size：0.5MB - トレックス・セミコンダクター

XC2164 シリーズ
JTR14004-005
水晶発振モジュール用 IC
■概要
XC2164シリーズは、高周波･低消費電流で動作する水晶発振モジュール用CMOS ICです。
水晶発振回路および分周回路を内蔵しています。ファンダメンタル発振では、出力は原発振f0に対してf0/1、f0/2、f0/4、
f0/8 の中からひとつを選択できます。
発振容量･発振帰還抵抗を内蔵しており、水晶振動子のみを外付けすることにより安定したファンダメンタル発振や
3rdオーバートーン発振が可能です。
また、スタンバイ機能を内蔵しており、発振完全停止の(XC2164A~D品)と出力のみ停止させる(XC2164K~N品)からひ
とつを選択できます。パッケージは小型ミニモールドSOT-26です。
■用途
■特長
: 4MHz ~ 30MHz (ファンダメンタル)
20MHz ~ 125MHz (3rd オーバートーン)
: f0/1,f0/2,f0/4,f0/8 (ファンダメンタル)
f0/1(3rd オーバートーン)
: 3 ステート
: 3.3V±10%, 5.0V±10%
: スタンバイ機能付き
Chip Enable 品、Output Enable 品から選択
発振周波数
●水晶発振モジュール
分周比
●マイコン･DSP 等のクロック
●通信機器
出力
動作電圧範囲
低消費電流
●各種システムクロック
CMOS 構成
発振容量･発振帰還抵抗内蔵
動作周囲温度
: - 40℃ ~ + 85℃
パッケージ
: SOT-26
環境への配慮
: EU RoHS 指令対応、鉛フリー
■端子配列
■端子説明
端子番号

端子名
機能
1
Q0
クロック出力
2
VSS
グランド
3
/XT
水晶振動子接続（出力）
4
XT
水晶振動子接続（入力）
5
VDD
電源入力
6
/INH
スタンバイ制御
*スタンバイ制御端子はプルアップ抵抗内蔵
■/INH, Q0 端子機能表
/INH
Q0
“H” or OPEN
クロック出力
“L”
ハイ インピーダンス
H = High レベル
L = Low レベル
1/20
XC2164 シリーズ
■製品分類
●品番ルール
XC2164 ①②③④⑤⑥-⑦(*1)
DESIGNATOR
①
②③
④
⑤⑥-⑦
(*1)
ITEM
SYMBOL
DESCRIPTION
A
Chip Enable: f0/1
B
Chip Enable: f0/2 (ファンダメンタルのみ)
C
Chip Enable: f0/4 (ファンダメンタルのみ)
分周比
D
Chip Enable: f0/8 (ファンダメンタルのみ)
スタンバイモード
K
Output Enable: f0/1
L
Output Enable: f0/2 (ファンダメンタルのみ)
M
Output Enable: f0/4 (ファンダメンタルのみ)
N
Output Enable: f0/8 (ファンダメンタルのみ)
CMOS (VDD/2)
デューティレベル
51
推奨周波数範囲
(別表 1)
内蔵品(3rd O/T)
Rf, Cg, Cd
(別表 2)
内蔵品(ファンダメンタル)
パッケージ
MR
SOT-26（3,000/Reel)
(発注単位)
MR-G
SOT-26（3,000/Reel)
但し、ファンダメンタル 4MHz～30MHz は TTL 兼用
(*1) “-G”は、ハロゲン＆アンチモンフリーかつ RoHS 対応製品です。
表 1 : 内蔵品(3rd O/T)
シンボル
A
B
C
D
E
F
H
K
L
周波数範囲
3.3V±10%
5.0V±10%
Rf
（kΩ）
Cg
（pF）
Cd
（pF）
－
20MHz to 30MHz
30MHz to 40MHz
40MHz to 50MHz
50MHz to 65MHz
65MHz to 80MHz
80MHz to 95MHz
95MHz to 110MHz
110MHz to 125MHz
20MHz to 30MHz
30MHz to 40MHz
40MHz to 50MHz
50MHz to 65MHz
65MHz to 80MHz
80MHz to 95MHz
95MHz to 110MHz
110MHz to 125MHz
－
9.0
6.5
5.0
3.5
2.8
2.5
2.2
2.0
2.3
21.5
20.0
16.0
14.0
12.5
10.0
8.0
7.0
5.5
21.5
20.0
16.0
14.0
12.5
10.0
8.0
7.0
5.5
Rf
（kΩ）
Cg
（pF）
Cd
（pF）
3.5/7.0
3.5/7.0
20.0
35.0
20.0
35.0
表 2 : 内蔵品(ファンダメンタル)
シンボル
M, V
T
周波数範囲
3.3V±10%
4MHz to 30MHz
4MHz to 30MHz
5.0V±10%
4MHz to 30MHz
4MHz to 30MHz
(*)Rf = 3.5MΩ@VDD = 5.0V 動作
Rf = 7.0 MΩ@VDD =3.3V 動作
参考資料：発振周波数対電源電圧特性、負性抵抗値の比較 （30MHz 水晶使用時、設計時）
シンボル
M
V
T
2/20
発振周波数対電源電圧特性
VDD=3.3V±10%
VDD=5.0V±10%
±4.3ppm
±4.5ppm
±1.2ppm
±2.1ppm
±9.4ppm
±7.0ppm
負性抵抗値
VDD=3.3V
VDD=5.0V
-130Ω
-150Ω
-660Ω
-220Ω
-250Ω
-760Ω
XC2164
シリーズ
■ブロック図
■絶対最大定格
Ta=25℃
PARAMETER
SYMBOL
RATINGS
UNITS
電源電圧
VDD
VSS - 0.3 ~ VSS + 7.0
V
入力電圧
VIN
VSS - 0.3 ~ VDD + 0.3
V
許容損失
Pd
250
600(基板実装時)(*1)
mW
動作周囲温度
Topr
- 40 ~ + 85
℃
保存温度
Tstg
- 55 ~ + 125
℃
(*1)
基板実装時の許容損失の参考データとなります。実装条件については 19 頁目を参照下さい。
3/20
XC2164 シリーズ
■電気的特性
XC2164x51Tx DC 電気的特性
5.0V 動作
●推奨動作条件
項目
記号
動作電圧
条件
規格値
単位
MIN.
TYP.
MAX.
VDD
4.5
5.0
5.5
入力電圧
VIN
VSS
VDD
V
動作温度
Topr
-30
+80
℃
V
(特記なき場合は VDD=5.0V, 無負荷, Ta= -30 ～ +80℃)
fosc=4MHz to 30MHz (Fundamental)
記号
"H"レベル入力電圧
VIH
/INH 端子
"L"レベル入力電圧
VIL
/INH 端子
"H"レベル出力電圧
VOH
CMOS : 4.5V, IOH=-16mA
"L"レベル出力電圧
VOL
CMOS : 4.5V, IOH=16mA
0.3
消費電流 1
IDD1
/INH=Open, Q0=Open, f=30MHz
消費電流 2
IDD2
/INH='L', Q0=Open, f=30MHz
入力プルアップ抵抗 1
Rup1
/INH='L'
0.5
1.0
入力プルアップ抵抗 2
Rup2
/INH=0.7VDD
25
50
内蔵発振容量
条件
規格値
項目
MIN.
単位
測定回路
V
1
V
1
V
2
V
2
{E1}
mA
3
{E2-1}
{E2-2}
3
2.0
MΩ
4
100
kΩ
4
TYP.
MAX.
2.4
0.4
3.9
4.2
0.4
Cg
(*)
20
pF
-
Cd
(*)
20
pF
-
MΩ
5
μA
6
内蔵発振帰還抵抗
Rf
出力オフリーク電流
Ioz
3.5
/INH='L', VOH=5.0V
10
(*)：設計値
3.3V 動作
●推奨動作条件
項目
記号
動作電圧
入力電圧
動作温度
条件
規格値
単位
MIN.
TYP.
MAX.
VDD
2.50
3.30
3.63
V
VIN
VSS
VDD
V
Topr
-30
+80
℃
(特記なき場合は VDD=3.3V, 無負荷, Ta=-30 ～ +80℃)
fosc=4MHz to 30MHz (Fundamental)
項目
記号
"H"レベル入力電圧
VIH
/INH 端子
"L"レベル入力電圧
VIL
/INH 端子
"H"レベル出力電圧
VOH
CMOS : 2.97V, IOH=-8mA
"L"レベル出力電圧
VOL
CMOS : 2.97V, IOH=8mA
消費電流 1
IDD1
/INH=Open, Q0=Open, f=30MHz
消費電流 2
IDD2
/INH='L', Q0=Open, f=30MHz
入力プルアップ抵抗 1
Rup1
入力プルアップ抵抗 2
内蔵発振容量
Rup2
条件
/INH='L'
/INH=0.7VDD
規格値
MIN.
TYP.
MAX.
2.4
0.4
2.5
0.4
単位
測定回路
V
1
V
1
V
2
V
2
{E3}
mA
3
{E4-1}
{E4-2}
3
4
1.0
2.0
4.0
MΩ
35
70
140
kΩ
4
Cg
(*)
20
pF
-
Cd
(*)
20
pF
-
MΩ
5
μA
6
内蔵発振帰還抵抗
Rf
出力オフリーク電流
Ioz
7.0
/INH='L', VOH=3.3V
10
(*)：設計値
4/20
XC2164
シリーズ
■電気的特性
XC2164x51Tx スイッチング特性
fosc=4MHz to 30MHz (Fundamental), Ta=-30 ～ +80℃
項目
記号
出力立ち上がり時間
tr
tf
出力立ち下がり時間
出力 DUTY サイクル
規格値
条件
DUTY
MIN.
TYP.
MAX.
単位
測定回路
CMOS: CL=15pF, 0.1VDD→0.9VDD (*)
1.5
ns
-
TTL: Load=10TTL, 0.4V→2.4V (*)
1.5
ns
-
CMOS: CL=15pF, 0.9VDD→0.1VDD (*)
1.5
ns
-
TTL: Load=10TTL, 2.4V→0.4V (*)
1.5
ns
-
CMOS: CL=15pF @0.5VDD
45
55
%
7
TTL: Load=10TTL @1.4V
45
55
%
8
XC2164x51Tx 電気的特性一覧表
記号
E1
E2-1
E2-2
E3
E4-1
E4-2
項目
消費電流 1
消費電流 2
消費電流 2
消費電流 1
消費電流 2
消費電流 2
5.0V
5.0V
5.0V
3.3V
3.3V
3.3V
製品名
IDD1
IDD2
IDD2
IDD1
IDD2
IDD2
XC2164xxx
TYP
TYP
単位
TYP
TYP
単位
A51T
11.0
5.0
μA
5.0
2.0
μA
B51T
9.0
5.0
μA
4.0
2.0
μA
C51T
8.0
5.0
μA
3.0
2.0
μA
D51T
8.0
5.0
μA
3.0
2.0
μA
K51T
11.0
6.0
mA
5.0
2.5
mA
L51T
9.0
6.0
mA
4.0
2.5
mA
M51T
8.0
6.0
mA
3.0
2.5
mA
N51T
8.0
6.0
mA
3.0
2.5
mA
備考) 記号は電気的特性表中の規格値欄の記号と対応します。
5/20
XC2164 シリーズ
■電気的特性
XC2164x51Vx DC 電気的特性
5.0V 動作
●推奨動作条件
項目
記号
動作電圧
入力電圧
動作温度
条件
規格値
MAX.
単位
MIN.
TYP.
VDD
4.5
5.0
VIN
VSS
VDD
V
Topr
-30
+80
℃
5.5
V
(特記なき場合は VDD=5.0V, 無負荷, Ta=-30 ～ +80℃)
fosc=4MHz to 30MHz (Fundamental)
項目
記号
条件
"H"レベル入力電圧
VIH
/INH 端子
規格値
MIN.
TYP.
MAX.
2.4
"L"レベル入力電圧
VIL
/INH 端子
"H"レベル出力電圧
VOH
CMOS : 4.5V, IOH=-16mA
0.4
"L"レベル出力電圧
VOL
CMOS : 4.5V, IOH=16mA
0.3
消費電流 1
IDD1
/INH=Open, Q0=Open, f=30MHz
{E1}
/INH='L', Q0=Open, f=30MHz
3.9
4.2
0.4
測定
回路
V
1
V
1
V
2
V
2
mA
3
消費電流 2
IDD2
{E2-2}
3
入力プルアップ抵抗 1
Rup1
/INH='L'
0.5
1.0
2.0
MΩ
4
入力プルアップ抵抗 2
Rup2
/INH=0.7VDD
25
50
100
kΩ
4
pF
-
内蔵発振容量
Cg
(*)
Cd
(*)
内蔵発振帰還抵抗
Rf
出力オフリーク電流
Ioz
{E2-1}
単位
35
35
pF
-
3.5
MΩ
5
μA
6
/INH='L', VOH=5.0V
10
(*)：設計値
3.3V 動作
●推奨動作条件
項目
記号
動作電圧
入力電圧
動作温度
条件
規格値
単位
MIN.
TYP.
MAX.
VDD
2.50
3.30
3.63
VIN
VSS
VDD
V
Topr
-30
+80
℃
V
(特記なき場合は VDD=3.3V, 無負荷, Ta=-30～+80℃)
fosc=4MHz to 30MHz (Fundamental)
記号
"H"レベル入力電圧
VIH
/INH 端子
"L"レベル入力電圧
VIL
/INH 端子
"H"レベル出力電圧
VOH
CMOS : 2.97V, IOH=-8mA
"L"レベル出力電圧
VOL
CMOS : 2.97V, IOH=8mA
消費電流 1
IDD1
/INH=Open, Q0=Open, f=30MHz
消費電流 2
IDD2
/INH='L', Q0=Open, f=30MHz
入力プルアップ抵抗 1
Rup1
/INH='L'
1.0
2.0
入力プルアップ抵抗 2
Rup2
/INH=0.7VDD
35
70
内蔵発振容量
条件
規格値
項目
MIN.
TYP.
MAX.
2.4
単位
測定
回路
V
1
V
1
V
2
V
2
{E3}
mA
3
{E4-1}
{E4-2}
3
4.0
MΩ
4
140
kΩ
4
0.4
2.5
0.4
Cg
(*)
35
pF
-
Cd
(*)
35
pF
-
MΩ
5
μA
6
内蔵発振帰還抵抗
Rf
出力オフリーク電流
Ioz
7.0
/INH='L', VOH=3.3V
10
(*)：設計値
6/20
XC2164
シリーズ
■電気的特性
XC2164x51Vx スイッチング特性
fosc=4MHz to 30MHz (Fundamental), Ta=-30～+80℃
項目
記号
出力立ち上がり時間
tr
出力立ち下がり時間
tf
出力 DUTY サイクル
DUTY
規格値
条件
MIN.
TYP.
MAX.
1.5
CMOS: CL=15pF, 0.1VDD→0.9VDD (*)
単位
ns
測定
回路
-
TTL: Load=10TTL, 0.4V→2.4V (*)
1.5
ns
-
CMOS: CL=15pF, 0.9VDD→0.1VDD (*)
1.5
ns
-
TTL: Load=10TTL, 2.4V→0.4V (*)
1.5
ns
-
CMOS: CL=15pF @0.5VDD
45
55
%
7
TTL: Load=10TTL @1.4V
45
55
%
8
XC2164x51Vx 電気的特性一覧表
記号
E1
E2-1
E2-2
E3
E4-1
E4-2
項目
消費電流 1
消費電流 2
消費電流 2
消費電流 1
消費電流 2
消費電流 2
5.0V
5.0V
5.0V
3.3V
3.3V
3.3V
製品名
IDD1
IDD2
IDD2
IDD1
IDD2
IDD2
XC2164xxx
TYP.
TYP.
単位
TYP.
TYP.
単位
A51V
11.0
5.0
μA
5.0
2.0
μA
B51V
9.0
5.0
μA
4.0
2.0
μA
C51V
8.0
5.0
μA
3.0
2.0
μA
D51V
8.0
5.0
μA
3.0
2.0
μA
K51V
*
*
mA
*
*
mA
L51V
*
*
mA
*
*
mA
M51V
*
*
mA
*
*
mA
N51V
*
*
mA
*
*
mA
備考) 記号は電気的特性表中の規格値欄の記号と対応します。
7/20
XC2164 シリーズ
■電気的特性
XC2164x51Mx DC 電気的特性
5.0V 動作
●推奨動作条件
項目
記号
動作電圧
入力電圧
動作温度
条件
規格値
MAX.
単位
MIN.
TYP.
VDD
4.5
5.0
VIN
VSS
VDD
V
Topr
-30
+80
℃
5.5
V
(特記なき場合は VDD=5.0V, 無負荷, Ta=-30 ～ +80℃)
fosc=4MHz to 30MHz (Fundamental)
項目
記号
条件
"H"レベル入力電圧
VIH
/INH 端子
"L"レベル入力電圧
VIL
/INH 端子
"H"レベル出力電圧
VOH
CMOS : 4.5V, IOH=-16mA
"L"レベル出力電圧
VOL
CMOS : 4.5V, IOH=16mA
規格値
MIN.
TYP.
2.4
0.4
3.9
4.2
0.3
/INH=Open, Q0=Open,
消費電流 1
IDD1
消費電流 2
IDD2
入力プルアップ抵抗 1
Rup1
/INH='L'
0.5
1.0
入力プルアップ抵抗 2
Rup2
/INH=0.7VDD
25
50
内蔵発振容量
MAX.
f=30MHz
/INH='L', Q0=Open, f=30MHz
0.4
単位
測定回路
V
1
V
1
V
2
V
2
{E1}
mA
{E2-1}
{E2-2}
3
2.0
MΩ
4
100
kΩ
4
3
Cg
(*)
35
pF
-
Cd
(*)
35
pF
-
MΩ
5
μA
6
内蔵発振帰還抵抗
Rf
出力オフリーク電流
Ioz
3.5
/INH='L', VOH=5.0V
10
(*)：設計値
3.3V 動作
●推奨動作条件
項目
記号
動作電圧
入力電圧
動作温度
条件
規格値
単位
MIN.
TYP.
MAX.
VDD
2.97
3.30
3.63
V
VIN
VSS
VDD
V
Topr
-30
+80
℃
(特記なき場合は VDD=3.3V, 無負荷, Ta=-30 ～ +80℃)
fosc=4MHz to 30MHz (Fundamental)
項目
記号
条件
"H"レベル入力電圧
VIH
/INH 端子
規格値
MIN.
TYP.
2.4
"L"レベル入力電圧
VIL
/INH 端子
"H"レベル出力電圧
VOH
CMOS : 2.97V, IOH=-8mA
"L"レベル出力電圧
VOL
CMOS : 2.97V, IOH=8mA
消費電流 1
IDD1
消費電流 2
IDD2
入力プルアップ抵抗 1
Rup1
/INH='L'
1.0
2.0
入力プルアップ抵抗 2
Rup2
/INH=0.7VDD
35
70
内蔵発振容量
MAX.
0.4
2.47
0.4
/INH=Open, Q0=Open,
f=30MHz
/INH='L', Q0=Open, f=30MHz
単位
測定回路
V
1
V
1
V
2
V
2
{E3}
mA
{E4-1}
{E4-2}
3
4.0
MΩ
4
140
kΩ
4
-
3
Cg
(*)
35
pF
Cd
(*)
35
pF
-
7.0
MΩ
5
μA
6
内蔵発振帰還抵抗
Rf
出力オフリーク電流
Ioz
/INH='L', VOH=3.3V
10
(*)：設計値
8/20
XC2164
シリーズ
■電気的特性
XC2164x51Mx スイッチング特性
fosc=4MHz to 30MHz (Fundamental), Ta=-30～+80℃
項目
記号
出力立ち上がり時間
tr
tf
出力立ち下がり時間
DUTY
出力 DUTY サイクル
規格値
条件
MIN.
TYP.
MAX.
1.5
CMOS: CL=15pF, 0.1VDD→0.9VDD (*)
単位
ns
測定
回路
-
TTL: Load=10TTL, 0.4V→2.4V (*)
1.5
ns
-
CMOS: CL=15pF, 0.9VDD→0.1VDD (*)
1.5
ns
-
ns
-
CMOS: CL=15pF @0.5VDD
45
1.5
55
%
7
TTL: Load=10TTL @1.4V
45
55
%
8
TTL: Load=10TTL, 2.4V→0.4V (*)
(*)：設計値
XC2164x51Mx 電気的特性一覧表
記号
E1
E2-1
E2-2
E3
E4-1
E4-2
項目
消費電流 1
消費電流 2
消費電流 2
消費電流 1
消費電流 2
消費電流 2
5.0V
5.0V
5.0V
3.3V
3.3V
3.3V
製品名
IDD1
IDD2
IDD2
IDD1
IDD2
IDD2
XC2164xxx
TYP.
TYP.
単位
TYP.
TYP.
単位
A51M
11.0
5.0
μA
5.0
2.0
μA
B51M
9.0
5.0
μA
4.0
2.0
μA
C51M
8.0
5.0
μA
3.0
2.0
μA
D51M
8.0
5.0
μA
3.0
2.0
μA
K51M
11.0
6.0
mA
5.0
2.5
mA
L51M
9.0
6.0
mA
4.0
2.5
mA
M51M
8.0
6.0
mA
3.0
2.5
mA
N51M
8.0
6.0
mA
3.0
2.5
mA
備考) 記号は電気的特性表中の規格値欄の記号と対応します。
9/20
XC2164 シリーズ
■電気的特性
3rd オーバートーン品(XC2164A51A ～ XC2164A51L) DC 電気的特性
5.0V 動作 (特記なき場合は VDD=5.0V, 無負荷, Ta=-30～+80℃)
項目
記号
規格値
条件
MIN.
TYP.
MAX.
5.0
5.5
動作電圧
VDD
4.5
"H"レベル入力電圧
VIH
2.4
"L"レベル入力電圧
VIL
"H"レベル出力電圧
VOH
CMOS : 4.5V, IOH=-16mA
"L"レベル出力電圧
VOL
CMOS : 4.5V, IOH=16mA
消費電流 1
IDD1
0.4
/INH=Open, Q0=Open
消費電流 2
IDD2
入力プルアップ抵抗 1
Rup1
/INH='L'
入力プルアップ抵抗 2
Rup2
/INH=0.7VDD
内蔵発振帰還抵抗
出力オフリーク電流
10/20
Rf
Ioz
3.9
4.2
0.3
0.4
XC2164A51A,f0=30MHz
17.0
(23)
XC2164A51B,f0=40MHz
17.0
(23)
XC2164A51C,f0=55MHz
19.0
(26)
XC2164A51D,f0=70MHz
23.0
(32)
XC2164A51E,f0=85MHz
24.0
(32)
XC2164A51F,f0=100MHz
30.0
(40)
XC2164A51H,f0=110MHz
30.0
(40)
XC2164A51K,f0=125MHz
30.0
(40)
/INH='L', Q0=Open
測定
回路
V
V
1
V
1
V
2
V
2
mA
3
5.0
(8)
μA
3
0.5
1.0
2.0
MΩ
4
25
50
100
kΩ
4
kΩ
5
μA
6
XC2164A51A
9.0
XC2164A51B
6.5
XC2164A51C
5.0
XC2164A51D
3.5
XC2164A51E
2.8
XC2164A51F
2.5
XC2164A51H
2.2
XC2164A51K
2.0
/INH='L'
単位
10
XC2164
シリーズ
■電気的特性
3.3V 動作 (特記なき場合は VDD=3.3V, 無負荷, Ta=-30～+80℃)
項目
記号
動作電圧
規格値
条件
MIN.
TYP.
MAX.
VDD
2.97
3.3
3.63
"H"レベル入力電圧
VIH
2.4
"L"レベル入力電圧
VIL
"H"レベル出力電圧
VOH
CMOS : 2.97V, IOH=-8mA
"L"レベル出力電圧
VOL
CMOS : 2.97V, IOH=8mA
消費電流 1
IDD1
0.4
2.5
0.4
/INH=Open,
Q0=Open
XC2164A51B,f0=30MHz
4.5
XC2164A51C,f0=40MHz
5.0
(8)
XC2164A51E,f0=70MHz
8.0
(13)
XC2164A51F,f0=85MHz
8.5
(13)
XC2164A51H,f0=100MHz
9.5
(15)
XC2164A51K,f0=110MHz
10.0
(15)
XC2164A51L,f0=125MHz
10.5
(15)
測定
回路
V
V
1
V
1
V
2
V
2
mA
3
(7)
消費電流 2
IDD2
μA
3
入力プルアップ抵抗 1
Rup1
/INH='L'
1.0
2.0
4.0
MΩ
4
入力プルアップ抵抗 2
Rup2
/INH=0.7VDD
35
70
140
kΩ
4
kΩ
5
μA
6
内蔵発振帰還抵抗
出力オフリーク電流
Rf
Ioz
/INH='L', Q0=Open
単位
2.0
XC2164A51B
6.5
XC2164A51C
5.0
XC2164A51E
2.8
XC2164A51F
2.5
XC2164A51H
2.2
XC2164A51K
2.0
XC2164A51L
2.3
/INH='L'
10
※XC2164A51D
3.3V 動作 (特記なき場合は VDD=3.3V, 発振周波数 f0＝48MHz,無負荷, Ta=-30 ～ +80℃)
項目
記号
規格値
条件
MIN.
TYP.
MAX.
3.30
3.63
動作電圧
VDD
2.70
"H"レベル入力電圧
VIH
2.4
"L"レベル入力電圧
VIL
"H"レベル出力電圧
VOH
CMOS : 2.97V, IOH=-8mA
"L"レベル出力電圧
VOL
CMOS : 2.97V, IOH=8mA
消費電流 1
IDD1
/INH=Open, Q0=Open
/INH='L', Q0=Open
0.4
消費電流 2
IDD2
入力プルアップ抵抗 1
Rup1
/INH='L'
入力プルアップ抵抗 2
Rup2
/INH=0.7VDD
内蔵発振帰還抵抗
Rf
XC2164A51D
出力オフリーク電流
Ioz
/INH='L'
2.5
XC2164A51D,f0=55MHz
6.5
単位
測定
回路
V
V
1
V
1
V
2
0.4
V
2
(10)
mA
3
μA
3
1.00
2.0
2.0
4.00
MΩ
4
35
70
140
kΩ
4
kΩ
5
μA
6
3.5
10
11/20
XC2164 シリーズ
■電気的特性
3rd オーバートーン品(XC2164K51A ～ XC2164K51L) DC 電気的特性
5.0V 動作 (特記なき場合は VDD=5.0V, 無負荷, Ta=-30～+80℃)
項目
記号
動作電圧
規格値
条件
MIN.
TYP.
MAX.
VDD
4.5
5.0
5.5
"H"レベル入力電圧
VIH
2.4
"L"レベル入力電圧
VIL
"H"レベル出力電圧
VOH
CMOS : 4.5V, IOH=-16mA
"L"レベル出力電圧
VOL
CMOS : 4.5V, IOH=16mA
消費電流 1
消費電流 2
IDD1
IDD2
0.4
3.9
4.2
0.3
0.4
XC2164A51A,f0=30MHz
17.0
(23)
XC2164A51B,f0=40MHz
17.0
(23)
XC2164A51C,f0=55MHz
19.0
(26)
/INH=Open,
XC2164A51D,f0=70MHz
23.0
(32)
Q0=Open
XC2164A51E,f0=85MHz
24.0
(32)
XC2164A51F,f0=100MHz
30.0
(40)
XC2164A51H,f0=110MHz
30.0
(40)
XC2164A51K,f0=125MHz
30.0
(40)
XC2164A51A,f0=30MHz
15.0
XC2164A51B,f0=40MHz
15.0
XC2164A51C,f0=55MHz
15.0
/INH='L'
XC2164A51D,f0=70MHz
17.0
Q0=Open
XC2164A51E,f0=85MHz
17.0
XC2164A51F,f0=100MHz
20.0
XC2164A51H,f0=110MHz
20.0
XC2164A51K,f0=125MHz
単位
測定
回路
V
V
1
V
1
V
2
V
2
mA
3
mA
3
20.0
入力プルアップ抵抗 1
Rup1
/INH='L'
0.5
1.0
2.0
MΩ
4
入力プルアップ抵抗 2
Rup2
/INH=0.7VDD
25
50
100
kΩ
4
kΩ
5
μA
6
内蔵発振帰還抵抗
出力オフリーク電流
12/20
Rf
Ioz
XC2164A51A
9.0
XC2164A51B
6.5
XC2164A51C
5.0
XC2164A51D
3.5
XC2164A51E
2.8
XC2164A51F
2.5
XC2164A51H
2.2
XC2164A51K
2.0
/INH='L'
10
XC2164
シリーズ
■電気的特性
3.3V 動作 (特記なき場合は VDD=3.3V, 無負荷, Ta=-30～+80℃)
項目
記号
動作電圧
規格値
条件
MIN.
TYP.
MAX.
VDD
3.0
3.3
3.6
"H"レベル入力電圧
VIH
2.4
"L"レベル入力電圧
VIL
"H"レベル出力電圧
VOH
CMOS : 2.97V, IOH=-8mA
"L"レベル出力電圧
VOL
CMOS : 2.97V, IOH=8mA
消費電流 1
消費電流 2
IDD1
IDD2
0.4
2.5
0.4
XC2164A51B,f0=30MHz
4.5
XC2164A51C,f0=40MHz
5.0
(8)
XC2164A51D,f0=55MHz
6.5
(10)
/INH=Open,
XC2164A51E,f0=70MHz
8.0
(13)
Q0=Open
XC2164A51F,f0=85MHz
8.5
(13)
XC2164A51H,f0=100MHz
9.5
(15)
XC2164A51K,f0=110MHz
10.0
(15)
XC2164A51L,f0=125MHz
10.5
(15)
XC2164A51B,f0=30MHz
3.0
XC2164A51C,f0=40MHz
3.5
XC2164A51D,f0=55MHz
4.0
/INH='L'
XC2164A51E,f0=70MHz
4.5
Q0=Open
XC2164A51F,f0=85MHz
4.5
XC2164A51H,f0=100MHz
5.0
XC2164A51K,f0=110MHz
5.0
XC2164A51L,f0=125MHz
単位
測定
回路
V
V
1
V
1
V
2
V
2
mA
3
mA
3
(7)
5.5
入力プルアップ抵抗 1
Rup1
/INH='L'
1.0
2.0
4.0
MΩ
4
入力プルアップ抵抗 2
Rup2
/INH=0.7VDD
35
70
140
kΩ
4
kΩ
5
μA
6
内蔵発振帰還抵抗
出力オフリーク電流
Rf
Ioz
XC2164A51B
6.5
XC2164A51C
5.0
XC2164A51D
3.5
XC2164A51E
2.8
XC2164A51F
2.5
XC2164A51H
2.2
XC2164A51K
2.0
XC2164A51L
2.3
/INH='L'
10
13/20
XC2164 シリーズ
■電気的特性
ファンダメンタル品(XC2164A51M) AC 電気的特性
(特記なき場合は VDD=3.3V および VDD=5.0V, Ta=-30～+80℃)
項目
出力立ち上がり時間
(*設計値)
出力立ち下がり時間
(*設計値)
出力 DUTY サイクル
記号
tr
tf
DUTY
条件
規格値
MIN.
TYP.
MAX.
単位
CMOS: CL=15pF, 0.1VDD→0.9VDD
1.5
ns
TTL: Load=10TTL, 0.4V→2.4V
1.5
ns
CMOS: CL=15pF, 0.9VDD→0.1VDD
1.5
ns
TTL: Load=10TTL, 2.4V→0.4V
1.5
ns
CMOS: CL=15pF @0.5VDD
45.0
55.0
%
TTL: Load=10TTL @1.4V
45.0
55.0
%
測定
回路
7
3rd オーバートーン品(XC2164A51A ～ XC2164A51L) AC 電気的特性
(特記なき場合は VDD=3.3V および VDD=5.0V, Ta=-30 ～ +80℃)
項目
出力立ち上がり時間
(*設計値)
出力立ち下がり時間
(*設計値)
出力 DUTY サイクル
記号
条件
規格値
MIN.
TYP.
MAX.
単位
測定
回路
tr
CMOS: CL=15pF, 0.1VDD→0.9VDD
1.5
ns
-
tf
CMOS: CL=15pF, 0.9VDD→0.1VDD
1.5
ns
-
%
7
DUTY
CMOS: CL=15pF @0.5VDD
45
55
3rd オーバートーン品(XC2164K51A ～ XC2164K51L) AC 電気的特性
(特記なき場合は VDD=3.3V および VDD=5.0V, Ta=-30～+80℃)
項目
出力立ち上がり時間
(*設計値)
出力立ち下がり時間
(*設計値)
出力 DUTY サイクル
出力ディスエーブル
遅延時間(*設計値)
出力イネーブル
遅延時間(*設計値)
14/20
記号
条件
規格値
MIN.
TYP.
MAX.
単位
測定
回路
tr
CMOS: CL=15pF, 0.1VDD→0.9VDD
1.5
ns
-
tf
CMOS: CL=15pF, 0.9VDD→0.1VDD
1.5
ns
-
55
%
7
DUTY
CMOS: CL=15pF @0.5VDD
45
tplz
CL=15pF
100.0
ns
-
tpzl
CL=15pF
10.0
μs
-
XC2164
シリーズ
■スイッチング特性測定波形
● スイッチング時間
(1) CMOS レベル
(2) TTL レベル
● 出力波形形対称性
(1) CMOS レベル
DUTY 測定レベル
(2) TTL レベル
DUTY 測定レベル
15/20
XC2164 シリーズ
■スイッチング特性測定波形
(3) 出力ディスエーブル遅延時間、出力イネーブル遅延時間
/INH 入力
Q0 出力
16/20
* /INH 端子入力波形：tr=tf=10ns 以下, VDD 入力
XC2164
シリーズ
■測定回路図
1) CIRCUIT①
2) CIRCUIT②
4) CIRCUIT④
3) CIRCUIT③
5) CIRCUIT⑤
6) CIRCUIT⑥
Ioz
VDD
A
Q0
/XT
XT
7) CIRCUIT⑦
VSS
/INH
VOH
8) CIRCUIT⑧
VDD
Q0
(10TTL)
/XT
XT
VSS
/INH
17/20
XC2164 シリーズ
■外形寸法図
●SOT-26
2.9±0.2
+0.1
0.4 -0.05
(0.5)
6
5
4
2
3
+0.1
0.15 -0.05
(0.95)
1.1±0.1
(0.95)
1.0～1.3
1
0.2MIN
+0.2
1.6
-0.1
2.8±0.2
0～0.1
■マーキング
6
①
1
5
②
4
③ ④
2
3
SOT-26
(TOP VIEW)
①2164 シリーズを表す。
シンボル
4
②分周比を表す。
<Chip Enable>
シンボル
A
B
分周比
シンボル
分周比
f0/1
C
f0/4
f0/2
D
f0/8
* B,C,D はファンダメンタルのみ。
<Output Enable>
シンボル
K
L
分周比
シンボル
分周比
f0/1
M
f0/4
f0/2
N
f0/8
* L,M,N はファンダメンタルのみ。
③推奨周波数範囲および Rf,Cg,Cd を表す。
* 品番ルールの表 1 ～ 表 4 参照
④アセンブリロットを表す。
* 表示方法は、社内基準に基づく。
18/20
XC2164
シリーズ
●
SOT-26 パッケージ許容損失
SOT-26 パッケージにおける許容損失特性例となります。
許容損失は実装条件等に影響を受け値が変化するため、下記実装条件にての参考データとなります。
測定条件（参考データ）
測定条件：
基板実装状態
雰囲気：
自然対流
Pb フリーはんだ
2
基板 40mm×40mm（片面 1600mm ）に対して
実装基板：
銅箔面積 表面 約 50%-裏面 約 50%
40.0
実装：
28.9
1.
放熱板と周りの銅箔接続
基板材質：
ガラスエポキシ（FR-4）
1.6mm
板厚：
2.
2.5
ホール径 0.8mm 4 個
ｽﾙｰﾎｰﾙ：
許容損失 - 周囲温度特性
評価基板レイアウト（単位：mm）
基板実装(Tjmax = 125℃)
周辺温度（℃）
許容損失 Pd（mW）
25
600
85
240
熱抵抗(℃/W)
166.67
許容損失Pd（mW）
Pd-Ta特性グラフ
700
600
500
400
300
200
100
0
25
45
65
85
周辺温度Ta（℃）
105
125
19/20
XC2164 シリーズ
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トレックス・セミコンダクター株式会社
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