ETC EW632

ハイブリッド型 ホールIC EWシリーズ
EW632
梱包は3000個/巻のテ−ピングリール供給となります。
EW632は、
InSb高感度ホール素子と波形整形用ICを独自のアセンブル技術を用いてハイブリッド化したものです。
高感度InSbホール素子を用いている為、
デューディー比の良いTTLレベルのデジタル信号を広い温度範囲に亘って得ることができます。
交番検知
電源電圧
ホール素子
高感度
出力形式
薄型表面実装
2.2∼18Ｖ
常時駆動
Bop：3mT
プルアップ抵抗付
パッケージ
注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読み下さい。
●磁電変換特性
Vout
S
マーク面
Vcc
H
Vd
1：Vcc
Bh
2：GND
3
1
Vsat
3：OUT
Bop
L
Brp
N
N極
S極
0
印加磁束の方向
磁束密度
●最大定格（Ta=25℃）
項 目
定 格
単 位
圧 Vcc
18（＊）
V
出 力 開 放 電 圧 Vo(off)
Vcc
V
出 力 流 入 電 流 Isink
12
mA
動 作 周 囲 温 度 Topr
−30 ∼ 115
℃
度 Tstg
−40 ∼ 125
℃
電
源
電
記号
●回路構成
1:Vcc
プルアップ抵抗
RL
3:OUT
保
存
温
Amp
2:GND
（＊）70℃以上に関しましては使用電圧範囲を参照下さい。
ホール素子
●電気的特性（Ta=25℃）
項 目
記号
測 定 条 件
動 作 電 圧 範 囲 VCC
出 力 H → L 磁 束 密 度 BOP
Vcc=12V
出力L→H磁束密度
Brp
Vcc=12V
ヒ ス テリシ ス 幅
Bh
Vcc=12V
最小
標準
最大
単位
2.2
12
18
V
3
6
mT
-6
-3
mT
6
mT
出 力 飽 和 電 圧 Vsat
Vcc=12V,OUT''L''
0.4
V
流
Icc
Vcc=12V,OUT''H''
8
mA
出力電圧降下
Vd
Vcc=12V,OUT''H''
20
mV
プ ル アップ 抵 抗
RL
14
kΩ
電
源
電
6
1［mT］=10［Gauss］
増幅回路
シュミットトリガ回路
出力トランジスタ
EW632
•製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、
自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財
産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。
•本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。
●外形寸法図（単位：ｍｍ）
●（参考）ランド形状（単位：mm）
1.0±0.1
0.75
0.95
0.95
3
0.3
1.00
2.60
0.0±0.05
1：Vcc
2：GND
3：OUT
5°
5°
0.70
f
1.00
1
0.3
5°
3.1±0.1
0.70
5°
0.48
φ0.3
Sensor Center
5°
0.3
0.70
0.11
5°
2.2±0.1
3.0±0.1
0.4
2
c
0.95
0.95
※注 センサの中心はφ0.3mmの
円内に位置します。
5°
5°
●使用電圧範囲
i
20
18
入力電圧［V］
16
14
12
10
8
6
4
2
0
–60
●動作磁束密度温度特性
–40
–20
0
20
40
60
周囲温度［℃］
80
100
6
Vcc＝12V
4
Ta ＝ 25℃
4
2
動作磁束密度［mT］
動作磁束密度［mT］
140
●動作磁束密度電源電圧依存性
6
Bop
0
−2
o
2
Bop
0
p
−2
Brp
q
Brp
−4
−4
−6
−60
120
−40 −20
0
20
40
60
周囲温度（℃）
80
100
120
140
−6
0
5
10
Vcc（V）
15
20