NTE56 Silicon NPN Transistor High Gain Switch and Pass Regulator TO−220 Full Pack Absolute Maximum Ratings: (TA = +25C unless otherwise specified) Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A Collector Power Dissipation (TC = +25C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25W Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to +150C Electrical Characteristics: (TA = +25C unless otherwise specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Collector Cutoff Current ICBO VCB = 100V − − 10 A Emitter Cutoff Current IEBO VEB = 6V − − 100 A Collector−Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 25mA 80 − − V DC Current Gain Collector−Emitter Saturation Voltage Current Gain−Bandwidth Product Capacitance hFE VCE = 4V, IC = 0.5A 500 − − VCE(sat) IC = 2A, IB = 50mA − − 0.5 V fT VCE = 12V, IE = −0.2A − 15 − MHz COB VCB = 10V, f = 1MHz − 50 − pF Rev. 6−15 .165 (4.2) .398 (10.1) .331 (8.4) .110 (2.8) .157 (4.0) Isol .665 (16.9) B C E .154 (3.9) .512 (13.0) Min .100 (2.54) .094 (2.4)