本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。 富士通マイクロエレクトロニクス DATA SHEET DS04–27266–2 ASSP(モバイル端末用) 携帯端末用システム電源 IC 3ch DC/DC コンバータ+ 4ch LDO MB39C316 ■ 概要 MB39C316 は DC/DC コンバータ 3 チャネル , リニアレギュレータ (LDO)4 チャネルを搭載し , 高効率の昇降圧 DC/DC 1 チャネルにより , Li イオン電池 1 セルの電源電圧範囲で動作する携帯端末向けの電源 LSI です。 2 チャネルのカレントモード方式同期整流降圧 DC/DC コンバータと , 1 チャネルの昇降圧 DC/DC コンバータを内蔵し ています。各 DC/DC コンバータが負荷電流を検出することで , 自動的に Normal モード (PWM) ↔ ECO モード (PFM) に遷 移します。 システム部への電圧提供に適した 4 チャネルの LDO と , 安定した内部基準電圧を生成する 1 チャネルの LDO を内蔵し ます。 また , I2C バスに準拠した通信インタフェースをサポートするため , 内部の状態通知 , 電源・リセットなどを制御できま す。 ■ 機能概要 ・ 入力電圧範囲 :2.7 V ∼ 5.5 V ・ 降圧 DC/DC コンバータ :2 チャネル ・ 昇降圧 DC/DC コンバータ :1 チャネル ・ リニアレギュレータ (LDO) :4 チャネル ・ 出力電圧の選択が可能 :LDO3 1.2 V/1.3 V ( レジスタ設定 ) ・ 外部信号 , レジスタ設定による LDO, DC/DC コンバータの On/Off コントロール ・ I2C バス準拠 (Max 400 kbps) ・ 水晶振動子を接続することにより 32.768 kHz クロックを出力可能 ・ 保護機能 : 過電流保護 (OCP), 出力短絡保護 (SCP), 低入力時誤動作防止 (UVLO), 過熱保護 (OTP) ・ パッケージ : WL-CSP, 49 ピン (3.14 mm × 3.11 mm × 0.8 mm) ■ アプリケーション ・ モバイル WiMAX 端末 ・ そのほか携帯端末 など Copyright©2008-2009 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED All rights reserved 2009.1 MB39C316 ■ 端子配列図 (BOTTOM VIEW) G F E D C B A 7 7 NC3 VDD31 SWOUT31 DGND31 SWIN31 DDOUT31 NC2 6 6 FB3 VDD32 SWOUT32 DGND32 SWIN32 DDOUT32 OSCIN 5 5 AGND VCC_D LDOCNT1 LDOCNT2 VIN_RTC GND1 OSCOUT 4 4 SWOUT1 VDD1 FB1 SCL V24IO VFIL2 VFIL1 3 3 DGND1 DGND2 FB2 SDA ONOFF VCC1 LDOOUT2 2 2 SWOUT2 VDD2 XRST2 GND2 VCC4 VCC2 VCC3 1 2 1 NC4 RTC_CLK XRST1 LDOOUT4 LDOOUT1 LDOOUT3 NC1 G F E D C B A DS04–27266–2 MB39C316 ■ 端子機能説明 分類 端子番号 端子名 I/O B3 VCC1 I 電源入力 , LDO2, LDO3 制御用電源入力端子 B2 VCC2 I LDO2 パワー用電源入力端子 A2 VCC3 I LDO3 パワー用電源入力端子 C2 VCC4 I LDO1, LDO4 制御 / パワー用電源入力端子 F5 VCC_D I DC/DC コンバータ制御用電源入力端子 F4 VDD1 I DC/DC1 コンバータパワー用電源入力端子 F2 VDD2 I DC/DC2 コンバータパワー用電源入力端子 F7 VDD31 I DC/DC3 コンバータパワー用電源入力端子 1 F6 VDD32 I DC/DC3 コンバータパワー用電源入力端子 2 C5 VIN_RTC I RTC 用電源入力端子 E5 LDOCNT1 I LDO 出力制御入力端子 1 D5 LDOCNT2 I LDO 出力制御入力端子 2 D1 LDOOUT4 O LDO4 出力端子 ( + 2.9 V) B1 LDOOUT3 O LDO3 出力端子 ( + 1.2 V/1.3 V) C1 LDOOUT1 O LDO1 出力端子 ( + 2.9 V) A3 LDOOUT2 O LDO2 出力端子 ( + 1.2 V) G4 SWOUT1 O DC/DC1 コンバータインダクタンス接続用出力端子 E4 FB1 I DC/DC1 コンバータ出力電圧フィードバック入力端子 (1.2 V) G2 SWOUT2 O DC/DC2 コンバータインダクタンス接続用出力端子 E3 FB2 I DC/DC2 コンバータ出力電圧フィードバック入力端子 (1.8 V) E7 SWOUT31 ⎯ DC/DC3 コンバータインダクタンス接続用端子 1 E6 SWOUT32 ⎯ DC/DC3 コンバータインダクタンス接続用端子 2 C7 SWIN31 ⎯ DC/DC3 コンバータインダクタンス接続用端子 1 C6 SWIN32 ⎯ DC/DC3 コンバータインダクタンス接続用端子 2 B7 DDOUT31 O DC/DC3 コンバータ出力端子 1 B6 DDOUT32 O DC/DC3 コンバータ出力端子 2 G6 FB3 I DC/DC3 コンバータ出力電圧フィードバック入力端子 (3.3 V) D4 SCL I I2C インタフェース クロック入力端子 D3 SDA I/O I2C インタフェース データ入出力端子 A6 OSCIN I 水晶振動子接続用入力端子 A5 OSCOUT O 水晶振動子接続用出力端子 F1 RTC_CLK O 32.768 kHz クロック出力端子 C3 ONOFF I 外部からの電源 ONOFF 信号入力端子 E1 XRST1 O リセット出力端子 1 E2 XRST2 O リセット出力端子 2 C4 V24IO O 内部 2.4 V I/O 用電源出力端子 A4 VFIL1 O 基準電圧出力端子 1 (0.47 µF 接続 ) B4 VFIL2 O 基準電圧出力端子 2 (0.47 µF 接続 ) 外部電源 定電圧電源 I2C インタ フェース RTC 起動 / 停止 基準電圧 機能概要 (続く) DS04–27266–2 3 MB39C316 (続き) 分類 テスト GND 4 端子番号 端子名 I/O 機能概要 A1 NC1 ⎯ テスト用端子 (Non Connect にしてください。他への接続は禁止です。) A7 NC2 ⎯ テスト用端子 (Non Connect にしてください。他への接続は禁止です。) G7 NC3 ⎯ テスト用端子 (Non Connect にしてください。他への接続は禁止です。) G1 NC4 ⎯ テスト用端子 (Non Connect にしてください。他への接続は禁止です。) B5 GND1 ⎯ 接地端子 (COMMON, RTC) D2 GND2 ⎯ 接地端子 (LDO, INPUT_IF, OUTPUT_IF) G5 AGND ⎯ 接地端子 (DC/DC コンバータ制御部 ) G3 DGND1 ⎯ DC/DC1 コンバータ接地端子 F3 DGND2 ⎯ DC/DC2 コンバータ接地端子 D7 DGND31 ⎯ DC/DC3 コンバータ接地端子 1 D6 DGND32 ⎯ DC/DC3 コンバータ接地端子 2 DS04–27266–2 MB39C316 ■ ブロックダイヤグラム MB39C316 VCC1 SCL I2C インタフェース SDA ONOFF XRST1 VIN_RTC OSCIN OSCOUT RTC_CLK 起動 / 停止制御 RTC XRST2 定電圧電源 LDOCNT1 VCC_D LDOCNT2 VDD1 DC/DC1 コンバータ SWOUT1 降圧 1.200 V 800 mA VCC4 LDOOUT1 LDO1 2.875 V 200 mA FB1 DGND1 VDD2 DC/DC2 コンバータ SWOUT2 LDOOUT4 VCC2 LDOOUT2 LDO4 2.925 V 6.5 mA LDO2 1.225 V 260 mA 降圧 1.825 V 600 mA FB2 DGND2 VDD31 VDD32 SWOUT31 SWOUT32 SWIN31 SWIN32 DDOUT31 DDOUT32 FB3 DGND31 DGND32 DC/DC3 コンバータ 昇降圧 3.300 V 650 mA VCC3 LDOOUT3 LDO3 1.200 V, 1.300 V 84 mA 基準電圧出力 保護回路 (UVLO, OTP, SCP, OCP) V24IO VFIL1 VFIL2 LDO5 NC1 NC2 テスト回路 NC3 NC4 GND1 DS04–27266–2 GND2 AGND 5 MB39C316 ■ 絶対最大定格 項目 電源電圧 入力電圧 記号 最小 最大 単位 Vmax1 VCC1, VCC_D, VDD1, VDD2, VDD31, VDD32 − 0.3 + 6.0 V Vmax2 VCC2, VCC3 − 0.3 + 6.0 V Vmax3 VCC4 − 0.3 + 6.0 V Vmax4 VIN_RTC − 0.3 + 3.6 V Vinmax1 LDOCNT1, LDOCNT2, SCL, SDA − 0.3 Vvcc3 + 0.3 V Vinmax2 ONOFF, FB1, FB2, FB3 − 0.3 Vvcc1 + 0.3 V Vinmax3 OSCIN − 0.3 Vrtc V − 55 + 125 °C ⎯ Tstg 保存温度範囲 Vesdh Human Body Model (100 pF, 1.5 kΩ) − 1000 + 1000 V Vesdm Machine Model(200 pF, 0 Ω) − 100 + 100 V EIA/JEDEC Standard − 150 + 150 mA ESD 耐圧 ラッチアップ耐圧 定格値 条件 Vlatchup <注意事項> 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ ります。したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。 ■ 推奨動作条件 項目 電源電圧 記号 動作温度範囲 規格値 最小 標準 最大 単位 Vvcc1 VCC1, VCC_D, VDD1, VDD2, VDD31, VDD32 2.7 3.3 5.5 V Vvcc2 VCC2, VCC3 1.75 ⎯ 1.90 V Vvcc3 VCC4 3.2 ⎯ 5.5 V 2.325 ⎯ 2.475 V Vrtc 入力電圧 条件 VIN_RTC VIvcc1 ONOFF 0.0 ⎯ Vvcc1 V VIvcc3 LDOCNT1, LDOCNT2, SCL, SDA 0.0 ⎯ Vvcc3 V VIdd1 FB1 0.0 ⎯ Voutdd1 V VIdd2 FB2 0.0 ⎯ Voutdd2 V VIdd3 FB3 0.0 ⎯ Voutdd3 V VIrtc OSCIN 0.0 ⎯ Vrtc V − 30 ⎯ + 85 °C Ta ⎯ <注意事項> 推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格値は , すべてこの条 件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を超えて使用すると , 信頼 性に悪影響を及ぼすことがあります。 データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。記載され ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。 6 DS04–27266–2 MB39C316 ■ 電気的特性 1. 直流特性 (Ta =− 30 °C ∼+ 85 °C, Vvcc1 = 2.7 V ∼ 5.5 V ,Vvcc3 = 3.2 V ∼ 5.5 V, Vvcc2 = 1.75 V ∼ 1.90 V,Vrtc = 2.325 V ∼ 2.475 V) 項目 LDO1 LDO2 出力電圧 Voutld1 最大出力電流 Ioutld1 規格値 条件 Iout = 0 ∼ Iomax ⎯ 単位 最小 標準 最大 2.800 2.875 3.000 V 200 ⎯ ⎯ mA 入力安定度 Vlineld1 Iout =− 10 mA ⎯ 5 ⎯ mV 負荷安定度 Vloadld1 Iout = 0 ∼ Iomax ⎯ 20 ⎯ mV RR1kld1 Vinput = 0.2 Vpp, Vvcc1 = 3.3 V, Iout = Iomax/2 f = 1 kHz ⎯ 60 ⎯ dB f = 10 kHz ⎯ 40 ⎯ dB f = 10 Hz ∼ 100 kHz, Iout = 10 mA ∼ Iomax ⎯ 30 45 µVrms リップル 除去比 RR10kld1 出力雑音電圧 Vnoiseld1 立上り時間 Trld1 Vvcc1 = 3.3 V, Iout = 0 mA, Vout = 90% ⎯ 200 ⎯ µs 立下り時間 Tfld1 Vvcc1 = 3.3 V, Iout = 0 mA, Vout = 10% ⎯ 70 ⎯ µs 1.150 1.225 1.300 V 260 ⎯ ⎯ mA 出力電圧 Voutld2 最大出力電流 Ioutld2 Iout = 0 ∼ Iomax ⎯ 入力安定度 Vlineld2 Iout =− 10mA ⎯ 5 ⎯ mV 負荷安定度 Vloadld2 Iout = 0 ∼ Iomax ⎯ 25 ⎯ mV RR1kld2 Vinput = 0.2 Vpp, f = 1 kHz Vvcc1, Iout = 1 mA ∼ f = 10 kHz Iomax ⎯ 60 ⎯ dB ⎯ 40 ⎯ dB f = 10 Hz ∼ 100 kHz, Iout = 10 mA ∼ Iomax ⎯ 30 45 µVrms リップル 除去比 RR10kld2 出力雑音電圧 Vnoiseld2 立上り時間 Trld2 Vvcc1, Iout = 0 mA, Vout = 90% ⎯ 70 ⎯ µs 立下り時間 Tfld2 Vvcc1, Iout = 0 mA, Vout = 10% ⎯ 150 ⎯ µs Iout = 0 ∼ Iomax, VSEL_SYN = “0” ( レジスタ 02H[0]) 1.100 1.200 1.300 V Iout = 0 ∼ Iomax, VSEL_SYN = “1” ( レジスタ 02H[0]) 1.200 1.300 1.400 V 84 ⎯ ⎯ mA 出力電圧 最大出力電流 LDO3 記号 Voutld3 ⎯ Ioutld3 入力安定度 Vlineld3 Iout =− 10 mA ⎯ 5 ⎯ mV 負荷安定度 Vloadld3 Iout = 0 ∼ Iomax ⎯ 20 ⎯ mV RR1kld3 Vinput = 0.2 Vpp, Vvcc1, Iout = 1mA ∼ Iomax f = 1 kHz ⎯ 60 ⎯ dB f = 10 kHz ⎯ 40 ⎯ dB f = 10 Hz ∼ 100 kHz, Iout = 10 mA ∼ Iomax ⎯ 30 40 µVrms リップル 除去比 RR10kld3 出力雑音電圧 Vnoiseld3 立上り時間 Trld3 Vvcc1, Iout = 0 mA, Vout = 90% ⎯ 60 ⎯ µs 立下り時間 Tfld3 Vvcc1, Iout = 0 mA, Vout = 10% ⎯ 150 ⎯ µs (続く) DS04–27266–2 7 MB39C316 項目 LDO4 DC/DC1 コンバータ 出力電圧 Voutld4 最大出力電流 Ioutld4 DC/DC3 コンバータ 条件 Iout = 0 ∼ Iomax ⎯ 規格値 単位 最小 標準 最大 2.850 2.925 3.000 V 6.5 ⎯ ⎯ mA 入力安定度 Vlineld4 Iout =− 6.5 mA ⎯ 5 ⎯ mV 負荷安定度 Vloadld4 Iout = 0 ∼ Iomax ⎯ 5 ⎯ mV RR1kld4 Vinput = 0.2 Vpp, ⎯ 60 ⎯ dB ⎯ 40 ⎯ dB f = 10 Hz ∼ 100 kHz, Iout = 1 mA ∼ Iomax ⎯ 30 40 µVrms リップル 除去比 f = 1 kHz Vvcc1 = Vvcc3 = 3.3 V, RR10kld4 Iout = 1 mA ∼ Iomax f = 10 kHz 出力雑音電圧 Vnoiseld4 立上り時間 Trld4 Vvcc1 = Vvcc3 = 3.3 V, Iout = 0 mA, Vout = 90% ⎯ 130 ⎯ µs 立下り時間 Tfld4 Vvcc1 = Vvcc3 = 3.3 V, Iout = 0 mA, Vout = 10% ⎯ 70 ⎯ µs 1.100 1.200 1.300 V 800 ⎯ ⎯ mA 出力電圧 Voutdd1 最大出力電流 Ioutdd1 出力リップル 電圧 Vrpldd11 Iout = 0 ∼ Iomax ⎯ 15 ⎯ mV 入力安定度 Vlinedd1 Vvcc1 = 2.7 V ∼ 5.5 V ⎯ 10 ⎯ mV 負荷安定度 Vloaddd1 Iout =− 1 mA ∼ Iomax ⎯ ⎯ 20 mV 発振周波数 Fdd1 PWM モード ⎯ 1.7 ⎯ MHz 効率 ηdd1 Vvcc1 = 3.3 V, Iout =− 200 mA 75 85 ⎯ % 立上り時間 Trdd1 Vvcc1 = 3.3 V, Iout = 0 mA ⎯ 50 ⎯ µs Tfdd1 Vvcc1 = 3.3 V, Iout = 0 mA 立下り時間 DC/DC2 コンバータ 記号 Iout = 0 ∼ Iomax ⎯ ⎯ 200 ⎯ µs 1.750 1.825 1.900 V 600 ⎯ ⎯ mA 出力電圧 Voutdd2 最大出力電流 Ioutdd2 出力リップル 電圧 Vrpldd21 Iout = 0 ∼ Iomax ⎯ 15 ⎯ mV 入力安定度 Vlinedd2 Vvcc1 = 2.7 V ∼ 5.5 V ⎯ 10 ⎯ mV 負荷安定度 Vloaddd2 Iout =− 1 mA ∼ Iomax ⎯ ⎯ 20 mV 発振周波数 Fdd2 PWM モード ⎯ 1.7 ⎯ MHz 効率 ηdd2 Vvcc1 = 3.3 V, Iout =− 200 mA 80 90 ⎯ % 立上り時間 Trdd2 Vvcc1 = 3.3 V, Iout = 0 mA ⎯ 50 ⎯ µs 立下り時間 Tfdd2 Vvcc1 = 3.3 V, Iout = 0 mA ⎯ 200 ⎯ µs 3.200 3.300 3.400 V 650 ⎯ ⎯ mA Iout = 0 ∼ Iomax ⎯ 出力電圧 Voutdd3 最大出力電流 Ioutdd3 出力リップル 電圧 Vrpldd31 Iout = 0 ∼ Iomax ⎯ 60 ⎯ mV 入力安定度 Vlinedd3 Vvcc1 = 2.7 V ∼ 5.5 V ⎯ 10 ⎯ mV 負荷安定度 Vloaddd3 Iout =− 1 mA ∼ Iomax ⎯ ⎯ 30 mV 発振周波数 Fdd3 PWM モード ⎯ 1.7 ⎯ MHz 効率 ηdd3 Vvcc1 = 3.3 V, Iout =− 200 mA 80 90 ⎯ % 立上り時間 Trdd3 Vvcc1 = 3.3 V, Iout = 0 mA ⎯ 100 ⎯ µs 立下り時間 Tfdd3 Vvcc1 = 3.3 V, Iout = 0 mA ⎯ 120 ⎯ µs Iout = 0 ∼ Iomax ⎯ (続く) 8 DS04–27266–2 MB39C316 (続き) 項目 記号 条件 規格値 標準 最大 0.0 ⎯ 0.3 × Vvcc1 V Vih1 0.7 × Vvcc1 ⎯ Vvcc1 V Vil2 0.0 ⎯ 0.3 × Vvcc3 V 0.7 × Vvcc3 ⎯ Vvcc3 V 0.0 ⎯ 0.15 × Vvcc3 V 0.85 × Vvcc3 ⎯ Vvcc3 V Vil1 ONOFF 入力電圧 LDOCNT1, LDOCNT2 Vih2 起動 / 停止制 御部 Vol1 XRST1, XRST2, Iout = 1 mA Voh1 XRST1, XRST2, Iout =− 1 mA 出力電圧 VCC1 電源 検出電圧 Vdetvon VCC1 立上り= 0.1 V/10 µs 2.55 2.6 2.65 V VCC1 電源断 検出電圧 Vdetvoff VCC1 立下り= 0.3 V/10 µs 2.3 2.4 2.5 V Vol32k RTC_CLK, Iout = 0.5 mA 0.0 ⎯ 0.15 × Vrtc V Voh32k RTC_CLK, Iout =− 0.5 mA 0.85 × Vrtc ⎯ Vrtc V 出力電圧 RTC 部 内蔵発振 容量 1 Cg OSCIN ⎯ 10 ⎯ pF 内蔵発振 容量 2 Cd OSCOUT ⎯ 10 ⎯ pF 0.0 ⎯ 0.3 × Vvcc3 V 0.7 × Vvcc3 ⎯ Vvcc3 V 0.0 ⎯ 0.4 V Vil14 I2C インタ フェース 単位 最小 入力電圧 SCL, SDA( 入力時 ) Vih14 出力電圧 Vol18 SDA( 出力時 ) Iout = 3 mA Vovfil1 VFIL1 1.175 1.225 1.275 V Vovfil2 VFIL2 0.575 0.60 0.625 V Iout = 0 ∼ Iomax 2.325 2.40 2.475 V VFIL1, VFIL2 出力電圧 LDO5 出力電圧 Voutld5 UVLO 解除 電圧 Vuvlod ⎯ 2.1 2.2 2.3 V UVLO 検出 電圧 Vuvlor ⎯ 2.0 2.1 2.2 V 検出温度 Totpd ⎯ + 135 + 150 + 165 °C 解除温度 Totpr ⎯ + 105 + 120 + 135 °C 検出保護時間 Tshort 75 100 125 ms UVLO 過熱保護 (OTP) 出力短絡保護 (SCP) DS04–27266–2 出力= 0.6 V ± 0.2 V 以下 9 MB39C316 2. 交流特性 (Ta =− 30 °C ∼+ 85 °C, Vvcc1 = 2.7 V ∼ 5.5 V ,Vvcc3 = 3.2 V ∼ 5.5 V, Vvcc2 = 1.75 V ∼ 1.90 V, Vrtc = 2.35 V ∼ 2.475 V) 項目 RTC 部 I2C インタ フェース 記号 規格値 条件 最小 標準 最大 単位 クロック周波数 Fck RTC_CLK, 外付け水晶に FC-12M( エプソントヨコム製 ) 使用時 ⎯ 32.768 ⎯ kHz クロック duty Rck RTC_CLK, 外付け水晶に FC-12M( エプソントヨコム製 ) 使用時 25 50 75 % 発振余裕度 Rfm Rmax = 90 kΩ 10 × Rmax ⎯ ⎯ kΩ クロック周波数 Fscl SCL ⎯ ⎯ 400 kHz SCL, SDA 0.6 ⎯ ⎯ µs start コンディション ホールド時間 Thold1 SCL クロック L 期間 Tscll SCL 1.3 ⎯ ⎯ µs SCL クロック H 期間 Tsclh SCL 0.6 ⎯ ⎯ µs start コンディション セットアップ時間 Tsetup1 SCL, SDA 0.6 ⎯ ⎯ µs data ホールド時間 Thold2 SCL, SDA 0 ⎯ 0.9 µs data セットアップ時間 Tsetup2 SCL, SDA 0.1 ⎯ ⎯ µs stop コンディション セットアップ時間 Tsetup3 SCL, SDA 0.6 ⎯ ⎯ µs SDA 1.3 ⎯ ⎯ µs stop コンディション start コンディション間 バス開放時間 Tbusopen 立上り時間 TrI2C SCL, SDA ⎯ ⎯ 300 ns 立下り時間 TfI2C SCL, SDA ⎯ ⎯ 300 ns ・I2C インタフェース Tsetup 1 70% Tsclh Tscll 1/Fscl 70% 70% 70% 30% 30% SCL TfI2C TrI2C start condition SDA 70% 70% 70% 70% 30% 30% stop condition 30% 30% TrI2C TfI2C Tbusopen Tsetup 2 Thold 1 Tsetup 3 Thold2 3. 消費電流 項目 条件 規格値 標準 最大 単位 スタンバイ電流 ONOFF : L 150 250 µA ON 電流 DC/DC1 コンバータ , DC/DC2 コンバータ : ON ( 無負荷 ) LDO1, LDO2, LDO3, LDO4 : ON ( 無負荷 ) 650 850 µA 10 DS04–27266–2 MB39C316 ■ 標準特性例 下記特性は設計上の参考資料です。 ・降圧 DCDC (DCDC1, Vout = 1.200 V) 特性 効率 - 出力電流 DCDC1 効率 (Ta =+ 25 °C) VCC = 3.3 V 100% 95% 効率 [%] 90% 85% 80% 75% 70% 65% 60% 55% 50% 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 1.0E+00 Iout [A] 負荷急変特性 IOUT = 0 mA → 800 mA Iout = 800 mA → 0 mA ∆ : 164 mV @: −170 mV T ∆ : 152 mV @: −14 mV Iout Iout 1 T 1 VOUT T VOUT 2 2 T Ch1 500 mAΩ Ch2 100 mV BW M 5.00 µs Ch1 670 mA Ch1 500 mAΩ Ch2 100 mV BW M 100 µs Ch1 500 mA 出力リップル電圧 VCC = 3.3 V, Iout = 200 mA ∆ : 3.0 mV @: −1.8 mV T 1 Ch1 DS04–27266–2 5.00 mV BW M 1.00 µs Ch1 −200 µV 11 MB39C316 出力電圧 - 負荷電流特性 DCDC1 出力電圧 - 負荷電流 (Ta =+ 25 °C) VCC = 3.3 V 1.400 1.200 Vout [V] 1.000 0.800 0.600 0.400 0.200 0.000 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 Iout [A] 12 DS04–27266–2 MB39C316 ・昇降圧 DCDC (DCDC3, Vout = 3.300 V) 特性 効率 - 出力電流 DCDC3 効率 (Ta =+ 25 °C) 100% 90% 効率 [%] 80% 70% 60% 50% 40% VCC=2.7 V 30% VCC=3.3 V 20% VCC=3.6 V 10% VCC=4.9 V 0% 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 1.0E+00 Iout [A] 出力リップル電圧 VCC = 3.3 V, Iout = 400 mA VCC = 2.7 V, Iout = 400 mA Tek Stop: 50.0 MS/s 358 Acqs T ∆ : 17.8 mV @: −9.4 mV ∆ : 16.2 mV @: −9.2 mV T 1 1 T Ch1 10.0 mV M 1.00 µs Ch1 BW −600 µV Ch1 10.0 mV M 1.00 µs Ch1 BW −1.8 mV VCC = 4.9 V, Iout = 0 mA VCC = 4.9 V, Iout = 400 mA ∆ : 37.0 mV @: 21.8 mV ∆ : 7.8 mV @: −3.2 mV T 1 1 T Ch1 10.0 mV DS04–27266–2 BW M 1.00 µs Ch1 600 µV Ch1 10.0 mV BW M 1.00 ms Ch1 −1.2 mV 13 MB39C316 ・LDO(LDO1) 特性 VCC Min VCC Typ VCC Max LDO1 Load Regulation ( Ta =+ 25 °C) 3.500 3.000 Vout [V] 2.500 2.000 1.500 1.000 0.500 0.000 0.0E+00 1.0E-01 2.0E-01 3.0E-01 Iout [A] 4.0E-01 LDO1 Line Regulation ( Ta =+ 25 °C) 5.0E-01 Io = 0 mA Io = Max 3.120 Vout [V] 3.020 2.920 2.820 2.720 2.620 3 3.5 4 4.5 5 VCC [V] LDO1 PSRR ( Ta =+ 25 °C, VCC = 3.3 V) 1 kHz 10 kHz 0 PSRR [dB] -20 -40 -60 -80 -100 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 1.0E+00 Iout [A] 14 DS04–27266–2 MB39C316 ■ 起動 / 停止制御機能 VCC1 電源端子 , ONOFF・LDOCNT1・LDOCNT2 端子の状態 , および REON レジスタの設定によって , 各 LDO, DC/DC コ ンバータ , リセット信号 (XRST1, XRST2) の出力を制御します。また , HRST レジスタの設定によって , リセット信号の出 力を制御します。 1. 起動 / 停止条件 ・起動条件 下記条件がすべて成り立った場合 , LDO・DC/DC コンバータが起動します。 ・ VCC1 端子入力電圧 2.6V 以上 ・ ONOFF 端子入力 “H” ・停止条件 下記条件のいずれかが成り立った場合 , LDO・DC/DC コンバータが停止します。 ・ VCC1 端子入力電圧 2.4 V 以下 ・ ONOFF 端子入力 “L” ・ REON レジスタの REON ビットが “0” → “1” に変化した時 ・ OTP( 過熱保護 ) 検出 VCC1 端子 2.4 V 2.6 V 2.6 V ONOFF 端子 OTP VCONT 電源 停止 起動 停止 起動 停止 起動 停止 起動 VCC1 端子入力電圧および ONOFF 端子入力による定電圧電源部の起動 / 停止状態は , STATE レジスタの VCONT ビッ ト ( アドレス 05H[0]) に反映されます。 DS04–27266–2 15 MB39C316 2. VCC1 電源端子 , ONOFF 端子による起動 / 停止シーケンス ・VCC1 端子の場合 ( 停止 ) ( 起動 ) 2.6 V 2.4 V VCC1 DC/DC3 コンバータ DC/DC1 コンバータ DC/DC2 コンバータ XRST1 90% LDO4 XRST2 (1) (2) Trrst Tofdelay LDO2 LDO3 LDO1 ・ONOFF 端子の場合 ( 停止 ) ( 起動 ) ONOFF DC/DC3 コンバータ DC/DC1 コンバータ DC/DC2 コンバータ XRST1 90% LDO24 XRST2 (1) (2) Trrst Tofdelay LDO2 LDO3 LDO1 16 項目 記号 (1) (2) 規格値 単位 最小 標準 最大 Trrst 4 5 6 ms Tofdelay 150 200 250 µs DS04–27266–2 MB39C316 3. LDOCNT1, LDOCNT2 端子による起動 / 停止 ( 間欠制御 ) XRST1 端子および XRST2 端子が “H” の時 , LDO は LDOCNT1・LDOCNT2 端子の状態により起動 / 停止します。 ( 停止 ) ( 起動 ) LDOCNT1 L L LDOCNT2 L H LDO4 OFF OFF LDO2 OFF OFF LDO3 OFF OFF LDO1 OFF OFF 入力条件 LDO1 LDO2 LDO3 LDO4 H ON ON ON ON H L OFF OFF OFF ON L L OFF OFF OFF OFF L H OFF OFF OFF OFF LDOCNT1 LDOCNT2 H 4. REON レジスタによる起動 / 停止 ( 電源再投入 ) REON レジスタの REON ビット ( アドレス 04H[0]) に “1” を書き込むことにより , 電源をシーケンスに従って停止し , 一 定時間後に再起動します。 STOPTIMEB ビット ( アドレス 04H[5:4]) によって電源停止から再起動開始までの時間 ( 内部クロック 140 kHz より算出 ) を設定できます。また , STOPTIMEB ビットで設定した時間の経過後に REON ビットは自動的にクリアされます。 140 kHz REON ( 内部信号 ) DC/DC3 コンバータ (DC/DC3 コンバータありの場合 ) DC/DC1 コンバータ (DC/DC3 コンバータなしの場合 ) 項目 TREON DS04–27266–2 10% 10% TREON 規格値 STOPTIMEB ビット [1:0] 最小 標準 最大 00B 0.8 1.0 1.2 ms 01B 3.4 4.0 5.2 ms 10B 6.8 8.0 9.8 ms 11B 13.6 16.0 19.0 ms 単位 17 MB39C316 5. HRST レジスタによるリセット制御 HRST レジスタの HRST ビット ( アドレス 03H[0]) に “1” を書き込むと , XRST2 の出力は一定時間 “L” に保持されます。 STOPTIMEA ビット ( アドレス 03H[5:4]) によって XRST2 = “L” に保持する時間を設定できます。また , STOPTIMEA ビッ トで設定した時間の経過後に HRST ビットは自動的にクリアされます。 140 kHz HRST ( 内部信号 ) XRST1 “H” 固定 XRST2 THRST 項目 THRST 規格値 STOPTIMEA ビット [1:0] 最小 標準 最大 00B 0.8 1.0 1.2 ms 01B 3.4 4.0 5.2 ms 10B 6.8 8.0 9.8 ms 11B 13.6 16.0 19.0 ms 単位 ■ 32.768 kHz 出力 (CMOS 出力 ) OSCIN, OSCOUT 端子に水晶振動子を接続することにより , RTC_CLK 端子から 32.768 kHz のクロックを出力できます。 18 DS04–27266–2 MB39C316 ■ I2C インタフェース I2C バスに準拠したシリアルインタフェースです。 シリアルデータライン (SDA) とシリアルクロックライン (SCL) の 計 2 本の双方向バスラインにより , 内部レジスタのデータの書込み / 読出しが行われます。 MB39C316 では下記特長があります。 ・ 本 LSI はスレーブとして設定されており , マスタに設定できません。 ・ スレーブアドレスは “2AH” です。 ・ 高速モード (Max 400 kbps) に対応しています。 1. 書込みフロー (1) スタートコンディション検出 (2) スレーブアドレス (“2AH”) と W/R ビット (“0”) の受信 (3) ACK 送信 (4) レジスタアドレス受信 (5) ACK 送信 (6) 書込みデータ受信 (7) ACK 送信 (8) ストップコンディションが検出されない場合 , レジスタアドレスをインクリメントし , (6) へ * (9) ストップコンディション検出後 , 通信を終了 * : インクリメントはアドレス FFH でストップし , FFH を保持します。00H には戻りません。 :master が送信する信号 S : Start condition P : Stop condition A : ACK : 本 LSI が送信する信号 slave address S 0 1 0 1 0 register address 1 0 0 W/R=0 (write) A MSB DATA1 LSB A DATA2 LSB MSB writing to (register address) A MSB LSB A writing to (register address+1) DATA3 MSB LSB A P writing to (register address+2) (注意事項)・存在しないレジスタアドレス , または bit assign がなされていないビットが指定された場合 , ACK を返しま すがデータは書き込まれません。 ・Read Only のアドレスに書込みを指定した場合 , ACK を返しますがデータは書き込まれません。 DS04–27266–2 19 MB39C316 2. 読出しフロー (1) スタートコンディション検出 (2) スレーブアドレス (“2AH”) と W/R ビット (“0”) の受信 (3) ACK 送信 (4) レジスタアドレス受信 (5) ACK 送信 (6) スタートコンディション検出 (7) スレーブアドレス (“2AH”) と W/R ビット (“1”) の受信 (8) ACK 送信 (9) 読出しデータ送信 (10) [1]ACK を受信した場合 , レジスタアドレスをインクリメントし , (9) へ * [2]NACK を受信した場合 , バスを解放 (11) ストップコンディション検出後 , 通信を終了 *:インクリメントはアドレス FFH でストップし , FFH を保持します。00H には戻りません。 :master が送信する信号 : 本 LSI が送信する信号 slave address register address S 0 1 0 1 0 1 0 0 A MSB DATA1 slave address LSB A S 0 1 0 1 0 1 0 1 A W/R=0 (write) MSB LSB A reading from (register address) W/R=1 (read) DATA2 MSB S :Start condition P :Stop condition A :ACK NA:NACK DATA3 LSB reading from (register address+1) A MSB LSB NA P reading from (register address+2) (注意事項)存在しないレジスタアドレスとbit assignされていないビットを指定した場合, 読出しデータは“0”になります。 20 DS04–27266–2 MB39C316 ■ レジスタ 1. アドレス割当 アド レス (hex) 分類 レジスタ名称 ( 機能 ) W/R 00 リセット SRST ( ソフトリセット 制御 ) 01 バージョン 02 レジスタ内容 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 デフォルト 値 * RSTDET ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ SRST 0000 0000 VERSION ( バージョン情報 ) R ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ VER3 VER2 VER1 VER0 0000 0011 定電圧電源 VSEL_SYN (LDO 電圧設定 ) WR ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ 03 リセット HRST ( ハードリセット 制御 ) WR HRDET ⎯ STOPTIME STOPTIME A1 A0 ⎯ ⎯ ⎯ HRST 0000 0000 04 電源制御 REON ( 電源再投入制御 ) WR REDET ⎯ STOPTIME STOPTIME B1 B0 ⎯ ⎯ ⎯ REON 0000 0000 05 状態通知 STATE ( 状態通知 ) R ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ CUR_lim OTP RTC_OSC VCONT 0000 0000 06 汎用 GP ( 汎用レジスタ ) WR GP7 GP6 GP5 GP4 GP3 GP2 GP1 GP0 0000 0000 07-7F ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ 80-8B TEST reserved ( 予約バイト ) ⎯ reserved reserved reserved reserved reserved reserved reserved reserved ⎯ 8C ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ VSEL_SYN 0000 0000 *:00H[D0] は Write only, [D7] は Write/Read です。 ・ “⎯” 表示のデータは , Write/ Read ともアクセスは可能ですが , Write は無効で , Read データは “0” になります。 ・ パワーオンリセットにより , 全てのレジスタはデフォルト値に初期化されます。 ・ ソフトリセット制御の実行により , 全ての Write レジスタをデフォルト値に初期化します。ソフトリセット制御実行中 に書き込まれたデータは正常に反映されない場合があります。 (注意事項)アドレス 80H ∼ 8BH は本 LSI の試験用レジスタがマッピングされています。本 LSI を使用する際は 80H ∼ 8BH への書込みは行わないでください。 DS04–27266–2 21 MB39C316 2. 機能説明 ・ソフトリセット制御 ( アドレス 00H) D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 Write 時 RSTDET ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ SRST Read 時 RSTDET 0 0 0 0 0 0 0 Default 0 0 0 0 0 0 0 0 bit[7] RSTDET : レジスタリセット履歴ビット RSTDET ビット内容 0 ソフトリセット制御実行なし (Read)/RSTDET ビットクリア (Write) 1 ソフトリセット制御によるレジスタリセット実行あり (Read) 本ビットはソフトリセット制御によるリセット動作の実行履歴を保持します。ソフトリセット制御による リセット動作を行うと , 本ビットは “1” に設定されます。 本ビットをクリアする場合は , 本レジスタに “00H” を書き込んでください。 RSTDET=“1” の書込みは , 無視されます。 bit[0] SRST : レジスタリセットビット SRST ビット内容 0 通常動作 1 アドレス 00H 以外の Write レジスタリセット 本ビットに “1” を書き込むと , すべての Write レジスタはリセットされ , アドレス 00H の読出し値は “80H” に なります。 SRST=“1” の書込み後 , 約 15 µs 間はリセット状態を継続します。 本ビットは Write only ビットで , 読出し値は常に “0” です。 (注意事項)・RSTDET=“0” と SRST=“1” が同時に書き込まれた場合 , RSTDET=“0” の書込みは無視されます。SRST = “1” によるリセット動作が実行され , RSTDET ビットを “1” に設定します。 ・ソフトリセット制御実行中に書き込まれたデータは , 正常に書き込まれない場合があります。 ・バージョン情報 ( アドレス 01H) D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 Write 時 ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ Read 時 0 0 0 0 VER3 VER2 VER1 VER0 Default 0 0 0 0 各バージョンによる固定値 bit[3:0] VER : バージョン表示ビット VER ビット内容 0000 ⎯ 0001 1 0010 2 0011 3 : : 本レジスタはデバイスのバージョン情報を読み出します。 22 DS04–27266–2 MB39C316 ・LDO 電圧設定 ( アドレス 02H) D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 Write 時 ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ VSEL_SYN Read 時 0 0 0 0 0 0 0 VSEL_SYN Default 0 0 0 0 0 0 0 0 D3 D2 D1 D0 bit[0] VSEL_SYN : LDO3 電圧選択ビット VSEL_SYN ビット内容 0 1.2 V (Typ) 1 1.3 V (Typ) 本ビットは LDO3 の出力電圧を切り換えます。 ・ハードリセット制御 ( アドレス 03H) D7 D6 D5 D4 Write 時 HRDET ⎯ STOPTIMEA1 STOPTIMEA0 ⎯ ⎯ ⎯ HRST Read 時 HRDET 0 STOPTIMEA1 STOPTIMEA0 0 0 0 HRST Default 0 0 0 0 0 0 0 0 bit[7] HRDET : HRST 履歴ビット HRDET ビット内容 0 ハードリセット制御実行なし (Read)/HRDET ビットクリア (Write) 1 ハードリセット制御による XRST2 リセット実行あり (Read) 本ビットはハードリセット制御によるリセット動作の実行履歴を保持します。ハードリセット制御による リセット動作が行われると, 本ビットは“1”に設定されます(HRSTビットの書換えと同じタイミングで“1”に 設定されます )。 本ビットをクリアする場合は , 本レジスタに “00H” を書き込んでください。 HRDET=“1” の書込みは , 無視されます。 bit[5:4] STOPTIMEA : XRST2=“L” 時間設定ビット STOPTIMEA ビット内容 00 1 ms (Typ) 01 4 ms (Typ) 10 8 ms (Typ) 11 16 ms (Typ) 本ビットによってハードリセット制御による XRST2=“L” の時間を選択できます。 bit[0] HRST : HRST 制御ビット HRST ビット内容 0 通常動作 (Read) 1 ハードリセット制御開始指示 (Write) 本ビットに “1” を書き込むと , XRST2 端子の出力を STOPTIMEA ビットで設定した時間 “L” に維持します。 設定時間の経過後 , 本ビットは自動的にクリアされます。 (注意事項)HRDET=“0” と HRST=“1” が同時に書き込まれた場合 , HRDET=“0” の書込みは無視されます。HRST=“1” によ るリセット動作を実行し , HRDET ビットを “1” に設定します。 DS04–27266–2 23 MB39C316 ・電源再投入制御 ( アドレス 04H) D7 D6 Write 時 REDET ⎯ Read 時 REDET 0 Default 0 0 D5 D4 D3 D2 D1 D0 STOPTIMEB1 STOPTIMEB0 ⎯ ⎯ ⎯ REON STOPTIMEB1 STOPTIMEB0 0 0 0 REON 0 0 0 0 0 0 bit[7] REDET : REON 履歴ビット REDET ビット内容 0 電源再投入制御実行なし (Read)/REDET ビットクリア (Write) 1 電源再投入制御による電源再投入あり (Read) 本ビットは電源再投入制御による電源再投入の実行履歴を保持します。 電源再投入制御による電源再投入 が行われると , 本ビットは “1” に設定されます (REON ビットの書換えと同じタイミングで “1” に設定されま す )。 本ビットをクリアする場合は , 本レジスタに “00H” を書き込んでください。 REDET=“1” の書込みは , 無視されます。 bit[5:4] STOPTIMEB : 電源停止状態保持時間設定ビット STOPTIMEB ビット内容 00 1 ms (Typ) 01 4 ms (Typ) 10 8 ms (Typ) 11 16 ms (Typ) 本ビットによって電源の停止シーケンスの完了から再起動の開始までの時間を選択できます。 bit[0] REON : REON 制御ビット REON ビット内容 0 通常動作 (Read) 1 電源再投入指示 (Write) 本ビットに “1” を書き込むと , 電源を再投入します ( 定電圧電源の停止→起動を行う )。 電源の停止シーケンスが完了してから STOPTIMEB ビットで設定した時間が経過すると , 電源の起動シー ケンスが開始します。 設定時間の経過後 , 本ビットは自動的にクリアされます。 (注意事項)REDET=“0” と REON=“1” が同時に書き込まれた場合 , REDET=“0” の書込みは無視されます。REON=“1” によ る電源再投入を実行し , REDET ビットを “1” に設定します。 24 DS04–27266–2 MB39C316 ・電源状態通知 ( アドレス 05H) D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 Write 時 ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ Read 時 0 0 0 0 CUR_lim OTP RTC_OSC VCONT Default 0 0 0 0 0 0 0 0 bit[3] CUR_lim : ショート検知表示ビット CUR_lim ビット内容 0 ショート未検知 1 ショート検知 本ビットはショート検知信号を読み出します。 bit[2] OTP : OTP 状態表示ビット OTP ビット内容 0 過熱異常なし 1 過熱異常あり 本ビットは異常過熱信号を読み出します。 bit[1] RTC_OSC : RTC 発振状態表示ビット RTC_OSC ビット内容 0 発振停止 1 通常発振 本ビットは RTC クロックの発振状態を読み出します。 bit[0] VCONT : VCONT 状態表示ビット VCONT ビット内容 0 VCONT=L ( 電源停止 ) 1 VCONT=H ( 電源起動 ) 本ビットは VCONT の状態を読み出します。 ・汎用レジスタ ( アドレス 06H) D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 Write 時 GP7 GP6 GP5 GP4 GP3 GP2 GP1 GP0 Read 時 GP7 GP6 GP5 GP4 GP3 GP2 GP1 GP0 Default 0 0 0 0 0 0 0 0 bit[7:0] GP : 汎用レジスタ 本レジスタは汎用のレジスタで , ユーザが自由に使用できます。“0/1” の書込み , 読出しともに可能です。 本レジスタはソフトリセット制御 , パワーオンリセットで Default 値にリセットされます。 DS04–27266–2 25 MB39C316 ■ 保護機能 1. 過電流保護 OCP(Over Current Protection) 過負荷時の LDO, DC/DC コンバータの電流値を制限します。 出力電流が過剰になると , 過電流保護動作電流を超えないよう , 出力電圧が垂下します。 出力電圧が垂下し , 短絡保護検出電圧以下になると , LDO, DC/DC コンバータの出力は停止します。 推奨動作範囲 出力電圧 DC/DC コンバータ の場合 Vout (Max) Vout Vout (Min) LDO の場合 短絡保護 検出電圧 0 出力電流 過電流保護 動作電流 2. 出力短絡保護 SCP(Output Short Circuit Protection) いずれかの LDO, DC/DC コンバータの出力短絡 (GND ショート ) が 100 ms (Typ) 継続すると , LDO5 を除くすべての LDO, DC/DCコンバータの出力が停止します。出力短絡保護はパワーオンリセットにより解除され, VCC1端子が2.6 V(Typ) を超えると , 起動シーケンスに従って各 LDO, DC/DC コンバータの出力は復帰します。 3. 低入力時誤動作防止 UVLO (Under Voltage Lock Out) VCC1 端子が 2.1 V(Typ) より下がると , UVLO 保護機能により , LSI 内部はリセットされます ( パワーオンリセット )。 VCC1 端子が 2.2 V(Typ) を超えると , UVLO は解除されます。 4. 過熱保護 OTP (Over Temperature Protection) チップ温度が+ 150 °C(Typ) を超えると , LDO5 を除くすべての LDO, DC/DC コンバータの出力を停止します。チップ温 度が+ 120 °C (Typ) より下がると , OTP は解除され , 各 LDO, DC/DC コンバータの出力は自動復帰します。 26 DS04–27266–2 MB39C316 ■ 応用回路例 1. DC/DC3 コンバータを使用する場合 R1 3 kΩ MB39C316 C1 1 µF VCC1 R2 3 kΩ SCL SDA ONOFF VIN_RTC XRST1 C5 0.1µF C20 OSCIN XRST2 OSCOUT X1 32.768 kHz C21 RTC_CLK VCC_D LDOCNT1 SWOUT1 C2 1 µF VCC4 FB1 L1 2.2 µH DGND1 LDOOUT1 SWOUT2 FB2 LDOOUT4 DGND2 C8 1 µF VDD31 VDD32 SWOUT31 SWOUT32 SWIN31 SWIN32 DDOUT31 DDOUT32 FB3 DGND31 DGND32 VCC3 LDOOUT2 C9 2.2 µF VCC2 C4 1 µF LDOOUT3 C10 2.2 µF L2 2.2 µH C14 10 µF 直近に配置 C15 10 µF 直近に配置 C17 10 µF VDD2 C7 1 µF C3 1 µF C6 1 µF VDD1 LDOCNT2 C18 10 µF C16 10 µF 直近に配置 L3 2.2 µH C19 10 µF AGND V24IO C11 1 µF NC1 VFIL1 NC2 C12 0.47 µF NC3 VFIL2 NC4 GND1 DS04–27266–2 GND2 C13 0.47 µF 27 MB39C316 2. DC/DC3 コンバータを使用しない場合 VCC R1 3 kΩ MB39C316 C1 1 µF VCC1 R2 3 kΩ SCL SDA ONOFF VIN_RTC C5 0.1 µF C20 XRST1 OSCIN XRST2 OSCOUT X1 32.768 kHz C21 RTC_CLK VCC_D C6 1 µF LDOCNT1 VDD1 LDOCNT2 SWOUT1 C2 1 µF C7 1 µF VCC4 FB1 C3 1 µF L1 2.2 µH DGND1 LDOOUT1 LDOOUT4 DGND2 直近に配置 C17 10 µF VDD2 SWOUT2 FB2 C8 1 µF C14 10 µF C15 10 µF 直近に配置 L2 2.2 µH C18 10 µF VDD31 VDD32 SWOUT31 SWOUT32 SWIN31 SWIN32 DDOUT31 DDOUT32 FB3 DGND31 DGND32 VCC3 LDOOUT2 C9 2.2 µF VCC2 C4 1 µF LDOOUT3 C10 2.2 µF AGND V24IO C11 1 µF NC1 VFIL1 C12 0.47 µF NC2 NC3 VFIL2 NC4 GND1 28 GND2 C13 0.47 µF DS04–27266–2 MB39C316 ■ 部品表 回路記号 部品特性 パッケージ 用途 推奨部品 C1 1 µF セラミック 電源入力 ⎯ C2 1 µF セラミック 電源入力 ⎯ C3 1 µF セラミック 電源入力 ⎯ C4 1 µF セラミック 電源入力 ⎯ C5 0.1 µF セラミック 電源入力 ⎯ C6 1 µF セラミック 電源入力 ⎯ C7 1 µF (6.3 V), B 特 K 偏差 セラミック LDO1 出力コンデンサ GRM155B30J105K(murata) C8 1 µF (6.3 V), B 特 K 偏差 セラミック LDO4 出力コンデンサ GRM155B30J105K(murata) C9 2.2 µF (4.0 V), B 特 M 偏差 セラミック LDO2 出力コンデンサ GRM155B30G225M(murata) C10 2.2 µF (4.0 V), B 特 M 偏差 セラミック LDO3 出力コンデンサ GRM155B30G225M(murata) C11 1 µF (6.3 V), B 特 K 偏差 セラミック LDO5 出力コンデンサ GRM155B30J105K(murata) C12 0.47 µF (6.3 V), B 特 K 偏差 セラミック VFIL1 出力コンデンサ GRM155B30J474K(murata) C13 0.47 µF (6.3 V), B 特 K 偏差 セラミック VFIL2 出力コンデンサ GRM155B30J474K(murata) C14 10 µF (6.3 V), B 特 M 偏差 セラミック DC/DC1 コンバータ 入力コンデンサ GRM188B30J106M(murata) C15 10 µF (6.3 V), B 特 M 偏差 セラミック DC/DC2 コンバータ 入力コンデンサ GRM188B30J106M(murata) C16 10 µF (6.3 V), B 特 M 偏差 セラミック DC/DC3 コンバータ 入力コンデンサ GRM188B30J106M(murata) C17 10 µF (6.3 V), B 特 M 偏差 セラミック DC/DC1 コンバータ 出力コンデンサ GRM188B30J106M(murata) C18 10 µF (6.3 V), B 特 M 偏差 セラミック DC/DC2 コンバータ 出力コンデンサ GRM188B30J106M(murata) C19 10 µF (6.3 V), B 特 M 偏差 セラミック DC/DC3 コンバータ 出力コンデンサ GRM188B30J106M(murata) C20 ⎯ ⎯ RTC 部周波数調整 ⎯ C21 ⎯ ⎯ RTC 部周波数調整 ⎯ L1 2.2 µH 積層チップ DC/DC1 コンバータ コイル MIPSTZ2012D2R2(FDK) L2 2.2 µH 積層チップ DC/DC2 コンバータ コイル MIPSTZ2012D2R2(FDK) L3 2.2 µH 積層チップ DC/DC3 コンバータ コイル MIPSAZ3225D2R2(FDK) R1 3 kΩ ⎯ SCL プルアップ抵抗 ⎯ R2 3 kΩ ⎯ SDA プルアップ抵抗 ⎯ X1 32.768 kHz ⎯ ⎯ FC-12M( エプソントヨコム ) FDK :FDK 株式会社 エプソントヨコム :エプソントヨコム株式会社 murata :株式会社村田製作所 1. DC/DC コンバータの外付け部品について 1. DC/DC コンバータ電源と GND 端子間のコンデンサ (10 µF) は両端子の直近に接続してください。 2. コイルはインダクタンスの周波数特性 , 直流重畳特性に留意して選択してください。 3. コンデンサは , その容量の DC バイアス特性に留意して選択してください。 2. LDO の外付け部品について 1. LDO 出力と GND 端子間のコンデンサは両端子の直近に接続してください。 2. コンデンサは , その容量の DC バイアス , 交流特性に留意して選択してください。 DS04–27266–2 29 MB39C316 ■ 使用上の注意 1. 最大定格以上の条件に設定しないでください。 最大定格を超えて使用した場合 , LSI の永久破壊となることがあります。 また , 通常動作では , 推奨動作条件下で使用することが望ましく , この条件を超えて使用すると LSI の信頼性に悪影響 をおよぼすことがあります。 2. 推奨動作条件でご使用ください。 推奨動作条件は , LSI の正常な動作を保証する推奨値です。 電気的特性の規格値は , 推奨動作条件範囲内および各項目条件欄の条件下において保証されます。 3. プリント基板のアースラインは , 共通インピーダンスを考慮し設計してください。 4. 静電気対策を行ってください。 ・半導体を入れる容器は , 静電気対策を施した容器か , 導電性の容器をご使用ください。 ・実装後のプリント基板を保管運搬する場合は , 導電性の袋か , 容器に収納してください。 ・作業台 , 工具 , 測定機器は , アースを取ってください。 ・作業する人は , 人体とアースの間に 250 kΩ ∼ 1 MΩ の抵抗を直列に入れたアースをしてください。 5. 負電圧を印加しないでください。 − 0.3 V 以下の負電圧を印加した場合 , LSI の寄生トランジスタが動作し誤動作を起こすことがあります。 ■ オーダ型格 型格 パッケージ 備考 MB39C316PW-G-ERE1 WL-CSP ピン (WLP-49P-M01) 鉛フリー品 型格 EV ボード版数 備考 MB39C316EVB 1.0 ■ 評価ボードオーダ型格 ■ RoHS 指令に対応した品質管理 ( 鉛フリー品の場合 ) 富士通マイクロエレクトロニクスの LSI 製品は , RoHS 指令に対応し , 鉛・カドミウム・水銀・六価クロムと , 特定臭素系 難燃剤 PBB と PBDE の基準を遵守しています。この基準に適合している製品は , 型格に “E1” を付加して表します。 30 DS04–27266–2 MB39C316 ■ 製品ラベル ( 鉛フリー品の例 ) 鉛フリー表示 JEITA 規格 MB123456P - 789 - GE1 (3N) 1MB123456P-789-GE1 1000 (3N)2 1561190005 107210 JEDEC 規格 G Pb QC PASS PCS 1,000 MB123456P - 789 - GE1 2006/03/01 ASSEMBLED IN JAPAN MB123456P - 789 - GE1 1/1 0605 - Z01A 1000 1561190005 鉛フリー型格は末尾に「E1」あり。 DS04–27266–2 31 MB39C316 ■ 製品捺印 ( 鉛フリー品の場合 ) 39C316 XXXXXX E1 鉛フリー表示 INDEX 32 DS04–27266–2 MB39C316 ■ パッケージ・外形寸法図 プラスチック・WLP, 49 ピン リードピッチ 0.40 mm パッケージ幅× パッケージ長さ 3.14 mm × 3.11 mm リード形状 半田ボール 封止方法 印刷 取付け高さ 0.80 mm MAX 質量 0.0145 g (WLP-49P-M01) プラスチック・WLP, 49 ピン (WLP-49P-M01) 3.14 .124 +0.05 –0.10 +.002 –.004 2.40(.095) 0.40(.016) TYP Y 7 6 5 +0.05 2.40 (.095) 3.11 –0.10 +.002 .122 –.004 4 3 2 1 INDEX (LASER MARKING) 0.40(.016) TYP X 0.80(.031) Max Z C 0.06(.002) Z 3-ø0.13 (3-ø.005) G F E D 49-ø0.22±0.04 (49-ø.009±.002) C B 0.05(.002) A M XYZ 0.15±0.04 (.006±.002) 2008 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED W49001Sc-1-1 単位:mm (inches) 注意:括弧内の値は参考値です。 最新の外形寸法図については , 下記 URL にてご確認ください。 http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/ DS04–27266–2 33 MB39C316 ■ 目次 ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ ・ 34 ページ 概要 .......................................................................................................................... 1 機能概要 .................................................................................................................. 1 アプリケーション .................................................................................................. 1 端子配列図 .............................................................................................................. 2 端子機能説明 .......................................................................................................... 3 ブロックダイヤグラム .......................................................................................... 5 絶対最大定格 .......................................................................................................... 6 推奨動作条件 .......................................................................................................... 6 電気的特性 .............................................................................................................. 7 標準特性例 .............................................................................................................. 11 起動 / 停止制御機能 ............................................................................................... 15 32.768 kHz 出力 (CMOS 出力 ) .............................................................................. 18 I2C インタフェース ............................................................................................... 19 レジスタ .................................................................................................................. 21 保護機能 .................................................................................................................. 26 応用回路例 .............................................................................................................. 27 部品表 ...................................................................................................................... 29 使用上の注意 .......................................................................................................... 30 オーダ型格 .............................................................................................................. 30 評価ボードオーダ型格 .......................................................................................... 30 RoHS 指令に対応した品質管理 ( 鉛フリー品の場合 ) ...................................... 30 製品ラベル ( 鉛フリー品の例 ) ............................................................................. 31 製品捺印 ( 鉛フリー品の場合 ) ............................................................................. 32 パッケージ・外形寸法図 ...................................................................................... 33 DS04–27266–2 MB39C316 MEMO DS04–27266–2 35 MB39C316 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 〒 163-0722 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル http://jp.fujitsu.com/fml/ お問い合わせ先 富士通エレクトロニクス株式会社 〒 163-0731 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル http://jp.fujitsu.com/fei/ 電子デバイス製品に関するお問い合わせは , こちらまで , 0120-198-610 受付時間 : 平日 9 時∼ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます ) 携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。 ※電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。 本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , ご用命の際は営業部門にご確認ください。 本資料に記載された動作概要や応用回路例は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を保証するも のではありません。従いまして , これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの使用に起因する損害な どについては , 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された動作概要・回路図を含む技術情報は , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施 権の許諾を意味するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うもので はありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について , 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を 伴う用途(原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵 器システムにおけるミサイル発射制御をいう), ならびに極めて高い信頼性が要求される用途(海底中継器 , 宇宙衛星をいう)に使用されるよう設計・ 製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用 されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。 半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。 本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上 , 必要な手続き をおとりください。 本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。 編集 プロモーション推進部