PowerMOSFET ■外観図 F6B52HP OUTLI NE Package：FB t ：mm Uni 525V6A 2.3 6.6 特 長 煙低オン抵抗 煙面実装タイプ 品名略号 Type No. ④ F6B52H （例） ロット記号 Date code 煙LowRON 煙SMDPackage ① ② 10 000A00 Feat ur e ③ 外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。 捺印表示については捺 印仕様をご確認下さい。 Fordet ai l soft heout l i nedi mens i ons ,r ef ert o ourweb s i t e.Asf ort he mar ki ng,r ef ert ot hes peci f i cat i on" Mar ki ng,Ter mi nalConnect i on" . ■定格表 RATI NGS ●絶対最大定格 項 Abs ol ut eMaxi mum Rat i ngs （指定のない場合 記号 Sy mbol 目 I t em 保存温度 St or a geT e mpe r a t ur e チャネル温度 Cha nne l T e mpe r a t ur e ドレイン・ソース間電圧 Dr a i nSour c eV ol t a ge ゲート・ソース間電圧 Dr a i nSour c eV ol t a ge ドレイン電流（直流） Cont i nuousDr a i nCur r e nt( DC) ドレイン電流（ピーク） Cont i nuousDr a i nCur r e nt( Pe a k ) ソース電流（直流） Cont i nuousSour c eCur r e nt( DC) 全損失 T ot a l Powe rDi s s i pa t i on 繰り返しアバランシェ電流 Re pe t i t i v eAv a l a nc heCur r e nt 単発アバランシェエネルギー Si ngl eAv a l a nc heEne r gy 繰り返しアバランシェエネルギー Re pe t i t i v eAv a l a nc heEne r gy ドレインソース間ダイオード Dr a i nSour c eDi ode ●電気的・熱的特性 項 ドレイン・ソース間降伏電圧 Dr a i nSour c eBr e a k downV ol t a ge ドレイン遮断電流 Ze r oGa t eV ol t a geDr a i nCur r e nt ゲート漏れ電流 Ga t e Sour c eLe a k a geCur r e nt 順伝達コンダクタンス F or wa r dT r a ns c onduc t a nc e ドレイン・ソース間オン抵抗 St at i cDr ai nSour ceOns t at eRes i s t ance ゲートしきい値電圧 Ga t eThr e s s hol dV ol t a ge ソース・ドレイン間ダイオード順電圧 Sour c e Dr a i nDi odeF or wa deV ol t a ge 熱抵抗 The r ma l Re s i s t a nc e ゲート全電荷量 T ot a l Ga t eCha r ge 入力容量 I nputCa pa c i t a nc e 帰還容量 Re v e r s eT r a ns f e rCa pa c i t a nc e 出力容量 Out putCa pa c i t a nc e ターンオン遅延時間 T ur nonde l a yt i me 上昇時間 Ri s et i me ターンオフ遅延時間 T ur nof fde l a yt i me 下降時間 F a l l t i me 07〉） （MOSFET 〈2010. 条 件 Condi t i ons 規格値 Rat i ngs 単位 Uni t Ts t g －5 5～1 5 0 Tc h 1 5 0 VDSS 5 2 5 VGSS ±3 0 I DP パルス幅 1 0 μs , dut y=1 / 1 0 0 Pul s ewi dt h10µs ,dut y=1/ 100 V 2 4 I S A 6 PT I AR Tc h＝1 5 0 ℃ EAS Tc =Tc hからのスターティング温度 Tc h=2 5 ℃ St a r t i ngt e mpe r a t ur eT c h=T c ,T c h=25˚ C Tc =Tc hからのスターティング温度 Tc h=2 5 ℃ St a r t i ngt e mpe r a t ur eT c h=T c ,T c h=25˚ C EAR ℃ 6 I D 記号 Sy mbol 1 5 W 6 A 5 0 mJ 5 di / dt I A, Tc＝2 5 ℃ S＝ 6 3 5 0 El ect r i calChar act er i s t i cs （指定のない場合 目 I t em Tc＝2 5 ℃/Unl e s so t he r wi s es pe c i f i e d） A/ μs Tc＝ 2 5 ℃/Unl e s so t he r wi s es pe c i f i e d） 条 件 Condi t i ons V mA, VGS＝0 V （BR） DSS I D＝1 規格値 Rat i ngs MI N TYP MAX 単位 Uni t 5 2 5 ─ ─ I DSS VDS＝ 5 2 5 V, VGS＝0 V ─ ─ 1 0 0 I GSS VGS＝ ±2 5 V, VDS＝0 V ─ ─ ±1 0 gf s I A, VDS＝1 0 V D＝ 3 2 6 ─ S Ω R A, VGS＝1 0 V （DS） ON I D＝ 3 V μA ─ 1 . 0 1 . 2 VTH I mA, VDS＝1 0 V D＝1 3 . 0 3 . 7 5 4 . 5 VSD I A, VGS＝0 V S＝3 ─ ─ 1 . 5 θj c 接合部・ケース間 J unc t i ont oc a s e ─ ─ 8 . 3 3 ℃/ W Qg VDD＝4 0 0 V, VGS＝1 0 V, I A D＝6 ─ 1 0 Ci s s ─ 5 8 0 ─ Cr s s VDS＝ 3 5 V, VGS＝0 V, f ＝1 MHz ─ 4 ─ ─ Co s s ─ 6 5 ─ t d （o n） ─ 1 5 ─ t r ─ 1 0 ─ ─ 4 0 ─ ─ 1 5 ─ I A, RL＝5 0 Ω, D＝3 5 0 V, VDD＝1 t d （o f f ） 0 V, VGS V VGS （＋）＝ 1 （－）＝0 t f www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / V nC pF ns F6B52HP ■特性図 CHARACTERI STI C DI AGRAMS 伝達特性 ドレイン・ソース間オン抵抗─ドレイン電流 Typical Output Characteristics Transfer Characteristics Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current VＧS ＧS=１ ０Ｖ ８Ｖ １０ Drain Current ID〔A〕 １２ VＧS ＧS=６ =６Ｖ １０ Drain Current ID〔A〕 １２ ８ ６ ４ VＧS ＧS=５ =５Ｖ ２ ０ ０ １０ １５ １５０℃ １００℃ ８ ６ ４ VDS=20V TYP ２ Tc=25℃ Pulse measurement TYP ５ Ｔｃ=−５５℃ ２５℃ ２０ Pulse measurement ０ ０ ２５ Drain Source Voltage VDS〔V〕 ５ １５ １０ ２０ Gate Source Voltage VGS〔V〕 ゲートしきい値電圧─ケース温度 Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature Gate Threshold Voltage vs Case Temperature ５ ２ ID=３ =３A １ ０． ５ ０． ２ ０． １ −５５ ６ Pulse measurement VGS＝１０V TYP ０ ５０ １００ ４ ３ ２ １ VDS＝１０V ID=１mA TYP −５５ ０ VGS＝１０V Tc＝２５℃ TYP Pulse measurement １０ ５ ２ １ ０． ５ ０． ２ ０． １ ０． １ ０． ２ ０． ５ １ ２ Drain Current ID〔A〕 ２４ １８ １２ ５０ １００ Case Temperature Tc〔℃〕 １５０ 10μs ６ 100μs １ RDS（on） on） Restricted space 200μs 1ms ０． １ 10ms DC Tc＝２５℃ Single pulse ０． ０１ １ １０ １００ Drain Source Voltage VDS〔V〕 全損失減少率─ケース温度 Capacitance Characteristics Power Derating - Case Temperature １０００ ０.１ ０.０１ ０.００１ -５ １０ １０-４ １０-３ １０-２ １０-１ Time t〔s〕 １００ １００ Power Derating〔%〕 １ ８０ Ｃｉ ｓ ｓ Ｃoｓ ｓ １０ １０１ ４０ ６０ ８０ Drain Source Voltage VDS〔Ｖ〕 単発アバランシェ電流 ─インダクタンス Gate Charge Characteristics Single Avalanche Current vs Inductive Load VDS ３００ Gate Source Voltage VGS〔V〕 ２０ １５ VDD=４ =４００Ｖ ２００Ｖ １００Ｖ VＧS ＧS １０ ２００ ５ １００ ０ ０ ５ １０ １５ Total Gate Charge Qg〔nC〕 ０ ２０ ５０ Single Avalanche Current IAS〔A〕 Drain Source Voltage VDS〔V〕 ４００ ID=６A TYP １０ ６ ４０ ０ ０ １００ ゲートチャージ特性 ５００ ６０ ２０ Ｃrｓ ｓ f＝１MHz Tc＝２５℃ TYP １ ０ ２０ ２５ ５０ ７５ １００ １２５ Case Temperature Tc〔℃〕 １５０ 単発アバランシェエネルギー減少率─チャネル温度 VDD＝１００V VGS＝１５V,−０V Rg＝１００Ω IAS＝６A EAR＝５mJ ５mJ EAS＝５０mJ １ ０． １ Inductance L〔mH〕 Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature １００ Single Avalanche Energy Derating〔%〕 θjc θjc ５２５ １００ ５０００ Capacitance Ｃiss Coss Crss〔pF〕 Trancient Thermal Impedance θjc 〔℃/W〕 キャパシタンス特性 Transient Thermal Impedance １０ １０１２ ５０ 過渡熱抵抗 １００ ５ Safe Operating Area Pulse measurement ５ ０ １５０ Case Ｔemperature Tc〔℃〕 ２０ 安全動作領域 Drain Current ID〔A〕 １０ Gate Threshold Voltage ＶTH〔Ｖ〕 Static Drain-Source On-state Resistance RDS（ON）〔Ω〕 ドレイン・ソース間オン抵抗─ケース温度 Static Drain-Source On-state Resistance RDS（ON）〔Ω〕 出力特性 ８０ ６０ ４０ ２０ ０ ０ ５０ １００ １５０ Starting Channel Temperature Tch〔 ℃〕 ＊Si newa veは5 0 Hzで測定しています。 ＊50Hzs i newav ei sus edf ormeas ur ement s . www. s hi ndengen. c o. j p/ pr oduc t / s emi / 07〉） （MOSFET 〈2010.