NJG1131HA8 ワンセグ用広帯域 ワンセグ用広帯域 LNA GaAs MMIC ■概要 NJG1131HA8 は、ワンセグ（移動体端末向け地上デジタル放送） での使用を主目的とした低雑音増幅器です。UHF テレビチャンネ ル帯にて広帯域で平坦な利得特性を持ちながら、帯域外では低利 得特性を有します。また、低消費電流、低雑音、低歪みを実現し ました。 パッケージには USB6-A8 を採用し、超小型化・超薄型化を実現 しました ■外形 NJG1131HA8 ■ アプリケーション 広帯域(470MHz～770MHz)用途 デジタル TV、モバイル TV、モバイルフォン及びタブレット PC など ■特徴 ●広帯域 ●低電圧動作 ●低消費電流 ●利得 ●低雑音 ●高入力 P-1dB ●高入力 IP3 ●超小型･超薄型パッケージ 470~770MHz +2.7V typ. 3.4mA typ. 10.0dB typ. 1.4dB typ. -5.0dBm typ. +5.0dBm typ. USB6-A8（Package size: 1.0mm x 1.2mm x 0.38mm typ.） ■端子配列 (Top View) GND VG 6 1 RFOUT 5 Bias Circuit 端子配列 1. GND 2. RFIN 3. GND 4. GND 5. RFOUT 6. VG 1 Pin INDEX 2 RFIN 4 GND 3 GND 注: 本資料に記載された内容は変更することがありますので、ご了承下さい。 Ver.2013-04-23 -1- NJG1131HA8 ■絶対最大定格 Ta=+25°C, Zs=Zl=50 ohm 項目 記号 条件 定格 単位 電源電圧 VDD VDD 端子 5 V 入力電力 Pin VDD=2.7V +15 dBm 消費電力 PD 基板実装時、Tj=150℃ 150 mW 動作温度 Topr -40~+85 °C 保存温度 Tstg -55~+150 °C ■電気的特性 1 (DC 特性) 共通条件: VDD=2.7V, Ta=+25°C, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による 項目 記号 電源電圧 VDD 動作電流 IDD 条件 RF OFF 最小 標準 最大 単位 2.3 2.7 3.6 V - 3.4 5.0 mA ■電気的特性 2 (RF 特性) 共通条件: VDD= 2.7V, fRF=470~770MHz, Ta=+25°C, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による 項目 最小 標準 最大 単位 fRF 470 620 770 MHz 小信号電力利得 Gain 8.0 10.0 12.0 dB 帯域内利得偏差 Gflat - 1.1 1.4 dB 雑音指数 NF - 1.4 1.8 dB -8.0 -5.0 - dBm +2.0 +5.0 - dBm 動作周波数 1dB 利得圧縮時 入力電力 入力 3 次インター セプトポイント 記号 条件 基板、コネクタ損失 (0.05dB)除く P-1dB(IN) IIP3 f1=fRF, f2=fRF+100kHz, Pin=-28dBm RF IN VSWR VSWRi - 2.6 3.0 RF OUT VSWR VSWRo - 2.9 3.3 -2- NJG1131HA8 ■端子情報 番号 端子名 機能説明 1 GND 接地端子(0V) 2 RFIN RF 信号入力端子です。外部整合回路を介して RF 信号が入力されます。この端 子は推奨回路図に示す L1 を介して DC 的に接地して下さい。 3 GND 接地端子(0V) 4 GND 接地端子(0V) 5 RFOUT RF 信号出力端子です。外部整合回路を介して RF 信号が出力されます。この端 子は LNA 電源電圧供給端子も兼ねていますので、推奨回路図に示す L3 を介し て電源を供給して下さい。 6 VG バイアス電圧供給端子です。推奨回路図に示すように LNA と同じ電源電圧を 供給して下さい。 注意事項 接地端子(1, 3, 4 番端子)は極力インダクタンスが小さくなるようにグランドプレーンに接続して下さい。 -3- NJG1131HA8 ■特性例 共通条件：Ta=+25°C, VDD=2.7V, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による Pout vs. Pin Gain, IDD vs. Pin (fRF=620MHz) (fRF=620MHz) 10 12 5 8 11 7 Gain 0 10 6 9 5 8 4 -10 Pout -15 7 -20 2 5 -30 1 P-1dB(IN)=-3.4dBm -35 -30 -25 -20 -15 -10 -5 P-1dB(IN)=-3.4dBm 4 0 0 -40 -35 -30 -25 Pin (dBm) Pout, IM3 vs. Pin -10 -5 0 Gain, NF vs. Frequency 20 12 4 11 0 3.5 Gain Pout Gain (dB) Pout, IM3 (dBm) -15 Pin (dBm) (f1=620MHz, f2=620.1MHz) -20 -20 -40 10 3 9 2.5 8 2 7 -60 1.5 NF 6 1 5 0.5 -80 IIP3=+7.6dBm IM3 -100 -40 -30 -20 -10 0 4 10 400 450 500 Pin (dBm) 550 600 650 700 750 0 800 Frequency (MHz) IIP3, OIP3 vs. Frequency P-1dB(IN) vs. Frequency (f1=Frequency, f2=Frequency+0.1MHz, Pin=-28dBm) 5 20 OIP3 15 IIP3, OIP3 (dBm) P-1dB(IN) (dBm) 0 P-1dB(IN) -5 -4- IIP3 5 -10 -15 400 10 450 500 550 600 650 Frequency (MHz) 700 750 800 0 400 450 500 550 600 650 Frequency (MHz) 700 750 800 NF (dB) -35 -40 3 IDD 6 -25 IDD (mA) Gain (dB) Pout (dBm) -5 NJG1131HA8 ■特性例 共通条件：Ta=+25°C, VDD=2.7V, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による Gain, NF vs. VDD K-factor vs. Frequency (fRF=620MHz) 30 12 25 10 6 5 8 4 6 3 10 4 2 5 2 Gain (dB) K-factor 20 15 NF (dB) Gain NF 1 0 0 0 0 5000 10000 15000 20000 0 1 2 Frequency (MHz) 3 4 5 VDD (V) P-1dB(IN) vs. VDD IIP3, OIP3 vs. VDD (fRF=620MHz) (f1=620MHz, f2=620.1MHz, Pin=-28dBm) 5 25 20 IIP3, OIP3 (dBm) P-1dB(IN) (dBm) 0 P-1dB(IN) -5 15 OIP3 10 5 IIP3 -10 0 -5 -15 0 1 2 3 4 0 5 1 3 VDD (V) IDD vs. VDD VSWR vs. VDD (RF OFF) 4 5 4 5 (fRF=470~770MHz) 8 6 7 VSWRi(max.), VSWRo(max.) 7 5 IDD (mA) 2 VDD (V) 4 3 IDD 2 1 6 5 4 VSWRo(max.) 3 2 VSWRi(max.) 1 0 0 0 1 2 3 VDD (V) 4 5 0 1 2 3 VDD (V) -5- NJG1131HA8 ■特性例 共通条件：VDD=2.7V, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による P-1dB(IN) vs. Temp. Gain, NF vs. Temp. (fRF=620MHz) (fRF=620MHz) 5 6 12 Gain 5 10 4 6 3 4 2 P-1dB(IN) (dBm) 8 NF (dB) Gain (dB) 0 P-1dB(IN) -5 -10 NF 1 2 0 -50 0 50 0 100 -15 -50 0 50 Temperature (C o) Temperature (C o) 100 IDD vs. Temp. IIP3, OIP3 vs. Temp. (RF OFF) (f1=620MHz, f2=620.1MHz, Pin=-28dBm) 7 25 6 20 5 15 IDD (mA) IIP3, OIP3 (dBm) OIP3 10 4 3 IDD IIP3 2 5 1 0 -50 0 50 100 o Temperature (C ) (fRF=470~770MHz) 8 VSWRi(max.), VSWRo(max.) 7 6 5 4 VSWRo(max.) 3 VSWRi(max.) 1 0 -50 0 50 Temperature (C o) -6- 0 50 Temperature (C o) VSWR vs. Temp. 2 0 -50 100 100 NJG1131HA8 ■特性例 共通条件：Ta=+25°C, VDD=2.7V, Zs=Zl=50 ohm, 回路は指定の外部回路による S11, S22 S21, S12 VSWR Zin, Zout S11, S22 (~20GHz) S21, S12 (~20GHz) -7- NJG1131HA8 ■ブロック図及び外部回路図 C3 1000pF GND VG RFOUT 6 1 VDD=2.7V L3 27nH RFOUT 5 L2 56nH Bias Circuit C2 3pF RFIN 2 C1 68pF L1 33nH RFIN 4 GND 3 GND ■基板実装図 チップ部品リスト VDD Parts ID L1~L3 C3 L3 L1 RF IN C1 C1~C3 L2 C2 RF OUT 備考 村田製作所製 LQP03T シリーズ 村田製作所製 GRM03 シリーズ PCB (FR-4)： t=0.2mm MICROSTRIP LINE WIDTH=0.4mm (Z0=50 ohm) PCB SIZE=16.8mm×16.8mm デバイス使用上 デバイス使用上の 使用上の注意 [1] C1 は DC ブロッキングキャパシタです。 [2] L2, L3, C2 は外部整合回路を形成しています。 [3] C3 はバイパスキャパシタです。 [4] GND端子（1, 3, 4pin）は極力インダクタンスが小さくなるようにグランドプレーンに接続して下さい。 [5] 全ての外部部品は出来るだけ IC の近傍に配置して下さい。 -8- NJG1131HA8 ■測定ブロック図 VDD=2.7V VDD=2.9V RF Output RF Input DUT Port2 Port1 Network Analyzer S パラメータ測定ブロック VDD=2.7V VDD=2.9V RF Input RF Output DUT N.S. Output Input Noise Source NF Analyzer Meter NF 測定ブロック freq1 VDD=2.7V 3dB Attenuator Signal Generator RF Input Signal Generator freq2 DUT RF Output Spectrum Analyzer Power Comb. 3dB Attenuator 大信号特性測定ブロック -9- NJG1131HA8 0.38±0.06 +0.012 0.038-0.009 Iパッケージ外形図 (USB6-A8) 0.03 0.2 (MIN0.15) S S 端子処理 基板 モールド樹脂 単位 重量 :金メッキ :FR5 :エポキシ樹脂 :mm :1.1mg 0.2±0.04 C0.1 6 R0.05 5 1 4 0.2±0.04 0.4 0.6 Photo resist coating 0.8 1.2±0.05 0.1±0.05 2 3 0.4 0.2±0.07 1.0±0.05 ガリウムヒ素 ガリウムヒ素(GaAs)製品取 製品取り 製品取り扱い上の注意事項 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のた め、製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合 は、関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。 この製品は静電放電 ･ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。 - 10 - ＜注意事項＞ このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。