DIOTEC PB1004S

PB1000 ... PB1010, PB1000S ... PB1010S
PB1000 ... PB1010, PB1000S ... PB1010S
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2011-03-22
Type: PB...
Nominal current – Nennstrom
Type: PB...S
12.7±0.3
10.9
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
±0.5
Type: PB...
10.9±0.5
=
Ø 3.9
Ø 3.6
15.1±0.2
Type: PB...S
6.3
19
19
1.2
19 x 19 x 6.8 [mm]
5.5 g
15.1 x 15.1 x 6.3 [mm]
Plastic case with Al-bottom –
Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden
Weight approx. – Gewicht ca.
±0.5
6.8±0.2
35...700 V
Plastic case – Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
_
=
19±0.2
10 A
1.0
3.5 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Dimensions - Maße [mm]
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
PB1000 / PB1000S
35
50
PB1001 / PB1001S
70
100
PB1002 / PB1002S
140
200
PB1004 / PB1004S
280
400
PB1006 / PB1006S
420
600
PB1008 / PB1008S
560
800
PB1010 / PB1010S
700
1000
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
50 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
135/150 A 1)
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
Tj
TS
93 A2s
-50...+150°C
-50...+150°C
Per diode – Pro Diode
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
PB1000 ... PB1010, PB1000S ... PB1010S
Characteristics
Kennwerte
2
Max. current with cooling fin 300 cm
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2
TA = 50°C
R-load
C-load
IFAV
10.0 A
8.0 A
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 5 A
VF
< 1.2 V 1)
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 10 µA
Isolation voltage terminals to case
Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse
VISO
> 2500 V
Thermal Resistance Junction – Case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthC
< 3.3 K/W
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
M4
120
9 ± 10% lb.in
1 ± 10% Nm
102
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
10
80
60
Tj = 25°C
1
40
-1
10
20
IF
IFAV
0
0
TA
50
100
150
[°C]
10-2
Rated forward current vs. ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
1
2
150a-(5a-1.2v)
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Per diode – Pro Diode
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© Diotec Semiconductor AG