NJG1117HA8 GPS 用 LNA GaAs MMIC ■概要 NJG1117HA8 は、GPS での使用を主目的とした低雑音増 幅器です。低消費電流で高利得、低雑音、低歪みを実現しま した。また、外部整合回路の変更により、1.2～2.4GHz 帯で の使用も可能です。 パッケージには USB6-A8 を採用し、超小型化・超薄型化 を実現しました。 ■特徴 ●低電圧動作 ●低消費電流 ●高利得 ●低雑音 ●高入力 P-1dB ●高入力 IP3 ●パッケージ ■外形 NJG1117HA8 +2.7V typ. 3.0mA typ. 19.5dB typ. @ fRF=1575MHz 0.7dB typ. @ fRF=1575MHz -16.5dBm typ. @ fRF=1575MHz -2.0dBm typ. @ fRF=1575MHz+1575.1MHz USB6-A8（Package size: 1mm x 1.2mm x 0.38mm typ.） ■端子配列 HA8 Type (Top View) GND 3 RFIN GND 4 端子配列 1. RFOUT 2. GND 3. GND 4. RFIN 5. GND 6. GND 2 Bias Circuit GND RFOUT 5 1 GND 6 1Pin INDEX 注: 本資料に記載された内容は、予告変更することがありますので、ご了承下さい。 Ver.2007-06-22 -1- NJG1117HA8 ■絶対最大定格 Ta=+25°C, Zs=Zl=50 ohm 項目 記号 条件 定格 単位 電源電圧 VDD 5 V 入力電力 Pin +15 dBm 消費電力 PD 150 mW 動作温度 Topr -40~+85 °C 保存温度 Tstg -55~+150 °C 基板実装時、Tj=150°C ■電気的特性 共通条件: VDD=2.7V, fRF=1575MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 動作周波数 fRF 1.57 1.575 1.58 GHz 電源電圧 VDD 2.5 2.7 3.6 V 動作電流 IDD - 3.0 4.0 mA 17.5 19.5 22.0 dB - 0.7 1.0 dB -19.0 -16.5 - dBm -8.0 -2.0 - dBm 小信号電力利得 雑音指数 1dB 利得圧縮時 入力電力 入力 3 次インター セプトポイント RF OFF Gain NF 基板、コネクタ損失 (0.05dB)除く P-1dB(IN) IIP3 f1=fRF, f2=fRF+100kHz, Pin=-34dBm RF IN VSWR VSWRi - 2.0 2.5 RF OUT VSWR VSWRo - 1.5 2.0 -2- NJG1117HA8 ■端子情報 番号 端子名 機能説明 RF 信号出力端子です。外部整合回路を介して RF 信号が出力されます。 この端子は LNA 電源電圧供給端子も兼ねていますので、推奨回路図に示す L3 を介して電源を供給して下さい。 1 RFOUT 2 GND 接地端子(0V) 3 GND 接地端子(0V) 4 RFIN RF 信号入力端子です。外部整合回路を介して RF 信号が入力されます。 この端子には DC ブロッキングキャパシタが内蔵されています。 5 GND 接地端子(0V) 6 GND 接地端子(0V) 注意事項 接地端子(2, 3, 5, 6 番端子)は極力インダクタンスが小さくなるようにグランドプレーンに接続して下さい。 -3- NJG1117HA8 ■特性例 共通条件：Ta=+25°C, VDD=2.7V, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による Pout vs. Pin Gain, IDD vs. Pin (VDD=2.7V, fRF=1575MHz) 10 7 Gain (dB) Pout -5 -10 -15 P-1dB(IN)=-16.6dBm -20 -25 -40 -30 -20 -10 0 20 6 18 5 4 14 3 12 2 10 8 -40 10 IDD 16 1 P-1dB(IN)=-16.2dBm 0 -30 -20 Pin (dBm) -10 0 10 Pin (dBm) NF, Gain vs. frequency Pout, IM3 vs. Pin (VDD=2.7V) (VDD=2.7V, fRF=1575+1575.1MHz) 2.5 22 20 21 0 2 20 1.5 19 NF 1 18 0.5 17 Gain (dB) Gain Pout, IM3 (dBm) 3 Pout -20 -40 -60 IM3 -80 IIP3=-1.9dBm (NF: Exclude PCB, Connector Losses) 0 1.5 1.55 16 1.65 1.6 frequency (GHz) (VDD=2.7V) k factor 15 10 5 0 0 5 10 frequency (GHz) -4- -30 -20 -10 Pin (dBm) k factor vs. frequency 20 -100 -40 15 20 0 10 IDD (mA) Gain 0 Noise Figure (dB) 8 22 5 Pout (dBm) (VDD=2.7V, fRF=1575MHz) 24 NJG1117HA8 ■特性例 共通条件：Ta=+25°C, VDD=2.7V, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による Gain, NF vs. VDD P-1dB(IN) vs. VDD (fRF=1575MHz) 24 22 3.5 -10 3 -12 (fRF=1575MHz) 2.5 18 2 16 1.5 14 1 NF 12 10 2.4 P-1dB(IN) (dBm) 20 NF (dB) Gain (dB) Gain 0.5 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 -14 P-1dB(IN) -16 -18 -20 -22 0 3.8 -24 2.4 2.6 2.8 VDD (V) 3.4 3.6 3.8 VSWR vs. VDD (fRF=1575+1575.1MHz, Pin=-34dBm) 10 8 20 6 OIP3 18 4 16 2 14 0 IIP3 12 VSWRi 4 VSWRo VSWRi, VSWRo 22 (fRF=1575MHz) 5 IIP3 (dBm) OIP3 (dBm) 3.2 VDD (V) OIP3, IIP3 vs. VDD 24 3 3 2 -2 1 -4 10 8 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 -6 3.8 VDD (V) 0 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 3.8 VDD (V) IDD vs. VDD (RF OFF) 6 5 IDD (mA) 4 IDD 3 2 1 0 2.4 2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6 3.8 VDD (V) -5- NJG1117HA8 ■特性例 共通条件：VDD=2.7V, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による Gain, NF vs. Temperature 24 22 Gain 3.5 -10 3 -12 2.5 18 2 16 1.5 14 NF (dB) Gain (dB) 20 P-1dB(IN) vs. Temperature 1 P-1dB(IN) (dBm) (fRF=1575MHz) (fRF=1575MHz) -14 -16 P-1dB(IN) -18 -20 NF 12 0.5 10 -50 0 -22 0 100 50 -24 -50 Temperature (oC) OIP3, IIP3 vs. Temperature (fRF=1575+1575.1MHz, Pin=-34dBm) 20 5 10 4 5 10 0 5 IIP3 0 50 -5 -10 100 Temperature (oC) (RF OFF) IDD (mA) 4 3 IDD 2 1 0 50 Temperature (oC) -6- (f=1575MHz) VSWRi 3 2 1 0 -50 0 50 Temperature (oC) IDD vs. Temperature 5 IIP3 (dBm) OIP3 (dBm) 15 0 -50 100 VSWRo OIP3 0 -50 50 VSWR vs. Temperature 15 VSWRi, VSWRo 25 0 Temperature (oC) 100 100 NJG1117HA8 ■特性例 共通条件：Ta=+25°C, VDD=2.7V, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による -7- NJG1117HA8 ■外部回路図 HA8 Type (Top View) GND L2 8.2nH 3 RFIN GND 4 RF IN 2 L1 33nH Bias Circuit GND RFOUT C1 L4 22nH 1.5pF RF OUT 1 5 GND L3 6.8nH VDD=2.7V 6 C2 1000pF 1Pin INDEX ■基板実装図 (Top View) チップ部品リスト Parts ID L1 ~ L3 L4 L1 C1 RF OUT RF IN L2 C2 C1 ~ C2 備考 村田製作所製 (LQP03T シリーズ) TDK 製 (MLK0603 シリーズ) 村田製作所製 (GRM03 シリーズ) L4 L3 VDD PCB (FR-4): t=0.2mm MICROSTRIP LINE WIDTH =0.34mm (Z0=50 ohm) PCB SIZE=14.0mm x 14.0mm 注: 高周波帯域での安定性劣化を防ぐため、入出力端子(1 番端子-4 番端子)間に GND パターンを 設けて下さい。 -8- NJG1117HA8 ■測定ブロック図 VDD=2.7V VDD=2.9V RF Output RF Input DUT Port1 Port2 Network Analyzer S パラメータ測定ブロック VDD=2.7V VDD=2.9V RF Input RF Output DUT N.S. Output Input Noise Source NF Analyzer Meter NF 測定ブロック VDD=2.7V freq1 freq1=865.0MHz VDD=2.9V Isolator Signal Generator RF Input DUT Signal Generator freq2=865.1MHz freq2 Isolator Power Comb. Variable 6dB Attenuator RFOutput Spectrum Analyzer Center=865.05Hz Span=400kHz RBW=3kHz VBW=100Hz 大信号特性測定ブロック -9- NJG1117HA8 0.38±0.06 +0.012 0.038-0.009 Qパッケージ外形図 (USB6-A8) 0.03 0.2 (MIN0.15) S S 端子処理 基板 モールド樹脂 単位 重量 : : : : : 金メッキ FR5 エポキシ樹脂 mm 1.1mg 0.2±0.04 C0.1 6 R0.05 5 1 4 0.2±0.04 0.4 0.6 Photo resist coating 0.8 1.2±0.05 0.1±0.05 2 3 0.4 0.2±0.07 1.0±0.05 ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防 止のため、製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。 廃棄する場合は、関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。 この製品は静電放電 ･ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。 - 10 - ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。