V) VF(IF=100mA) 0.225V 0.325V 0.22V 0.3V 0.20V 最大外形尺寸(mm) 3.1x3.0x1.2H 4.6x4.25x1.6H 5.5x6.5x1.73H 4.6x4.25x1.6H 4.5x4.25x1.5H IR(VR=5V) 55μA 1.5μA 72μA 1.3μA 150μA 最大外形尺寸(mm) 2.79x5.2x2.2H 2.79x 5.2x2.2H 2.79x 5.2x2.2H 2.79x 5.2x2.2H 2.8x 5.3x2.3H RDC 88mΩ 76mΩ 32mΩ 25mΩ 49.5mΩ 97.6mΩ 80mΩ 最大外形尺寸(mm) 5.1x5.1x2.0H 8.3x8.3x3.0H 12.3x12.3x8.0H 10.4x 10.1x4.5H 10.4x 10.1x4.5H 10.4x 10.1x4.5H 3.1x3.1x1.0H (3) 陶瓷电容 产品编号 C3216JB0J226M C5750X5R1C476M EMK107BJ105KA EMK212BJ106KG LMK212BJ-106KG JMK212BJ-106MG TMK107BJ105KA EMK316BJ226ML 生产厂家 SUMIDA SUMIDA SUMIDA TDK TDK TDK 太阳诱电 感应系数 4.7μH 22μH 22μH 10μH 22μH 47μH 1.5μH 额定电流 1.15A 1.6A 3.6A 4.3A(最大) 2.8A(最大) 1.9A(最大) 1.2A (4) 生产厂家 TDK TDK 太阳诱电 太阳诱电 太阳诱电 太阳诱电 太阳诱电 太阳诱电 电容值 22μF 47μF 1μF 10μF 10μF 10μF 1μF 22μF 额定电压 6.3V 16V 16V 16V 10V 6.3V 25V 16V 最大外形尺寸(mm) 3.4x1.8x0.95H 6.1x5.4x2.5H 1.7x0.9x0.9H 2.1x1.35x1.35H 2.1x1.35x1.35H 2.1x1.35x1.35H 1.7x0.9x0.9H 3.25x1.75x1.8H (23/24) (5) 有机高分子固体电解电容 产品编号 生产厂家 10TPB68MC 三洋电子元件 16TQC47MC 三洋电子元件 电容值 68μF 47μF 额定电压 10V 16V ESR 55mΩ 70mΩ 最大外形尺寸(mm) 6.2x3.4x3.0H 7.5x4.5x2.0H 铝电解电容 产品编号 生产厂家 LXZ10VB220MF11 日本贵弥功 电容值 220μF 额定电压 10V ESR 250mΩ 最大外形尺寸(mm) φ6.3x13.0 (6) (24/24)