KBPC3500FP KBPC3514FP, KBPC3500WP

KBPC3500FP ... KBPC3514FP, KBPC3500WP ... KBPC3514WP
KBPC3500FP ... KBPC3514FP, KBPC3500WP ... KBPC3514WP
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2015-02-12
Nominal current
Nennstrom
Type “FP“
7.3
16.6
0.8
~
+
+
±0.2
Type
14.3±0.5
16.6±0.5
Ø 5.2
7.9
~
~
6.3
6.7
+0.7
- 0.1
±0.5
=
18.1±0.5
28.6±0.5
=
18±0.5
28.6±0.2
=
Plastic case with alu bottom
Plastikgehäuse mit Alu-Boden
28.6 x 28.6 x 7.3 [mm]
FP = Fast-on 1)
WP = Wire 1)
17 g
Compound has classification UL94V-0
Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
=
Ø 5.2
+
Type
=
18±0.5
+
1.2
7.3
±0.5
35...900 V
Weight approx.
Gewicht ca.
Type “WP“
11.6
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
Terminals
Anschlüsse
21.6±1
=
35 A
min. 30
Dimensions - Maße [mm]
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 2)
KBPC3500FP/WP
35
50
KBPC3501FP/WP
70
100
KBPC3502FP/WP
140
200
KBPC3504FP/WP
280
400
KBPC3506FP/WP
420
600
KBPC3508FP/WP
560
800
KBPC3510FP/WP
700
1000
KBPC3512FP/WP
800
1200
KBPC3514FP/WP
900
1400
1
2
Solderable per MIL-STD-202, Method 208, terminal temperature not exceeding 260°C
Lötbar gemäß MIL-STD-202, Methode 208, Temperatur der Anschlussdrähte nicht höher als 260°C
Valid per diode – Gültig pro Diode
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
KBPC3500FP ... KBPC3514FP, KBPC3500WP ... KBPC3514WP
Maximum ratings
Grenzwerte
f > 15 Hz
IFRM
80 A 1)
KBPC3500FP/WP …
KBPC3510FP/WP
TA = 25°C
IFSM
375/400 A
KBPC3512FP/WP …
KBPC3514FP/WP
TA = 25°C
IFSM
300/330 A
TA = 25°C
i2t
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current
50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine
50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
660 A2s
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Characteristics
Kennwerte
Max. current with cooling fin 300 cm²
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2
TA = 50°C
R-load
C-load
IFAV
IFAV
35 A
28 A
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 17.5 A
VF
< 1.1 V 2)
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 10 µA
Isolation voltage terminals to case
Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse
VISO
> 2500 V
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthC
< 1.5 K/W
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
10-32 UNF
M5
120
18 ± 10% lb.in.
2 ± 10% Nm
10
3
[%]
[A]
100
102
80
Tj = 125°C
Tj = 25°C
10
60
40
1
20
IF
IFAV
0
10
375a-(17.5a-1.1v)
-1
0
TA
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
1
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
2
Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird
Valid per diode – Gültig pro Diode
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG