elm13402ca

单 N 沟道 MOSFET
ELM13402CA-S
■概要
■特点
ELM13402CA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电
·Vds=30V
压，低导通电阻的大电流 MOSFET。
·Id=4A (Vgs=10V)
·Rds(on) < 55mΩ (Vgs=10V)
·Rds(on) < 70mΩ (Vgs=4.5V)
·Rds(on) <110mΩ (Vgs=2.5V)
■绝对最大额定值
项目
记号
漏极 - 源极电压
栅极 - 源极电压
Vds
Vgs
30
±12
V
V
Id
4.0
3.4
A
1
A
2
W
1
Ta=25℃
Ta=70℃
漏极电流（定常）
如没有特别注明时, Ta=25℃
规格范围
单位
备注
漏极电流（脉冲）
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
容许功耗
15
1.4
1.0
Pd
结合部温度及保存温度范围
Tj, Tstg
-55 ~ 150
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
t≤10s
稳定状态
稳定状态
Rθja
Rθjl
■引脚配置图
典型值
70
最大值
90
单位
℃/W
100
63
125
80
℃/W
℃/W
■电路图
D
SOT-23(俯视图)
3
1
2
引脚编号
引脚名称
1
2
3
GATE
SOURCE
DRAIN
G
S
4-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
备注
1
3
单 N 沟道 MOSFET
ELM13402CA-S
■电特性
项目
记号
如没有特别注明时, Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
栅极接地时漏极电流
Idss
Vds=24V
Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
栅极阈值电压
导通时漏极电流
漏极 - 源极导通电阻
30
1
Ta=55℃
5
μA
100
nA
1.0
1.4
V
A
Vgs=4.5V, Id=3A
45
66
55
55
80
70
83
8
110
0.8
1.0
V
2.5
A
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V
Rds(on)
V
Vgs=10V
Id=4A
正向跨导
Gfs
Vgs=2.5V, Id=2A
Vds=5V, Id=4A
二极管正向压降
Vsd
Is=1A, Vgs=0V
0.6
10
Ta=125℃
S
寄生二极管最大连续电流
动态特性
输入电容
Ciss
390.0
pF
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz
Crss
Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
54.5
41.0
3
pF
pF
Ω
4.34
nC
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
Qgs Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=4A
Qgd
td(on)
0.60
1.38
3.3
nC
nC
ns
导通上升时间
关闭延迟时间
关闭下降时间
tr
Vgs=10V, Vds=15V
td(off) RL=3.75Ω, Rgen=6Ω
tf
1.0
21.7
2.1
ns
ns
ns
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
Is
mΩ
Qg
寄生二极管反向恢复时间
trr
If=4A, dlf/dt=100A/μs
12.0
ns
寄生二极管反向恢复电荷
Qrr
If=4A, dlf/dt=100A/μs
6.3
nC
备注：
1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到
电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。
2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。
3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。
4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。
5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。
4-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 N 沟道 MOSFET
ELM13402CA-S
■标准特性和热特性曲线
15
10
10V
3V
Vds=5V
8
4.5V
9
Id(A)
Id (A)
12
2.5V
6
3
6
4
125°C
2
Vgs=2V
0
25°C
0
0
1
2
3
4
5
0
0.5
150
1.5
2
2.5
3
3.5
1.8
Normalized On-Resistance
125
Rds(on) (m� )
1
Vgs(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Vgs=2.5V
100
75
Vgs=4.5V
50
25
Vgs=10V
0
1.6
Vgs=4.5V
Vgs=10V
1.4
1.2
Vgs=2.5V
1
0.8
0
2
4
6
8
10
0
25
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
1.0E+01
200
1.0E+00
Id=2A
100
1.0E-01
Is (A)
Rds(on) (m� )
150
125°C
50
125°C
1.0E-02
1.0E-03
25°C
1.0E-04
25°C
1.0E-05
1.0E-06
0
0
2
4
6
8
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
4-3
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1.2
单 N 沟道 MOSFET
ELM13402CA-S
5
500
Capacitance (pF)
4
Vgs (Volts)
600
Vds=15V
Id=4A
3
2
1
Ciss
400
300
200
Coss
100
0
0
1
2
3
4
0
5
0
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Rds(on)
limited
1ms
100�s
30
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
DC
0.1
1
10
0
0.001
100
Vds (Volts)
D=Ton/T
Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja
R�ja=90°C/W
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note 5)
Z�ja Normalized Transient
Thermal Resistance
25
5
10s
10
20
10
1s
0.1
15
15
10�s
0.1s 10ms
1.0
10
20
Power (W)
Id (Amps)
10.0
5
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
100.0
Crss
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
1
Pd
0.1
0.01
0.00001
Ton
T
Single Pulse
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
4-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
100
1000