ELM742xxC CMOS 低功耗电压比较器

ELM742xxC CMOS 低功耗电压比较器
■概要
ELM742xxC 是一个在 Vss ～ Vdd 范围内都可以工作的低功耗 CMOS 电压比较器 IC。该 IC 在单电源和低
电压电源（Vdd ≧ 1.0 V）下都可以工作。输出方式有Ｎ沟道漏极开路输出和 CMOS 输出两种。
■特点
■用途
· 工作电压低
: Vdd≧+1.0V
· 电池供电设备　· 消耗电流低
: Typ.1μA(Vdd=3.6V, Vout=”Low”)
· 微功率信号处理
· 低电压模拟电路
· 电源电压范围广
Typ.0.6μA(Vdd=3.6V, Vout=”High”)
: 1.0V≦Vdd≦7.0V　· 输入电压范围广
: Vss～Vdd
· 输出方式
: Ｎ沟道漏极开路输出或 CMOS 输出
· 封装小
: SOT-25，SC-70-5(SOT-353）
■绝对最大额定值
电源电压
输入电压
项目
记号
Vdd
Vin
输出电压
Vout
容许功耗
Pd
工作温度
保存温度
Top
Tstg
■产品型号的构成
ELM742xxC-x
记号
项目
a
输出方式
b
封装
c
产品版本
d
包装卷带中 IC 引脚置向
规格范围
Vss-0.3 ～+8.0
Vss-0.3～Vdd+0.3
N-ch : Vss-0.3～+8.0
CMOS : Vss-0.3～Vdd+0.3
300 (SOT-25)
150 (SC-70-5)(SOT-353)
-20～+70
-55～+125
描述
N : Ｎ沟道漏极开路输出
C : CMOS 输出
B : SOT-25
C : SC-70-5(SOT-353）
C( 固定)
S : 参考封装文件
N: 参考封装文件
4- 1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单位
V
V
V
mW
℃
℃
ELM742 x x C - x
↑↑↑ ↑
a b c d
Rev.1.1
ELM742xxC CMOS 低功耗电压比较器
■引脚配置图
俯视图
引脚编号
1
2
3
4
5
4
5
+
-
2
1
3
引脚名称
INVDD
IN+
OUT
VSS
■电特性
项目
电源电压
共模信号输入电压
输入漂移电压
输入电流
输出电流
消耗电流
响应时间
记号
Vdd
Vicr
Vio-1
Vio-2
Vio-3
Iin
IoutN-1
IoutN-2
IoutP-1
IoutP-2
Iss-1
Iss-2
tHL
tLH
条件
Vdd=1.0～7.0V
Vdd=1.0V, Vicr=0.5V
Vdd=3.6V, Vicr=1.8V
Vdd=7.0V, Vicr=3.5V
Vdd=1.0～7.0V
Vdd=1.0V, Vout=0.4V
Vdd=1.5V, Vout=0.4V
Vdd=1.0V, Vout=0.6V
Vdd=1.5V, Vout=1.1V
Vdd=3.6V, Vout="L"
Vdd=7.0V, Vout="L"
Vdd=3.6V
Vdd=3.6V
最小值
1.0
Vss
-8
-8
-8
典型值
0.4
4.0
0.06
0.35
1.5
6.0
0.15
0.45
2.0
2.2
30
30
Vss=0V, Top=25℃
最大值 单位
7.0
V
Vdd
V
8
8
mV
8
100
pA
mA
mA
5.6
6.0
μA
μs
■封装印字说明
SOT-25
SC-70-5(SOT-353)
5 6 ab
9 ab
记号
a
b
印字
N : Ｎ沟道漏极开路输出
C : CMOS 输出
表示内容
1～0 与 A～Z(I, O, X 除外 )
生产批号
输出方式
4- 2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
Rev.1.1
ELM742xxC CMOS 低功耗电压比较器
■标准工作特性曲线图
3.0
Iss-Vdd
漂移电压分布 (Vicr=Vss)
Iss - Vdd
VOS - Distribution
Top=70 �, Vout="L"
20
Top=25 �, Vout="L"
2.0
Percent (%)
Iss (���
2.5
Top=-20 �, Vout="L"
1.5
Top=70 �, Vout="H"
1.0
Top=25 �, Vout="H"
1
3
2
4
Vdd (V)
5
15
10
5
Top=-20 �, Vout="H"
0.5
0
6
-8
7
漂移电压分布 (Vicr=Vdd/2)
Percent (%)
Percent (%)
10
VOS (mV)
8
Vdd=3.6V, Vicr=3.6V
8
6
4
2
-6
-4
-2
0
2
VOS (mV)
IoutN - Vdd
4
6
-10 -8 -6 -4 -2
8
0
4
2
VOS (mV)
6
8 10
IoutP - Vdd
Vout=0.4V
2.5
Vout=Vdd-0.4V
2.0
4- 3
IoutP (mA)
30
1.5
Rev.1.1
1.0
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
10
6
4
2
0
10
5
IoutN (mA)
-2
12
15
20
-4
VOS - Distribution
Vdd=3.6V, Vivr=1.8V
20
40
-6
漂移电压分布 (Vicr=Vdd)
VOS - Distribution
25
-8
Vdd=3.6V, Vicr=0V
25
0.5
Per
Per
10
10
5
5
-8
-8
4
4
2
2
-6
-6
-10 -8 -6 -4 -2
4
6
8 CMOS 低功耗电压比较器
ELM742xxC
-10 -8 -6 -4 -2
4
6
8
-4
-4
-2 0
2
-2
2
VOS0(mV)
VOS (mV)
IoutN-Vdd (Vout=0.4V)
IoutN - Vdd
IoutN - Vdd
Vout=0.4V
Vout=0.4V
4
6
8 10
IoutP - Vdd
IoutP - VddVout=Vdd-0.4V
2.5
2.5
Vout=Vdd-0.4V
2.0
2.0
30
30
20
20
10
10
1.5
1.5
1.0
1.0
0.5
0.5
0
0
1
1
2
2
3
4
3
4
Vdd (V)
Vdd (V)
5
5
6
6
0
0
7
7
tHL, tLH-Vdd
4
3
4
3
Vdd (V)
2
2
Vdd (V)
30
30
tHL,
tLH
(�s)
tHL,
tLH
(�s)
tHL
tHL
tLH
tLH
1
1
2
2
6
6
7
7
Vdd=3.6V,
Vin+=1.8V,
Vin-=1.75�1.85V
tHL,
tLH - Top
Vdd=3.6V, Vin+=1.8V, Vin-=1.75�1.85V
25
25
0
0
5
5
tHL, tLH - Top
Vin+=Vdd/2,
Vin-=Vdd
tHL,
tLH/ to-0.05V
Vdd� Vdd /2+0.05V
Vin+=Vdd/2, Vin-=Vdd / to 0.05V � Vdd /2+0.05V
80
80
70
70
60
60
50
50
40
40
30
30
20
20
10
10
1
1
tHL, tLH-Top (Vdd=3.6V)
tHL, tLH - Vdd
tHL,
tLH
(�s)
tHL,
tLH
(�s)
2
IoutP-Vdd (Vout=Vdd to 0.4V)
IoutP
(mA)
IoutP
(mA)
IoutN
(mA)
IoutN
(mA)
40
40
0
2 4 6 8 10
VOS 0(mV)
VOS (mV)
tHL
tHL
20
20
15
15
10
10
tLH
tLH
5
5
3
4
3
4
Vdd
(V)
Vdd (V)
5
5
6
6
7
7
-20 -10 0
-20 -10 0
10 20 30 40 50 60 70
10 Top
20 (�)
30 40 50 60 70
4- 4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
Top (�)
Rev.1.1