ハイブリッド型 ホールIC EWシリーズ EW-453 梱包は5,000個/巻のテ−ピングリール供給となります。 EW-453は、InSb高感度ホール素子と波形整形用ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したスイッチタイプホールICです。 高感度InSbホール素子を用いている為、デューディー比の良いTTLレベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます。 片極検知 電源電圧 ホール素子 低感度 出力形式 表面実装 2.5∼5.5Ｖ 常時駆動 Bop：10mT オープンコレクタ パッケージ 注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読みください。 ●磁電変換特性 VOUT S H マーク面 Bh L VSAT N N極 Brp 0 印加磁束の方向 Bop S極 磁束密度 ●絶対最大定格（Ta=25℃） 項 目 ●回路構成 記号 最小 最大 単位 圧 VCC −0.3 5.5 V 出 力 開 放 電 圧 VO(off) −0.3 VCC V 出 力 流 入 電 流 ISINK 0 15 mA −40 ＋125 ℃ 電 保 源 存 電 温 度 TSTG （＊） 1:VCC 3:OUT Amp. （＊） 100℃以上に関しましては使用電圧範囲を参照ください。 ●推奨動作条件 項 目 記号 最小 標準 最大 Hall Element 単位 電 源 電 圧 VCC 2.5 3 5.5 V 動 作 温 度 Topr −30 ＋25 ＋115 ℃ ●磁気特性及び電気的特性（Ta=25℃） 項 目 記号 測 定 条 件 最小 標準 最大 単位 10 20 mT 出 力 H → L 磁 束 密 度 Bop VCC =3V 出 力 L → H 磁 束 密 度 Brp VCC =3V 5 7.5 mT ヒ ス テリシ ス 幅 VCC =3V 1.5 2.5 mT Bh 出 力 飽 和 電 圧 VSAT VCC =3V,OUT''L'', ISINK =10mA 出 力 漏 れ 電 流 ILEAK VCC =3V,OUT''H'',VOUT =3V 電 源 電 流 ICC VCC =3V,OUT''H'' 0.4 V 1 μA 8 mA 1 ［mT］=10［Gauss］ 55 Amplifier Schmitt Trigger Output Stage 2:GND EW-453 •製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財産 等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。 •本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。 a ●外形寸法図（単位：ｍｍ） ●（参考）ランド形状（単位：mm） 0.6 0.90 0.15 φ0.3 Sensor center 0∼0.1 3.6 0.8 1.2 1 Sensor center 0.7 2.6 0.4 0.4 0.70 1.00 3 0.70 d 4.00 （0.65） 4.4±0.2 3.0 1.00 2 1.30 1.30 機能 端子番号 端子名称 電源 VCC 1 グラウンド GND 2 信号出力 OUT 3 注1）センサ中心はφ0.3mmの円内に位置します。 ●使用電圧範囲 注2）公差は特に定める以外は±0.1mmとします。 注3）センサ感磁部はマーキング面からの深さ0.7mm （typ.） に位置します。 h 8 注4）パッケージ側面の金属部分（吊りピン）は内部回路 に接続されていますので、外部回路や他の吊りピ ン等と接触させたりしないでください。 7 電源電圧［V］ 6 5 4 3 2 1 0 –40 –20 0 20 40 60 周囲温度［℃］ 80 20 20 VCC ＝3V 15 Bop 10 Brp 5 −20 0 20 40 60 周囲温度［℃］ Ta＝ 25℃ 動作磁束密度［mT］ 動作磁束密度［mT］ 120 ●動作磁束密度電源電圧依存性 ●動作磁束密度温度特性 0 −40 100 80 100 120 140 15 o Bop 10 p Brp 5 0 2 3 4 電源電圧［V］ 5 6 56 重要注意事項 ● 本書に記載された製品、および、製品の仕様につきましては、製品改善のために予告 なく変更することがあります。従いまして、ご使用を検討の際には、本書に掲載した 情報が最新のものであることを弊社営業担当、あるいは弊社特約店営業担当にご確認 ください。 ● 本書に記載された周辺回路、応用回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報は、 半導体製品の動作例、応用例を説明するものです。お客様の機器設計において本書に記 載された周辺回路、応用回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報を使用される 場合は、お客様の責任において行ってください。本書に記載された周辺回路、応用回路、 ソフトウェアおよびこれらに関連する情報の使用に起因してお客様または第三者に生 じた損害に対し、弊社はその責任を負うものではありません。また、当該使用に起因す る、工業所有権その他の第三者の所有する権利に対する侵害につきましても同様です。 ● 本書記載製品が、外国為替および、外国貿易管理法に定める戦略物資（役務を含む） に該当する場合、輸出する際に同法に基づく輸出許可が必要です。 ● 医療機器、安全装置、航空宇宙用機器、原子力制御用機器など、その装置・機器の故 障や動作不良が、直接または間接を問わず、生命、身体、財産等へ重大な損害を及ぼす ことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用さ れる場合は、必ず事前に弊社代表取締役の書面による同意をお取りください。 ● この同意書を得ずにこうした用途に弊社製品を使用された場合、弊社は、その使用か ら生ずる損害等の責任を一切負うものではありませんのでご了承ください。 ● お客様の転売等によりこの注意事項の存在を知らずに上記用途に弊社製品が使用され、 その使用から損害等が生じた場合は全てお客様にてご負担または補償して頂きますの でご了承下さい。 2013 年 2 月 1 日現在