ELM97xxxxB CMOS 电压检测器 ■概要 ELM97xxxxB 是为使用电池驱动的便携式设备而开发的 CMOS 电压检测器。该 IC 内部设有低消耗电流 的基准电压源、比较器、输出驱动器、迟滞电路及检测电压设定电阻。输出逻辑为正逻辑，在 Vdd 比 检测电压低时输出为 Low（低） 。作为输出模式有 N 沟道开漏输出和 CMOS 输出二种版本。N 沟道输出 模式的检测电压 (Vdetn) 作为标准产品备有 0.9V、1.0V 和 1.1V；另外在 0.9V ～ 5.5V 的范围内可根据顾 客的需求进行设计变更。CMOS 输出模式的检测电压 (Vdetn) 作为标准产品备有 2.4V、3.0V 和 4.5V；并 且在 1.6V ～ 5.5V 的范围内可根据顾客的需求进行设计变更。 ■特点 ■用途 · 检测电压范围广 : N-ch 0.9V～5.5V (调整电压间隔以0.1V为单位) CMOS 1.6V～5.5V (调整电压间隔以0.1V为单位) · 微处理器复位 · 电池的电压检测 · 工作电压低 · 检测电源电压是否充足 : 保证 0.8V 时正常检测 · 消耗电流少 : Typ.1μA(Vdd=1.5V) · 检测电压精度高 : ±2.5％ · 温度係数低 : Typ.-300ppm/℃(Vdetn＜2V) · 切换到备用电源 Typ.-100ppm/℃(Vdetn≧2V) · 封装小 : SOT-89, SOT-23 ■绝对最大额定值 项目 电源电压 记号 Vdd 输出电压 Vout 输出电流 Iout 容许功耗 Pd 工作温度 保存温度 Top Tstg ■产品型号构成 ELM97xxxxB-x 记号 a, b c d e f 规格范围 10 N-ch : Vss-0.3～+10 CMOS : Vss-0.3～Vdd+0.3 50 500 (SOT-89) 250 (SOT-23) -40～+85 -55～+125 描述 例) 09: Vdetn=0.9V(N-ch) 10: Vdetn=1.0V(N-ch) 11: Vdetn=1.1V(N-ch) 检测电压 24: Vdetn=2.4V(CMOS) 30: Vdetn=3.0V(CMOS) 45: Vdetn=4.5V(CMOS) N: N-ch(N沟道开漏输出) 输出模式 C: CMOS(CMOS 输出) 封装 A: SOT-89 B: SOT-23 产品版本 B 包装卷带中 IC 引脚置向 S, N: 参考封装资料 单位 V V mA mW ℃ ℃ 项目 ELM97 x x x x B - x ↑↑↑↑↑ ↑ a b c d e f 9- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 ELM97xxxxB CMOS 电压检测器 ■引脚配置图 SOT-89(俯视图) SOT-23(俯视图) � � � � � 引脚编号 引脚名称 1 OUT 2 VDD 3 VSS � 引脚编号 引脚名称 1 OUT 2 VSS 3 VDD ■电路框图 N-ch 输出 CMOS 输出 ��� ��� ��� ���� ���� � � ��� ��� ■时序图 ��� ����� ����� ���� ������ ��� ���� ��� ���� ���� 9- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 � � ��� ELM97xxxxB CMOS 电压检测器 ■电特性 (N-ch) Vdetn=0.9V(ELM9709NxB) 检测电压 项目 记号 Vdetn 迟滞电压 Vhys 消耗电流 电源电压 输出电流 延迟时间 检测电压温度特性 条件 Iss Vdd=1.5V Vdd Ioutn Vdd=0.8V, Vds=0.5V Tphl ΔVdetn Top=-40～+85℃ ΔTop Top=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 0.878 0.900 0.922 V 2 Vdetn Vdetn V 2 ×0.02 ×0.08 1.0 3.0 μA 1 0.8 6.0 V 2 0.002 0.100 mA 3-(1) 2 ms 4 -0.27 mV/℃ （注）备注栏是测试电路图的编号 Vdetn=1.0V(ELM9710NxB) 项目 检测电压 记号 Vdetn 迟滞电压 Vhys 消耗电流 电源电压 输出电流 延迟时间 检测电压温度特性 条件 Iss Vdd=1.5V Vdd Ioutn Vdd=0.8V, Vds=0.5V Tphl ΔVdetn Top=-40～+85℃ ΔTop Top=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 0.975 1.000 1.025 V 2 Vdetn Vdetn V 2 ×0.02 ×0.08 1.0 3.0 μA 1 0.8 6.0 V 2 0.002 0.100 mA 3-(1) 2 ms 4 -0.30 mV/℃ （注）备注栏是测试电路图的编号 Vdetn=1.1V(ELM9711NxB) 检测电压 项目 记号 Vdetn 迟滞电压 Vhys 消耗电流 电源电压 输出电流 延迟时间 检测电压温度特性 条件 Iss Vdd=1.5V Vdd Ioutn Vdd=0.8V, Vds=0.5V Tphl ΔVdetn Top=-40～+85℃ ΔTop Top=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 1.073 1.100 1.127 V 2 Vdetn× Vdetn V 2 0.02 ×0.08 1.0 3.0 μA 1 0.8 6.0 V 2 0.002 0.100 mA 3-(1) 2 ms 4 -0.33 （注）备注栏是测试电路图的编号 9- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 mV/℃ ELM97xxxxB CMOS 电压检测器 ■电特性 (CMOS) Vdetn=2.2V(ELM9722CxB) 检测电压 项目 记号 Vdetn 迟滞电压 Vhys 消耗电流 电源电压 Iss Vdd Ioutn Ioutp Tphl ΔVdetn ΔTop 输出电流 延迟时间 检测电压温度特性 条件 Vdd=3.0V Vdd=1.5V, Vds=0.5V Vdd=4.5V, Vds=2.1V Top=-40～+85℃ Top=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 2.145 2.200 2.255 V 2 Vdetn Vdetn V 2 ×0.02 ×0.08 1.5 4.5 μA 1 0.8 6.0 V 2 1.0 2.0 3-(1) mA 0.5 1.5 3-(2) 0.1 ms 4 -0.22 mV/℃ （注）备注栏是测试电路图的编号 Vdetn=2.4V(ELM9724CxB) 检测电压 项目 记号 Vdetn 迟滞电压 Vhys 消耗电流 电源电压 Iss Vdd Ioutn Ioutp Tphl ΔVdetn ΔTop 输出电流 延迟时间 检测电压温度特性 条件 Vdd=3.0V Vdd=1.5V, Vds=0.5V Vdd=4.5V, Vds=2.1V Top=-40～+85℃ Top=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 2.340 2.400 2.460 V 2 Vdetn Vdetn V 2 ×0.02 ×0.08 1.5 4.5 μA 1 0.8 6.0 V 2 1.0 2.0 3-(1) mA 0.5 1.5 3-(2) 0.1 ms 4 -0.24 mV/℃ （注）备注栏是测试电路图的编号 Vdetn=2.5V(ELM9725CxB) 检测电压 项目 记号 Vdetn 迟滞电压 Vhys 消耗电流 电源电压 Iss Vdd Ioutn Ioutp Tphl ΔVdetn ΔTop 输出电流 延迟时间 检测电压温度特性 条件 Vdd=3.0V Vdd=1.5V, Vds=0.5V Vdd=4.5V, Vds=2.1V Top=-40～+85℃ Top=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 2.438 2.500 2.562 V 2 Vdetn Vdetn V 2 ×0.02 ×0.08 1.5 4.5 μA 1 0.8 6.0 V 2 1.0 2.0 3-(1) mA 0.5 1.5 3-(2) 0.1 ms 4 -0.25 （注）备注栏是测试电路图的编号 9- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 mV/℃ ELM97xxxxB CMOS 电压检测器 Vdetn=2.7V(ELM9727CxB) 项目 检测电压 记号 Vdetn 迟滞电压 Vhys 消耗电流 电源电压 Iss Vdd Ioutn Ioutp Tphl ΔVdetn ΔTop 输出电流 延迟时间 检测电压温度特性 条件 Vdd=4.5V Vdd=1.5V, Vds=0.5V Vdd=4.5V, Vds=2.1V Top=-40～+85℃ Top=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 2.633 2.700 2.767 V 2 Vdetn Vdetn V 2 ×0.02 ×0.08 1.5 4.5 μA 1 0.8 6.0 V 2 1.0 2.0 3-(1) mA 0.5 1.5 3-(2) 0.1 ms 4 -0.27 mV/℃ （注）备注栏是测试电路图的编号 Vdetn=3.0V(ELM9730CxB) 项目 检测电压 记号 Vdetn 迟滞电压 Vhys 消耗电流 电源电压 Iss Vdd Ioutn Ioutp Tphl ΔVdetn ΔTop 输出电流 延迟时间 检测电压温度特性 条件 Vdd=4.5V Vdd=1.5V, Vds=0.5V Vdd=4.5V, Vds=2.1V Top=-40～+85℃ Top=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 2.925 3.000 3.075 V 2 Vdetn Vdetn V 2 ×0.02 ×0.08 1.5 4.5 μA 1 0.8 6.0 V 2 1.0 2.0 3-(1) mA 0.5 1.5 3-(2) 0.1 ms 4 -0.30 mV/℃ （注）备注栏是测试电路图的编号 Vdetn=3.2V(ELM9732CxB) 项目 检测电压 记号 Vdetn 迟滞电压 Vhys 消耗电流 电源电压 Iss Vdd Ioutn Ioutp Tphl ΔVdetn ΔTop 输出电流 延迟时间 检测电压温度特性 条件 Vdd=4.5V Vdd=1.5V, Vds=0.5V Vdd=4.5V, Vds=2.1V Top=-40～+85℃ Top=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 3.120 3.200 3.280 V 2 Vdetn Vdetn V 2 ×0.02 ×0.08 1.5 4.5 μA 1 0.8 6.0 V 2 1.0 2.0 3-(1) mA 0.5 1.5 3-(2) 0.1 ms 4 -0.32 （注）备注栏是测试电路图的编号 9- 5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 mV/℃ ELM97xxxxB CMOS 电压检测器 Vdetn=3.4V(ELM9734CxB) 项目 检测电压 记号 Vdetn 迟滞电压 Vhys 消耗电流 电源电压 Iss Vdd Ioutn Ioutp Tphl ΔVdetn ΔTop 输出电流 延迟时间 检测电压温度特性 条件 Vdd=4.5V Vdd=1.5V, Vds=0.5V Vdd=4.5V, Vds=2.1V Top=-40～+85℃ Top=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 3.315 3.400 3.485 V 2 Vdetn Vdetn V 2 ×0.02 ×0.08 1.5 4.5 μA 1 0.8 6.0 V 2 1.0 2.0 3-(1) mA 0.5 1.5 3-(2) 0.1 ms 4 -0.34 mV/℃ （注）备注栏是测试电路图的编号 Vdetn=4.5V(ELM9745CxB) 项目 检测电压 记号 Vdetn 迟滞电压 Vhys 消耗电流 电源电压 Iss Vdd Ioutn Ioutp Tphl ΔVdetn ΔTop 输出电流 延迟时间 检测电压温度特性 条件 Vdd=6.0V Vdd=1.5V, Vds=0.5V Vdd=6.0V, Vds=2.1V Top=-40～+85℃ Top=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 4.388 4.500 4.612 V 2 Vdetn Vdetn V 2 ×0.02 ×0.08 1.5 4.5 μA 1 0.8 6.0 V 2 1.0 2.0 3-(1) mA 0.5 2.0 3-(2) 0.1 ms 4 -0.45 mV/℃ （注）备注栏是测试电路图的编号 Vdetn=4.8V(ELM9748CxB) 检测电压 项目 记号 Vdetn 迟滞电压 Vhys 消耗电流 电源电压 Iss Vdd Ioutn Ioutp Tphl ΔVdetn ΔTop 输出电流 延迟时间 检测电压温度特性 条件 Vdd=6.0V Vdd=1.5V, Vds=0.5V Vdd=6.0V, Vds=2.1V Top=-40～+85℃ Top=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 4.680 4.800 4.920 V 2 Vdetn Vdetn V 2 ×0.02 ×0.08 1.5 4.5 μA 1 0.8 6.0 V 2 1.0 2.0 3-(1) mA 0.5 2.0 3-(2) 0.1 ms 4 -0.48 （注）备注栏是测试电路图的编号 9- 6 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 mV/℃ ELM97xxxxB CMOS 电压检测器 ■测试电路图 1) 消耗电流 2) 检测电压 � �� ��� ��� ��� ��� ���������� ��� � �� ���������� ��� ����� � ��� ��� * R=1MΩ 3)-(1) 输出电流 (N 沟道 ) 3)-(2) 输出电流 (P 沟道 ) � ��� ��� � ���������� ��� ��� ��� ��� � ���������� ��� � 4) 延迟时间 �������� �� ��� �� ���� ���������� ��� �� ��� � ��� �� ���� ��� * R=1MΩ R : CMOS 输出时不需要 ** 输入脉冲 9- 7 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 ��� ��� � ELM97xxxxB CMOS 电压检测器 ■封装印字说明 SOT-89 � � � � SOT-23 ���� 规则 1 a : 检测电压整数部分 记号 检测电压 A 0.*V (N-ch) B 1.*V (N-ch) C 2.*V (N-ch) D 3.*V (N-ch) E 4.*V (N-ch) F 5.*V (N-ch) b : 检测电压小数部分 记号 检测电压 0 *.0V 1 *.1V 2 *.2V 3 *.3V 4 *.4V 记号 P R S T U 检测电压 2.*V (CMOS) 3.*V (CMOS) 4.*V (CMOS) 5.*V (CMOS) 1.*V (CMOS) 记号 5 6 7 8 9 检测电压 *.5V *.6V *.7V *.8V *.9V c : 生产组装编号 A～Z ( I, O, X 除外 ) d : 生产组装编号 0～9 规则 2 a : A(表示 ELM97xxxxB) b : 检测电压整数部分 记号 检测电压 0 0.*V (N-ch) 1 1.*V (N-ch) 2 2.*V (N-ch) 3 3.*V (N-ch) 4 4.*V (N-ch) 5 5.*V (N-ch) c : 检测电压小数部分 记号 検检测电压 0 *.0V 1 *.1V 2 *.2V 3 *.3V 4 *.4V d : 生产组装编号 记号 Y W U V Z 检测电压 2.*V (CMOS) 3.*V (CMOS) 4.*V (CMOS) 5.*V (CMOS) 1.*V (CMOS) 记号 5 6 7 8 9 检测电压 *.5V *.6V *.7V *.8V *.9V 0～9 或 A～Z ( I, O, X 除外 ) * 注意∶ELM97xxxxB 系列的两种封装，各有两种类型的印字规则 9- 8 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 ELM97xxxxB CMOS 电压检测器 ■典型特性曲线图 · Vdetn=1.1V, N-ch(ELM9711NxB) Vout - Vdd ��������� � 4 � 3 (3V Pullup 1M�) ��� ��� � Vout (V) �������� -30� 2 1 � ���� � � ������� � 25� 80� 1 0 � 3 � ��� ��� ��� ��������� ��������� 2 ���������� ���������� � �������� ��� ��� ��� � ��� � ��� ��� ������� ��� ��� �������� ��� � Vdd (V) ���������� ���� ��� ��� � ��� �������������� ���� ��� �������������� ��� ����� �������� ��� ������� �� ���� � ��� ����� ��� � �� �� �������� �� ��� �� ����� ���� ������� 9- 9 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 ��� �