MOS P13LA10EL

PowerMOSFET
■外観図
P13LA10EL
OUTLI
NE
Package:LA
100V13A
品名略号
Type No.
特 長
ロット記号(例)
Date code
煙薄型 SMD
煙4.
5V駆動
煙低オン抵抗
煙低容量
t
:mm
Uni
1.0
⑤
⑧
⑤
⑧
6.0
Nch
13A10EL
000000
①
④
④
1.27
①
Feat
ur
e
煙Thi
nPackage
5VGat
eDr
i
v
e
煙4.
煙LowRON
煙LowCapaci
t
ance
①②③ : S
:G
④
⑤⑥⑦⑧ : D
4.9
外形図については新電元 We
bサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
Fordet
ai
l
soft
heout
l
i
nedi
mens
i
ons
,r
ef
ert
oourweb s
i
t
e.Asf
ort
he
mar
ki
ng,r
ef
ert
ot
hes
peci
f
i
cat
i
on"
Mar
ki
ng,T
er
mi
nalConnect
i
on"
.
■定格表
RATI
NGS
●絶対最大定格
項
Abs
ol
ut
eMaxi
mum Rat
i
ngs
(指定のない場合
目
I
t
em
記号
Sy
mbol
保存温度
St
o
r
a
g
eT
e
mp
e
r
a
t
u
r
e
チャネル温度
Ch
a
n
n
e
l
T
e
mp
e
r
a
t
u
r
e
ドレイン・ソース間電圧
Dr
a
i
n
So
u
r
c
eV
o
l
t
a
g
e
ゲート・ソース間電圧
Ga
t
eSo
u
r
c
eV
o
l
t
a
g
e
ドレイン電流(直流)
Co
n
t
i
n
u
o
u
sDr
a
i
nCu
r
r
e
n
t(
DC)
ドレイン電流(ピーク)
Co
n
t
i
n
u
o
u
sDr
a
i
nCu
r
r
e
n
t(
Pe
a
k
)
全損失
T
o
t
a
l
Po
we
rDi
s
s
i
p
a
t
i
o
n
単発アバランシェ電流
Si
n
g
l
eAv
a
l
a
n
c
h
eCu
r
r
e
n
t
単発アバランシェエネルギー
Si
n
g
l
eAv
a
l
a
n
c
h
eEn
e
r
g
y
●電気的・熱的特性
項
ドレイン・ソース間降伏電圧
Dr
a
i
n
So
u
r
c
eBr
e
a
k
d
o
wnV
o
l
t
a
g
e
ドレイン遮断電流
Ze
r
oGa
t
eV
o
l
t
a
g
eDr
a
i
nCu
r
r
e
n
t
ゲート漏れ電流
Ga
t
e
So
u
r
c
eL
e
a
k
a
g
eCu
r
r
e
n
t
順伝達コンダクタンス
F
o
r
wa
r
dT
r
a
n
s
c
o
n
d
u
c
t
a
n
c
e
記号
Sy
mbol
V
(BR)
DSS
I
DSS
I
GSS
gf
s
R
ゲートしきい値電圧
Ga
t
eT
h
r
e
s
h
o
l
dV
o
l
t
a
g
e
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
So
u
r
c
e
Dr
a
i
nDi
o
d
eF
o
r
wa
r
dV
o
l
t
a
g
e
熱抵抗
T
h
e
r
ma
l
Re
s
i
s
t
a
n
c
e
ゲート全電荷量
T
o
t
a
l
Ga
t
eCh
a
r
g
e
ゲート・ソース電荷量
Ga
t
et
oSo
u
r
c
eCh
a
r
g
e
ゲート・ドレイン電荷量
Ga
t
et
oDr
a
i
nCh
a
r
g
e
入力容量
I
n
p
u
tCa
p
a
c
i
t
a
n
c
e
帰還容量
Re
v
e
r
s
eT
r
a
n
s
f
e
rCa
p
a
c
i
t
a
n
c
e
出力容量
Ou
t
p
u
tCa
p
a
c
i
t
a
n
c
e
ターンオン遅延時間
T
u
r
n
o
nd
e
l
a
yt
i
me
上昇時間
Ri
s
et
i
me
ターンオフ遅延時間
T
u
r
n
o
f
f
d
e
l
a
yt
i
me
降下時間
F
a
l
l
t
i
me
ダイオード逆回復時間
Di
o
d
eRe
v
e
r
s
eRe
c
o
v
e
r
yT
i
me
ダイオード逆回復電荷量
Di
o
d
eRe
v
e
r
s
eRe
c
o
v
e
r
yCh
a
r
g
e
規格値
Rat
i
ngs
Ts
t
g
Tc
h
VDSS
VGSS
I
D
パルス幅 1
0
μs
,
d
u
t
y=1
/
1
0
0
I
DP
Pu
l
s
ewi
d
t
h1
0µ
s
,
d
u
t
y=1
/
1
0
0
PT
I
St
a
r
t
i
ngTc
h=2
5
℃,
Tc
h≦1
5
0
℃
AS
EAS St
a
r
t
i
ngTc
h=2
5
℃,
Tc
h≦1
5
0
℃
ドレイン・ソース間オン抵抗
ON
St
a
t
i
cDr
a
i
n
So
u
r
c
eOn
s
t
a
t
eRe
s
i
s
t
a
n
c
e (DS)
p
(MOS〈2014.03〉)
条 件
Condi
t
i
ons
El
ect
r
i
calChar
act
er
i
s
t
i
cs
(指定のない場合
目
I
t
em
Ta=2
5
℃/
unl
e
s
so
t
he
r
wi
s
es
pe
c
i
f
i
e
d)
VTH
VSD
θj
a
Qg
Qgs
Qgd
Ci
s
s
Cr
s
s
Co
s
s
t
d
(o
n)
t
r
t
d
(o
f
f
)
t
f
t
r
r
Qr
r
-5
5~1
5
0
1
5
0
1
0
0
±2
0
1
3
5
2
1
.
7
1
3
2
3
単位
Uni
t
℃
V
A
W
A
mJ
Ta=2
5
℃/
unl
e
s
so
t
he
r
wi
s
es
pe
c
i
f
i
e
d)
条 件
Condi
t
i
ons
I
mA,
VGS=0
V
D=1
VDS=1
0
0
V,
VGS=0
V
VGS=±2
0
V,
VDS=0
V
I
.
5
A,
VDS=1
0
V
D=6
I
.
5
A,
VGS=1
0
V
D=6
I
.
5
A,
VGS=4
.
5
V
D=6
I
mA,
VDS=1
0
V
D=1
I
3
A,
VGS=0
V
S=1
接合部・周囲間
J
u
n
c
t
i
o
nt
oa
mb
i
e
n
t
VDD=8
0
V,
VGS=1
0
V,
I
3
A
D=1
VDS=25
V,
VGS=0
V,
f
=1
MHz
I
.
5
A,
RL=7
.
7Ω,
VDD=5
0
V,
Rg=0Ω,
D=6
=1
0
V,
VGS
V
VGS
(+)
(-)=0
I
3
A,
VGS=0
V,
di
/
dt
=1
0
0
A/
μs
F=1
www.
s
hi
ndengen.
c
o.
j
p/
pr
oduc
t
/
s
emi
/
規格値 Rat
i
ngs
MI
N TYP MAX
1
0
0
─
─
1
2
─
─
1
.
5
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
単位
Uni
t
─
─
V
─
1
μA
─
±0
.
1
2
4
─
S
1
6
.
0 2
0
.
0
mΩ
1
7
.
5 2
3
.
4
2
.
0
2
.
5
V
─
1
.
5
─
7
3 ℃/
W
5
7
─
8
.
5
─
nC
1
5
─
2
9
5
0 ─
1
2
0
─
pF
2
5
0
─
8
.
5
─
7
.
0
─
ns
2
4
.
0
─
3
.
5
─
6
0
─
ns
1
4
0
─
nC
P13LA10EL
■特性図 CHARACTERI
STI
C DI
AGRAMS
出力特性
伝達特性
ドレイン・ソース間オン抵抗 −ドレイン電流
Typical Output Characteristics
Transfer Characteristics
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
15
10
5
0
0
Pulse measurement
0.1
0.2
0.3
0.4
15
Ta=150℃
Ta=100℃
Ta=25℃
Ta= −55℃
10
5
0
0
0.5
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
20
Pulse measurement
1
2
3
4
5
Gate・Source Voltage VGS〔V〕
ドレイン・ソース間オン抵抗 −周囲温度
ゲートしきい値電圧 −周囲温度
Static Drain-Source On-state Resistance vs Ambient Temperature
Gate Threshold Voltage vs Ambient Temperature
ID=6.5A
10
5
−55
Pulse measurement
0
100
50
3.5
150
Ambient Temperature Ta〔℃〕
VDS=10V
ID=1mA
TYP
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
−55
Pulse measurement
0
VGS=10V
Ta=25℃
TYP
10
5
1
Pulse measurement
10
26
Drain Current ID〔A〕
安全動作領域
Safe Operating Area
100
52
39
26
13
10
Drain Current ID〔A〕
VGS=10V
TYP
Gate Threshold Voltage VTH〔V〕
Static Drain-Source On-static Resistance RDS(ON)〔Ω〕
100
Static Drain-Source On-state Resistance RDS(ON)〔Ω〕
V
VGS
C=
=1
10V
0
0V
V
8V
8
V
6V
5V
20
100
26
25 VDS=15V
TYP
Drain Current ID〔A〕
Drain Current ID〔A〕
26
25 Ta=25℃
TYP
50
100
Ambient Temperature Ta〔℃〕
150
10μs
100μs
1 RDS(ON)Limited
(at VGS=10V)
1ms
0.
1
Power Dissipation
Limited
Ta=25℃
Single pulse
0.
01
0.
1
10ms
DC
1
10
100 200
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
過渡熱抵抗
キャパシタンス特性
全損失減少率 −周囲温度
Transient Thermal Impedance
Capacitance Characteristics
Power Derating - Ambient Temperature
1
0.1
0.01
0.001 -5
10 10-4 10-3
on glass-epoxi substrate
10-2
10-1
100
Time t〔s〕
101
102
Crs
s
100
60
40
20
20
40
60
Ta=25℃
f=1MHz
TYP
80
100
Drain・Source Voltage VDS〔V〕
0
0
25
50
75
100
125
Ambient Temperature Tc〔℃〕
150
単発アバランシェエネルギー減少率−チャネル温度
Gate Charge Characteristics
100
VGS
GS
Gate Source Voltage VGS〔V〕
20
VDS
16
VDD=80V
40V
60
12
40
8
4
20
ID=13A
TYP
20
Cos
s
10
0
103
ゲートチャージ特性
Drain Source Voltage VDS〔V〕
80
1000
10
0
0
Ci
s
s
Power Derating〔%〕
Capacitance Ciss Coss Crss〔pF〕
θja
100
80
100
10000
40
60
80
Total Gate Charge Qg〔nC〕
0
100
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
100
Single Avalanche Energy Derating〔%〕
Transient Thermal Impedance θja〔℃/W〕
1000
80
60
40
20
0
0
50
100
Starting Channel Temperature Tch〔℃〕
150
www.
s
hi
ndengen.
c
o.
j
p/
pr
oduc
t
/
s
emi
/
* Si
newa
veは 5
0
Hzで測定しています。
* 50Hzs
i
newav
ei
sus
edf
ormeas
ur
ement
s
.
p
(MOS〈2014.03〉
)
ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている当社製品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その製品の故障や誤動作が直接生命や人体に影響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装置にご使用の場合には必ず事前に当社へご連絡の上、確認を得て下さい。 当社の
製品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工作機器、パーソナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器(車載、船舶等)、基幹用通信機器、交通信号機器、防災/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生命維持のための装置、システム
等
3. 当社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動作防止設計等の手段により結果として人身事故、火災事故、社会的な損害等が防止できるようご
検討下さい。
4. 本資料に記載されている内容は、製品改良などのためお断りなしに変更することがありますのでご了承下さ
い。製品のご購入に際しましては事前に当社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。
5. 本資料の使用によって起因する損害または特許権その他権利の侵害に関しては、当社は一切その責任を負
いません。
6. 本資料によって第三者または当社の特許権その他権利の実施に対する保証または実施権の許諾を行うもの
ではありません。
7. 本資料に記載されている製品が、外国為替及び外国貿易管理法に基づき規制されている場合、輸出には同
法に基づく日本国政府の輸出許可が必要です。
8. 本資料の一部または全部を当社に無断で転載または複製することを堅くお断りいたします。
Notes
1. If you wish to use any such product, please be sure to refer to the specifications issued by Shindengen.
2. All products described or contained herein are designed with a quality level intended for use in standard
applications requiring an ordinary level of reliability. If these products are to be used in equipment or devices
for special or specific applications requiring an extremely high grade of quality or reliability in which failures or
malfunctions of products may directly affect human life or health, a local Shindengen office must be contacted
in advance to confirm that the intended use of the product is appropriate. Shindengen products are grouped
into the following three applications according the quality grade.
【Standard applications】
Computers, office automation and other office equipment, communication terminals, test and
measurement equipment, audio/visual equipment, amusement equipment, consumer electronics,
machine tools, personal electronic equipment, industrial equipment, etc.
【Special applications】
Transportation equipment (vehicles, ships, etc.), trunk-line communication equipment, traffic signal
control systems, anti-disaster/crime systems, safety equipment, medical equipment, etc.
【Specific applications】
Nuclear reactor control systems, aircraft, aerospace equipment, submarine repeaters, life support
equipment and systems, etc.
3. Although Shindengen continuously endeavors to enhance the quality and reliability of its products, customers
are advised to consider and take safety measures in their design, such as redundancy, fire containment and
anti-failure, so that personal injury, fires, or societal damages can be prevented.
4. Please note that all information described or contained herein is subject to change without notice due to
product upgrades and other reasons. When buying Shindengen products, please contact the Company s
offices or distributors to obtain the latest information.
5. Shindengen shall not bear any responsibility with regards to damages or infringement of any third-party patent
rights and other intellectual property rights incurred due to the use of information on this website.
6. The information and materials on this website neither warrant the use of Shindengen's or any third party s
patent rights and other intellectual property rights, nor grant license to such rights.
7. In the event that any product described or contained herein falls under the category of strategic products
controlled under the Foreign Exchange and Foreign Trade Control Law of Japan, exporting of such products
shall require an export license from the Japanese government in accordance with the above law.
8. No reprinting or reproduction of the materials on this website, either in whole or in part, is permitted without
proper authorization from Shindengen.