直接贴装 DA1000™ LED CxxxDA1000-Sxx000 技术数据表 Cree 的直接贴装 DA1000 LED 是下一代的固态 LED 发射器，它将高效的氮化铟镓 (InGaN) 材料与 Cree 的专有器件技术和碳化 硅基板相结合，为常规照明市场提供了卓越的价值。DA1000 LED 是照明市场中辉度最高的产品，且只需要较低的正向电压，提供了 一个高辉度和高效率的解决方案。焊盘向下的设计使得可以采用共晶法直接贴片工艺，无需键合引线，并且由于热管理的改善而实现 卓越的性能。 特点 应用 • 直接贴装 LED 技术 • • 方形 LED 辐射通量性能 –– 飞机 –– –– 装饰照明 –– 任务照明 –– 室外照明 450 和 460 nm – 最小 485 mW 常规照明 • 高可靠性 - 共晶贴片 • 正向电压 (Vf) 低 - 350 mA 时为 3.15 V（典型值） • 最大直流正向电流 – 1000 mA • 白光 LED • 氮化铟镓 (InGaN) 结向下式设计，改善热管理 • 相机闪光灯 • 无需引线键合 • 投射显示 • 汽车 CxxxDA1000-Sxx000 芯片示意图 R3ES Rev A 技术数据表： CP 俯视图 仰视图 祼芯片横截面 DA1000 LED 1000 x 1000 μm 阳极 (+) 945 x 75 μm 间隙 75 μm 阴极 (-) 945 x 795 μm t = 335 μm 信息若有更改，恕不另行通知。 www.cree.com 1 最大额定值，TA = 25°C 注 1,2 & 3 CxxxDA1000-Sxx000 直流正向电流 1000 mA 峰值正向电流（1kHz，1/10 周期） 1250 mA LED 结温 150°C 反向电压 5V 工作温度范围 -40°C 至 +100°C 储存温度范围 -40°C 至 +100°C 典型电气/光学特征，TA = 25°C，If = 350 mA 注 2 正向电压 (Vf, V) 部件号 反向电流 [I(Vr=5V), μA] 半高全宽 (FWHM) (λD, nm) 最小 典型 最大 最大 典型 C450DA1000-Sxx000 2.7 3.15 3.5 2 20 C460DA1000-Sxx000 2.7 3.15 3.5 2 21 CxxxDA1000-Sxx000 机械规格 说明 尺寸 公差 P-N 结面积 (μm) 960 x 960 ±35 芯片底面积 (μm) 1000 x 1000 ±35 芯片顶面积 (μm) 630 x 630 ±45 芯片厚度 (μm) 335 ±25 金锡焊盘宽度 – 阳极 (μm) 75 ±15 金锡焊盘长度 – 阳极 (μm) 945 ±35 金锡焊盘宽度 – 阴极 (μm) 795 ±35 金锡焊盘长度 – 阴极 (μm) 945 ±35 75 ±15 3 ±0.5 焊盘间隙 (μm) 金锡焊盘厚度 (μm) 注： 1. 2. 3. 最大额定值取决于封装。上述额定值是用 Cree 3.45-mm x 3.45-mm SMT 封装 (采用硅胶封装和金锡金属自体贴片) 测定的。其他封装的额定值可能不同。应当在特定 封装中了解结温的特性，以确定限制值。组装加工温度不得超过 325°C (< 5 秒)。 当组装后的产品在电流为 350 mA 且在上面所示最大额定值以内条件下工作时，所有产品均符合所列电气和光学特征的最小和最大规格。电流越高，效率越低。提供的典 型值在制造商对大批量产品所期望的平均值范围内，仅供参考。所有测量均使用 T-1 ¾ 封装形式 (采用 Hysol OS4000 环氧树脂封装和金锡金属自体贴片) 的灯完成。 光学特征使用 “照度 E” 在积分球中测定。 最大正向电流由 LED 结点和环境之间的热阻决定。最终产品的设计方式必须能够将 LED 结点到环境的热阻减至最小，以优化产品的性能，这一点非常重要。 版权所有 © 2010 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是注册商标，DA 和 DA1000 是 Cree, Inc. 的商标。 2 CPR3ES Rev A 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected] CxxxDA1000-Sxx000 标准分档 LED 芯片被分类成所示的辐射通量和主波长分档。分类后的裸芯片板仅包含一个分档的芯片。分类后的裸芯片套件 (CxxxDA1000-Sxxxxx) 订单可用套件中包含的任何一个分档或所有分档 (CxxxDA1000-xxxxx) 交付。此处显示和规定的所有辐射通量和主波长值是在 If = 350 mA 条件下测定的。 辐射通量 (mW) C450DA1000-S48500 C450DA1000-0325 C450DA1000-0326 C450DA1000-0327 C450DA1000-0328 625 C450DA1000-0321 C450DA1000-0322 C450DA1000-0323 C450DA1000-0324 585 C450DA1000-0317 C450DA1000-0318 C450DA1000-0319 C450DA1000-0320 550 C450DA1000-0313 C450DA1000-0314 C450DA1000-0315 C450DA1000-0316 515 C450DA1000-0309 C450DA1000-0310 C450DA1000-0311 C450DA1000-0312 485 445 447.5 450 452.5 455 主波长 (nm) 辐射通量 (mW) C460DA1000-S48500 625 585 550 C460DA1000-0325 C460DA1000-0326 C460DA1000-0327 C460DA1000-0328 C460DA1000-0321 C460DA1000-0322 C460DA1000-0323 C460DA1000-0324 C460DA1000-0317 C460DA1000-0318 C460DA1000-0319 C460DA1000-0320 C460DA1000-0313 C460DA1000-0314 C460DA1000-0315 C460DA1000-0316 C460DA1000-0309 C460DA1000-0310 C460DA1000-0311 C460DA1000-0312 515 485 455 457.5 460 462.5 465 主波长 (nm) 注：上面的辐射通量值是 T-1¾ 封装的 5 mm 灯中所用裸芯片的代表性数据。 版权所有 © 2010 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是注册商标，DA 和 DA1000 是 Cree, Inc. 的商标。 3 CPR3ES Rev A 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected] 特征曲线 这些是 DA LED 产品的代表性测量值。对不同的辐射通量和主波长分档，实际的值将稍有不同。 版权所有 © 2010 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是注册商标，DA 和 DA1000 是 Cree, Inc. 的商标。 4 CPR3ES Rev A 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected] 辐射场型 这是 DA LED 产品的代表性辐射场型。每颗芯片的实际场型将稍有不同。 版权所有 © 2010 Cree, Inc. 保留所有权利。本文档中的信息若有更改，恕不另行通知。Cree 和 Cree 徽标是注册商标，DA 和 DA1000 是 Cree, Inc. 的商标。 5 CPR3ES Rev A 华刚国际贸易有限公司 香港沙田香港科学园 科技大道东 2 号 光电子中心 3 楼 301室 电话：+852 2424 8228 传真：+852 2422 2737 电邮：[email protected]