NTE5594

NTE5561, NTE5594 thru NTE5596
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
850 Amp, TO200AC
Ratings: (Maximum Values at TJ = +125°C unless otherwise specified)
Repetitive Peak Voltage, VDRM
NTE5561 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V
NTE5594 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5595 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5596 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
Repetitive Peak Reverse Voltage, VRRM
NTE5561 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V
NTE5594 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5595 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5596 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
Non−Repetitive Peak Off−State Voltage, VDSM
NTE5561 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V
NTE5594 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5595 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5596 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
Non−Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, VRSM
NTE5561 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V
NTE5594 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
NTE5595 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V
NTE5596 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
Average On−State Current (Half Sine Wave), IT(AV)
+55°C Heatsink Temperature, Double Side Cooled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 820A
+85°C Heatsink Temperature, Single Side Cooled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 320A
RMS On−State Current (+25°C Heatsink Temperature, Double Side Cooled), IT(RMS) . . . . . 1640A
Continuous On−State Current (+25°C Heatsink Temperature, Double Side Cooled), IT . . . . 1400A
Peak One Cycle Surge (Non−Repetitive) On−State Current (10ms Duration), ITSM
60% VRRM re−applied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11500A
VR ≤ 10V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12650A
Maximum Permissible Surge Energy (VR ≤ 10V), I2t
10ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8000000A2s
3ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5900000A2s
Peak Forward Gate Current (Anode Positive with respect to Cathode), IFGM . . . . . . . . . . . . . . . 20A
Peak Forward Gate Voltage (Anode Positive with respect to Cathode), VFGM . . . . . . . . . . . . . . . 22V
Peak Reverse Gate Voltage, VRGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Average Gate Power, PG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4W
Peak Gate Power (100μs Pulse Width), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120W
Rate of Rise of Off−State Voltage (To 80% VDRM Gate Open−Circuit), dv/dt . . . . . . . . . . . 500V/μs
Rate of Rise of Off−State Current, di/dt
(Gate Drive 20V, 20Ω with tr ≤ 1μs, Anode Voltage ≤ 80% VDRM)
Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/μs
Non−Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000A/μs
Operating Temperature Range, Ths . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +125°C
Storage Temperature Range, Ths . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +150°C
Rev. 8−12
Characteristics: (Maximum values at TJ = +125°C unless otherwise specified)
Peak On−State Voltage (ITM = 1700A), VTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.75V
Forward Conduction Threshold Voltage, VO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.08V
Forward Conduction Slope Resistance, r . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.395Ω
Repetitive Peak Off−State Current (At VDRM), IDRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60mA
Repetitive Peak Reverse Current (At VRRM), IRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60mA
Maximum Gate Current Required to Fire All Devices (TJ = +25°C, VA = 6V, IA = 2A), IGT . . 200mA
Maximum Gate Voltage Required to Fire All Devices (TJ = +25°C, VA = 6V, IA = 2A), VGT . . . . . 3V
Maximum Holding Current (TJ = +25°C, VA = 6V, IA = 2A), IH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Maximum Gate Voltage which will Not Trigger Any Device, VGD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.25V
Thermal Resistance, Junction−to−Heatsink for a Device with a Max. Forward Voltage Drop, RthJ−HS
Double Side Cooled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.044°C/W
Single Side Cooled . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.088°C/W
8.500 (21.59)
Max
2.290
(58.16)
Max
For No. 6 Screws
Cathode
1.343 (34.13) Max
1.060
(26.92)
Max
Cathode Potential (Red)
Gate (White)
.040 (1.01) Min
2.090
(53.08)
Max
Marking
Anode