1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448 1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448 Ultrafast Switching Si-Planar Diodes Ultraschnelle Si-Planar-Dioden Version 2012-07-30 Max. power dissipation Max. Verlustleistung ±0.4 3.9 62.5 ±3 Ø 1.9 ±0.1 Ø max 0.5 Dimensions - Maße [mm] 500 mW Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...100 V Glass case Glasgehäuse ~ DO-35 ~ (SOD-27) Weight approx. Gewicht ca. 0.13 g Equivalent SMD-version Äquvalente SMD-Ausführung LL4148, LL4150 LL4151, LL4148 Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings (TA = 25°C) Type Typ Grenzwerte (TA = 25°C) Reverse voltage Sperrspannung VR [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1N4148 75 100 1N4150 50 50 1N4151 50 75 1N4448 75 100 Type Typ 1N4148 1N4448 1N4150 1N4151 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last IFAV 150 mA 2) 300 mA 2) 200 mA 2) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom IFRM 500 mA 2) 600 mA 2) 500 mA 2) IFSM 2000 mA 4000 mA 2000 mA Non-repetitive peak forward current Stoßstrom-Grenzwert tp = 1 µs Tj = 25°C Max. power dissipation Max. Verlustleistung Ptot 500 mW 2) Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+200°C -50...+200°C 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448 Characteristics (Tj = 25°C) Type Typ Kennwerte (T = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung Leakage current Sperrstrom Rev. recovery time 1) Sperrverzugszeit 1) VF [V] at/bei IF [mA] IR [nA] at/bei VR [V] trr [ns] 1N4148 <1 10 < 25 < 5.000 < 50.000 20 75 20 (Tj = 150°C) <4 1N4150 0.54...0.62 0.66...0.74 0.76...0.86 0.82...0.92 8.87...1.00 1 10 50 100 200 < 100 < 100.000 50 50 (Tj = 150°C) <4 1N4151 <1 50 < 50 < 50.000 50 50 (Tj = 150°C) <2 1N4448 0.62...0.72 <1 5 100 < 20 < 5.000 < 50.000 25 75 20 (Tj = 150°C) <4 RthA < 300 K/W 2) Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 10 120 [%] [A] 100 1 80 Tj = 125°C 60 10 -1 40 Tj = 25°C 10-2 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-3 2 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.2) 1 2 2 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) IF = 10 mA through/über IR = 10 mA to/auf IR = 1 mA, VR = 6V, RL = 100 Ω Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG