AKM AK8771

モノリシック型 ホールIC AKシリーズ
AK8771
梱包は5,000個/巻のテ−ピングとなります。
AK8771は、ホール素子と波形整形用ICが一体化されている超小型ラッチタイプホールICです。
パワーダウン機能により休止時の消費電流を大幅に低減できます。
交番検知
電源電圧
パワーダウン機能付
1.6∼5.5Ｖ
超高感度
出力形式
超小型SON
Bop：1.8mT
CMOS出力
パッケージ
注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読みください。
●概要
・高感度交番動作型ホールIC
・パワーダウン機能により、休止時の消費電流を大幅に削減
・超小型SONパッケージ：1.1×1.4×t0.37mm, ハロゲンフリー
●磁電変換特性
VOUT
H
VOH
S or N
マーク面
Bh
Package bottom
S極
N or S
L
VOL
0
Brp
Bop
N極
磁束密度
印加磁束の方向
●回路構成
1：VDD
3：PDN
項 目
Switch
OSC
能
発振回路です。
Timing Logic Chopper SW, AMP及び比較回路の為のタイミングを作ります。
Dynamic
Offset Cancellation
OSC Hall Chopper
&
Element SW
Timing Logic
機
4：OUT
Hall Element 磁場を感知するホール素子です。
ホール素子のオフセッ
Chopper SW ホール素子駆動切り替えスイッチです。
ト、
ノイズを軽減するため、
内部クロックでチョッピングします。
AMP
Schmitt
Trigger
Latch
Logic
Output
Stage
2：VSS
AMP
ホール素子の出力電圧を増幅します。
Schmitt
Trigger
シュミットトリガ回路です。増幅されたホール出力電圧と
閾値と比較します。
Latch Logic
出力を保持する回路です。
Output Stage 磁場検知結果を出力します。CMOS出力です。
13
AK8771
•製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財産
等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。
•本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。
c
●絶対最大定格
項 目
記号
最小
最大
単位
備考
電
源
電
圧
VDD
ー0.3
＋6.5
V
出
力
電
流
IOUT
ー0.5
＋0.5
mA
OUT端子
入
力
電
圧
VIN
ー0.3
VDD＋0.3＊
V
PDN端子
入
力
電
流
IIN
ー10
＋10
mA
PDN端子
保
存
温
度
TSTG
ー55
＋125
℃
＊）上限は＋6.5Vです。
注）絶対最大定格を超えて使用した場合、ICを破壊するおそれがあります。
●推奨動作条件
項 目
記号
最小
標準
最大
単位
3.0
5.5
V
＋85
℃
電
源
電
圧
VDD
1.6
動
作
温
度
Ta
ー30
g
●電気的特性（Ta=25℃ VDD =3.0V）
項 目
記号
消 費 電 流 1
IDD1
消 費 電 流 2
IDD2
標準
最小
2.5
PDN入力電流
IIN
ー1
PDN入力H電圧
VIH
0.7VDD
PDN入力L電圧
VIL
出力High電圧
VOH
最大
単位
備考
1
μA
PDN=0V（パワーダウン）
6
mA
PDN=3V（動作時）
1
μA
V
0.3
VDDー0.4
V
V
IOUT =ー0.5mA
出力Low電圧
VOL
0.4
V
IOUT =＋0.5mA
遷 移 時 間 1
TPD1
100
μs
動作→PDN
遷 移 時 間 2
TPD2
100
μs
PDN→動作
k
●磁気特性①（Ta=25℃ VDD =3.0V）
項 目
記号
動作磁束密度
Bop
復帰磁束密度
Brp
ヒ ス テリシ ス 幅
Bh
最小
標準
最大
単位
1.8
4.0
mT
ー4.0
ー1.8
mT
3.6
mT
n
●磁気特性②（Ta=−30∼＋85℃ VDD =1.6∼5.5V）
項 目
記号
動作磁束密度
Bop
復帰磁束密度
Brp
ヒ ス テリシ ス 幅
Bh
最小
ー4.2
標準
最大
単位
1.8
4.2
mT
ー1.8
mT
3.6
mT
o
p
注）
「磁気特性②」に示す項目は、設計目標値です。
14
AK8771
●外形寸法図（単位：ｍｍ）
●（参考）ランド形状（単位：ｍｍ）
0.80
CMOS入力。Lでパワーダウン。
パワーダウン機能を使わない場合
には、VDD端子に接続。
CMOS出力
●推奨動作回路
B［mT］
N
Bop
0
Brp
S
VPDN［V］
VDD =3.0V
t
CMOS出力
VDD
0.1μF
0
OUT
AK8771
t
TPD2（＜100μs）
VOUT［V］
VSS
TPD2（＜100μs）
PDN
Undefined
t
TPD1（＜100μs）
0
TPD1（＜100μs）
t
動作タイミング図
注1：パワーダウン時、出力データは保持されます。
注2：電源投入直後、VDD端子の電圧が1.6Vを超えてから、
PDN端子の制御によって出力が確定するまでの時間は、TPD2 と
同じです。
15
0.50
備考
●動作タイミング
IDD［mA］
GND
CMOS入力
1.70
0.60
0.22
1.00
0.35
0.22
※注1）センサ中心はφ0.3mmの円内に位置します。
注2）公差は特に定める以外は±0.05mmとします。
注3）ハッチング部は端子のメッキエリアを示します。
注4）端子裏側中心部（TAB）はオープンもしくはVSSと
接続してください。
(0.23)
機能
端子番号 端子名称
1
VDD プラス電源端子
2
VSS グラウンド端子
3
PDN PDN端子
H:Device active
L:Device power down
4
OUT 出力端子
1.40
0.60
1.40
(0.125)
0.37
Sensor Center
0
0.80
0.50
0.20
1.10
AK8771
●標準温度特性（参考）
4
4
Bop
Brp
3
2
Bop, Brp［mT］
Bop, Brp［mT］
2
1
0
-1
-1
-3
-3
0
10
20
30
40
50
60
4
70
80
-4
-30 -20 -10
90
20
30
40
50
60
70
80
90
Bop
Brp
2
Bop, Brp［mT］
1
0
-1
0
-1
-2
-3
-3
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-4
-30 -20 -10
90
Ambient Temperature Ta
［℃］
Bop, Brp vs. Ta(VDD=2.0V)
5
0
5
VDD =5.5V
VDD =3.0V
VDD =2.0V
VDD =1.6V
3
2
1
10
20
30
40
50
60
70
Ambient Temperature Ta
［℃］
Bop, Brp vs. Ta(VDD=5.5V)
80
90
-30℃
k
0℃
4
［mA］
IDD2
4
g
1
-2
0
-30 -20 -10
10
Ambient Temperature Ta
［℃］
Bop, Brp vs. Ta(VDD =3.0V)
3
2
-4
-30 -20 -10
0
4
Bop
Brp
3
Bop, Brp［mT］
0
-2
Ambient Temperature Ta
［℃］
Bop, Brp vs. Ta(VDD =1.6V)
IDD2
［mA］
1
-2
-4
-30 -20 -10
c
Bop
Brp
3
25℃
85℃
3
2
1
0
10
20
30
40
50
60
Ambient Temperature Ta
［℃］
IDD2 vs. Ta(in various VDD)
70
80
90
0
1
2
3
4
VDD［V］
IDD2 vs.VDD Ta(in various Ta)
5
6
n
o
p
16
重要注意事項
●
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なく変更することがあります。従いまして、ご使用を検討の際には、本書に掲載した
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でご了承下さい。
2013 年 2 月 1 日現在