MOS P66F7R5SN

4.5
10.0
ロット記号
(例)
Date code
品名略号
Type No.
15.0
(例)
管理番号
Control No.
0000
66F7RSN
13.5
3.45
①: G
②:D
③: S
2.54
2.54
①②③
伝達特性
ドレイン・ソース間オン抵抗 −ドレイン電流
Typical Output Characteristics
Transfer Characteristics
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
132
132
TC=25℃
120 TYP
VGS=10V
120
VGS=8V
VGS=6V
VGS=5V
80
60
40
Pulse measurement
60
40
Tc=150℃
Tc=100℃
Tc=25℃
Tc= −55℃
0.2
0.4
0.6
0.8
0
0
1
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
1
2
3
4
5
6
7
8
Gate・Source Voltage VGS〔V〕
ゲートしきい値電圧 −ケース温度
ドレイン・ソース間オン抵抗 −ケース温度
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature
4.5
Gate Threshold Voltage VTH〔V〕
Pulse measurement
Gate Threshold Voltage vs Case Temperature
Pulse measurement
ID=33A
1
0.5
−55
VGS=10V
TYP
0
100
50
3
2.5
2
1.5
0
VGS=10V
Tc=25℃
TYP
1
1
10
500
100
50
RDS(ON)Limited
10 (at VGS=10V)
100μs
Power Dissipation
Limited
1
1ms
10ms
Tc=25℃
Single pulse
0.
1
0.
1
150
Case Temperature Tc〔℃〕
10μs
1
10
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
キャパシタンス特性
全損失減少率 −ケース温度
Transient Thermal Impedance
Capacitance Characteristics
Power Derating - Case Temperature
Ci
s
s
Capacitance Ciss Coss Crss〔pF〕
θjc
1
1000
0.1
0.01
10-2
10-1
100
101
Time t〔s〕
102
20
Gate・Source Voltage VGS〔V〕
VDS
VGS
VDD= 60V
30V
40
10
30
20
10
0
0
ID=66A
TYP
50
20
Tc=25℃
f=1MHz
TYP
10
20
30
40
40
50
60
7075
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
0
0
25
50
75
100
125
Case Temperature Tc〔℃〕
150
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
70
50
Crs
s
60
単発アバランシェエネルギー減少率−チャネル温度
Gate Charge Characteristics
60
Cos
s
100
0
103
ゲートチャージ特性
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
80
Power Derating〔%〕
θja
10
0.001
10-5 10-4 10-3
75
DC
100
10000
アルミ板:37.5mm×37.5mm
アルミ厚:3mm
100
150
Total Gate Charge Qg〔nC〕
0
200
100
Single Avalanche Energy Derating〔 %〕
Transient Thermal Impedance θja, θjc〔℃/W〕
過渡熱抵抗
100
100132
Drain Current ID〔A〕
Safe Operating Area
VDS=10V
ID=1mA
TYP
1
−55
150
Case Temperature Tc〔℃〕
Pulse measurement
264
198
132
100
66
4
3.5
10
10
安全動作領域
Drain Current ID〔A〕
0
0
Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON)〔mΩ〕
80
20
20
50
VDS=10V
TYP
100
Drain Current ID〔A〕
Drain Current ID〔A〕
100
Pulse measurement
Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON)〔mΩ〕
出力特性
80
60
40
20
0
0
50
100
Starting Channel Temperature Tch〔℃〕
150
02_P66F7R5SN_ 特
ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の
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【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器(車載、船舶等)、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
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設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
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【Special applications】
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【Specific applications】
Nuclear reactor control systems, aircraft, aerospace equipment, submarine repeaters, life support
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