NJG1140KA1 広帯域 LNA GaAs MMIC I 概要 NJG1140KA1 は、地上波と衛星放送での使用を主目的とした広 帯域低雑音増幅器です。50MHz から 2150MHz までの広帯域特性 をもち、高い線形性を有します。また、外部回路は整合調整が必 要なく、素子数も 4 個と少ないのが特徴です。ESD 耐圧向上のた めに ESD 保護回路を内蔵しました。パッケージには鉛フリー、ハ ロゲンフリーに対応した FLP6-A1 を採用しています。 I 外形 NJG1140KA1 I アプリケーション 地上波、衛星放送用途のセットトップボックス、デジタル TV 及びケーブル TV など LTE 対応ルーター、モデム及び基地局 I 特徴 G広帯域動作 G動作電圧 G消費電流 G利得 G高入力 IP3 G高 P-1dB(IN) G高 ESD 耐圧 G外部素子数 G小型パッケージ G鉛フリー・ハロゲンフリー 50MHz~2150MHz +3.3V typ. (+2.5V ~ +4.0V) 10mA typ. @VDD=3.3V 9.0dB typ. @VDD=3.3V +9.0dBm typ. @VDD=3.3V +7.0dBm typ. @VDD=3.3V ESD 保護回路内蔵 4 個（キャパシタ 3 個、インダクタ 1 個） FLP6-A1（パッケージサイズ: 1.6mm x 1.6mm x 0.55mm typ.） I 端子配列 (Top View) GND RFOUT 4 5 3 GND (NC) bias circuit GND (NC) 端子配列 1. GND 2. NC (GND) 3. RFOUT 4. GND 5. NC (GND) 6. RFIN 2 LNA RFIN 6 GND 1 1Pin INDEX 注: 本資料に記載された内容は変更することがありますので、ご了承下さい。 Ver.2013-04-18 -1- NJG1140KA1 I 絶対最大定格 Ta=+25°C 項目 記号 条件 定格 単位 5.0 V 電源電圧 VDD 入力電力 P IN VDD=3.3V +15 dBm 消費電力 PD 4 層(74.2x74.2mm) FR4 基板実装時、T j=150℃ 580. mW 動作温度 T opr -40～+85 ℃ 保存温度 T stg -55～+150 ℃ I 電気的特性 (DC) 共通条件: VDD=3.3V, Ta=+25°C, Zs =Zl=50Ω 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位 電源電圧 VDD 2.5 3.3 4.0 V 動作電流 IDD - 10 14 mA I 電気的特性 (RF) 共通条件: VDD=3.3V, fRF=50~2150MHz, Ta =+25°C, Zs=Zl=50Ω , 指定の外部回路による 項目 動作周波数 小信号電力利得 雑音指数 1dB 利得圧縮時 入力電力 入力 3 次インター セプトポイント アイソレーション 記号 条件 f RF 最小 標準 最大 単位 50 - 2150 MHz Gain 基板、コネクタ損失除く ※1 7.0 9.0 12.0 dB NF 基板、コネクタ損失除く ※2 - 2.5 3.0 dB +2.0 +7.0 - dBm +5.0 +9.0 - dBm - -16.0 - dB P-1dB(IN) IIP3 f1=f RF, f2=f RF+100kHz, Pin=-20dBm ISO S12 RF IN VSWR VSWRi - 1.5 3.3 - RF OUT VSWR VSWRo - 1.5 3.3 - ※1 入力側基板、コネクタ損失 ※2 入出力側基板、コネクタ損失 -2- 0.016dB(at 50MHz), 0.254dB(at 2150MHz) 0.008dB(at 50MHz), 0.127dB(at 2150MHz) NJG1140KA1 I 端子情報 番号 端子名 機能説明 1 GND 2 NC (GND) この端子はチップ内部との接続がありません。基板上で接地電位に接続 して下さい。 3 RFOUT RF 信号出力端子です。この端子は LNA 電源電圧供給端子も兼ねていま すので、推奨回路図に示すチョークインダクタ L1 を介して電源を供給 して下さい。 4 GND 5 NC (GND) この端子はチップ内部との接続がありません。基板上で接地電位に接続 して下さい。 6 RFIN RF 信号入力端子です。推奨回路図に示す DC ブロッキングキャパシタ C1 を接続して下さい。 接地端子(0V)です。極力 IC ピン近傍で接地電位に接続して下さい。 接地端子(0V)です。極力 IC ピン近傍で接地電位に接続して下さい。 -3- NJG1140KA1 I 特性例 (共通条件 : VDD=3.3V, Ta=+25oC, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による) Pout vs. Pin Gain, IDD vs. Pin (freq=620MHz) (freq=620MHz) 20 12 10 10 50 0 8 40 6 30 60 -10 Pout -20 IDD 20 4 -30 10 2 P-1dB(IN)=+8.2dBm P-1dB(IN)=+8.2dBm -40 -40 -30 -20 -10 0 0 -40 10 0 -30 -20 Pout, IM3 vs. Pin 10 (freq=50~3000MHz) 20 5 12 4.5 10 0 Pout Gain 8 4 -40 -60 IM3 3.5 4 3 2 2.5 0 -80 1.5 (Exclude PCB, Connector Losses) -4 -30 -20 -10 0 2 NF -2 IIP3=+9.8dBm -100 -40 6 10 0 500 1000 Pin (dBm) 1500 2000 2500 1 3000 Frequency (MHz) P-1dB(IN) vs. Frequency IIP3, OIP3 vs. Frequency (freq=50~2150MHz) (f1=50~2150MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-20dBm) 12 22 10 20 IIP3, OIP3 (dBm) P-1dB(IN) 8 6 4 OIP3 18 16 14 12 IIP3 2 10 0 0 500 1000 1500 Frequency (MHz) 2000 2500 8 0 500 1000 1500 Frequency (MHz) 2000 2500 NF (dB) -20 Gain (dB) Pout, IM3 (dBm) 0 Gain, NF vs. Frequency (f1=620MHz, f2=f1+100kHz) P-1dB(IN) (dBm) -10 Pin (dBm) Pin (dBm) -4- IDD (mA) Gain (dB) Pout (dBm) Gain NJG1140KA1 I 特性例 (共通条件 : VDD=3.3V, Ta=+25oC, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による) P-1dB(IN) vs. VDD Gain, NF vs. VDD (f=620MHz) (f=620MHz) 5 14 11 4.5 12 4 10 9 3.5 8 3 7 2.5 6 2 NF 5 NF(dB) Gain (dB) Gain P-1dB(IN) (dBm) 12 10 8 6 4 1.5 2 1 0 (Exclude PCB, Connector Losses) 4 2 2.5 3 3.5 4 2 4.5 2.5 3 VDD (V) OIP3, IIP3 vs. VDD 4 4.5 4 4.5 VSWR vs. VDD (f=620MHz) (f=620MHz) 25 4 3.5 OIP3 20 3 VSWR OIP3, IIP3 (dBm) 3.5 VDD (V) 15 2.5 VSWRo 2 IIP3 10 1.5 VSWRi 5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 VDD (V) 1 2 2.5 3 3.5 VDD (V) IDD vs. VDD (RF OFF) 20 IDD (mA) 15 10 5 0 2 2.5 3 3.5 4 4.5 VDD (V) -5- NJG1140KA1 I 特性例 (共通条件 : VDD=3.3V, Ta=+25oC, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による) S11, S22 S21, S12 VSWR Zin, Zout S11, S22 (f=50MHz~20GHz) -6- S21, S12 (f=50MHz~20GHz) NJG1140KA1 I 特性例 (共通条件 : VDD=3.3V, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による) P-1dB(IN) vs. Temperature Gain, NF vs. Temperature (f=620MHz) (f=620MHz) 4 11 3.5 Gain 3 2.5 9 NF 2 8 NF(dB) Gain (dB) 10 15 P-1dB(IN) (dBm) 12 10 5 1.5 7 (Exclude PCB, Connector Losses) 6 -40 -20 0 20 40 60 80 0 -40 1 100 -20 0 20 Temperature ( C) 60 80 100 80 100 VSWR vs. Temperature OIP3, IIP3 vs. Temperature (f1=620MHz) (f1=620MHz, f2=f1+100kHz, Pin=-20dBm) 4 24 OIP3 20 3.5 3 16 VSWR OIP3, IIP3 (dBm) 40 Temperature (oC) o 12 IIP3 2.5 VSWRo 2 8 1.5 VSWRi 4 -40 -20 0 20 40 60 80 1 -40 100 -20 0 20 40 60 o o Temperature ( C) Temperature ( C) IDD vs. Temperature K factor vs. Temperature (RF OFF) (f=50MHz~20GHz) 14 20 o -40( C) o 12 -20( C) o 0( C) 15 10 o 25( C) o K factor IDD (mA) 60( C) 8 6 4 o 85( C) 10 5 2 0 -40 0 -20 0 20 40 60 Temperature (oC) 80 100 0 5 10 15 20 Frequency (GHz) -7- NJG1140KA1 I ブロック図及び外部回路図 (Top View) GND RFOUT 4 5 C2 0.01µ µF RFOUT L1 270nH VDD 3 GND (NC) GND (NC) bias circuit C3 0.01µ µF 2 LNA RFIN GND RFIN 6 1 C1 0.01µ µF 1Pin INDEX I 基板実装図 (Top View) チップ部品リスト VDD Parts ID L1 C3 L1 C2 RF IN RF OUT C1~C3 備考 太陽誘電製 HK1005 シリーズ 村田製作所製 GRM15 シリーズ C1 PCB (FR-4): t=0.2mm MICROSTRIP LINE WIDTH 1Pin INDEX =0.40mm (Z0=50Ω) PCB SIZE=16.8mm x 16.8mm 注意事項: RFIN 端子と RFOUT 端子の結合を防ぐために、IC の下にグランドパターンを配置して下さい。 -8- NJG1140KA1 I パッケージ外形図（FLP6-A1） 1.6 0.05 0.05 0.13 0.05 0.1 0.5 0.2 0.1 0.5 1.6 0.05 1.2 0.05 0.2 0.1 0.55 0.1 0.22 0.05 単位：mm ガリウムヒ素 製品取り ガリウムヒ 素 (GaAs)製品取 製品取 り 扱 い 上 の 注意事項 この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止 のため、製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄す る場合は、関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。 この製品は静電放電 ･ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。 ＜注意事項＞ このデータブック の掲載内容の 正確さに は 万全を期しており ますが、掲載 内容につ いて 何らかの法的な保 証を行うもの ではあり ませ ん。とくに応用回 路については 、製品の 代表 的な応用例を説明 するためのも のです。ま た、 工業所有権その他 の権利の実施 権の許諾 を伴 うものではなく、 第三者の権利 を侵害し ない ことを保証するも のでもありま せん。 -9-