MB39C014 - Spansion

Spansion® 模拟和微控制器产品
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“富士通”或 “Fujitsu”， 该产品将由 Spansion 提供给现有客户和新客户。
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型号的延续
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处。
FUJITSU MICROELECTRONICS
数据手册
DS04–27253–3Z
ASSP 电源用
内置开关 FET
单通道同步整流降压型 DC/DC 转换器 IC
MB39C014
■ 概要
MB39C014 是一款采用电流模式，单通道内置开关 FET 的同步整流降压型 DC/DC 转换器 IC。该芯片内置开关 FET、振荡
器、误差放大器、PWM 控制电路、基准电压源和电源检测电路，外接元件仅为电感和去耦电容。
通过与外接元件的组合，可实现体积小，负载瞬态响应快的 DC/DC 转换器，最适用于手机 /PDA 等便携式设备、DVD 驱动
器、HDD 等的内置电源。
■ 特征
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
高效率
: 最大 96%
输出电流
: 最大 800 mA
输入电压范围
: 2.5 V ~ 5.5 V
工作频率
: 2.0 MHz ( 标准 )/3.2 MHz ( 标准 )
无需续流二极管
低压差状态下工作
: 支持 100% 占空比
内置高精度基准电压源
: 1.20 V ±2%
断开模式时的耗电流
: 低于 1 μA
内置开关 FET
: P-ch MOS 0.3 Ω ( 标准 ) ，N-ch MOS 0.2 Ω ( 标准 )
采用电流模式，输入和负载瞬态响应快
内置过温保护功能
封装小巧紧凑
: SON10
■ 应用
•
•
•
•
•
•
适用于闪存 ROM
MP3
电子字典
监控摄像头
便携式导航器
手机
等
Copyright©2009 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED All rights reserved
2009.7
MB39C014
■ 引脚配置图
（俯视图）
VDD
OUT
MODE
VREFIN
FSEL
10
9
8
7
6
1
2
3
4
5
LX
GND
CTL
VREF
POWERGOOD
(LCC-10P-M04)
■ 引脚功能描述
2
引脚号
引脚符号
I/O
功能
1
LX
O
连接电感的输出引脚。
断开模式时处于高阻状态。
2
GND
⎯
接地引脚
3
CTL
I
控制输入引脚
(L: 切断 /H: 正常工作 )
4
VREF
O
基准电压的输出引脚
5
POWERGOOD
O
POWERGOOD 电路的输出引脚
为 N-ch MOS 开漏输出。
6
FSEL
I
频率切换引脚
(L(OPEN): 2.0 MHz， H: 3.2 MHz)
7
VREFIN
I
误差放大器 (Error Amp) 的正向输入引脚
8
MODE
I
L 或 OPEN 状态下使用。
9
OUT
I
输出电压反馈引脚
10
VDD
⎯
电源引脚
DS04–27253–3Z
MB39C014
■ 输出入引脚的等效电路图
VDD
VDD
∗
LX
VREF
∗
GND
GND
VDD
∗
∗
OUT
VREFIN
∗
∗
GND
VDD
VDD
∗
CTL
FSEL
∗
∗
GND
GND
VDD
POWER
GOOD
∗
∗
MODE
GND
∗
GND
∗:
DS04–27253–3Z
ESD保护元件
3
MB39C014
■ 框图
VIN
VDD
10
CTL
ON/OFF
3
OUT
×3
9
ERR
−
Amplifier
VDD
+
5
POWERGOOD
POWER
GOOD
IOUT
Comparator
VREF
4
1.20 V
VREF
PWM
LX
Logic
VREFIN
VOUT
1
Control
7
DAC
MODE
GND
8
6
2
FSEL
4
GND
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MB39C014
• 关于电流模式
•
传统的电压模式 :
比较下记两项，通过控制占空比达到稳定输出电压的目的。
- 输出电压通过 Error Amp 负反馈的电压 (VC)
- 基准三角波 (VTRI)
•
电流模式 :
将振荡器 ( 矩形波发生电路 ) 和开关 FET 的电流和进行 I-V 转换，用转换后的电压 (VIDET) 取代三角波 (VTRI)。
比较下记两项，通过控制占空比达到稳定输出电压的目的。
- 输出电压通过 Error Amp 负反馈的电压 (VC)
- 将振荡器 ( 矩形波发生电路 ) 和开关 FET 的电流和进行 I-V 转换后的电压 (VIDET)
电压模式示例
电流模式示例
VIN
VIN
振荡器
Vc
S
Vc
R
VTRI
VIDET
Vc
Q
SR-FF
VIDET
VTRI
Vc
ton
toff
toff
ton
( 注 ) 上记示例旨在展示工作原理，与实际的 IC 工作稍有不同。
DS04–27253–3Z
5
MB39C014
■ 各部分的功能
•PWM Logic Control 电路
控制内置 P-ch 和 N-ch MOS FET，以内置振荡器 ( 方波振荡电路 ) 发出的频率 (2.0 MHz/3.2 MHz) 进行同步整流动作。
•IOUT Comparator 电路
检测从内置 P-ch MOS FET 流到外接电感的电流 (ILX)。
将 ILX 的峰值电流 IPK 进行 I-V 转换，并将转换过来的 VIDET 和 Error Amp 的输出做比较， 通过 PWM Logic Control 电路，
断开内置 P-ch MOS FET。
• 误差放大器 (Error Amp) 位相补偿电路
比较 VREF 等的基准电压和输出电压。本 IC 内置位相补偿电路，进行调整以达到最佳工作状态。所以，不必考虑位相补偿
电路，也不必为了位相补偿外接元件。
•VREF 电路
BGR( 带隙基准 ) 电路生成高精度的基准电压。输出电压为 1.20 V( 标准 )。
•POWERGOOD( 电源正常输出 ) 电路
监视 OUT 引脚电压。POWERGOOD 引脚为开漏输出。一般来说，需使用外接电阻上拉使用。
CTL 为 H 电平时，POWERGOOD 引脚为 H 电平 ; 当输出电压因过电流等下降时，POWERGOOD 引脚变为 L 电平。
时序图 :(POWERGOOD 引脚向 VIN 上拉 )
VIN
VUVLO
CTL
VOUT×97%
VOUT
POWERGOOD
tDLYPG 以下
tDLYPG
tDLYPG
VUVLO:UVLO 阈值电压
tDLYPG:POWERGOOD 延迟时间
• 保护电路
MB39C014 内置过温保护电路。
结温达到 +135 ℃时，过温保护电路将关断 N-ch 和 P-ch 的开关 FET。
此外，当结温降到 +110 ℃时，开关 FET 恢复正常工作。
因为控制方式是电流模式，PWM 控制电路也随时监控电流的峰值。
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DS04–27253–3Z
MB39C014
• 功能表
MODE
断开模式
工作模式
输入
输出
开关频率
CTL
FSEL
OUT 引脚电压
VREF
POWERGOOD
⎯
L
*
输出停止
输出停止
功能停止
2.0 MHz
H
L
3.2 MHz
H
H
VOUT 电压输出
1.2 V
工作
*: 未定
DS04–27253–3Z
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MB39C014
■ 绝对最大额定
项目
电源电压
信号输入电压
符号
VDD
VISIG
条件
额定值
最小
最大
VDD 引脚
-0.3
+6.0
OUT 引脚
-0.3
VDD +0.3
CTL、 MODE、 FSEL 引脚
-0.3
VDD +0.3
VREFIN 引脚
-0.3
VDD +0.3
单位
V
V
POWERGOOD 上拉电压
VIPG
POWERGOOD 引脚
-0.3
+6.0
V
LX 电压
VLX
LX 引脚
-0.3
VDD +0.3
V
LX 峰值电流
IPK
ILX
⎯
1.8
A
⎯
2632*1, *2, *3
⎯
980*1, *2, *4
⎯
1053 *1, *2, *3
⎯
392*1, *2, *4
Ta ≤ + 25 ℃
容许损耗
PD
Ta = + 85 ℃
工作环境温度
保管温度
*1:
*2:
*3:
*4:
mW
mW
Ta
⎯
-40
+85
℃
TSTG
⎯
-55
+125
℃
关于 Ta = +25 ℃ ~ +85 ℃间的容许损耗，请参考第 23 页的图。
贴装在 11.7 cm × 8.4 cm 的 4 层环氧树脂板时
连接裸露焊盘，连接散热通孔 ( 散热通孔 = 4 个 )
连接裸露焊盘，未连接散热通孔
( 注意 ) •在 GND 引脚上施加 -0.3 V 以下的负电压时，有可能导致寄生晶体管启动，引发误动作。
•若将 LX 引脚与 VDD 或 GND 端口直接连接，会损坏芯片。
•须注意不要让 FSEL 引脚电位低于 GND 电位。若从该引脚流出的电流超过 110 mA，不仅引发误动作，还会引发
更严重的闩锁现象。
< 注意事项 > 施加超出最大额定值的负荷 ( 电压、电流、温度等 ) 可能会损坏半导体器件。因此，需注意每个项目，切勿
超出额定值。
8
DS04–27253–3Z
MB39C014
■ 推荐工作条件
项目
符号
条件
VDD
规格值
单位
最小
典型
最大
⎯
2.5
3.7
5.5
V
VREFIN
⎯
0.15
⎯
1.20
V
VCTL
⎯
0
⎯
5.0
V
LX 电流
ILX
⎯
⎯
⎯
800
mA
POWERGOOD 电流
IPG
⎯
⎯
⎯
1
mA
2.5 V ≤ VDD < 3.0 V
⎯
⎯
0.5
3.0 V ≤ VDD ≤ 5.5 V
⎯
⎯
1
2.0 MHz (FSEL = L)
⎯
2.2
⎯
3.2 MHz (FSEL = H)
⎯
1.5
⎯
电源电压
VREFIN 电压
CTL 电压
VREF 输出电流
电感值
IROUT
L
mA
μH
( 注意 ) 在电源电压 (VIN) 和 DC/DC 转换器输出电压 (VOUT) 的压差小的使用条件下，有时可输出电流较低。这是受坡度补
偿影响的结果，并非本器件导致的损坏。
< 注意事项 > 推荐工作条件是保证半导体器件正常工作的条件。在该条件范围内可保证电气特性的规格值。务必在推荐工
作条件下使用该器件。超出推荐条件的使用对器件的可靠性产生不良影响。
对于数据手册未记载项目、使用条件和逻辑组合的使用，不做任何保证。如需在未记载条件下使用，务必事
先与本公司的销售部门联系。
DS04–27253–3Z
9
MB39C014
■ 电气特性
(Ta = + 25 ℃、 VDD = 3.7 V、 VOUT 设定值 = 2.5 V、 MODE = 0 V)
项目
符号
检测
引脚
规格值
单位
最小
典型
最大
VREFIN = 0.833 V
-100
0
+100
nA
VREFIN = 0.15 V
-100
0
+100
nA
IREFINH
VREFIN = 1.20 V
-100
0
+100
nA
输出电压
VOUT
VREFIN = 0.833 V
OUT = -100 mA
2.45
2.50
2.55
V
输入稳压误差
LINE
2.5 V ≤ VDD ≤ 5.5 V*1
⎯
10
⎯
mV
负载稳压误差
LOAD
-100 mA ≥ OUT ≥ -800 mA
⎯
10
⎯
mV
OUT = 2.0 V
0.6
1.0
1.5
ΜΩ
输出 GND 短路时
0.9
1.2
1.7
A
FSEL = 0 V
1.6
2.0
2.4
MHz
FSEL = 3.7 V
2.56
3.20
3.84
MHz
⎯
45
80
μs
-40*
-20*
0*
mV
LX = -100 mA
⎯
0.30
0.47
Ω
LX = -100 mA
⎯
0.20
0.36
Ω
IREFINM
输入电流
OUT 引脚
输入阻抗
LX 峰值电流
DC/DC
开关频率
转换器部分
启动延迟时间
IREFINL
9
IPK
fOSC1
1
fOSC2
tPG
VNOFF
开关 PMOS-FET
ON 电阻
RONP
开关 NMOS-FET
ON 电阻
RONN
3, 9
C1 = 4.7 μF, OUT = 0 A,
设定 90%VOUT
⎯
1
ILEAKM
0 ≤ LX ≤ VDD*2
-1.0
⎯
+8.0
μA
ILEAKH
VDD = 5.5 V
0 ≤ LX ≤ VDD*2
-2.0
⎯
+16.0
μA
+120*
+ 135*
+155*
℃
+95*
+ 110*
+130*
℃
2.07
2.20
2.33
V
1.92
2.05
2.18
V
0.08
0.15
0.25
V
过温保护
( 结温 )
TOTPH
UVLO
阈值电压
VTHH
UVLO
滞回幅度
7
ROUT
开关 NMOS-FET
OFF 电压
LX 漏电流
保护电路
部分
条件
TOTPL
VTHL
VHYS
⎯
⎯
⎯
10
⎯
*: 典型设计值
( 转下页 )
10
DS04–27253–3Z
MB39C014
( 承上页 )
(Ta = + 25 ℃、 VDD = 3.7 V、 VOUT 设定值 = 2.5 V、 MODE = 0 V)
项目
POWERGOOD
阈值电压
POWERGOOD
POWERGOOD
延迟时间
部分
POWERGOOD
输出电压
POWERGOOD
输出电流
CTL
阈值电压
控制部分
CTL
引脚输入电流
FSEL
阈值电压
VREF 电压
基准电压部分
VREF 负载稳压误
差
断开时的电源电流
符号
检测
引脚
*1:
*2:
*3:
*4:
规格值
单位
最小
典型
最大
VREFIN
×3
× 0.93
VREFIN
×3
× 0.97
VREFIN
×3
× 0.99
V
VTHPG
*3
tDLYPG1
FSEL = 0 V
⎯
250
⎯
μs
FSEL = 3.7 V
⎯
170
⎯
μs
VOL
POWERGOOD = 250 μA
⎯
⎯
0.1
V
IOH
POWERGOOD = 5.5 V
⎯
⎯
1.0
μA
⎯
0.55
0.95
1.45
V
⎯
0.40
0.80
1.30
V
⎯
⎯
1.0
μA
⎯
2.96
⎯
⎯
V
⎯
⎯
⎯
0.74
V
VREF = -2.7 μA
OUT = -100 mA
1.176
1.200
1.224
V
VREF = -1.0 mA
⎯
⎯
20
mV
CTL = 0 V,
全体电路处于断开状态
⎯
⎯
1.0
μA
CTL = 0 V, VDD = 5.5 V
⎯
⎯
1.0
μA
CTL = 3.7 V,
OUT = 0 A, FSEL = 0 V
⎯
4.0
8.0
mA
CTL = 3.7 V，
VOUT = 90%*4
⎯
800
1500
μA
tDLYPG2
5
VTHHCT
VTHLCT
3
IICTL
VTHHFS
VTHLFS
CTL = 3.7 V
6
VREF
4
LOADREF
IVDD1
IVDD1H
全体电路部分
条件
待机时的电源电流
(DC/DC)
IVDD2
工作时的无效电流
IVDD
10
VDD 的下限值为 2.5 V 或 VOUT 设定值 +0.6 V 两者中值高的一个。
LX 引脚的＋端的漏电流包括内部电路的电流。
对于由 VREFIN 设定的输出电压值的检测。
100% 占空比 ( 主端 FET 全接通 ) 的状态下的功耗。因是全接通状态 ( 未进行开关操作 )，未包括开关 FET 栅极驱动电
流。另外，负载电流也同样未含在内。
DS04–27253–3Z
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MB39C014
■ 典型工作特性测试电路图
VDD
MB39C014
VDD
SW
3
CTL
VIN
VDD 10
C2
R5
SW
L1
8 MODE
4
SW
VREF
LX
1
OUT
9
VOUT
IOUT
C1
R1
R3-1
6
FSEL
7
VREFIN
R3-2
POWER
GOOD
5
GND
2
GND
R4
C6
输出电压 = VREFIN × 2.97 倍
SPECIFICATION
VENDOR
R1
1 MΩ
KOA
RK73G1JTTD D 1 MΩ
R3-1
R3-2
7.5 kΩ
120 kΩ
SSM
SSM
RR0816-752-D
RR0816-124-D
R4
300 kΩ
SSM
RR0816-304-D
R5
1 MΩ
KOA
RK73G1JTTD D 1 MΩ
C1
4.7 μF
TDK
C2012JB1A475K
C2
4.7 μF
TDK
C2012JB1A475K
C6
0.1 μF
TDK
C1608JB1H104K
用于慢启动时间调整
2.2 μH
TDK
VLF4012AT-2R2M
2.0 MHz 工作频率下
1.5 μH
TDK
VLF4012AT-1R5M
3.2 MHz 工作频率下
L1
PARTS
备注
COMPONENT
设定 VOUT = 2.5 V 时
( 注意 ) 上记为推荐元件，均通过本公司的工作状况确认。
TDK : TDK 株式会社
SSM : 进工业株式会社
KOA : KOA 株式会社
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DS04–27253–3Z
MB39C014
■ 应用手册
[1] 选择元件
• 选择外接电感
基本上无需设计电感。本 IC 是按照 " 使用 2.2 μH (2.0 MHz 工作频率下 ) 或 1.5 μH (3.2 MHz 工作频率下 ) 的电感时可最
高效地工作 " 设计的。
电感的饱和电流额定要大于使用条件下的 LX 峰值电流并尽量选用 DC 阻抗小的电感。( 推荐 100 mΩ 以下的电感 )
LX 峰值电流 IPK 可通过以下算式求得。
IPK = IOUT +
L
VIN - VOUT
L
×
D
fosc
1
×
2
= IOUT +
(VIN - VOUT) × VOUT
2 × L × fosc × VIN
: 外接电感值
IOUT : 负载电流
VIN
: 电源电压
VOUT : 输出设定电压
D
: 开关的占空比 ( = VOUT / VIN)
fosc : 开关频率 (2.0 MHz 或 3.2 MHz)
例 : VIN = 3.7 V、VOUT = 2.5 V、IOUT = 0.8 A、L = 2.2 μH、fosc = 2.0 MHz 时
峰值电流最大值 IPK 为 :
IPK = IOUT +
(VIN - VOUT) × VOUT
2 × L × fosc × VIN
= 0.8 A +
(3.7 V - 2.5 V) × 2.5 V
2 × 2.2 μH × 2 MHz × 3.7 V
≈0.89 A
• 选择输出入电容器
• 为了减少纹波电流使 VDD 输入电容器造成的损耗，需特别选择等效串联电阻 (ESR) 低的电容。
• 对于输出电容器，也请选择等效串联电阻 (ESR) 低的。相当于电感电流脉动量的纹波电流流入输出电容，该脉动量与
ESR 的积产生纹波电压输出。输出电容器的值对 DC/DC 转换器的工作稳定性有重大影响。一般说来，推荐使用 4.7 μF
左右的电容。若纹波电压成为问题的场合，也可采用电容值较大的电容器。此外，输出入的压差不超过 0.6 V 的场合，建
议使用 10 μF 的输出电容。
• 电容器的种类
无论是输出电容还是输入电容，使用陶瓷电容器对于 ESR 的减小和小型化十分有益。但是电源电路也是发热源，应该避
免使用温度特性为 F 特性 ( -80% ~ +20%) 的电容。推荐使用 B 特性 ( ±10% ~ ±20%) 的电容。
一般的电解电容器的 ESR 比较高，应尽量避免使用。
钽电容器的 ESR 降低效果虽然好，但发生故障时进入短路模式，十分危险。使用钽电容器时，建议使用带保险的。
DS04–27253–3Z
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MB39C014
[2] 设定输出电压
本 IC 的输出电压 VOUT 由 VREFIN 上的电压决定。VREFIN 上的电压由外部电源提供或通过电阻分压 VREF 输出设定。
通过电阻分压 VREF 设定 VREFIN 电压的场合，输出电压用下记算式表示。
VOUT = 2.97 × VREFIN,
VREFIN =
R4
R3 + R4
× VREF
(VREF = 1.20 V)
MB39C014
VREF
4 VREF
R3
7 VREFIN
VREFIN
R4
( 注意 ) 关于电路结构示例，详情参照 ■ 应用电路示例。
虽然电阻比决定输出电压，但选定的电阻值要使电阻上的电流不超出 VREF 电流的额定 (1 mA)。
[3] 转换效率
转换效率可通过减少 DC/DC 转换器电路的损耗得以改善。
DC/DC 转换器的总损耗 (PLOSS) 从大类上可分为以下几种。
PLOSS = PCONT + PSW + PC
PCONT : 控制电路损耗 ( 本 IC 工作时使用的电力，含内部开关 FET 的栅极驱动电力 )
PSW : 开关损耗 ( 本 IC 内置开关 FET 切换时发生的损耗 )
: 导通损耗 ( 电流流入本 IC 内置开关 FET 和外接电路时发生的损耗 )
PC
本 IC 的控制电路损耗 (PCONT) 非常小，不超过数十个 mW( 无负载时 )。
因本 IC 内置高速、低损耗的开关 FET，在高负载时的损耗方面，导通损耗 (PC) 比控制电路损耗 (PCONT) 和开关损耗 (PSW)
大得多。
导通损耗 (PC) 从大类上可分为内置开关 FET 的 ON 电阻产生的损耗和外部电感的串联电阻产生的损耗两种。
PC = IOUT2 × (RDC + D × RONP + (1 - D) × RONN)
D
RONP
RONN
RDC
IOUT
: 开关的占空比 ( = VOUT/VIN)
: 内置 P-ch 开关 FET 的 ON 电阻
: 内置 N-ch 开关 FET 的 ON 电阻
: 外部电感的串联电阻
: 负载电流
根据上记算式，要通过选择元件改善效率，关键是降低 RDC。
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DS04–27253–3Z
MB39C014
[4] 容许损耗和热设计
本 IC 是高效芯片，一般情况下无需考虑容许损耗和热设计的问题，仅在低电源电压、高负载、高输出电压和高温的条件下
使用时需要考虑。
内部损耗 (P) 大致可用以下算式表示。
P = IOUT2 × (D × RONP + (1 - D) × RONN)
D
RONP
RONN
IOUT
: 开关的占空比 ( = VOUT/VIN)
: 内置 P-ch 开关 FET 的 ON 电阻
: 内置 N-ch 开关 FET 的 ON 电阻
: 输出电流
上记算式主要表示的是导通损耗。内部损耗还包含开关损耗和控制电路的损耗，但这些损耗相对于导通损耗微不足道，所
以不成问题。
因本 IC 的 RONP > RONN，所以占空比越大，损耗也相应地越大。
假定 VIN = 3.7 V、Ta = +70 ℃，根据 MOS FET ON 电阻－工作环境温度特性图，RONP = 0.42 Ω、RONN = 0.36 Ω。VOUT =
2.5 V 且 IOUT = 0.6 A 时，IC 内部的损耗为 P = 144 mW。根据容许损耗－工作环境温度特性图，工作环境温度 Ta 为 +70 ℃
时的容许损耗是 539 mW，内部损耗比容许损耗小。
[5] 瞬态响应
保持VIN、VOUT 在稳定的状态下，让IOUT 发生突变，确认响应时间、过冲电压、反冲电压等的响应。本IC内置最优化的Error
Amp，所以显示出良好的响应性。但在负载电流突变时振铃较大的场合，需追加电容 C6 ( 例 : 0.1 μF) ( 因电容 C6 的原因，
启动时间会发生变化，连同启动波形一起，需加以确认 )。DAC 输入时不需要。
MB39C014
VREF
4 VREF
R3
7 VREFIN
VREFIN
C6
R4
DS04–27253–3Z
15
MB39C014
[6] 印刷电路板布局和设计例
要使本 IC 稳定工作，需在电路板的布局上下功夫。
布局时要注意以下几点。
• 输入电容 (Cin) 尽量配置在 VDD 和 GND 引脚附近。其他的电路板层有电源和接地层时，请在该电容引脚至近的地方设置
TH ( 通孔 )。
• 在输入电容 (Cin)、输出电容 (Co)、外接电感 (L) 和本 IC 之间有大 AC 电流通过。配置这些元件时要尽量靠近 IC，要尽量
想办法减小这些元件组成的环路面积。不仅如此，还应尽量把这些元件贴装在同一个层面，布线时不使用 TH。布线时采
用短而宽的直线。
• 至 OUT 的反馈线从输出电容 (Co) 的电压输出端引脚至近处布线。此外，OUT 引脚的感应度高，布线时尽量远离本 IC 的
LX 引脚的布线。
• 用电阻分割的方法为提供 VREFIN 电压的场合，配置电阻时要考虑尽量使 VREFIN 的布线短。要尽量让 VREFIN 电阻的
GND 引脚靠近 IC 的 AGND 引脚，并设置控制系统的 GND 等，使两者之间的连线没有大电流流过。为 VREFIN 设置旁路
电容器时，需将电容器配置在离 VREFIN 引脚最近的地方。
• 请尽量在 IC 贴装面设置 GND 焊盘。SON10 封装品的场合，为了有效散热，推荐在散热垫的焊盘部分设置散热通孔。
• IC 开关系统元件配置示意图
1 Pin
Co
GND
VIN
Cin
L
Vo
反馈线
• 电路设计上的注意事项
• 本 IC 监控开关操作中的峰值电流，这虽起到短路保护作用，还是应该避免长时间输出短路的状态。特别是在 VIN < 2.9 V
时短路时，电流极限值 ( 电感的峰值电流 ) 有上升的倾向。若持续这样的短路状态，则本 IC 的温度也继续上升，引发过温
保护功能启动。过温保护功能使输出停止，从而 IC 温度降下后，输出重启。即，输出启动、停止重复进行。
上记现象不至于损坏 IC，但长时间持续的话，有可能因本 IC 周围过热产生影响。需加以注意。
16
DS04–27253–3Z
MB39C014
■ 典型工作特性示例
( 下记特性示例是 "■ 典型工作特性测定电路图 " 所示电路的特性例 )
转换效率－负载电流特性
(2.0 MHz)
转换效率－负载电流特性
(2.0 MHz)
100
100
VIN = 3.7 V
90
80
70
VIN = 4.2 V
60
50
VIN = 5.0 V
40
30
Ta = +25 °C
VOUT = 2.5 V
FSEL = L
10
VIN = 3.0 V
VIN = 4.2 V
60
50
VIN = 5.0 V
40
1
10
100
Ta = +25 °C
VOUT = 1.2 V
FSEL = L
20
10
0
1000
1
10
100
负载电流 IOUT (mA)
负载电流 IOUT (mA)
转换效率－负载电流特性
(2.0 MHz)
转换效率－负载电流特性
(2.0 MHz)
1000
100
100
90
VIN = 3.7 V
90
VIN = 3.7 V
80
80
70
VIN = 4.2 V
60
50
VIN = 5.0 V
40
转换效率 η (%)
VIN = 3.0 V
转换效率 η (%)
70
30
20
0
VIN = 3.7 V
80
转换效率 η (%)
转换效率 η (%)
90
VIN = 3.0 V
70
VIN = 4.2 V
60
50
VIN = 5.0 V
40
30
30
Ta = +25 °C
VOUT = 1.8 V
FSEL = L
20
10
Ta = +25 °C
VOUT = 3.3 V
FSEL = L
20
10
0
0
1
10
100
负载电流 IOUT (mA)
1000
1
10
100
1000
负载电流 IOUT (mA)
( 转下页 )
DS04–27253–3Z
17
MB39C014
转换效率－负载电流特性
(3.2 MHz)
转换效率－负载电流特性
(3.2 MHz)
100
100
VIN = 3.7 V
90
70
VIN = 4.2 V
60
VIN = 5.0 V
50
40
70
VIN = 3.0 V
60
VIN = 4.2 V
50
40
VIN = 5.0 V
30
30
Ta = +25 °C
VOUT = 2.5 V
FSEL = H
20
10
20
Ta = +25 °C
VOUT = 1.2 V
FSEL = H
10
0
0
1
10
100
1000
1
10
100
1000
负载电流 IOUT (mA)
负载电流 IOUT (mA)
转换效率－负载电流特性
(3.2 MHz)
转换效率－负载电流特性
(3.2 MHz)
100
100
90
90
VIN = 3.7 V
VIN = 3.7 V
80
80
70
转换效率 η (%)
VIN = 3.0 V
转换效率 η (%)
VIN = 3.7 V
80
VIN = 3.0 V
转换效率 η (%)
转换效率 η (%)
80
90
VIN = 4.2 V
60
50
VIN = 5.0 V
40
VIN = 4.2 V
70
60
50
VIN = 5.0 V
40
30
30
10
10
0
0
1
10
100
负载电流 IOUT (mA)
Ta = +25 °C
VOUT = 3.3 V
FSEL = H
20
Ta = +25 °C
VOUT = 1.8 V
FSEL = H
20
1000
1
10
100
1000
负载电流 IOUT (mA)
( 转下页 )
18
DS04–27253–3Z
MB39C014
输出电压－输入电压特性
(3.2 MHz)
输出电压－输入电压特性
(2.0 MHz)
2.60
2.60
Ta = +25 ℃
设定 VOUT = 2.5 V
FSEL = L
2.58
2.56
2.54
输出电压 VOUT (V)
输出电压 VOUT (V)
2.56
IOUT = 0 A
2.52
2.50
2.48
2.46
2.44
2.54
IOUT = 0 A
2.52
2.50
2.48
2.46
2.44
2.42
IOUT = 100 mA
2.42
IOUT = 100 mA
2.40
2.40
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
2.0
3.0
4.0
5.0
输入电压 VIN (V)
输入电压 VIN (V)
输出电压－负载电流特性
(2.0 MHz)
输出电压－负载电流特性
(3.2 MHz)
2.60
6.0
2.60
Ta = +25 ℃
VIN = 3.7 V
设定 VOUT = 2.5 V
FSEL = L
2.56
2.54
Ta = +25 ℃
VIN = 3.7 V
设定 VOUT = 2.5 V
FSEL = H
2.58
2.56
输出电压 VOUT (V)
2.58
输出电压 VOUT (V)
Ta = +25 ℃
设定 VOUT = 2.5 V
FSEL = H
2.58
2.52
2.50
2.48
2.46
2.54
2.52
2.50
2.48
2.46
2.44
2.44
2.42
2.42
2.40
2.40
0
200
400
600
负载电流 IOUT (mA)
800
0
200
400
600
800
负载电流 IOUT (mA)
( 转下页 )
DS04–27253–3Z
19
MB39C014
基准电压－工作环境温度特性
基准电压－输入电压特性
1.3
1.3
Ta = +25 °C
VOUT = 2.5 V
1.28
1.26
基准电压 VREF (V)
基准电压 VREF (V)
1.26
1.24
1.22
1.2
1.18
1.16
1.24
1.22
1.2
1.18
1.16
1.14
1.14
1.12
1.12
1.1
1.1
2
3
4
5
-50
6
0
+50
输入电压 VIN (V)
工作环境温度 Ta ( ℃ )
输入电流－输入电压特性
输入电流－工作环境温度特性
10
10
9
9
8
8
输入电流 IIN (mA)
输入电流 IIN (mA)
VIN = 3.7 V
VOUT = 2.5 V
1.28
7
6
5
4
+100
7
6
5
4
3
3
Ta = +25 °C
VOUT = 2.5 V
2
VIN = 3.7 V
VOUT = 2.5 V
2
1
1
0
0
2.0
3.0
4.0
输入电压 VIN (V)
5.0
6.0
-50
0
+50
+100
工作环境温度 Ta ( ℃ )
( 转下页 )
20
DS04–27253–3Z
MB39C014
开关频率－输入电压特性
(3.2 MHz)
开关频率－输入电压特性
(2.0 MHz)
2.4
3.6
开关频率 fOSC2 (MHz)
开关频率 fOSC1 (MHz)
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
Ta = +25 °C
VOUT = 2.5 V
IOUT = 200 mA
FSEL = L
1.8
1.7
3.2
3.0
2.8
Ta = +25 °C
VOUT = 2.5 V
IOUT = 200 mA
FSEL = H
2.6
1.6
2.4
2.0
3.0
4.0
5.0
2.0
6.0
3.0
4.0
5.0
输入电压 VIN (V)
输入电压 VIN (V)
开关频率－工作环境温度特性
(2.0 MHz)
开关频率－工作环境温度特性
(3.2 MHz)
2.4
6.0
3.6
2.2
开关频率 fOSC2 (MHz)
VIN = 3.7 V
VOUT = 2.5 V
IOUT = 200 mA
FSEL = L
2.3
开关频率 fOSC1 (MHz)
3.4
2.1
2.0
1.9
VIN = 3.7 V
VOUT = 2.5 V
IOUT = 200 mA
FSEL = H
3.4
3.2
3.0
2.8
1.8
2.6
1.7
1.6
2.4
-50
0
+50
工作环境温度 Ta ( ℃ )
+100
-50
0
+50
+100
工作环境温度 Ta ( ℃ )
( 转下页 )
DS04–27253–3Z
21
MB39C014
P-ch MOS FET
ON 电阻－工作环境温度特性
MOS FET ON 电阻－输入电压特性
0.6
P-ch MOS FET ON 电阻 RONP (Ω)
MOS FET ON 电阻 RON (Ω)
0.6
0.5
P-ch
0.4
0.3
0.2
N-ch
0.1
VIN = 3.7 V
0.5
0.4
0.3
VIN = 5.5 V
0.2
0.1
Ta = +25 °C
0.0
0.0
2.0
3.0
4.0
5.0
-50
6.0
0
+50
+100
输入电压 VIN (V)
工作环境温度 Ta ( ℃ )
N-ch MOS FET
ON 电阻－工作环境温度特性
CTL 阈值电压－输入电压特性
VTHHCT
1.2
0.5
CTL 阈值电压 Vth (V)
N-ch MOS FET ON 电阻 RONN (Ω)
1.4
0.6
VIN = 3.7 V
0.4
0.3
0.2
VTHLCT
1.0
0.8
Ta = +25 °C
VOUT = 2.5 V
0.6
0.4
VIN = 5.5 V
0.1
VTHHCT: 电路断开 → 接通
VTHLCT: 电路接通 → 断开
0.2
0.0
0.0
-50
0
+50
工作环境温度 Ta ( ℃ )
+100
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
输入电压 VIN (V)
( 转下页 )
22
DS04–27253–3Z
MB39C014
( 承上页 )
容许损耗－工作环境温度特性
( 无散热通孔 )
容许损耗－工作环境温度特性
( 有散热通孔 )
3000
3000
2632
2500
容许损耗 PD (mW)
容许损耗 PD (mW)
2500
2000
1500
1053
2000
1500
980
1000
1000
500
500
0
-50
0
+50
+85
+100
工作环境温度 Ta ( ℃ )
DS04–27253–3Z
392
0
-50
0
+50
+85
+100
工作环境温度 Ta ( ℃ )
23
MB39C014
• 开关波形
VOUT : 20 mV/div
VLX : 2.0 V/div
Ta = +25 °C
VIN = 3.7 V
VOUT = 2.5 V
IOUT = 800 mA
ILX : 500 mA/div
1 μs/div
24
DS04–27253–3Z
MB39C014
• 启动时的波形
VCTL : 5.0 V/div
ILX : 500 mA/div
Ta = +25 °C
VIN = 3.7 V
VOUT = 2.5 V
IOUT = 0 A
VOUT : 1.0 V/div
VREFIN 电容 = 0.1 μF
10 ms/div
VCTL : 2.0 V/div
ILX : 500 mA/div
Ta = +25 °C
VIN = 3.7 V
VOUT = 2.5 V
IOUT = 0 A
VOUT : 1.0 V/div
20 μs/div
DS04–27253–3Z
无 VREFIN 电容
25
MB39C014
• 负载突变特性 (0 mA ↔ 800 mA)
IOUT = 0 mA
IOUT = 800 mA
IOUT = 0 mA
VOUT : 100 mV/div
Ta = +25 °C
VIN = 3.7 V
VOUT = 2.5 V
10 μs/div
VREFIN 电容 = 0.1 μF
• 负载突变特性 (100 mA ↔ 800 mA)
IOUT = 100 mA
IOUT = 800 mA
IOUT = 100 mA
VOUT : 100 mV/div
Ta = +25°C
VIN = 3.7 V
VOUT = 2.5 V
10 μs/div
26
VREFIN 电容 = 0.1 μF
DS04–27253–3Z
MB39C014
■ 应用电路示例
• 应用电路示例 1
• 将外部电压输入到基准电压外部输入 (VREFIN)，以 2.97 倍的 VOUT 设定增益设定 VOUT
C2
4.7 μF
10
VIN
VDD
CPU
3 CTL
LX
VOUT
1
R5
1 MΩ
L1
2.2 μH
OUT
C1
4.7 μF
9
8 MODE
POWER
GOOD
L (OPEN) = 2.0 MHz
H = 3.2 MHz
APLI
5
6 FSEL
4 VREF
VOUT = 2.97 × VREFIN
7 VREFIN
DAC
GND
2
• 应用电路示例 2
• 将 VREF 引脚电压以电阻分压的方法输入到基准电压外部输入 (VREFIN) ，VOUT 电压设定为 2.5 V
C2
4.7 μF
10
VDD
3 CTL
CPU
LX
VOUT
1
R5
1 MΩ
L1
2.2 μH
OUT
9
POWER
GOOD
5
VIN
C1
4.7 μF
8 MODE
L (OPEN) = 2.0 MHz
H = 3.2 MHz
R3 127.5 kΩ
6 FSEL
(120 kΩ + 7.5 kΩ)
4 VREF
R4
300 kΩ
DS04–27253–3Z
APLI
7 VREFIN
GND
2
VOUT = 2.97 × VREFIN
VREFIN = R4
× VREF
R3 + R4
(VREF = 1.20 V)
300 kΩ
VOUT = 2.97 ×
× 1.20 V = 2.5 V
127.5 kΩ + 300 kΩ
27
MB39C014
• 应用电路示例所用的元件表
元件号
品名
L1
电感
C1
型号
规格
封装
生产厂家
VLF4012AT-2R2M
2.2 μH, RDC = 76 mΩ
SMD
TDK
MIPW3226D2R2M
2.2 μH, RDC = 100 mΩ
SMD
FDK
陶瓷电容
C2012JB1A475K
4.7 μF (10 V)
2012
TDK
C2
陶瓷电容
C2012JB1A475K
4.7 μF (10 V)
2012
TDK
R3
电阻
RK73G1JTTD D 7.5 kΩ
RK73G1JTTD D 120 kΩ
7.5 kΩ
120 kΩ
1608
1608
KOA
KOA
R4
电阻
RK73G1JTTD D 300 kΩ
300 kΩ
1608
KOA
R5
电阻
RK73G1JTTD D 1 MΩ
1 MΩ ±0.5%
1608
KOA
TDK: TDK 株式会社
FDK: FDK 株式会社
KOA: KOA 株式会社
28
DS04–27253–3Z
MB39C014
■ 使用注意事项
1. 设定条件不可超出最大额定值。
使用时如果超出最大额定值，可对 LSI 造成永久性损坏。
另外，平时使用时，也希望在推荐工作条件下使用。超出推荐工作条件的使用对 LSI 的可靠性带来不良影响。
2. 在推荐工作条件下使用。
推荐工作条件是确保 LSI 正常工作的保证值。
在推荐工作条件范围内以及各项目条件栏的条件下，电气特性的规格值都可得到保证。
3. 关于基板的接地，按照通用阻抗设计。
4. 采取防静电措施。
• 使用已采取防静电措施的容器或具有导电性的容器存放半导体。
• 保管、搬运贴片后的电路板时，使用导电性包装或容器。
• 将工作台、工具和测量仪器接地。
• 在操作人员的身体和接地之间，串联 250 kΩ ~ 1 MΩ 电阻后接地。
5. 不可施加负电压。
施加 -0.3 V 以下的负电压时，可能会使 LSI 的寄生晶体管启动并导致误动作。
■ 订购型号
型号
MB39C014PN-❏❏❏E1
封装
备注
10 脚塑封 SON
(LCC-10P-M04)
无铅产品
■ 支持 RoHS 指令的质量管理 ( 无铅品的场合 )
富士通微电子的 LSI 产品支持 RoHS 指令，遵守关于铅 / 镉 / 水银 / 六价铬以及特定溴系难燃剂 PBB 和 PBDE 的标准。对
于符合该标准的产品，在型号的末尾缀 "E1" 加以表示。
DS04–27253–3Z
29
MB39C014
■ 产品印章 ( 无铅品的场合 )
XXXXX
X
引脚方向标识
无铅标识
■ 产品标签 ( 无铅产品例 )
无铅标识
JEITA 规格
MB123456P - 789 - GE1
(3N) 1MB123456P-789-GE1
1000
(3N)2 1561190005 107210
JEDEC 规格
G
Pb
QC PASS
PCS
1,000
MB123456P - 789 - GE1
2006/03/01
ASSEMBLED IN JAPAN
MB123456P - 789 - GE1
1/1
0605 - Z01A
1000
1561190005
无铅品在型号的末尾加 "E1"。
30
在中国组装的产品标签上会印有
"ASSEMBLED IN CHINA" 。
DS04–27253–3Z
MB39C014
■ 评估板规格
MB39C014 评估板为测试 MB39C014 的效率性能和其他各种性能提供良好的工作环境。
• 引脚信息
符号
功能描述
VIN
电源引脚
标准状态下， 3.1 V ∼ 5.5 V*
*[ 标准输出电压 (VOUT = 2.5 V)、 VIN < 3.1 V 工作 ] 等输出入压差不超过 0.6 V 的场合，建议将输
出电容 (C1) 换为 10 μF。
VOUT
输出引脚
VCTL
CTL 引脚设定用的电源引脚
连接 CTL 使用。
CTL
CTL 的直接供给引脚
CTL = 0 V ~ 0.80 V (Typ) : 断开
CTL = 0.95 V (Typ) ~ VIN : 正常工作
MODE
TEST 引脚
OPEN 或 GND
VREF
基准电压输出引脚
VREF = 1.20 V (Typ)
VREFIN
FSEL
POWERGOOD
外接基准电压输入引脚
从外部供给基准电压时，连接该引脚。
频率切换引脚
FSEL = 0 V : 2.0 MHz 工作频率
FSEL = VIN : 3.2 MHz 工作频率 *
* 推荐换为 1.5 μH 的电感。
POWERGOOD 输出引脚。 OUT 电压高于输出设定电压的 97% 时，输出变为 H 电平。
PGND
接地引脚
电源系统的 GND，需连接到 VOUT 引脚旁边的 PGND 引脚。
AGND
接地引脚
• 启动引脚处理信息
引脚名
条件
功能描述
CTL
L : OPEN
H : 连接 VCTL
IC 的 ON/OFF 开关
L : 断开
H : 正常工作
FSEL
L : OPEN
H : 连接 VCTL
设定工作频率的引脚
L : 2.0 MHz 频率下工作
H : 3.2 MHz 频率下工作
• JUMPER 信息
功能描述
JP
JP1
电路板布线短路 ( 通常短路使用 )
JP2
通常短路 (0 Ω) 使用
DS04–27253–3Z
31
MB39C014
• 基本设定的确认方法
(1) 基本设定
(1) -1 将 CTL 引脚连接至 VCTL 引脚。
(1) -2 将电源的输出端连接至 VIN 引脚及 PGND 引脚 ( 电源电压设定例 : 3.7 V)。
(2) 确认方法
(2) -1 接通 VIN 的电源，若输出 VOUT = 2.5 V (Typ) ，则说明 IC 在正常工作。
32
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MB39C014
• EV 电路板元件配置图 ( 俯视图 )
CTL
JP2
PGND
VIN
VCTL
R5
SW1
C2
CTL
VOUT
FSEL
M1
C1
MODE
R3-1
R3-2 VREF
R1
AGND
Open
C6
R4
Short
L1
MODE
POWER_GOOD
MB39C014EVB-06
Rev.1.0
VREFIN
FSEL
正面 ( 元件面 )
1PJ
反面 ( 焊接面 )
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33
MB39C014
• EV 电路板布线 ( 俯视图 )
34
Top Side(Layer1)
Inside GND(Layer2)
Inside GND(Layer3)
Bottom Side(Layer4)
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MB39C014
• 连接图
IIN
VIN
C2
JP2
SW1
10
*
IOUT
L1
VDD
LX
3 CTL
VCTL
1
VOUT
R5
C1
MB39C014
CTL
SW1
JP1
OUT
*
9
R1
8 MODE
POWER
GOOD
MODE
SW1 *
POWER
GOOD
5
6 FSEL
FSEL
4 VREF
VREF
PGND
R3-1
R3-2
AGND
7 VREFIN
VREFIN
GND
R4
C6
2
* 无贴装
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MB39C014
• 元件表
元件号
品名
型号
规格
封装
生产厂家
备注
M1
IC
MB39C014PN
⎯
SON10
FUJITSU
L1
电感
VLF4012AT-2R2M
2.2 μH
RDC = 76 mΩ
SMD
TDK
C1
陶瓷电容
C2012JB1A475K
4.7 μF (10V)
2012
TDK
C2
陶瓷电容
C2012JB1A475K
4.7 μF (10V)
2012
TDK
C6
陶瓷电容
C1608JB1H104K
0.1 μF (50V)
1608
TDK
R1
电阻
RK73G1JTTD D 1 MΩ
1 MΩ ±0.5%
1608
KOA
R3-1
电阻
RR0816P-752-D
7.5 kΩ ±0.5%
1608
SSM
R3-2
电阻
RR0816P-124-D
120 kΩ ±0.5%
1608
SSM
R4
电阻
RR0816P-304-D
300 kΩ ±0.5%
1608
SSM
R5
电阻
RK73G1JTTD D 1 MΩ
1 MΩ ±0.5%
1608
KOA
SW1
开关
⎯
⎯
⎯
⎯
无贴装
JP1
JUMPER
⎯
⎯
⎯
⎯
布线短路
JP2
JUMPER
RK73Z1J
(50 mΩ Max) , 1 A
1608
KOA
( 注意事项 ) 上记为推荐元件，均通过本公司的工作状况确认。
TDK : TDK 株式会社
KOA : KOA 株式会社
SSM : 进工业株式会社
■ 评估板订购型号
36
EV 板型号
EV 板版本
备注
MB39C014EVB-06
MB39C014EVB-06 Rev1.0
SON10
DS04–27253–3Z
MB39C014
■ 封装尺寸图
10-pin plastic SON
Lead pitch
0.50 mm
Package width ×
package length
3.00 mm × 3.00 mm
Sealing method
Plastic mold
Mounting height
0.75 mm MAX
Weight
0.018 g
(LCC-10P-M04)
10-pin plastic SON
(LCC-10P-M04)
3.00±0.10
(.118±.004)
2.40±0.10
(.094±.004)
10
6
INDEX AREA
3.00±0.10
(.118±.004)
1.70±0.10
(.067±.004)
0.40±0.10
(.016±.004)
1
5
1PIN CORNER
(C0.30(C.012))
0.50(.020)
TYP
0.25±0.03
(.010±.001)
0.05(.002)
0.00
(.000
C
+0.05
–0.00
+.002
–.000
0.75(.030)
MAX
0.15(.006)
)
2008 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED C10004S-c-1-2
Dimensions in mm (inches).
Note: The values in parentheses are reference values.
请访问以下网页以了解最新封装信息 :
http://edevice.fujitsu.com/package/en-search/
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■ 目录
页码
• 概要 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
• 特征 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
• 应用 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
• 引脚配置图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
• 引脚功能描述 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
• 输出入引脚的等效电路图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
• 框图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
• 各部分的功能 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
• 绝对最大额定 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
• 推荐工作条件 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
• 电气特性 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
• 典型工作特性测试电路图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
• 应用手册 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
• 典型工作特性示例 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
• 应用电路示例 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
• 使用注意事项 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
• 订购型号 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
• 支持 RoHS 指令的质量管理 ( 无铅品的场合 ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
• 产品印章 ( 无铅品的场合 ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
• 产品标签 ( 无铅产品例 ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
• 评估板规格 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
• 评估板订购型号 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
• 封装尺寸图 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
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MEMO
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众产生危害，甚至直接死亡、人身伤害、严重物质损失或其他损失 ( 即核设施的核反应控制、航空飞行控制、空中交通
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