单 P 沟道 MOSFET ELM13401CA-S ■概要 ■特点 ELM13401CA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电 ·Vds=-30V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-4.2A (Vgs=-10V) ·Rds(on) ＜ 50mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) ＜ 65mΩ (Vgs=-4.5V) ·Rds(on) ＜ 120mΩ (Vgs=-2.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 Vds Vgs -30 ±12 V V Id -4.2 -3.5 A 1 A 2 W 1 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 -30 1.4 1.0 Pd 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg - 55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 t≦10s 最大结合部 - 环境热阻 稳定状态 最大结合部 - 引脚架热阻 稳定状态 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 65 最大值 90 单位 ℃/W 85 125 ℃/W 43 60 ℃/W ■电路图 D SOT-23(俯视图) 3 1 2 引脚编号 1 引脚名称 GATE 2 3 SOURCE DRAIN 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 G S 备注 1 3 单 P 沟道 MOSFET ELM13401CA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=-24V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V -30 -1 Ta=55℃ -5 ±100 栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -0.7 导通时漏极电流 Id(on) -25 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) 正向跨导 Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 Vsd Is 输入电容 输出电容 Ciss Coss 反馈电容 栅极电阻 Crss Rg 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 Qg Qgs 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 Qgd td(on) tr 关闭延迟时间 关闭下降时间 td(off) tf 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 trr Qrr Vgs=-4.5V, Vds=-5V Vgs=-10V Id=-4.2A V -1.0 Ta=125℃ Is=-1A, Vgs=0V V 50 75 7 nA A 42 Vgs=-4.5V, Id=-4A Vgs=-2.5V, Id=-1A Vds=-5V, Id=-5A -1.3 μA 53 80 11 65 120 -0.75 -1.00 -2.2 mΩ S V A Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz 954 115 pF pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 77 6 pF Ω 9.4 2.0 nC nC 3.0 6.3 3.2 nC ns ns RL=3.6Ω, Rgen=6Ω 38.2 12.0 ns ns If=-4A, dlf/dt=100A/μs If=-4A, dlf/dt=100A/μs 20.2 11.2 ns nC Vgs=-4.5V, Vds=-15V Id=-4A Vgs=-10V, Vds=-15V 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM13401CA-S ■标准特性和热特性曲线 10 25.00 -10V Vds=-5V -4.5V 20.00 8 15.00 -Id (A) -Id (A) -3V -2.5V 10.00 Vgs=-2V 5.00 0.00 0.00 6 125°C 4 25°C 2 0 1.00 2.00 3.00 4.00 5.00 0 0.5 120 Normalized On-Resistance Rds(on) (m� ) 1.5 2 2.5 3 1.8 100 80 Vgs=-2.5V Vgs=-4.5V 60 40 Vgs=-10V 20 0.00 Id=-3.5A, Vgs=-4.5V 1.6 Id=-3.5A, Vgs=-10V 1.4 Vgs=-2.5V 1.2 Id=-1A 1 0.8 2.00 4.00 6.00 8.00 10.00 0 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 190 170 1.0E+00 150 Id=-2A 1.0E-01 130 -Is (A) Rds(on) (m� ) 1 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 110 90 125°C 70 125°C 1.0E-02 1.0E-03 25°C 1.0E-04 50 25°C 1.0E-05 30 1.0E-06 10 0 2 4 6 8 0.0 10 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 单 P 沟道 MOSFET ELM13401CA-S 5 1200 Capacitance (pF) 4 -Vgs (Volts) 1400 Vds=-15V Id=-4A 3 2 1 1000 Ciss 800 600 400 0 0 2 4 6 8 10 0 12 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Tj(max)=150°C Ta=25°C 10ms 1.0 20 25 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C 30 100�s 0.1s 20 10 1s 10s DC 0.1 1 -Vds (Volts) 10 0 0.001 100 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=90°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 15 10�s 1ms 10 10 40 Rds(on) 10.0 limited 0.1 5 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) -Id (Amps) 100.0 Crss Coss 200 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton T Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000