MOS P6FE25VX5K

6.6
2.65
④
品名略号
Type No.
6E255
9.5
00
00
2.3
2.3
① ② ③
管理番号
(例)
Control No.
ロット記号
(例)
Date code
①:G
②:D
③:S
④:D
(2015.12)
出力特性
ドレイン・ソース間オン抵抗 −ドレイン電流
Typical Output Characteristics
Typical Output Characteristics
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
TC=25℃ Pulse measurement
TYP
10
VDS=20V
10 TYP
VGS=10V
8V
8
6
VGS=6V
4
2
2
4
6
8
10
12
14
4
TC=150℃
100℃
25℃
−55℃
2
4
6
10
Gate Threshold Voltage vs Case Temperature
5
Gate Threshold Voltage VTH〔V〕
Pulse measurement
4
3.5
VGS=10V
TYP
0.1
−55
0
100
50
2.5
2
−55
150
Case Temperature Tc〔℃〕
3
VDS=10V
ID=1mA
TYP
0
100
50
Case Temperature Tc〔℃〕
キャパシタンス特性
Transient Thermal Impedance
Capacitance Characteristics
Capacitance Ciss Coss Crss〔pF〕
0.1
0.01
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
100
Time t〔s〕
Ci
s
s
10
Crs
s
50
1
1012
Drain Current ID〔A〕
24
18
12
10
6
10μs
100μs
RDS(ON)Limited
(at VGS=10V)
1
1ms
Power Dissipation
Limited
0.1
10ms
Tc=25℃
Single pulse
0.
01
0.
1
DC
1
10
250
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
100
100
80
Cos
s
1
0
101
0.1
0.1
Power Derating - Case Temperature
Tc=25℃
f=1MHz
TYP
100
1
VGS=10V
Tc=25℃
TYP
全損失減少率 −ケース温度
1000
10
150
1
50
Drain Current ID〔A〕
ID=3A
Pulse measurement
Safe Operating Area
4.5
1
10
安全動作領域
Pulse measurement
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance θjc〔℃/W〕
8
Gate・Source Voltage VGS〔V〕
ゲートしきい値電圧 −ケース温度
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature
Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON)〔Ω〕
6
0
0
16
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
ドレイン・ソース間オン抵抗 −ケース温度
5
8
2
VGS=5V
0
0
Pulse measurement
Power Derating〔%〕
Drain Current ID〔A〕
12
Drain Current ID〔A〕
12
Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON)〔Ω〕
出力特性
60
40
20
150
200
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
0
0
250
25
50
75
100
125
Case Temperature Tc〔℃〕
150
ゲートチャージ特性
単発アバランシェエネルギー減少率−チャネル温度
単発アバランシェ電流 −インダクタンス
Gate Charge Characteristics
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
Single Avalanche Current vs Inductive Load
16
VGS
VDD=200V
100V
50V
150
12
100
8
50
4
0
0
2
4
6
8
10
12
14
Total Gate Charge Qg〔nC〕
0
16
100
80
60
40
20
0
0
10
Single Avalanche Current IAS〔 A〕
VDS
20
Gate・Source Voltage VGS〔V〕
200
ID=6A
TYP
Single Avalanche Energy Derating〔%〕
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
250
50
100
Starting Channel Temperature Tch〔℃〕
150
IAS=6A
EAS=30mJ
EAR=3mJ
1
VDD=100V
VGS=15V, −0V
Rg=65Ω
0.1
0.01
0.1
1
10
Inductance L〔mH〕
100
7_P6FE25VX5K_ 特
(2015.12)
ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の
製品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器(車載、船舶等)、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
検討下さい。
4. 本資料に記載されている内容は、製品改良などのためお断りなしに変更することがありますのでご了承下さ
い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。
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Computers, office automation and other office equipment, communication terminals, test and
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【Special applications】
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control systems, anti-disaster/crime systems, safety equipment, medical equipment, etc.
【Specific applications】
Nuclear reactor control systems, aircraft, aerospace equipment, submarine repeaters, life support
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